JPH02201984A - エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 - Google Patents
エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置Info
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- JPH02201984A JPH02201984A JP1020284A JP2028489A JPH02201984A JP H02201984 A JPH02201984 A JP H02201984A JP 1020284 A JP1020284 A JP 1020284A JP 2028489 A JP2028489 A JP 2028489A JP H02201984 A JPH02201984 A JP H02201984A
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Classifications
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフッ素系ガスを含むエキシマ−レーザーガスを
精製し循環使用する方法並びにその装置に関するもので
ある。
精製し循環使用する方法並びにその装置に関するもので
ある。
ArF % KrF % XeF系に代表されるエキシ
マ−レーザーは高出力の紫外光源として半導体製造や光
化学反応をはじめ種々の分野への反応が急速に進展して
いるが、媒質としてF2、NF、などの極めて反応活性
の高いフッ素系気体を用いるので、レーザー容器等との
反応によりその濃度は減少し、不純物が発生する。この
レーザーガスの劣化はレーザー出力の著しい低下をもた
らしてエキシマ−レーザーの長期の連続運転を不可能と
するものであり、したがってその改善が望まれていた。
マ−レーザーは高出力の紫外光源として半導体製造や光
化学反応をはじめ種々の分野への反応が急速に進展して
いるが、媒質としてF2、NF、などの極めて反応活性
の高いフッ素系気体を用いるので、レーザー容器等との
反応によりその濃度は減少し、不純物が発生する。この
レーザーガスの劣化はレーザー出力の著しい低下をもた
らしてエキシマ−レーザーの長期の連続運転を不可能と
するものであり、したがってその改善が望まれていた。
また、Kr、 Xe、 He、 Ne等非常に高価なガ
スを使用するため、劣化したガスを廃棄し新たにガスを
導入−1使用する方法は工業的には採用し難い。
スを使用するため、劣化したガスを廃棄し新たにガスを
導入−1使用する方法は工業的には採用し難い。
本発明はフッ素系レーザーガス中の不純物を効率的に除
去し精製レーザーガスを循環使用し得るようにし、よっ
て長期にわたる安定した連続運転を可能とするものであ
る。
去し精製レーザーガスを循環使用し得るようにし、よっ
て長期にわたる安定した連続運転を可能とするものであ
る。
本出願人は先に出願した特願昭61−122206号に
おいて、酸化力の高いハロゲンガスを含むレーザーガス
を反応性を有する金属、固定アルカリ金属および/また
はアルカリ土類金属化合物、。
おいて、酸化力の高いハロゲンガスを含むレーザーガス
を反応性を有する金属、固定アルカリ金属および/また
はアルカリ土類金属化合物、。
さらにゼオライトと接触させて精製、循環させることを
提唱した。
提唱した。
該先行技術の方法によれば104 ショットの発振にお
いても殆ど出力低下が認められないが3×105 ショ
ットにおいては初期出力の50%程度に低下してしまう
。その主要因は放電あるいはし一ザーガスにより活性の
高いフッ素が主に電気絶縁部に使用されるポリテトラフ
ルオロエチレンまたはポリフッ化ビニリデンと反応し、
これらを侵食してCF、ガスを発生し、長期発振におい
てそれが蓄積されるためである。
いても殆ど出力低下が認められないが3×105 ショ
ットにおいては初期出力の50%程度に低下してしまう
。その主要因は放電あるいはし一ザーガスにより活性の
高いフッ素が主に電気絶縁部に使用されるポリテトラフ
ルオロエチレンまたはポリフッ化ビニリデンと反応し、
これらを侵食してCF、ガスを発生し、長期発振におい
てそれが蓄積されるためである。
本発明はこの問題点を解消し長期に亘りレーザー出力の
低下を抑制したエキシマ−レーザーガスの精製法並びに
その装置を提供するものである。
低下を抑制したエキシマ−レーザーガスの精製法並びに
その装置を提供するものである。
本発明はエキシマ−レーザーガスの精製法に関し、フッ
素系ガスを含有するレーザーガスを、フッ素系ガスと反
応性を有する金属、固体アルカリ金属および/またはア
ルカリ土類金属化合物、ゼオライト、さらに金属アルカ
リ類と順次接触させること、好適には前記フッ素系ガス
と反応性を有する金属が、Si、 Ge、 P、 Sb
、 7B。
素系ガスを含有するレーザーガスを、フッ素系ガスと反
応性を有する金属、固体アルカリ金属および/またはア
ルカリ土類金属化合物、ゼオライト、さらに金属アルカ
リ類と順次接触させること、好適には前記フッ素系ガス
と反応性を有する金属が、Si、 Ge、 P、 Sb
、 7B。
S 、 W 、 Mo、 V 、、Fe5Cr、 Mn
、 Co、、、 Zn、、 Sns pb。
、 Co、、、 Zn、、 Sns pb。
TiまたはZrより選択され、また前記金属アルカリ類
が、Ca−、Has KまたはLiより選択される夫々
1種以上よりなること、およびその精製装置に関しエキ
シマ−レーザーガスの導管にフッ素系ガスと反応性を有
する金属の充填槽、固体アルカリ金属および/またはア
ルカリ土類金属化合物充填槽、ゼオライト充填槽、さら
に金属アルカリ類充填槽を順次接続してなることからな
る。
が、Ca−、Has KまたはLiより選択される夫々
1種以上よりなること、およびその精製装置に関しエキ
シマ−レーザーガスの導管にフッ素系ガスと反応性を有
する金属の充填槽、固体アルカリ金属および/またはア
ルカリ土類金属化合物充填槽、ゼオライト充填槽、さら
に金属アルカリ類充填槽を順次接続してなることからな
る。
本発明におけるフッ素系ガスとはF2、NF3、ClF
3、CIF等をいう。
3、CIF等をいう。
反応性を有する金属(以下反応性金属という)とは前記
フッ素系ガスと反応し金属ハロゲン化物を形成するよう
な金属を指し、Sis Ges P 。
フッ素系ガスと反応し金属ハロゲン化物を形成するよう
な金属を指し、Sis Ges P 。
Sb 、S 、Tes W 、Mo、V等はたとえばF
2ガスと反応して5iFa、GeF a、PF、、、、
等のガス状弗化物を形成し、それらは後段の固体アルカ
リ金属および/またはアルカリ土金属化合物との反応に
より、あるいはさらにゼオライトによる吸着により除去
できる。
2ガスと反応して5iFa、GeF a、PF、、、、
等のガス状弗化物を形成し、それらは後段の固体アルカ
リ金属および/またはアルカリ土金属化合物との反応に
より、あるいはさらにゼオライトによる吸着により除去
できる。
また、Fe、 CrXMn、 CO,、Zr+、、 T
i、 Zr、 Sn、 pb等は同様な反応でFeF
y、CrF、、MnF、、、、等の固体状弗化物を形成
して残留するのでそのまま除去し得る。
i、 Zr、 Sn、 pb等は同様な反応でFeF
y、CrF、、MnF、、、、等の固体状弗化物を形成
して残留するのでそのまま除去し得る。
反応性金属とフッ素系ガスとの反応は該反応性金属の種
類により異なるが室温ないし500℃程度の範囲で行う
。一方、反応活性を高めるためには高い温度域が好まし
いが、加熱のための設備費や稼動コストが上昇する。S
i、W、MO%S等は常温でも迅速に反応し、他の金属
も100℃〜500℃程度であればきわめて迅速に反応
し大がかりな設備も要せず稼動コストも軽微であるので
好適といえる。
類により異なるが室温ないし500℃程度の範囲で行う
。一方、反応活性を高めるためには高い温度域が好まし
いが、加熱のための設備費や稼動コストが上昇する。S
i、W、MO%S等は常温でも迅速に反応し、他の金属
も100℃〜500℃程度であればきわめて迅速に反応
し大がかりな設備も要せず稼動コストも軽微であるので
好適といえる。
反応性金属は粉粒状で使用するが余りに微粉であるとレ
ーザーガスの通過に際して抵抗が大きすぎ、時に閉塞を
生じ、また余りに粗粒であると比表面積が小さ(なり反
応劾率が劣るので1〜5mmφ程度が適当である。
ーザーガスの通過に際して抵抗が大きすぎ、時に閉塞を
生じ、また余りに粗粒であると比表面積が小さ(なり反
応劾率が劣るので1〜5mmφ程度が適当である。
しかしてエキシマ−レーザー装置において運転中に発生
する不純物はレーザーガスとレーザー容器等との反応に
よるCF、 、SiF、、HF等のハロゲン化合物に加
え、フッ素系ガスと反応性金属との反応により生ずるガ
ス成分、たとえばF2ガスと金属Wとの反応による場合
はWFi、 、F2ガスと金属■の場合はVF3等のハ
ロゲン化合物、あるいは装置内面に微量に付着する水分
等がある。
する不純物はレーザーガスとレーザー容器等との反応に
よるCF、 、SiF、、HF等のハロゲン化合物に加
え、フッ素系ガスと反応性金属との反応により生ずるガ
ス成分、たとえばF2ガスと金属Wとの反応による場合
はWFi、 、F2ガスと金属■の場合はVF3等のハ
ロゲン化合物、あるいは装置内面に微量に付着する水分
等がある。
これらのうち、ゼオライトと反応してゼオライトを不活
性化し再生不能にするような活性物質、たとえばHF、
OF2等の不純物はゼオライトと接触させる工程に先立
ち固体アルカリ金属および/またはアルカリ土類金属化
合物(以下固体アルカリ化合物という)との接触、反応
により除去する。
性化し再生不能にするような活性物質、たとえばHF、
OF2等の不純物はゼオライトと接触させる工程に先立
ち固体アルカリ金属および/またはアルカリ土類金属化
合物(以下固体アルカリ化合物という)との接触、反応
により除去する。
固体アルカリ化合物としては、ソーダライム、CaO、
Ca(OR)z 、NaOH,KOH等を使用するが、
ガスと良好に接触し、ガス流速によって飛散しない程度
の粉粒体であれば使用できる。操作温度は室温〜500
℃の範囲であるが、好ましくは固体アルカリ化合物との
反応性、操作の容易さを考慮して80℃〜200℃の範
囲がよい。
Ca(OR)z 、NaOH,KOH等を使用するが、
ガスと良好に接触し、ガス流速によって飛散しない程度
の粉粒体であれば使用できる。操作温度は室温〜500
℃の範囲であるが、好ましくは固体アルカリ化合物との
反応性、操作の容易さを考慮して80℃〜200℃の範
囲がよい。
残余の不純物の多くはさらに次の工程、すなわちゼオラ
イトによる吸着により除去する。
イトによる吸着により除去する。
ゼオライトは除去すべきガス成分によってその細孔径を
選択しなければならないが、モレキュラーシーブ5A(
米国Linde社製)はエキシマ−レーザーガスの精製
に最も適している。必要に応じて、さらに細孔径の異な
る複数の種類のゼオライトを組合わせて使用することも
勿論可能である。ゼオライトによる吸着は低温高圧はど
吸着量が多くなるが、−180〜+100℃程度の温度
範囲、装置が耐えつる程度の圧力範囲でよい。またゼオ
ライトが飽和吸着量に達した時は、その加熱脱気によっ
て不純物を容易に脱着でき、その吸着能を復元させるこ
とができる。
選択しなければならないが、モレキュラーシーブ5A(
米国Linde社製)はエキシマ−レーザーガスの精製
に最も適している。必要に応じて、さらに細孔径の異な
る複数の種類のゼオライトを組合わせて使用することも
勿論可能である。ゼオライトによる吸着は低温高圧はど
吸着量が多くなるが、−180〜+100℃程度の温度
範囲、装置が耐えつる程度の圧力範囲でよい。またゼオ
ライトが飽和吸着量に達した時は、その加熱脱気によっ
て不純物を容易に脱着でき、その吸着能を復元させるこ
とができる。
なお、CF4等は反応性金属、固体アルカリ化合物等と
も反応せず、また極性に乏しいためゼオライトにも吸着
され難い。
も反応せず、また極性に乏しいためゼオライトにも吸着
され難い。
これを除去するためには加熱した金属アルカリ類すなわ
ちCa、 Na、 K 、 Li等に接触、反応させる
ことが必要である。CF、はたとえば450℃以上に加
熱したCaと反応してCaFzとCに分解し、Ca充填
槽内に沈着する。
ちCa、 Na、 K 、 Li等に接触、反応させる
ことが必要である。CF、はたとえば450℃以上に加
熱したCaと反応してCaFzとCに分解し、Ca充填
槽内に沈着する。
なお、金属アルカリ類は反応性金属同様の粒度のものを
用いればよい。
用いればよい。
金属アルカリ類は極めて反応活性が高く、直にF2、)
IFSNF3 、SiFいH,0等のガスと接触させる
と激しい発熱反応を生じて危険であり、また高価な金属
アルカリ類を多量に消費することになり不経済でもある
ので、精製の最終工程に組込む必要がある。
IFSNF3 、SiFいH,0等のガスと接触させる
と激しい発熱反応を生じて危険であり、また高価な金属
アルカリ類を多量に消費することになり不経済でもある
ので、精製の最終工程に組込む必要がある。
また、本精製系においてCF4の蓄積量に応じて適宜金
属アルカリ類との接触工程を間歇的に採用することもで
きる。
属アルカリ類との接触工程を間歇的に採用することもで
きる。
本発明により、フッ素系ガスを含有するレーザーガスに
おけるKrXXe5He、、Ne等の高価な希ガスは極
く少量の損失に留めて精製回収され、また不純物は完全
に除去されるので、長期にわたる安定した連続運転を可
能とする。なお、レーザーガスの主成分であるF2、N
Fl等も除去されるため、レーザー装置の連続運転に際
しては希ガス損失分に相当する量と、F、、 NF3等
の主成分ガスは新たに添加する。
おけるKrXXe5He、、Ne等の高価な希ガスは極
く少量の損失に留めて精製回収され、また不純物は完全
に除去されるので、長期にわたる安定した連続運転を可
能とする。なお、レーザーガスの主成分であるF2、N
Fl等も除去されるため、レーザー装置の連続運転に際
しては希ガス損失分に相当する量と、F、、 NF3等
の主成分ガスは新たに添加する。
以下本発明を添付の図面に基づいて説明する。
第1図に示す精製システムにおける符号1は静F 5K
rF % XeF系等のエキシマ−レーザー発生装置で
あり、その排出レーザーガスは反応性金属たとえばSi
あるいはFeの充填管2に送入する。ここでフッ素系ガ
ス、たとえばF2、NF、は゛前記金属と反応し、固体
不純物であるFeF、等として除去し、あるいは気体不
純物SiF、等としてレーザーガスと共に次の工程に導
く。次にレーザーガスは固体アルカリ充填管3に送入し
、固体アルカリ化合物との反応により活性物質、たとえ
ばSiF、、CO2等を除去し、さらにゼオライト充填
管4に送入し、ゼオライトへの吸着により残余の大部分
の不純物、たとえばCCIF:+、CCI:IF等や、
前記固体アルカリ化合物との反応により生じたF20等
を除去する。さらに金属アルカリ類、例えば金属カルシ
ウム充填管5に導きCF、等を除去する。しかしてこれ
ら不純物を除去したHeやAr、 Xe等の希ガスはエ
キシマーレ−ザ発生装置1に導入循環し、一方除去され
た主成分のF2、NF、等や極微量の損失を生じたHe
や計、Xe等の希ガスは夫々6.7より補充され該レー
ザー発生装置1に導入する。
rF % XeF系等のエキシマ−レーザー発生装置で
あり、その排出レーザーガスは反応性金属たとえばSi
あるいはFeの充填管2に送入する。ここでフッ素系ガ
ス、たとえばF2、NF、は゛前記金属と反応し、固体
不純物であるFeF、等として除去し、あるいは気体不
純物SiF、等としてレーザーガスと共に次の工程に導
く。次にレーザーガスは固体アルカリ充填管3に送入し
、固体アルカリ化合物との反応により活性物質、たとえ
ばSiF、、CO2等を除去し、さらにゼオライト充填
管4に送入し、ゼオライトへの吸着により残余の大部分
の不純物、たとえばCCIF:+、CCI:IF等や、
前記固体アルカリ化合物との反応により生じたF20等
を除去する。さらに金属アルカリ類、例えば金属カルシ
ウム充填管5に導きCF、等を除去する。しかしてこれ
ら不純物を除去したHeやAr、 Xe等の希ガスはエ
キシマーレ−ザ発生装置1に導入循環し、一方除去され
た主成分のF2、NF、等や極微量の損失を生じたHe
や計、Xe等の希ガスは夫々6.7より補充され該レー
ザー発生装置1に導入する。
なお、本精製システムはレーザー装置を運転する間連続
的に稼働させることにより、レーザー出力が安定するが
、あるいはレーザー装置を運転する際に間歇的に採用し
、すなわちレーザーガスを精製処理することなく運転し
て系内の不純物が増加しレーザー出力の低下が著しくな
った時点で本精製システムに切替え、それによりレーザ
ー出力が回復したら再度前記操作を繰返すようにしても
よく、さらにレーザーガス中のCF4の蓄積量に応じて
本精製システム中の金属アルカリ類接触工程を間歇的に
採用してもよい。
的に稼働させることにより、レーザー出力が安定するが
、あるいはレーザー装置を運転する際に間歇的に採用し
、すなわちレーザーガスを精製処理することなく運転し
て系内の不純物が増加しレーザー出力の低下が著しくな
った時点で本精製システムに切替え、それによりレーザ
ー出力が回復したら再度前記操作を繰返すようにしても
よく、さらにレーザーガス中のCF4の蓄積量に応じて
本精製システム中の金属アルカリ類接触工程を間歇的に
採用してもよい。
以下に比較例と対比して本発明の実施例を示す。
比較例
添付図第1図に示すようなArF系放主放電型エキシマ
ーザー装置1に、si充填管2、ソーダライム充填槽3
、ゼオライト充填管4によりなるエキシマ−レーザーガ
ス循環精製装置を接続した。ただし金属アルカリ類充愼
管5は接続することなく、バイパス8を介しエキシマ−
レーザー装置1に接続、循環するようにした。精製循環
量を5 II /min 、レーザー発振周波数80t
lz、印加電圧39KV、レーザー装置内ガス圧力は2
650torrで、そのうちAr 145torr、
F2 5torr 5Ne2500torrとした。3
X105シヨツトを連続発振させた結果、レーザー出力
は初期出力15Wの50%であった。
ーザー装置1に、si充填管2、ソーダライム充填槽3
、ゼオライト充填管4によりなるエキシマ−レーザーガ
ス循環精製装置を接続した。ただし金属アルカリ類充愼
管5は接続することなく、バイパス8を介しエキシマ−
レーザー装置1に接続、循環するようにした。精製循環
量を5 II /min 、レーザー発振周波数80t
lz、印加電圧39KV、レーザー装置内ガス圧力は2
650torrで、そのうちAr 145torr、
F2 5torr 5Ne2500torrとした。3
X105シヨツトを連続発振させた結果、レーザー出力
は初期出力15Wの50%であった。
実施例
比較例同様のArF系放主放電型エキシマーザー装置1
に、Si充愼管2、ソーダーライム充填槽3、ゼオライ
ト充填管4よりなるガス循環精製装置を接続し、さらに
後段に金属カルシウム充填管5を接続した。精製循環量
、レーザー発振周波数、印加電圧、レーザー装置内ガス
圧力および各ガス成分分圧は比較例と同様とし、10’
シヨツトを連続発振させた結果、レーザー出力は初期出
力15Wの90%以上ときわめて優れた出力を示した。
に、Si充愼管2、ソーダーライム充填槽3、ゼオライ
ト充填管4よりなるガス循環精製装置を接続し、さらに
後段に金属カルシウム充填管5を接続した。精製循環量
、レーザー発振周波数、印加電圧、レーザー装置内ガス
圧力および各ガス成分分圧は比較例と同様とし、10’
シヨツトを連続発振させた結果、レーザー出力は初期出
力15Wの90%以上ときわめて優れた出力を示した。
本発明によればフッ素系ガスを含むエキシマ−レーザー
ガスを効率よ(精製循環でき、長期に亘る連続発振にお
いてもレーザー出力の低下を抑制できるという効果を奏
する。
ガスを効率よ(精製循環でき、長期に亘る連続発振にお
いてもレーザー出力の低下を抑制できるという効果を奏
する。
第1図は本発明における精製システムを示した図である
。 1−m−エキシマーレーザー装置 5−m−金属アルカリ充填管 特許出願人 セントラル硝子株式会社
。 1−m−エキシマーレーザー装置 5−m−金属アルカリ充填管 特許出願人 セントラル硝子株式会社
Claims (3)
- 1.フッ素系ガスを含有するレーザーガスを、フッ素系
ガスと反応性を有する金属、固体アルカリ金属および/
またはアルカリ土類金属化合物、ゼオライト、さらに金
属アルカリ類と順次接触させるようにしたことを特徴と
するエキシマーレーザーガスの精製法。 - 2.フッ素系ガスと反応性を有する金属が、Si、Ge
、P、Sb、Te、S、W、Mo、V、Fe、Cr、M
n、CO、Zn、Sn、Pb、TiまたはZrより選択
され、また金属アルカリ類が、Ca、Na、KまたはL
iより選択される夫々1種以上よりなることを特徴とす
る請求項1記載のエキシマーレーザーガスの精製法。 - 3.エキシマーレーザーガスの導管にフッ素系ガスと反
応性を有する金属の充填槽、固体アルカリ金属および/
またはアルカリ土類金属化合物充填槽、ゼオライト充填
槽、さらに金属アルカリ類充填槽を順次接続してなるこ
とを特徴とするエキシマーレーザーガスの精製装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1020284A JPH0760914B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 |
US07/466,930 US4964137A (en) | 1989-01-30 | 1990-01-18 | Method of refining rare gas fluoride excimer laser gas |
CA002008294A CA2008294C (en) | 1989-01-30 | 1990-01-22 | Method of refining rare gas fluoride excimer laser gas |
DE4002642A DE4002642A1 (de) | 1989-01-30 | 1990-01-30 | Verfahren zum raffinieren von in excimerlasern verwendetem edelgas-fluorid-gas |
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---|---|---|---|
JP1020284A JPH0760914B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 |
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---|---|
JPH02201984A true JPH02201984A (ja) | 1990-08-10 |
JPH0760914B2 JPH0760914B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=12022871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP1020284A Expired - Fee Related JPH0760914B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 |
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CA (1) | CA2008294C (ja) |
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DE69827524T2 (de) * | 1997-12-15 | 2005-04-07 | Cymer, Inc., San Diego | Gepulstes stromversorgungssystem mit hoher pulsrate |
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US6526085B2 (en) | 1998-10-05 | 2003-02-25 | Lambda Physik Ag | Performance control system and method for gas discharge lasers |
DE19942455A1 (de) | 1998-10-05 | 2000-04-06 | Lambda Physik Gmbh | Leistungssteuersystem und -verfahren für Gasentladungslaser |
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US6727731B1 (en) | 1999-03-12 | 2004-04-27 | Lambda Physik Ag | Energy control for an excimer or molecular fluorine laser |
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JPH0199272A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Hamamatsu Photonics Kk | ガス精製装置 |
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---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-01-30 JP JP1020284A patent/JPH0760914B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-18 US US07/466,930 patent/US4964137A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-22 CA CA002008294A patent/CA2008294C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-30 DE DE4002642A patent/DE4002642A1/de active Granted
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Publication number | Publication date |
---|---|
US4964137A (en) | 1990-10-16 |
DE4002642C2 (ja) | 1992-02-06 |
CA2008294C (en) | 1996-03-19 |
JPH0760914B2 (ja) | 1995-06-28 |
CA2008294A1 (en) | 1990-07-30 |
DE4002642A1 (de) | 1990-08-02 |
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