JPS62293671A - 固体撮像装置のパツシベ−シヨン層 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体撮像装置において、耐不純物性及び耐湿
性の良好なパッシベーション層の構造及びその製造方法
に関する。

〔従来の技術〕

従来の固体撮像装置のパッシベーション層としては、不
純物イオンによる汚染を防ぐ事と、耐湿性を向上させる
という２つの目的を実現する為に、下部に有機樹脂薄膜
、その上部に無機質薄膜を有する２Ｎバンシベーシヨン
構造が提案されている。

その製造方法を第２図に示す、同図（ａｌに示すように
有機樹脂薄膜２−１、無機質薄膜２−２を積層後、フォ
トレジストマスク２−３を形成する０次に同図（ｂ＋に
示すように無機質薄膜２−２をエツチングし、続いて同
図（Ｃ１に示すように有機樹脂薄膜２−１をドライエツ
チングすると共にフォトレジストマスクも剥離する。こ
こで２−４はバンド電極である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら上述の従来技術では、次の２つの大きな問
題点が生じる。

（１）固体撮像装置の耐湿性が不足する。

（２）バンドオーブン孔は、無機質薄膜がひさしのよう
に飛び出しオーバーハング構造２−５になる。

第１項目の原因としては、上部の無機質薄膜のピンホー
ルあるいはクランクなどにより、下部の有機樹脂薄膜に
直接水分が当たる為に、その部分で耐湿性が悪（なる、
また第２項目の原因は、第２図で示しているとおり、有
機樹脂薄膜が等方エッチされる為である。このような構
造になると、後工程でレジスト塗布をすると、オーバー
ハングの下の部分にはレジストが入り込まない為に、塗
布ムラとなり、プロセス欠陥となってしまう。そこで本
発明の目的は、これらのバンドオープン孔に生じるバー
ド−バング構造を解決し、さらに耐湿性の良好なパッシ
ベーション層の構造及びその製造方法を提案することで
ある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明の固体逼像装置のパッシベーション層は、光電変
換素子を複数個配列して成る固体１最像装置において、
第Ｌｌｌ目はポリイミド膜、第２層目はＳｉｎ、膜、そ
して第３Ｆ！目は、感光性ポリイミド膜から形成される
３層バンシベーション構造を存することを特徴とする。

〔作　用〕 本発明の構成によれば、耐湿性の良好なパンシベーシ３
ン層を作製する事が可能となり、さらにバンドオーブン
孔のオーバーハング構造が解消されるので、後工程での
プロセス欠陥の発生を低減させる事が出来る。

〔実施例〕

第１図に、本発明における固体逼像装置のパッシベーシ
ョン層の構造とその製造方法を示す。同図＋ａｌに示す
ようにポリイミド膜１−１をスピンコードして焼成した
後、Ｓｉｎｇあるいは５ｉｚＮａあるいはダイヤモンド
薄膜などの無ｔＲＸ　ａ膜１−２を形成する。光電変換
素子の耐熱性より前記無機質薄膜の形成方法は限定され
る０例えば非晶質Ｓ　ｉ　、（ａ−３ｉ　：　Ｈ）を用
いている場合は、約２５０℃以下としなければならない
、従って、スパッタ法あるいはプラズマＣＶＤ法などが
有効となる。その後、バンドオープンのパターンのフォ
トレジストマスク１−３を形成する。該フォトレジスト
マスクで前記無機質薄膜をエツチングする。

ここで１−４はバンド電極である９次に同図価）に示す
ように、フォトレジストマスク１−３及び無ｍｔ＊膜１
−２をマスクとしてポリイミド膜１−工をドライエッチ
する。ドライエッチは０□とＣＦ、の混合ガスを用いた
プラズマエッチが適している。一方ｏ２プラズマにより
フォトレジストマスクも同時にエツチングされるので、
あらためてレジスト剥離を行なう必要はない、ここまで
は従来のパンシベーシッンの工程と同じである。ここで
は等方性のドライエツチングの為にポリイミド膜は１−
５に示すようにひさしのようなオーバーハング構造とな
る。続いて同図（Ｃ１に示すように、感光性ポリイミド
１−６を塗布し、フォト工程を通してバンドオーブン孔
を形成する。このままで前記無機質薄膜のエツチング液
に浸漬すれば、オーバーハング構造１−５を除去するこ
とができ同図（ｄ）に示すような構造が完成する。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明の構成によれば、耐湿性が向
上される。つまり、ポリイミド膜は一般的に保水性は大
きいが、水分を透過させにくい。

従って、第３層目に付けである感光性ポリイミドが湿気
を保つが膜自身を透過する水分は極めて少ない。この透
過したわずかな水分は、第２層目に存在する無機質薄膜
に阻止されて、それより深部への水分の浸入は、はぼ完
全に防止することができる。前記無機質薄膜がポーラス
な膜であったとしても前記第３Ｎ百の感光性ポリイミド
が存在するので、このような無ｍ’ｌｔ薄膜に欠陥があ
ったとしてもまったく問題にならない。この点は重要で
ある０例えば、水素化非晶質シリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）
を用いた固体１像装置の場合、プロセス温度は約２５０
℃以下に制限される為、スパッタ３ｉ０＊などのクラン
クやピンホールの生じやすい無機質薄膜を用いる事を余
儀なくされる。このような場合でも、本発明のバンシベ
ーシ３ン構造を採用すれば、耐湿性を保障することがで
きる。

一方、バンドオーブン孔のひさし部分のオーバーハング
構造も解消することができるので、後工程でのレジスト
塗布性が同上し、プロセス欠陥を低減することが可能と
なる。さらにオーバーハング部の欠落の心配もないので
、プロセス途上でのゴミの発生もおさえることができる
。このように本発明は、耐不純物性及び耐湿性が良好で
、しかも工程欠陥の極めて少ないパッシベーション構造
の製造方法を提案するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌから（ｄｌは本発明の固体描像装置のバフ
シベーション層の製造方法を示す工程図である。 第２図ｆａｌから（Ｃ１は、従来の固体１最像装置のパ
ンシベーシジン層の製造方法を示す工程図である。 １−６・・・・・・感光性ポリイミド １−２・・・・・・無機ｆｆｉ膜 ２−５・・・・・・オーバーバンク構造板　　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 望ン ｃｃ−） Ｃｄ） 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光電変換素子を複数個配列して成る固体撮像装置におい
   て、第１層目はポリイミド膜、第２層目はＳｉＯ＿２膜
   、そして第３層目は、感光性ポリイミド膜から形成され
   る３層パッシベーション構造を有することを特徴とする
   固体撮像装置のパッシベーション層。