JPH02116168A - 焦電型赤外線固体撮像装置 - Google Patents
焦電型赤外線固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH02116168A JPH02116168A JP63269899A JP26989988A JPH02116168A JP H02116168 A JPH02116168 A JP H02116168A JP 63269899 A JP63269899 A JP 63269899A JP 26989988 A JP26989988 A JP 26989988A JP H02116168 A JPH02116168 A JP H02116168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- pyroelectric
- conductive metal
- electrode thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 148
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焦電薄膜を用いた焦電型赤外線固体撮像装置に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
物体の温度分布を非接触で測定する赤外線撮像装置には
、赤外線を光量子として検出する量子型検出器と赤外線
を熱として吸収して素子の温度変化を電気信号に変換す
る熱望検出器とがある。前者は応答速度が速く高感度で
あるが、液体窒素温度程度の低温に冷却する必要があり
、感度の波長依存性が大きい。後者は応答は遅いが、常
温動作が可能で長波長での感度が高いという特長を有し
、家庭用、−船長需用として期待されている。
、赤外線を光量子として検出する量子型検出器と赤外線
を熱として吸収して素子の温度変化を電気信号に変換す
る熱望検出器とがある。前者は応答速度が速く高感度で
あるが、液体窒素温度程度の低温に冷却する必要があり
、感度の波長依存性が大きい。後者は応答は遅いが、常
温動作が可能で長波長での感度が高いという特長を有し
、家庭用、−船長需用として期待されている。
この赤外線撮像装置の2次元化について、a −もしく
は線センサを回転または振動光学系を用いて2次元走査
を行なう光学走査方式、あるいは、マトリックス検出器
に信号を結像させて電子ビームにより信号を読みだす電
子ビーム方式、あるいは、電荷結合素子(以下CODと
記す)のような信号の自己走査機能を有する2次元固体
電子走査部と2次元の焦電型赤外線検出部とを一体化し
た自己走査方式のものか種々提案されている。この一体
止には、例えばInfrared Physics誌、
19巻、511頁、第4図に記載されているように、1
nバンブ等の導電性金属支柱を用いて焦電素子とCCD
とを結合する方式が提案されている。また、Int、C
onf、on AdvancedlR5ensors
and 5ystea+ 49(+983)には、CC
Dへの熱伝導を抑制するため、CCD−hにレジストの
突起部を形成し、その上に設けた電極と焦電材料の下部
電極とをハンダバンブて結合する構造が提案されている
。
は線センサを回転または振動光学系を用いて2次元走査
を行なう光学走査方式、あるいは、マトリックス検出器
に信号を結像させて電子ビームにより信号を読みだす電
子ビーム方式、あるいは、電荷結合素子(以下CODと
記す)のような信号の自己走査機能を有する2次元固体
電子走査部と2次元の焦電型赤外線検出部とを一体化し
た自己走査方式のものか種々提案されている。この一体
止には、例えばInfrared Physics誌、
19巻、511頁、第4図に記載されているように、1
nバンブ等の導電性金属支柱を用いて焦電素子とCCD
とを結合する方式が提案されている。また、Int、C
onf、on AdvancedlR5ensors
and 5ystea+ 49(+983)には、CC
Dへの熱伝導を抑制するため、CCD−hにレジストの
突起部を形成し、その上に設けた電極と焦電材料の下部
電極とをハンダバンブて結合する構造が提案されている
。
導電性金属支柱等で接合した焦電型CCDては、導電性
金属支柱を通してCCDへの熱拡散が生じ感度が低下し
た。CCDと焦電材料の間にレジストを介してCCDへ
の熱伝導を抑制する構造のものも、CCDとセンサ部の
熱膨張差による接触不良やクラックが生じた。また、セ
ンサ部が導電性金属支柱と直接接触しているため熱容量
が増大し、応答性も低Fした。
金属支柱を通してCCDへの熱拡散が生じ感度が低下し
た。CCDと焦電材料の間にレジストを介してCCDへ
の熱伝導を抑制する構造のものも、CCDとセンサ部の
熱膨張差による接触不良やクラックが生じた。また、セ
ンサ部が導電性金属支柱と直接接触しているため熱容量
が増大し、応答性も低Fした。
また、熱伝導率が小さい有機薄膜を焦電薄膜上に設ける
ことにより熱伝導を緩和する構造を有する焦電型赤外線
固体撮像装置は、第3図に示すように、共通電極14を
具備した焦電薄膜15の他方の表面に設けられた複数の
分離した第1の電極薄膜16上に、コンタクトホール1
7を有する有機薄膜18を形成し、その有1薄膜18k
に前記第1の電極薄膜16と電気的に接続した第2の電
極薄膜19を設け、導電性金属支柱20を介してCCD
の入力ダイオード21上の入力ダイオード用電極薄膜2
2ど各々接続する構造となっている。
ことにより熱伝導を緩和する構造を有する焦電型赤外線
固体撮像装置は、第3図に示すように、共通電極14を
具備した焦電薄膜15の他方の表面に設けられた複数の
分離した第1の電極薄膜16上に、コンタクトホール1
7を有する有機薄膜18を形成し、その有1薄膜18k
に前記第1の電極薄膜16と電気的に接続した第2の電
極薄膜19を設け、導電性金属支柱20を介してCCD
の入力ダイオード21上の入力ダイオード用電極薄膜2
2ど各々接続する構造となっている。
上記の構造の焦電型赤外線固体撮像装置は、直接CCD
とセンサ部を導電性金属支柱を介して接続したものやC
CDとセンサ部間にレジストを介したものに比べてCO
Dへの熱伝導が緩和される。
とセンサ部を導電性金属支柱を介して接続したものやC
CDとセンサ部間にレジストを介したものに比べてCO
Dへの熱伝導が緩和される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、有w1薄膜にはコンタクトホールを形成
しなけれはならず、十分な厚さを確保できないため、焦
電薄膜との6第1の電極薄膜の上方に有機薄膜を介して
導電性金属支柱を設けた構造では、吸収した熱が有Wt
′:;4膜を介して直接導電性金属支柱に伝導し、導電
性金属支柱からccnへと熱拡散が生じ感度が低下した
。
しなけれはならず、十分な厚さを確保できないため、焦
電薄膜との6第1の電極薄膜の上方に有機薄膜を介して
導電性金属支柱を設けた構造では、吸収した熱が有Wt
′:;4膜を介して直接導電性金属支柱に伝導し、導電
性金属支柱からccnへと熱拡散が生じ感度が低下した
。
また、一画素中で有機薄膜上のコンタクトホールから導
電性金属支柱までの第2の電極薄膜の距離が短いと、第
2の電極薄膜は一般に金属からなり熱伝導が大きいため
、熱が即時に第2の電極薄膜を伝導して、導電性金属支
柱からCCDへと熱拡散が生じるという欠点を有する。
電性金属支柱までの第2の電極薄膜の距離が短いと、第
2の電極薄膜は一般に金属からなり熱伝導が大きいため
、熱が即時に第2の電極薄膜を伝導して、導電性金属支
柱からCCDへと熱拡散が生じるという欠点を有する。
また、上記のような構造を有する焦電型赤外線固体撮像
装置において、CCDの各入力ダイオート用電極薄膜に
対応してセンサ部−Eに設けた導電性金属支柱を各々接
続する工程で、CCDの入力ダイオード用電極薄膜にセ
ンサ部の導電性金属支柱の位置を合わせを行う必要があ
る。この際に、第1の電極薄膜上に導電性金属支柱が形
成され−Cいろため、第1の電極薄膜よって導電性金属
支柱が隠され、焦電薄膜側から導電性金属支柱の位置が
確認用できず、位置合わせが難しいため、作業性が低下
した。また、導電性金属支柱とCCDの入力ダイオード
用電極薄膜との第1の電極薄膜の接合のずれが生じやす
く、これによって接触不良が起こるという欠点を有する
。
装置において、CCDの各入力ダイオート用電極薄膜に
対応してセンサ部−Eに設けた導電性金属支柱を各々接
続する工程で、CCDの入力ダイオード用電極薄膜にセ
ンサ部の導電性金属支柱の位置を合わせを行う必要があ
る。この際に、第1の電極薄膜上に導電性金属支柱が形
成され−Cいろため、第1の電極薄膜よって導電性金属
支柱が隠され、焦電薄膜側から導電性金属支柱の位置が
確認用できず、位置合わせが難しいため、作業性が低下
した。また、導電性金属支柱とCCDの入力ダイオード
用電極薄膜との第1の電極薄膜の接合のずれが生じやす
く、これによって接触不良が起こるという欠点を有する
。
また、前述した構造を有する焦電型赤外線固体撮像装置
は、有機薄膜によってCCDとセンサ部の接合時の衝撃
が緩和される。しかしながら、導電性金属支柱が一画素
に相当する第1の電極薄膜上に形成されているため、接
触不良やクラックの発生により、センサ特性が低下する
という問題があった。
は、有機薄膜によってCCDとセンサ部の接合時の衝撃
が緩和される。しかしながら、導電性金属支柱が一画素
に相当する第1の電極薄膜上に形成されているため、接
触不良やクラックの発生により、センサ特性が低下する
という問題があった。
本発明は、このような従来技術の課題を解決することを
目的とする。
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明の焦電型赤外線固体撮像装置は、一方の表面に共
通電極を具備した焦電薄膜と、前記焦電薄膜の他の表面
上に二次元に配列した第1の電極薄膜群と、これらの薄
膜を被覆するように形成したコンタクトホールを設けた
有機薄膜と、前記6第1の電極薄膜群に前記コンタクト
ホールを介して電気的に接続され、前記有機薄膜上で前
記6第1の電極薄膜間まで伸びた第2の電極薄膜群と、
前記第2の電極薄膜群上で前記第1の電極薄膜間に電荷
結合素子の各エレメントの入力ダイオードに接続するよ
うに導電性金属支柱を設けた構成を特徴としている。
通電極を具備した焦電薄膜と、前記焦電薄膜の他の表面
上に二次元に配列した第1の電極薄膜群と、これらの薄
膜を被覆するように形成したコンタクトホールを設けた
有機薄膜と、前記6第1の電極薄膜群に前記コンタクト
ホールを介して電気的に接続され、前記有機薄膜上で前
記6第1の電極薄膜間まで伸びた第2の電極薄膜群と、
前記第2の電極薄膜群上で前記第1の電極薄膜間に電荷
結合素子の各エレメントの入力ダイオードに接続するよ
うに導電性金属支柱を設けた構成を特徴としている。
作用
本発明の焦電型赤外線固体撮像装置によれは、導電性金
属支柱を介してCCDへの熱拡散が低減することにより
感度の大幅アップを図ることができるばかりでなく、薄
膜の割れを防止による接触不良の問題も解消した。また
、作業性も向上し、歩留まり良く、高性能の焦電型赤外
線固体撮像装置が実現できる。
属支柱を介してCCDへの熱拡散が低減することにより
感度の大幅アップを図ることができるばかりでなく、薄
膜の割れを防止による接触不良の問題も解消した。また
、作業性も向上し、歩留まり良く、高性能の焦電型赤外
線固体撮像装置が実現できる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明の焦電型赤外線固体撮像装置の構造の
一実施例を示す図である。図に示すように、本発明の焦
電型赤外線固体撮像装置は、一方の表面に共通電極lを
具備した焦電薄膜2の他の表面上に二次元に配列した第
1の電極薄膜3を設け、これらの薄膜を被覆するように
形成したコンタクトホール4を有する有機薄膜5上に前
記コンタクトホール4を介して電気的に接続され、前記
有機薄膜5上で前記6第1の電極薄膜3間まで伸びた第
2の電極薄膜6を、導電性金属支柱7を介して前記第2
の電極薄膜6tで前記第1の電極薄膜3間にCCDのエ
レメントの入力ダイオード8上の入力ダイオード用電極
9に接続している。
一実施例を示す図である。図に示すように、本発明の焦
電型赤外線固体撮像装置は、一方の表面に共通電極lを
具備した焦電薄膜2の他の表面上に二次元に配列した第
1の電極薄膜3を設け、これらの薄膜を被覆するように
形成したコンタクトホール4を有する有機薄膜5上に前
記コンタクトホール4を介して電気的に接続され、前記
有機薄膜5上で前記6第1の電極薄膜3間まで伸びた第
2の電極薄膜6を、導電性金属支柱7を介して前記第2
の電極薄膜6tで前記第1の電極薄膜3間にCCDのエ
レメントの入力ダイオード8上の入力ダイオード用電極
9に接続している。
これはたとえは、以下に示すような方法により実現でき
る。数71m〜数10μmの膜厚を有するPbTiO3
やP b+−xLaxT 1t−xzao3等の材料か
らなる焦電薄膜2を赤外線センサとして使用する。
る。数71m〜数10μmの膜厚を有するPbTiO3
やP b+−xLaxT 1t−xzao3等の材料か
らなる焦電薄膜2を赤外線センサとして使用する。
この焦電薄膜2は単結晶基板を所定の厚さになるまで研
磨して実施しても良いし、MgO等の、その表面にPb
Ti0zやP b+−++LatTit−x、−403
等の焦電材料からなる薄膜をエピタキシャル成長できる
基板上にスパッタ法等により所定の厚さの薄膜を形成後
、適当な工程で前記基板のみを除去することによっても
実現できる。
磨して実施しても良いし、MgO等の、その表面にPb
Ti0zやP b+−++LatTit−x、−403
等の焦電材料からなる薄膜をエピタキシャル成長できる
基板上にスパッタ法等により所定の厚さの薄膜を形成後
、適当な工程で前記基板のみを除去することによっても
実現できる。
この焦電薄膜2の裏面に20nm程度の赤外光の反射率
が少ない金属からなる共通電極lが形成されている。ま
た、上記焦電薄膜2上に厚さ20nm程度の膜厚を有す
るNiCrからなる二次元に配列した第1の電極薄膜3
を設ける。
が少ない金属からなる共通電極lが形成されている。ま
た、上記焦電薄膜2上に厚さ20nm程度の膜厚を有す
るNiCrからなる二次元に配列した第1の電極薄膜3
を設ける。
次に焦電薄膜2Lの、6第1の電極薄膜3上にコンタク
トホール4を有する膜厚的4μmの有機薄膜5を設けろ
。前記有機薄膜5は、感光性のポリイミド系樹脂等の材
料を使用して、周知のフォトリソグラフィーの手法によ
りバターニングした後、300℃程度の温度で熱処理し
たものである。
トホール4を有する膜厚的4μmの有機薄膜5を設けろ
。前記有機薄膜5は、感光性のポリイミド系樹脂等の材
料を使用して、周知のフォトリソグラフィーの手法によ
りバターニングした後、300℃程度の温度で熱処理し
たものである。
次に、CCDの入力ダイオート用電極9と接続される電
極として、有機薄膜5上にNiCrからなる第2の電極
薄膜6を蒸着法により形成する。前記第2の電極薄膜6
は、コンタクトホール4を介して第1の電極薄膜3と電
気的に接続され、有機薄膜5上で第1の電極薄膜3問ま
で引き伸はして形成する。
極として、有機薄膜5上にNiCrからなる第2の電極
薄膜6を蒸着法により形成する。前記第2の電極薄膜6
は、コンタクトホール4を介して第1の電極薄膜3と電
気的に接続され、有機薄膜5上で第1の電極薄膜3問ま
で引き伸はして形成する。
CCDとセンサ部はAu等の導電性金属支柱7により接
続されている。この導電性金属支柱7は、第2の電極薄
膜6上の第1の電極薄膜3間に形成されている。これは
例えば、第2の電極薄膜6上に50 n m程度の膜厚
を有するAuからなる金属薄膜を真空蒸着法により全面
に形成し、この金属薄膜上に6第2の電極薄膜に対応し
て、周知のフォトリソグラフィーの手法により約5μm
φの垂直なたて穴を有する厚さ約5μmのレジスト膜を
形成する。次に、電解メツキ法によりAuのメツキ液中
で、前記金属薄膜を電極としてレジスト膜のたて穴にA
uの導電性金属支柱7を成長させる。
続されている。この導電性金属支柱7は、第2の電極薄
膜6上の第1の電極薄膜3間に形成されている。これは
例えば、第2の電極薄膜6上に50 n m程度の膜厚
を有するAuからなる金属薄膜を真空蒸着法により全面
に形成し、この金属薄膜上に6第2の電極薄膜に対応し
て、周知のフォトリソグラフィーの手法により約5μm
φの垂直なたて穴を有する厚さ約5μmのレジスト膜を
形成する。次に、電解メツキ法によりAuのメツキ液中
で、前記金属薄膜を電極としてレジスト膜のたて穴にA
uの導電性金属支柱7を成長させる。
その後レジスト膜を剥離し、前記金属薄膜を全面エツチ
ングによって除去すればよい。
ングによって除去すればよい。
前記導電性金属支柱7とCCDの入力ダイオード用電極
薄膜9との接合は、300℃程度の温度で熱圧着により
行った。これにより、赤外センサの一画素に相当する第
1の電極薄膜3は、有機薄膜5J:、の第2の電極薄膜
6及び導電性金属支柱7を介してCCDの入力ダイオー
ド用電極薄膜9に接続される。
薄膜9との接合は、300℃程度の温度で熱圧着により
行った。これにより、赤外センサの一画素に相当する第
1の電極薄膜3は、有機薄膜5J:、の第2の電極薄膜
6及び導電性金属支柱7を介してCCDの入力ダイオー
ド用電極薄膜9に接続される。
本発明の焦電型赤外線固体撮像装置によれば、有機薄膜
上で第1の電極薄膜間に導電性金属支柱が設けられてい
る構造により、有機薄膜を介しての熱伝導による熱拡散
を最小とし、センサ特性を高感度とすることができる。
上で第1の電極薄膜間に導電性金属支柱が設けられてい
る構造により、有機薄膜を介しての熱伝導による熱拡散
を最小とし、センサ特性を高感度とすることができる。
また、CCDの各入力ダイオード用電極薄膜に対応して
センサ部上に設けた導電性金属支柱を各々接続する工程
で、CCDの入力ダイオードにセンサ部の導電性金属支
柱の位置を合わせる際に、導電性金属支柱が第1の電極
薄膜間に形成されている構造により、焦電薄膜及び有機
薄膜を通して導電性金属支柱の周辺部が見えるため、位
置合わせが容易になり、作業性が向−ヒする。
センサ部上に設けた導電性金属支柱を各々接続する工程
で、CCDの入力ダイオードにセンサ部の導電性金属支
柱の位置を合わせる際に、導電性金属支柱が第1の電極
薄膜間に形成されている構造により、焦電薄膜及び有機
薄膜を通して導電性金属支柱の周辺部が見えるため、位
置合わせが容易になり、作業性が向−ヒする。
また、L記の構造によりCCDとセンサ部の接合時ξこ
おいて、一画素に相当する第1の電極薄膜−ヒの有機薄
膜に直−接接金時の衝撃がかからないため、有機薄膜の
破壊による接触不良等を防正てきる。
おいて、一画素に相当する第1の電極薄膜−ヒの有機薄
膜に直−接接金時の衝撃がかからないため、有機薄膜の
破壊による接触不良等を防正てきる。
本発明の焦電型赤外線固体撮像装置のもう一つの構造を
次に説明する。すなわち、前述したように共通電極を具
備した前記焦電薄膜の他方の表面上に第1の電極薄膜群
を形成後、焦電薄膜上にコンタクトホールを有する有機
薄膜を設ける。改に、コンタクトホールを介して第1の
電極薄膜と電気的に接続したNiCrからなる第2の電
極薄膜を形成する。この第2の電極薄膜は、一つの島上
内で屈曲した形状を有する出来るかぎり長い電極とする
。この第2の電極薄膜上のコンタクトホールと対抗する
端部上に導電性金属支柱を設け、萌記導電性金属支柱を
介してCCDの入力ダイオード用電極に接続させる。第
2図は、一画素lO中の有機薄膜上に形成される屈曲し
た形状を有する出来るかぎり長い電極である第2の電極
薄膜11と、前記第2の電極薄膜11 hの導電性金属
支柱12とコンタクトホール13の位置を示した代表的
な例を示した平面図である。
次に説明する。すなわち、前述したように共通電極を具
備した前記焦電薄膜の他方の表面上に第1の電極薄膜群
を形成後、焦電薄膜上にコンタクトホールを有する有機
薄膜を設ける。改に、コンタクトホールを介して第1の
電極薄膜と電気的に接続したNiCrからなる第2の電
極薄膜を形成する。この第2の電極薄膜は、一つの島上
内で屈曲した形状を有する出来るかぎり長い電極とする
。この第2の電極薄膜上のコンタクトホールと対抗する
端部上に導電性金属支柱を設け、萌記導電性金属支柱を
介してCCDの入力ダイオード用電極に接続させる。第
2図は、一画素lO中の有機薄膜上に形成される屈曲し
た形状を有する出来るかぎり長い電極である第2の電極
薄膜11と、前記第2の電極薄膜11 hの導電性金属
支柱12とコンタクトホール13の位置を示した代表的
な例を示した平面図である。
第2図に示すように、一画素中の第2の電極薄膜が屈曲
した形状を有することより、より長い電極となるため、
コンタクトホールから第2の電極薄膜を介して導電性金
属支柱まで熱が到達しにくく、導電性金属支柱からCC
Dへの熱伝導が激減し、高感度の焦電型赤外線固体撮像
装置を実現できる。
した形状を有することより、より長い電極となるため、
コンタクトホールから第2の電極薄膜を介して導電性金
属支柱まで熱が到達しにくく、導電性金属支柱からCC
Dへの熱伝導が激減し、高感度の焦電型赤外線固体撮像
装置を実現できる。
発明の効果
本発明による焦電型赤外線固体撮像装置よれば、焦電薄
膜からCCDへの熱伝導を激減する構造により、高感度
化が実現できるばかりでなく、CODとセンサ部の接合
時の衝撃による接触不良や薄膜の割れの防上ができ、作
業性も向上し、歩留まり良く製造することができるため
、産業上の利用価値は高い。
膜からCCDへの熱伝導を激減する構造により、高感度
化が実現できるばかりでなく、CODとセンサ部の接合
時の衝撃による接触不良や薄膜の割れの防上ができ、作
業性も向上し、歩留まり良く製造することができるため
、産業上の利用価値は高い。
第1図は、本発明の一実施例における焦電型赤外線固体
撮像装置の構造を示す断面図、第2図は、同焦電型赤外
線固体撮像装置の構造を示す平面図、第3図は、従来の
焦電型赤外線固体撮像装置の構造を示す断面図である。 l・・・共通電極、2・・・焦電薄膜、3・・・第1の
電極薄膜、4・・・コンタクトホール、5・・・有機薄
膜、6・・・第2の電極薄膜、7・・・導電性金属支柱
、8・・・入力ダイオード、9・・・入力ダイオード用
電極薄膜、10・・・一画素、11・・・第2の電極薄
膜、12・・・導電性金属支柱、13・・・コンタクト
ホール、14・・・共通電極、15・・・焦電薄膜、1
6・・・第1の電極薄膜、17・・・コンタクトホール
、18・・・有機薄膜、19・・・第2の電極薄膜、2
0・・・導電性金属支柱、21・・・入力ダイオード、
22・・・入力ダイオード用電極薄膜 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第 ] 図 第 図 第 図
撮像装置の構造を示す断面図、第2図は、同焦電型赤外
線固体撮像装置の構造を示す平面図、第3図は、従来の
焦電型赤外線固体撮像装置の構造を示す断面図である。 l・・・共通電極、2・・・焦電薄膜、3・・・第1の
電極薄膜、4・・・コンタクトホール、5・・・有機薄
膜、6・・・第2の電極薄膜、7・・・導電性金属支柱
、8・・・入力ダイオード、9・・・入力ダイオード用
電極薄膜、10・・・一画素、11・・・第2の電極薄
膜、12・・・導電性金属支柱、13・・・コンタクト
ホール、14・・・共通電極、15・・・焦電薄膜、1
6・・・第1の電極薄膜、17・・・コンタクトホール
、18・・・有機薄膜、19・・・第2の電極薄膜、2
0・・・導電性金属支柱、21・・・入力ダイオード、
22・・・入力ダイオード用電極薄膜 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第 ] 図 第 図 第 図
Claims (2)
- (1)一方の表面に共通電極を具備した焦電薄膜と、前
記焦電薄膜の他の表面上に二次元に配列した第1の電極
薄膜群と、これらの薄膜を被覆するように形成したコン
タクトホールを設けた有機薄膜と、前記各第1の電極薄
膜群に前記コンタクトホールを介して電気的に接続され
、前記有機薄膜上で前記各第1の電極薄膜間まで伸びた
第2の電極薄膜群と、前記第2の電極薄膜群上で前記第
1の電極薄膜間に電荷結合素子の各エレメントの入力ダ
イオードに接続するように導電性金属支柱を設けた構成
を特徴とする焦電型赤外線固体撮像装置。 - (2)一方の表面に共通電極を具備した焦電薄膜と、前
記焦電薄膜の他の表面上に二次元に配列した第1の電極
薄膜群と、これらの薄膜を被覆するように形成したコン
タクトホールを設けた有機薄膜と、前記第1の電極薄膜
群とコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記
有機薄膜上で前記第一の電極薄膜の一つの島上内で屈曲
した形状を有する出来るかぎり長く形成した第2の電極
薄膜群と、前記第2の電極薄膜群上のコンタクトホール
と対抗する端部に電荷結合素子の各エレメントの入力ダ
イオードに接続するように導電性金属支柱を設けた構成
を特徴とする焦電型赤外線固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63269899A JPH02116168A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 焦電型赤外線固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63269899A JPH02116168A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 焦電型赤外線固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02116168A true JPH02116168A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17478768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63269899A Pending JPH02116168A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 焦電型赤外線固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02116168A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543641A (en) * | 1993-12-30 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Hybrid signal conditioning/infared imaging structure |
JPH08322826A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | X線撮像装置 |
US5652150A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Hybrid CCD imaging |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63269899A patent/JPH02116168A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543641A (en) * | 1993-12-30 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Hybrid signal conditioning/infared imaging structure |
JPH08322826A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | X線撮像装置 |
US5652150A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Hybrid CCD imaging |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100263501B1 (ko) | 적외선 고체 촬상소자 | |
JP3497797B2 (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
US5640013A (en) | Infrared sensor having a heat sensitive semiconductor portion that detects and absorbs infrared rays | |
US4593456A (en) | Pyroelectric thermal detector array | |
US4532424A (en) | Pyroelectric thermal detector array | |
US5485010A (en) | Thermal isolation structure for hybrid thermal imaging system | |
US5120960A (en) | Infrared image detecting device and method | |
JP2856430B2 (ja) | 熱画像作成装置およびその製造方法 | |
JPH03110427A (ja) | パイロ電気材料に基づく赤外線探知器 | |
JP5102692B2 (ja) | カラー撮像装置 | |
JPH02116168A (ja) | 焦電型赤外線固体撮像装置 | |
JP2000146686A (ja) | 赤外線固体撮像素子 | |
US5607600A (en) | Optical coat reticulation post hybridization | |
US4900367A (en) | Method of making a reticulated temperature sensitive imaging device | |
JP2508579B2 (ja) | 配列型赤外線検知器の製造方法 | |
JPH01100426A (ja) | アレイ伏焦電形赤外検出器 | |
JP2806972B2 (ja) | 熱画像作成装置 | |
JPS6142869B2 (ja) | ||
JPH0291525A (ja) | 焦電型赤外線固体撮像装置 | |
JPH0219727A (ja) | 焦電形赤外検出素子アレイ、焦電形赤外検出器およびそれらの製法 | |
JP2502706B2 (ja) | 焦電型赤外線固体撮像装置 | |
JP2000323742A (ja) | 赤外線検出装置 | |
JP6529679B2 (ja) | 赤外線撮像素子、赤外線撮像アレイおよび赤外線撮像素子の製造方法 | |
JP5669654B2 (ja) | 赤外線撮像素子の製造方法および赤外線撮像素子 | |
KR100290442B1 (ko) | 열영상반도체소자 |