JPS6231377A - トランジスタインバ−タのベ−スドライブ回路 - Google Patents

トランジスタインバ−タのベ−スドライブ回路

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JPS6231377A
JPS6231377A JP60168111A JP16811185A JPS6231377A JP S6231377 A JPS6231377 A JP S6231377A JP 60168111 A JP60168111 A JP 60168111A JP 16811185 A JP16811185 A JP 16811185A JP S6231377 A JPS6231377 A JP S6231377A
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JP
Japan
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transistor
base
circuit
power source
diode
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JP60168111A
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English (en)
Inventor
Tomotaka Ito
伊藤 友隆
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/615Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration
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    • H03K17/7955Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はトランジスタインバータのベースドライブ回
路に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来のトランジスタインバータのベースドライ
ブ回路を示す構成図である。図において(1)は順方向
ベース電流を供給するための電源、(2)はフォトカプ
ラー、(3)〜(γ)はベースドライブ用トランジスタ
、(8)はインバータ主回路トランジスタ。
(9)はベース電流制限用抵抗、叫〜(ト)はダイオー
ド。
(2)は逆方向ベース電流を供給する次めの電源、■は
コンデンサ、(211はインダクタ、−〜−は抵抗であ
る。
次に上記構成における動作について説明する。
制御回路からのパルス入力信号をフォトカプラー(2)
により絶縁伝達し該フォトカプラーの後段に接続したP
NP形トランジスタ(8)及びNPN形トランジスタ(
4)を駆動する。トランジスタ(4)の後段にHNPN
形トランジスタ(5)が接続されており、結果的にトラ
ンジスタ(8)と(5)は相補的な動作となり、トラン
ジスタ(8)がオンの時はトランジスタ(6)はオフ゛
しており、トランジスタ(8)がオフの時はトランジス
タ(6)はオンすることになる。
今、トランジスタ(8)がオンの場合について説明する
と、インバータ主回路のトランジスタ(8)のベース電
流は、電源(1)からトランジスタ(8)、抵抗(9)
、ダイオード(至)、トランジスタ(γ)、インダクタ
(211’を経てトランジスタ(8)に供給され、ダイ
オードに)。
に)、(4)、 tm 、 cm 、(ロ)を通って電
源(1)へ還流する。
この時、コンデンサーにはダイオード6ケ分の順電圧に
充電される。
次に1制御信号が反転してトランジスタ(8)がオフす
ると、トランジスタ(5)がオンするため、コンデンサ
に)の電荷ハ、トランジスタ(8)、インダクタ(21
1,)ランジスタ(ア)、トランジスタ(6)、抵抗(
財))、トランジスタ(6)を通して放電することにな
り、これと同時にトランジスタ(6)をオンし電源α呻
によりトランジスタ(8)、  )ランジスタ(7)に
逆バイアス電流が流れ該トランジスタをオフさせること
になる。
ここで、ダイオード(ホ)はトランジスタ(γ)がオフ
し友後の逆バイアス電流の側路となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のトランジスタインバータのベースドライブ回路は
以上の様に構成されていたので、トランジスタ(6)を
オンさせる友めに必要な電圧をコンデンサーに充電する
ことが必要で、その充電に並列に接続したダイオード(
6)〜(16)の順電圧降下を利用しているために、ダ
イオードの必要数が多くなって回路が複雑になるばかり
でなく、該ダイオードが順方向電流により発熱し、温度
信頼性の面でも好ましくないという問題点かあつ次。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、トランジスタ(6)をオンさせる手段とし
て接続されているコンデンサー及びダイオード(2)〜
に)を不用として回路を簡素化するとともに、発熱部品
を減らし次温度信頼性の高いトランジスタインバータの
ベースドライブ回路を得ることを目的とする。
〔問題点を解決する九めの手段〕
この発明に係るトランジスタインバータのベースドライ
ブ回路は、逆バイアス電流を流し込むトランジスタ(6
)を制御回路からのパルス入力信号を絶縁して伝えるフ
ォトカプラー(2)の後段に接続した増幅角トランジス
タで直接駆動するよう構成したものである。
〔作用〕
この発明のトランジスタインバータのベースドライブ回
路によれば、逆バイアス電流を流し込むトランジスタ(
6)eフォトカプラーの後段に接続し次増幅用トランジ
スタで直接駆動するので、回路を簡素化して小形化する
ことができ、発熱部品を低減して信頼性の向上を図るこ
とができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)〜−は第2図に示しtものと同一で
あシ、欠番のものはこの発明により不要となう友もので
ある。すなわち、図示実施例においては、第2図におけ
るダイオード輛、ダイオード(ロ)〜(至)、コンデン
サー、抵抗(ロ)、 (28) 、 (80)を不要と
し、逆バイアス電流を流し込むトランジスタ(6)を、
フォトカプラー(2)の後段に接続された増幅用トラン
ジスタ(5)で直接駆動するようになってbる。
次に第1図の回路動作について説明する。制御回路から
のパルス入力信号をフォトカプラー(2)により絶縁伝
達し該フォトカプラーの後段に接続したPNP形トラン
ジスタ(8)及びNPN形トランジスタ(4)を駆動す
る。トランジスタ(4)の後段にはNPN形トランジス
タ(5)が接続されており、更にトランジスタ(5)の
後段にはPNP形トランジスタ(6)が接続されていて
、結果的にトランジスタ(8)と(6)及び(8)と(
6)は相補的な動作となり、トランジスタ(8)がオン
の時はトランジスタ(4)がオンしてトランジスタ(5
) 、 (6)Uオフに、トランジスタ(8)がオフの
時はトランジスタ(4)がオフしてトランジスタ(5)
(6)ハオンすることになる。
今、トランジスタ(8)がオンの場合について説明する
と、インバータ主回路のトランジスタ(8)のベース電
流は電源(1)からトランジスタ(8)、抵抗(9)、
トランジスタ(ア)、インダクタ(zl)k経てトラン
ジスタ(8)に供給され電源(1)へ還流する。
次に、制御信号が反転しトランジスタ(8)がオフする
と、トランジスタ(5) 、 (a)がオンするので電
源(至)よりトランジスタ(8)、トランジスタ(γン
に逆バイアス電流が流れ該トランジスタをオフさせる。
ここで、ダイオード(18H−1)ランジスタ(γ)が
オフした後の逆バイアス電流の側路となる。ダイオード
q7)はトランジスタ(8)がオーバードライブとなっ
た時、ベース電流がトランジスタ(7)のベースからコ
レクタに流れ込まない様にし几ものである。
〔発明の効果〕
以上の工うにこの発明によれば、逆バイアス電流を流す
トランジスタを制御回路からのパルス入力信号f;c絶
縁して伝えるフォトカプラーの後段に接続した増幅用ト
ランジスタでh接駆動するよう構成したため、回路が簡
寒化できたとともに発熱部品が減り、信頼性の高いトラ
ンジスタインバータのベースドライブ回路が得られる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるトランジスタインバ
ータのベースドライブ回路を示す回路図、第2図は従来
のトランジスタインバータのベースドライブ回路を示す
回路図である。 (1)、%u第1と第2の電源、(8)〜(8)はMc
lないし第6のトランジスタ、(9)は抵抗、aη、μ
s>Fi第1と第2のダイオード%(21)Viインダ
クタである。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す0

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 制御回路からのパルス入力信号に応動する第1のPNP
    形トランジスタと第2のNPN形トランジスタを備える
    と共に、第2のNPN形トランジスタの後段にその出力
    を増幅する第3、第4のトランジスタを備え、第1のト
    ランジスタと第4のトランジスタが相補的動作する様接
    続すると共に第1のトランジスタのコレクタと第4のト
    ランジスタのエミッタを抵抗を介して接続し該抵抗と上
    記第4のトランジスタの接続点にベースが接続されると
    共に該ベース・エミッタ間に逆方向に第2のダイオード
    が接続され、かつコレクタに第1のダイオードのカソー
    ドが接続された第5のNPN形トランジスタと、該第5
    のトランジスタのエミッタにインダクタを介してベース
    が接続されると共に上記第1のダイオードのアノードに
    コレクタが接続され、かつ第1の電源の陰極と第2の電
    源の陽極にエミッタが接続されたインバータ主回路の第
    6のトランジスタを備え、上記第1の電源の陽極を上記
    第1のトランジスタのエミッタに接続すると共に第2の
    電源の陰極を上記第2、第3のトランジスタのエミッタ
    、及び第4のトランジスタのコレクタに接続してなるこ
    とを特徴とするトランジスタインバータのベースドライ
    ブ回路。
JP60168111A 1985-07-30 1985-07-30 トランジスタインバ−タのベ−スドライブ回路 Pending JPS6231377A (ja)

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CN86105717A CN86105717B (zh) 1985-07-30 1986-07-16 晶体管转换器的基极激励回路
US06/890,047 US4716513A (en) 1985-07-30 1986-07-28 Base drive circuit in a transistor inverter
GB8618449A GB2180709B (en) 1985-07-30 1986-07-29 A transistor inverter circuit
DE3625689A DE3625689C2 (de) 1985-07-30 1986-07-30 Basissteuerung in einem Transistor-Wechselrichter

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4816984A (en) * 1987-02-06 1989-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Bridge arm with transistors and recovery diodes
US4970635A (en) * 1988-11-14 1990-11-13 Sundstrand Corporation Inverter with proportional base drive controlled by a current transformer
EP0373240A1 (de) * 1988-12-13 1990-06-20 Siemens Aktiengesellschaft Selbstregelnde Treiberschaltung mit Sättigungsgradregelung für den Basisstrom eines Leistungstransistors
US4937468A (en) * 1989-01-09 1990-06-26 Sundstrand Corporation Isolation circuit for pulse waveforms
US6806457B2 (en) * 2001-09-28 2004-10-19 Tai-Her Yang Transistor photoelectric conversion drive circuit
GB2437964B (en) 2006-05-06 2009-03-25 Siemens Magnet Technology Ltd An annular enclosure provided with an arrangement of recesses or protrustions to reduce mechanical resonance

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59106885A (ja) * 1982-12-08 1984-06-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体スイツチ駆動回路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4220987A (en) * 1978-12-29 1980-09-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Converter drive circuit
JPS635436Y2 (ja) * 1980-08-20 1988-02-15
JPS5828292A (ja) * 1981-08-10 1983-02-19 Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd 発酵法によるl−リジンの製造法
JPS5855582B2 (ja) * 1981-11-13 1983-12-10 株式会社東芝 透視性テ−プカセツト
IT1218316B (it) * 1982-03-17 1990-04-12 Ates Componenti Elettron Circuito di comando in commutazione di carichi induttivi,integrabile monolicamente,comprendente uno stadio finalein push-pull
JPH0669297B2 (ja) * 1983-03-29 1994-08-31 松下電器産業株式会社 インバータ用ベース電流ドライブ回路
GB2142495B (en) * 1983-06-24 1986-09-17 Barry Wayne Williams Switch-off circuits for transistors and gate turn-off thyristors
JPS607225A (ja) * 1983-06-24 1985-01-16 Matsushita Refrig Co トランジスタインバ−タのベ−スドライブ回路
DE3341074A1 (de) * 1983-11-12 1985-05-23 Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover Schaltnetzteil, insbesondere fuer einen fernsehempfaenger, mit einer schutzschaltung zur begrenzung des primaerstroms
US4638240A (en) * 1985-12-05 1987-01-20 Tandem Computers Incorporated Base drive circuit for high-power switching transistor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59106885A (ja) * 1982-12-08 1984-06-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体スイツチ駆動回路

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Publication number Publication date
GB2180709B (en) 1989-08-16
DE3625689A1 (de) 1987-02-12
CN86105717A (zh) 1987-01-28
KR900002597B1 (ko) 1990-04-20
GB8618449D0 (en) 1986-09-03
US4716513A (en) 1987-12-29
GB2180709A (en) 1987-04-01
CN86105717B (zh) 1988-12-28
DE3625689C2 (de) 1997-09-11
KR870001698A (ko) 1987-03-17

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