JPS6274430A - 希ガスハライドエキシマ−レ−ザ−ガスの精製法 - Google Patents
希ガスハライドエキシマ−レ−ザ−ガスの精製法Info
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- JPS6274430A JPS6274430A JP60213691A JP21369185A JPS6274430A JP S6274430 A JPS6274430 A JP S6274430A JP 60213691 A JP60213691 A JP 60213691A JP 21369185 A JP21369185 A JP 21369185A JP S6274430 A JPS6274430 A JP S6274430A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、希ガスハライドエキシマ−レーザーガスの固
体アルカリ金属および／またはアルカリ土類金属化合物
とゼオライトとの組合せによる精製に関するものである
。
体アルカリ金属および／またはアルカリ土類金属化合物
とゼオライトとの組合せによる精製に関するものである
。
ＡｒＦ 、 ＫｒＦ 、 ＸｅＦ 、 Ｘｅ０１系に代
表される希ガスハライドエキシマ−レーザーは高出力の
紫外光源として半導体製造や光化学反応をはじめ種々の
分野への応用が急速に進展しているが媒質としてＦ２．
ＨＣ’１などの極めて反応性の高い気体を用いるの−
で、レーザー容器等との反応によりその濃度は減少し、
不純物が発生する。このレーザーガスの劣化はレーザー
出力の著しい低下をもタラしてエキシマ−レーザーの長
期の連続運転を不可能とするものであり、したがってそ
の改善が望まれていた。
表される希ガスハライドエキシマ−レーザーは高出力の
紫外光源として半導体製造や光化学反応をはじめ種々の
分野への応用が急速に進展しているが媒質としてＦ２．
ＨＣ’１などの極めて反応性の高い気体を用いるの−
で、レーザー容器等との反応によりその濃度は減少し、
不純物が発生する。このレーザーガスの劣化はレーザー
出力の著しい低下をもタラしてエキシマ−レーザーの長
期の連続運転を不可能とするものであり、したがってそ
の改善が望まれていた。
また、Ｋｒ、 Ｘｅ、 Ｈｅ、 Ｎｅ等非常に高価なガ
スを使用するだめ、劣化したガスを廃棄し新たにガスを
導入、使用する方法は工業的には採用し難い。
スを使用するだめ、劣化したガスを廃棄し新たにガスを
導入、使用する方法は工業的には採用し難い。
本発明はレーザーガス中の不純物を効率的に除去し精製
レーザーガスを循環使用し得るようにし、よって長期に
わたる安定した連続運転を可能とするものである。
レーザーガスを循環使用し得るようにし、よって長期に
わたる安定した連続運転を可能とするものである。
希ガスハライドエキシマ−レーザーにおいては、Ｆｘ
、Ｈｏｌ等の活性物質と、それらと反応するＡｒ、 Ｋ
ｒ、 Ｘｅ等の希ガスが適宜目的に応じて選択使用され
、さらにこれらを希釈するＨｅ、Ｎｅ等によｐ主成分を
形成する。一方、該エキシマ−レーザーの運転中に発生
する不純物は、使用するレーザーガスの組成によって異
なるが、ＣＦ４ 、Ｃ！２ Ｆｓ、 ５ｉＦｎ、ＨＦ、
ＮＦ３、ＳＦｓ 、 ０Ｃ１４、ＣＣＩＦ＊、ＣＯ１
２’ｉ’ｔ、ＣＣ１５７Ｆ等のハロゲン化合物であり、
従来、これらの不純物を除去する目的で以下のような方
法が提案されている。すなわち、■ 比較的高い沸点の
物質を低温下で凝縮させる低温トラップ法 ■ 金属カルシウムと反応し得る物質を金属カルシウム
と接触させカルシウム化合物とする金属カルシウム反応
法 ■ 活性炭やゲッター材（ＴｉＺ蛤金）で被吸着性物質
を吸着する吸着法などがある。
、Ｈｏｌ等の活性物質と、それらと反応するＡｒ、 Ｋ
ｒ、 Ｘｅ等の希ガスが適宜目的に応じて選択使用され
、さらにこれらを希釈するＨｅ、Ｎｅ等によｐ主成分を
形成する。一方、該エキシマ−レーザーの運転中に発生
する不純物は、使用するレーザーガスの組成によって異
なるが、ＣＦ４ 、Ｃ！２ Ｆｓ、 ５ｉＦｎ、ＨＦ、
ＮＦ３、ＳＦｓ 、 ０Ｃ１４、ＣＣＩＦ＊、ＣＯ１
２’ｉ’ｔ、ＣＣ１５７Ｆ等のハロゲン化合物であり、
従来、これらの不純物を除去する目的で以下のような方
法が提案されている。すなわち、■ 比較的高い沸点の
物質を低温下で凝縮させる低温トラップ法 ■ 金属カルシウムと反応し得る物質を金属カルシウム
と接触させカルシウム化合物とする金属カルシウム反応
法 ■ 活性炭やゲッター材（ＴｉＺ蛤金）で被吸着性物質
を吸着する吸着法などがある。
しかしながら■の方法は、沸点の乱い不純物については
効率良く除去できるものの、 ＣＦ’ｔ、ＮＦｉ等の
低沸点の不純物は除去できず、さらに、レーザーガスの
主成分である高沸点のＫｒ、 Ｘｅ等を同時に凝縮して
しまうため、限定的なレーザー系にしか使用できない。
効率良く除去できるものの、 ＣＦ’ｔ、ＮＦｉ等の
低沸点の不純物は除去できず、さらに、レーザーガスの
主成分である高沸点のＫｒ、 Ｘｅ等を同時に凝縮して
しまうため、限定的なレーザー系にしか使用できない。
■の方法は６５０℃もの高温に熱した金属カルシウムで
不純物を除去しようとするもので、操作温度が高く、取
扱い困難な金属カルシウムを使用すること、さらに金属
カルシウムと反応し得るものしか除去できないため工業
的に有効な方法とは言い難い。また■の方法は特定の化
学物質のみに有効な方法ではあるが、レーサーガスの不
純物は非常に多種類に及ぶため、限定的な不純物除去に
しか使用し得ない。
不純物を除去しようとするもので、操作温度が高く、取
扱い困難な金属カルシウムを使用すること、さらに金属
カルシウムと反応し得るものしか除去できないため工業
的に有効な方法とは言い難い。また■の方法は特定の化
学物質のみに有効な方法ではあるが、レーサーガスの不
純物は非常に多種類に及ぶため、限定的な不純物除去に
しか使用し得ない。
上述のように、これまで、レーザーガスの精製法として
決定的な手段は見出されていない。
決定的な手段は見出されていない。
本発明は該希ガスハライドエキシマ−レーザーガス中の
不純物を効率的かつ効果的に除去する方法、すなわち、
レーザーガスをゼオライトに接触させ不純物を吸着、除
去するに際し、レーザーガスを固体アルカリ金属および
／またはアルカリ土類金属化合物（以下固体アルカリ化
合物という）と接触させゼオライトと反応し得る活性物
質を反応、除去する方法、およびレーザーガスを低温下
に導びき高沸点の不純物および一部の主成分物質を凝縮
分離し、該凝縮物質を固体アルカリ化合物と接触させ活
性な不純物を反応、除去した後、ゼオライトに接触させ
残余の不純物を吸着、除去する方法を提供しようとする
ものである。
不純物を効率的かつ効果的に除去する方法、すなわち、
レーザーガスをゼオライトに接触させ不純物を吸着、除
去するに際し、レーザーガスを固体アルカリ金属および
／またはアルカリ土類金属化合物（以下固体アルカリ化
合物という）と接触させゼオライトと反応し得る活性物
質を反応、除去する方法、およびレーザーガスを低温下
に導びき高沸点の不純物および一部の主成分物質を凝縮
分離し、該凝縮物質を固体アルカリ化合物と接触させ活
性な不純物を反応、除去した後、ゼオライトに接触させ
残余の不純物を吸着、除去する方法を提供しようとする
ものである。
ゼオライトは、一般式ｔＭ２／ｎｏ・Ａｔｚｏｓ ｍ５
ｉ（ｈ ・ｙＨｚ Ｏ（ただしＭはアルカリ金属または
アルカリ土類金属を示し、ｎは価数を示し、Ｌ、ｍ、ｙ
は係数を示す）で表わされるガス吸着性に富んだ多孔物
質であり、しかも孔径の異なった多孔質体を合成できる
ため“分子篩“と称され、多種類のガス化合物の吸着剤
として使用されている。ゼオライトをガス吸着分離に使
用する際の工業上の利得は以下の通りである。
ｉ（ｈ ・ｙＨｚ Ｏ（ただしＭはアルカリ金属または
アルカリ土類金属を示し、ｎは価数を示し、Ｌ、ｍ、ｙ
は係数を示す）で表わされるガス吸着性に富んだ多孔物
質であり、しかも孔径の異なった多孔質体を合成できる
ため“分子篩“と称され、多種類のガス化合物の吸着剤
として使用されている。ゼオライトをガス吸着分離に使
用する際の工業上の利得は以下の通りである。
■ 細孔径の選択によってほとんどすべてのガス物質を
吸着除去することができる。
吸着除去することができる。
■ 吸着ガスを脱気して再使用することができる。
しかし、このゼオライトをレーザーガスの精製の目的で
使用した場合、レーザーガス中の主成分の活性物質であ
るＦ２、Ｈ０７等、および不純物であるＨＦ等と化学的
に反応し、ゼオライトを不活性化し再生不能にするとい
う事実が判明した。たとえばＦ２が、０．旧％程度存在
してもゼオライトはその吸着能を速やかに失うことが明
らかとなった。
使用した場合、レーザーガス中の主成分の活性物質であ
るＦ２、Ｈ０７等、および不純物であるＨＦ等と化学的
に反応し、ゼオライトを不活性化し再生不能にするとい
う事実が判明した。たとえばＦ２が、０．旧％程度存在
してもゼオライトはその吸着能を速やかに失うことが明
らかとなった。
このため、ゼオライトと反応し得る活性物質を予め除去
する方法について鋭意検討の結果。
する方法について鋭意検討の結果。
ンーダーライム、Ｏａｋ、 ０ａ（ＯＨ）１等の固体ア
ルカリ化合物を接触させることにより、活性なＦ！、Ｈ
Ｆ、ＨＣｌのみならず比較的安定な酸性ガスＳｉＦ＜、
Ｃｏｗ等も固体アルカリ化合物と反応し除去し得ること
が明らかとなり、これらの物質を前取て除去することで
残余の不純物をゼオライトにより効率的に除去し得ると
いう事実を見出した。
ルカリ化合物を接触させることにより、活性なＦ！、Ｈ
Ｆ、ＨＣｌのみならず比較的安定な酸性ガスＳｉＦ＜、
Ｃｏｗ等も固体アルカリ化合物と反応し除去し得ること
が明らかとなり、これらの物質を前取て除去することで
残余の不純物をゼオライトにより効率的に除去し得ると
いう事実を見出した。
このようにして活性物質が固体アルカリ化合物により除
去された残余の不純物はゼオライトにより容易に吸着、
除去される。またゼオライトが飽和吸着量に達した時は
、その加熱脱気によって不純物を容易に脱着でき、その
吸着能を復元させることができる。
去された残余の不純物はゼオライトにより容易に吸着、
除去される。またゼオライトが飽和吸着量に達した時は
、その加熱脱気によって不純物を容易に脱着でき、その
吸着能を復元させることができる。
本発明により、全ての成分系の希ガスノ・ライド系ガス
におけるＫｒ、 Ｘｅ１Ｈｅ、 Ｎｏ等の高価な希ガス
は極く小量の損失に留めて精製回収され、また不純物は
完全に除去されるので、長期にわたる安定した連続運転
を可能とする。ただしレーザーガスの主成分であるＦｚ
、ＨＣｌ等も除去されるため、レーザー装置の連続運
転に際しては希ガス損失分に相当する量と、Ｆｓ、ＨＣ
Ｉ等の主成分を添加する必要がある。
におけるＫｒ、 Ｘｅ１Ｈｅ、 Ｎｏ等の高価な希ガス
は極く小量の損失に留めて精製回収され、また不純物は
完全に除去されるので、長期にわたる安定した連続運転
を可能とする。ただしレーザーガスの主成分であるＦｚ
、ＨＣｌ等も除去されるため、レーザー装置の連続運
転に際しては希ガス損失分に相当する量と、Ｆｓ、ＨＣ
Ｉ等の主成分を添加する必要がある。
上記Ｆｚ、ＭＣＩを回収、循環するには、固体アルカリ
化合物との反応、ゼオライトへの吸着に先立ちレーザー
ガス中の不純物（殆どが高沸点である）を低温下で凝縮
分離する方法が採用でき、これによｐＦｔ、Ｈ（１！１
、Ａｒ、 Ｎｅ、 Ｈｅ等の低沸点の主成分物質はその
まま循環使用することが可能となる。
化合物との反応、ゼオライトへの吸着に先立ちレーザー
ガス中の不純物（殆どが高沸点である）を低温下で凝縮
分離する方法が採用でき、これによｐＦｔ、Ｈ（１！１
、Ａｒ、 Ｎｅ、 Ｈｅ等の低沸点の主成分物質はその
まま循環使用することが可能となる。
本発明の高沸点の不純物とは、レーザーガスの成分系、
凝縮しようとする温度、ガス分圧等によるが、ＨＦ、
Ｃ２Ｆ４．５ｉｎ４、ＳＦ４ 、Ｃ！０１４ 、 Ｃ（
１！ＩＦｓ、Ｃｅ１ｔ烏、００１ｍ Ｆ等の不純物であ
シ、一方高沸点の主成分物質はＫｒ、Ｘ４である。凝縮
分離された上記不純物と主成分物質は、ゼオライトとの
接触に先立ち、固体アルカリ化合物と接触させることに
より、ゼオライトと反応してゼオライトを再生不能にす
るようなＨＦ等の活性な不純物を反応、除去し２、さら
にゼオライトとの接触により残余の不純物を吸着、除去
することにより、Ｋｒ、Ｘｅ 等の主成分物質を回収
、循環させる。
凝縮しようとする温度、ガス分圧等によるが、ＨＦ、
Ｃ２Ｆ４．５ｉｎ４、ＳＦ４ 、Ｃ！０１４ 、 Ｃ（
１！ＩＦｓ、Ｃｅ１ｔ烏、００１ｍ Ｆ等の不純物であ
シ、一方高沸点の主成分物質はＫｒ、Ｘ４である。凝縮
分離された上記不純物と主成分物質は、ゼオライトとの
接触に先立ち、固体アルカリ化合物と接触させることに
より、ゼオライトと反応してゼオライトを再生不能にす
るようなＨＦ等の活性な不純物を反応、除去し２、さら
にゼオライトとの接触により残余の不純物を吸着、除去
することにより、Ｋｒ、Ｘｅ 等の主成分物質を回収
、循環させる。
以下本発明を添付の図面に基いて説明する。
例えば第１図における符号１はＡ ｒ Ｆ、 Ｘ ｅ
Ｃｌ系等のレーザー発生装置であり、レーザーガスは固
体アルカリ充填管３に送入され、固体アルカリ化合物と
の反応により活性物質Ｂまたとえば主成分であるＰｒ、
ＨＣＩ、不純物であるＨＦ。
Ｃｌ系等のレーザー発生装置であり、レーザーガスは固
体アルカリ充填管３に送入され、固体アルカリ化合物と
の反応により活性物質Ｂまたとえば主成分であるＰｒ、
ＨＣＩ、不純物であるＨＦ。
Ｓ ｉ ７４ 等が除去され、さらにゼオライト充填
「４に送入されゼオライトへの吸着により残余の不純物
ＣまたとえばＣ！２ Ｆｓ 、 ＣＣ１＊ Ｆｙ、ＣＣ
ｌ４、ＱＣ！ＩＦｓ、 Ｃ０１３Ｆ、 ＣＦ４、ＮＦ３
等が除去される。しかしてＨｅ やＡｒ、 Ｘｅ 等の
希ガスはレーザー晃生装置ｌに循環され、一方除去され
た主成分の右、ＨＣｌや極微量の損失を生じたＨｅ−′
ｐＡｒ％Ｘθ 等の希ガスＤは５において補充されレー
ザー発生装置ｌに送入される。
「４に送入されゼオライトへの吸着により残余の不純物
ＣまたとえばＣ！２ Ｆｓ 、 ＣＣ１＊ Ｆｙ、ＣＣ
ｌ４、ＱＣ！ＩＦｓ、 Ｃ０１３Ｆ、 ＣＦ４、ＮＦ３
等が除去される。しかしてＨｅ やＡｒ、 Ｘｅ 等の
希ガスはレーザー晃生装置ｌに循環され、一方除去され
た主成分の右、ＨＣｌや極微量の損失を生じたＨｅ−′
ｐＡｒ％Ｘθ 等の希ガスＤは５において補充されレー
ザー発生装置ｌに送入される。
固体アルカリ化合物としては、ソーダライム０ａＯ１Ｃ
ａ（ＯＨ）ｚ 、ＮａＯＨ，ＫＯＨ等が使用されるが、
ガスと良好に接触し、ガス流速によって飛散しない程
度の粉粒体であれば使用できる。操作温度は室温〜５０
０℃の範囲であるが、好ましくは固体アルカリ化合物と
の反応性、操作の容易さを考慮して８０℃〜２００℃
の範囲がよい。
ａ（ＯＨ）ｚ 、ＮａＯＨ，ＫＯＨ等が使用されるが、
ガスと良好に接触し、ガス流速によって飛散しない程
度の粉粒体であれば使用できる。操作温度は室温〜５０
０℃の範囲であるが、好ましくは固体アルカリ化合物と
の反応性、操作の容易さを考慮して８０℃〜２００℃
の範囲がよい。
ゼオライトは除去すべきガス成分によってその細孔径を
選択しなければならないが、モレキュラーシープ５Ａ（
米国Ｌｉｎｄｅ７社製）は希ガスハライドエキシマ−レ
ーザーガスの精製に最も適している。必要に応じて、さ
らに細孔径の異なる複数の種類のゼオライトを組合せて
使用することも勿論可能である。ゼオライト充填管４の
操作においては低温高圧はど吸着量が多くなるが、−１
８０〜＋１００℃程度の温度範囲、装置が耐えうる程度
の圧力範囲でよい。
選択しなければならないが、モレキュラーシープ５Ａ（
米国Ｌｉｎｄｅ７社製）は希ガスハライドエキシマ−レ
ーザーガスの精製に最も適している。必要に応じて、さ
らに細孔径の異なる複数の種類のゼオライトを組合せて
使用することも勿論可能である。ゼオライト充填管４の
操作においては低温高圧はど吸着量が多くなるが、−１
８０〜＋１００℃程度の温度範囲、装置が耐えうる程度
の圧力範囲でよい。
また、例えば第２図における符号１，３．４は第１図に
示した符号と同様にそれぞれレーザー発生装置、固体ア
ルカリ充填管、ゼオライト充填管を示す。２はレーザー
ガス中の高沸点物質を低温下で凝縮する低温トラップで
あり、液体窒素、アルゴン、酸素、空気等の冷媒を用い
て冷却することによシ低沸点のＦｔ 、 ＨＣＩ、Ｈｅ
、 Ｎθ等の主成分物質Ａはそのままレーザー発生装置
１に循環されるが、高沸点の主成分物質であるＫｒ、
Ｘｅ等、不純物であるＨＦ、 ａｓ Ｆｓ、ＳｉＦ４、
ＳＦｓ、ＣｌＣ１４、Ｃ０ＩＦ５、ＣＣ１ｊＦ 等が凝
縮分離される。これら凝縮物質のうち活性な不純物Ｂｌ
、たとえばＨＦ５ｉＦ＜ は固体アルカリ充填管３によ
シ除去され、残余の不純物ＣまたとえばＣ２Ｆ・、ＳＦ
ｓ 、Ｃｅ１４．００１ Ｆｓ等がゼオライト充填管４
において除去される。また主成分物質の微量の損失分相
当量りが補充されレーザー装置ｌに送入される。
示した符号と同様にそれぞれレーザー発生装置、固体ア
ルカリ充填管、ゼオライト充填管を示す。２はレーザー
ガス中の高沸点物質を低温下で凝縮する低温トラップで
あり、液体窒素、アルゴン、酸素、空気等の冷媒を用い
て冷却することによシ低沸点のＦｔ 、 ＨＣＩ、Ｈｅ
、 Ｎθ等の主成分物質Ａはそのままレーザー発生装置
１に循環されるが、高沸点の主成分物質であるＫｒ、
Ｘｅ等、不純物であるＨＦ、 ａｓ Ｆｓ、ＳｉＦ４、
ＳＦｓ、ＣｌＣ１４、Ｃ０ＩＦ５、ＣＣ１ｊＦ 等が凝
縮分離される。これら凝縮物質のうち活性な不純物Ｂｌ
、たとえばＨＦ５ｉＦ＜ は固体アルカリ充填管３によ
シ除去され、残余の不純物ＣまたとえばＣ２Ｆ・、ＳＦ
ｓ 、Ｃｅ１４．００１ Ｆｓ等がゼオライト充填管４
において除去される。また主成分物質の微量の損失分相
当量りが補充されレーザー装置ｌに送入される。
なお、比較的低沸点の不純物のＣＦ４ 、 Ｎ Ｆｓ
が主成分物質Ａとともに循環し蓄積される可能性があ
るが、それによシレーザー出力の低下を生じた際には、
予めバイパス６を設け、−たん第１図に示す方法と同様
な操作を行うことによシそれら不純物を除去できる。
が主成分物質Ａとともに循環し蓄積される可能性があ
るが、それによシレーザー出力の低下を生じた際には、
予めバイパス６を設け、−たん第１図に示す方法と同様
な操作を行うことによシそれら不純物を除去できる。
以下に本発明の具体的実施例を比較例と対比して詳述す
る。
る。
比較例１
Ｋｒ−Ｆ系放電励起型エキシマ−レーザーを５パルス／
秒でレーザー 発振させたところ、２時間の運転で出力
が７０％に低下した。
秒でレーザー 発振させたところ、２時間の運転で出力
が７０％に低下した。
最初に導入したガスはＫｒ ５Ｎｔ （５％）、Ｆ２０
．３Ｎｔ（０，３％）、Ｈｅ ９４．７ Ｎｌ （９４
，７％）であったが、２時間後にはＦｔ、＃度は０．２
％に低下し、不純物としてＳｉＦ＜、ＨＦ、ＣＦ４、Ｈ
ｔＯ，ＣｌＯ諺、Ｏ，、Ｎ２ が確認された。
．３Ｎｔ（０，３％）、Ｈｅ ９４．７ Ｎｌ （９４
，７％）であったが、２時間後にはＦｔ、＃度は０．２
％に低下し、不純物としてＳｉＦ＜、ＨＦ、ＣＦ４、Ｈ
ｔＯ，ＣｌＯ諺、Ｏ，、Ｎ２ が確認された。
実施例１
第１図に示す精製システムにおいて、固体アルカリ充填
管（１０００ｍｍＡＸ５０ｍｍφ５ｕＳ３０４製）にソ
ーダライムペット（５ｍｍｔＸ２ｍｍφ）ｓｘ ｇ
を充填し、さらにゼオライト充填管（１００ＯｍｔＸ１
００Ｏφ）にモレキュラーシーブ５Ａを２０９充填した
設備（あらかじめＨｅ を充填）を使用し、比較例１に
おいて２時間運転したガスの精製を行なった。 固体
アルカリ充填管、ゼオライト充填管の操作温度はそれぞ
れｌｏｏ’ｃおよび室温であった。精製損失として、
ＫｒＯ，Ｉｕが生じだので、Ｏ，ＩＮ ｔのＫｒ と
、新たにＦｔ ０．３Ｎｔを精製ガスに混合し、再びレ
ーザーを運転したところ出力は１００％に回復していた
。
管（１０００ｍｍＡＸ５０ｍｍφ５ｕＳ３０４製）にソ
ーダライムペット（５ｍｍｔＸ２ｍｍφ）ｓｘ ｇ
を充填し、さらにゼオライト充填管（１００ＯｍｔＸ１
００Ｏφ）にモレキュラーシーブ５Ａを２０９充填した
設備（あらかじめＨｅ を充填）を使用し、比較例１に
おいて２時間運転したガスの精製を行なった。 固体
アルカリ充填管、ゼオライト充填管の操作温度はそれぞ
れｌｏｏ’ｃおよび室温であった。精製損失として、
ＫｒＯ，Ｉｕが生じだので、Ｏ，ＩＮ ｔのＫｒ と
、新たにＦｔ ０．３Ｎｔを精製ガスに混合し、再びレ
ーザーを運転したところ出力は１００％に回復していた
。
実施例２
実り例１と同 様な装置で２．５１７ｍ ｉ ｎの循環
量でレーザーガスを精製循環させ、 Ｋｒ を０．０
０２５１／ｍ ｉ ｎ、 Ｆｚを０．０１２７ｍ ｉ
ｎ づつ連続的に供給させつつレーザーを１日５時間
の連続１転を毎日継続したところ３０日経 てもレーザ
ー出力の低下は生じなかった。なお、ゼオライト充填管
は毎日３００℃、真空下で脱着して使用した。
量でレーザーガスを精製循環させ、 Ｋｒ を０．０
０２５１／ｍ ｉ ｎ、 Ｆｚを０．０１２７ｍ ｉ
ｎ づつ連続的に供給させつつレーザーを１日５時間
の連続１転を毎日継続したところ３０日経 てもレーザ
ー出力の低下は生じなかった。なお、ゼオライト充填管
は毎日３００℃、真空下で脱着して使用した。
ソーダライムを交替し、さらに連続運転を継続したとこ
ろ、さらに３０日間同様に出力の低下は認められなかっ
た。
ろ、さらに３０日間同様に出力の低下は認められなかっ
た。
実施例３
実施例１の装置に容積Ｉｔの５ＵＳ３０４製低温トラツ
プを付設し冷媒として液体窒素を用いて第２図に示すシ
ステムについて実施例２と同様の連続運転を行なった。
プを付設し冷媒として液体窒素を用いて第２図に示すシ
ステムについて実施例２と同様の連続運転を行なった。
レーザーを連続運転しつつ２．５２７ｍ ｉ ｎでガス
を抜き出し、ＫｒをＯ，ｏ ２５ ｚ／ｍｉ ｎおよび
精製時に損失するＦ２を０．００１ ｔ／ｍｉ ｎ連続
的に導入したところ、実施例２と同様３０日経てもレー
ザー出力の低下は認められなかった。
を抜き出し、ＫｒをＯ，ｏ ２５ ｚ／ｍｉ ｎおよび
精製時に損失するＦ２を０．００１ ｔ／ｍｉ ｎ連続
的に導入したところ、実施例２と同様３０日経てもレー
ザー出力の低下は認められなかった。
しかし３０日経過以降徐々にレーザー出力の低下が認め
られ、４０日目においては当初の８５％に低下した。こ
れは低沸点の不純物であるＣＦ４ 、 ＮＦｓ が循
環、蓄積したことによるものであるが、レーザーガスを
バイパス６を介して直接固体アルカリ充填管３、さらに
ゼオライト充填管４に導びくシステムに変換し、実施例
２と同様な操作を３時間実施したところ、前記不純物は
完全に除去されて出力は１００％に回復し、引続き本実
施例前段で述べたシステムでさらに３０日実施してもレ
ーザー出力の低下は認められなかった。
られ、４０日目においては当初の８５％に低下した。こ
れは低沸点の不純物であるＣＦ４ 、 ＮＦｓ が循
環、蓄積したことによるものであるが、レーザーガスを
バイパス６を介して直接固体アルカリ充填管３、さらに
ゼオライト充填管４に導びくシステムに変換し、実施例
２と同様な操作を３時間実施したところ、前記不純物は
完全に除去されて出力は１００％に回復し、引続き本実
施例前段で述べたシステムでさらに３０日実施してもレ
ーザー出力の低下は認められなかった。
実施例４
Ｘｅ０１系レーザーで実施例１と同様な装置を使用した
。本実施例においてはゼオライト充填管に、モレキュラ
ーシーブ５Ａ１０ｇとモレキュラーシーブＩＯＸＩＯｇ
を２層に充填した。
。本実施例においてはゼオライト充填管に、モレキュラ
ーシーブ５Ａ１０ｇとモレキュラーシーブＩＯＸＩＯｇ
を２層に充填した。
レーザーガスの循環量はＩ Ｌ ／ｍｉｎ で、ＸＳ
を０．００２ｔ／ｍｉｎ、 Ｈｅ ｌ をＱ、０１ｔ
／ｍｉｎづつ連続的に供給し、レーザー発振１日５時間
の連続運転を毎日継続したところ、３０日経てもレーザ
ー出力の低下は生じなかった。なおゼオライト充填管は
毎日３００℃、真空下で脱着して使用した。
を０．００２ｔ／ｍｉｎ、 Ｈｅ ｌ をＱ、０１ｔ
／ｍｉｎづつ連続的に供給し、レーザー発振１日５時間
の連続運転を毎日継続したところ、３０日経てもレーザ
ー出力の低下は生じなかった。なおゼオライト充填管は
毎日３００℃、真空下で脱着して使用した。
以上のように本発明はあらゆる成分系の希ガスハライド
エキシマ−レーザーに適用でき有害な不純物を除去する
ことにより長期にわたる連続運転においてもレーザー出
力を低下することがなく、−力士成分物質を効率よく回
収、循環使用できるのでランニングコストが低廉ですむ
第１図、第２図は本発明の実施の膠様を示しｌはレーザ
ー発生装置、２は低温トラップ、３は固体アルカリ充填
管、今はゼオライト充填管を示す。
エキシマ−レーザーに適用でき有害な不純物を除去する
ことにより長期にわたる連続運転においてもレーザー出
力を低下することがなく、−力士成分物質を効率よく回
収、循環使用できるのでランニングコストが低廉ですむ
第１図、第２図は本発明の実施の膠様を示しｌはレーザ
ー発生装置、２は低温トラップ、３は固体アルカリ充填
管、今はゼオライト充填管を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）レーザーガスをゼオライトに接触させ不純物を吸着
、除去するに際し、あらかじめレーザーガスを固体アル
カリ金属および／またはアルカリ土類金属化合物と接触
させるようにしたことを特徴とする希ガスハライドエキ
シマーレーザーガスの精製法。 ２）レーザーガスを低温下に導びき高沸点の不純物およ
び一部の主成分物質を凝縮分離し、該凝縮物質を固体ア
ルカリ金属および／またはアルカリ土類金属化合物と接
触させ次いでゼオライトと接触させるようにしたことを
特徴とする希ガスハライドエキシマーレーザーガスの精
製法。 ３）定時的にレーザーガスを低温下に導びく工程を省略
し、レーザーガスを直接固体アルカリ金属および／また
はアルカリ土類金属・化合物と接触させ、次いでゼオラ
イトと接触させるようにしたことを特許とする特許請求
の範囲第２項記載の希ガスハライドエキシマーレーザー
ガスの精製法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213691A JPS6274430A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 希ガスハライドエキシマ−レ−ザ−ガスの精製法 |
| CA000518663A CA1298959C (en) | 1985-09-28 | 1986-09-19 | Method of refining rare gas halide excimer laser gas |
| US06/909,702 US4740982A (en) | 1985-09-28 | 1986-09-22 | Method of refining rare gas halide excimer laser gas |
| GB8622799A GB2182484B (en) | 1985-09-28 | 1986-09-22 | Method of refining rare gas halide excimer laser gas |
| FR868613476A FR2587914B1 (fr) | 1985-09-28 | 1986-09-26 | Procede d'epuration du gaz d'un laser excimeur a halogenure de gaz rare |
| DE19863632995 DE3632995A1 (de) | 1985-09-28 | 1986-09-29 | Verfahren zur reinigung von gasen fuer edelgashalogenidexcimerenlaser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213691A JPS6274430A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 希ガスハライドエキシマ−レ−ザ−ガスの精製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6274430A true JPS6274430A (ja) | 1987-04-06 |
| JPH0446607B2 JPH0446607B2 (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=16643387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213691A Granted JPS6274430A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 希ガスハライドエキシマ−レ−ザ−ガスの精製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6274430A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379665U (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-26 | ||
| JPH02201984A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Central Glass Co Ltd | エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 |
| JPH03256831A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-15 | Toyo Kanetsu Kk | 段ボール箱の切断方法 |
| JP2008168169A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Iwatani Internatl Corp | ネオン回収方法 |
| KR100878946B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2009-01-19 | 다이요 닛산 가부시키가이샤 | 가스 공급 방법 및 장치 |
| JP2009022936A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 二フッ化キセノンガス供給装置 |
| JP2010092920A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Ebara Corp | 不純物を除去する不純物除去装置およびその運転方法 |
-
1985
- 1985-09-28 JP JP60213691A patent/JPS6274430A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379665U (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-26 | ||
| JPH02201984A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Central Glass Co Ltd | エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 |
| JPH03256831A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-15 | Toyo Kanetsu Kk | 段ボール箱の切断方法 |
| KR100878946B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2009-01-19 | 다이요 닛산 가부시키가이샤 | 가스 공급 방법 및 장치 |
| JP2008168169A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Iwatani Internatl Corp | ネオン回収方法 |
| JP2009022936A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 二フッ化キセノンガス供給装置 |
| JP2010092920A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Ebara Corp | 不純物を除去する不純物除去装置およびその運転方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446607B2 (ja) | 1992-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |