JP2002340684A - 熱型赤外線固体撮像装置の製造方法及び熱型赤外線固体撮像装置 - Google Patents
熱型赤外線固体撮像装置の製造方法及び熱型赤外線固体撮像装置Info
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- JP2002340684A JP2002340684A JP2001147906A JP2001147906A JP2002340684A JP 2002340684 A JP2002340684 A JP 2002340684A JP 2001147906 A JP2001147906 A JP 2001147906A JP 2001147906 A JP2001147906 A JP 2001147906A JP 2002340684 A JP2002340684 A JP 2002340684A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 赤外線検出感度が高く、熱時定数が短い熱型
赤外線固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 検出部と検出部から送られた信号を処理
する信号処理部とが、同一シリコン基板上に設けられた
熱型赤外線固体撮像装置において、検出部の絶縁膜の膜
厚を、信号処理部の層間分離層の膜厚より小さくする。
赤外線固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 検出部と検出部から送られた信号を処理
する信号処理部とが、同一シリコン基板上に設けられた
熱型赤外線固体撮像装置において、検出部の絶縁膜の膜
厚を、信号処理部の層間分離層の膜厚より小さくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱型赤外線固体撮
像装置及びその製造方法に関し、特に、信号処理回路部
と赤外線の検出部とが同一基板上に形成された熱型赤外
線固体撮像装置及びその製造方法に関する。
像装置及びその製造方法に関し、特に、信号処理回路部
と赤外線の検出部とが同一基板上に形成された熱型赤外
線固体撮像装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、全体が３００で示される、従
来の熱型赤外線固体撮像装置の斜視図である（Ishikawa
等, “Performance of 320×240 Uncooled IRFPA with
SOI Diode Detectors”, Proc. SPIE 4130, p.153 (200
0) ）。図示するように、熱型赤外線固体撮像装置３０
０は、シリコン基板３０１を含む。シリコン基板３０１
上には、熱型赤外線検出器２００が３行×３列に配列さ
れた検出部（アレイ検出部）３０２と、熱型赤外線検出
器２００から出力される電気信号を処理して外部に出力
する信号処理回路部３０３とが設けられている。検出部
３０２に含まれるそれぞれの熱型赤外線検出器２００と
信号処理回路部３０３とは、配線層３０４により接続さ
れている。
来の熱型赤外線固体撮像装置の斜視図である（Ishikawa
等, “Performance of 320×240 Uncooled IRFPA with
SOI Diode Detectors”, Proc. SPIE 4130, p.153 (200
0) ）。図示するように、熱型赤外線固体撮像装置３０
０は、シリコン基板３０１を含む。シリコン基板３０１
上には、熱型赤外線検出器２００が３行×３列に配列さ
れた検出部（アレイ検出部）３０２と、熱型赤外線検出
器２００から出力される電気信号を処理して外部に出力
する信号処理回路部３０３とが設けられている。検出部
３０２に含まれるそれぞれの熱型赤外線検出器２００と
信号処理回路部３０３とは、配線層３０４により接続さ
れている。
【０００３】図１３は、図１２の熱型赤外線検出器２０
０の拡大図である。熱型赤外線検出器２００は、支持脚
３０５で中空に保持された赤外線検出部３０６を含む。
図中、斜線で示された領域は、エッチングされて凹部
（図示せず）となっている。支持脚３０５には金属の配
線３０８が設けられ、配線層３０４と赤外線検知膜３０
９とを電気的に接続している。
０の拡大図である。熱型赤外線検出器２００は、支持脚
３０５で中空に保持された赤外線検出部３０６を含む。
図中、斜線で示された領域は、エッチングされて凹部
（図示せず）となっている。支持脚３０５には金属の配
線３０８が設けられ、配線層３０４と赤外線検知膜３０
９とを電気的に接続している。
【０００４】図１４は、図１３のＩ−Ｉ線に沿った断面
図である。図１４に示すように、熱型赤外線検出器２０
０は、シリコン基板２０１（シリコン基板３０１の一
部）を含む。信号処理回路部３０３のシリコン基板２０
１には、ＭＯＳ型の半導体素子２０２が設けられてい
る。また、シリコン基板２０１の検出部３０２には、凹
部（空洞部）２０３が設けられ、凹部２０３上には、支
持脚２０４に支持された赤外線検知部２０５が設けられ
ている。赤外線検知部２０５には、例えばボロメータ材
料からなる赤外線検知膜２０６が設けられている。検出
部３０２、信号処理回路部３０３には、層間分離層２０
７が設けられ、その上に配線層２０８、絶縁層２０９が
設けられている。赤外線検知部２０５上には傘構造部２
１０が設けられている。傘構造部２１０は、脚部２１１
を含み、脚部２１１上に赤外線吸収膜２１２と保護膜２
１３が形成されている。一方、信号処理回路部３０３上
には、犠牲層２１４と保護膜２１３が形成されている。
検出部３０２に含まれるそれぞれの熱型赤外線検出器２
００の間には、エッチング孔２１５が設けられている。
図である。図１４に示すように、熱型赤外線検出器２０
０は、シリコン基板２０１（シリコン基板３０１の一
部）を含む。信号処理回路部３０３のシリコン基板２０
１には、ＭＯＳ型の半導体素子２０２が設けられてい
る。また、シリコン基板２０１の検出部３０２には、凹
部（空洞部）２０３が設けられ、凹部２０３上には、支
持脚２０４に支持された赤外線検知部２０５が設けられ
ている。赤外線検知部２０５には、例えばボロメータ材
料からなる赤外線検知膜２０６が設けられている。検出
部３０２、信号処理回路部３０３には、層間分離層２０
７が設けられ、その上に配線層２０８、絶縁層２０９が
設けられている。赤外線検知部２０５上には傘構造部２
１０が設けられている。傘構造部２１０は、脚部２１１
を含み、脚部２１１上に赤外線吸収膜２１２と保護膜２
１３が形成されている。一方、信号処理回路部３０３上
には、犠牲層２１４と保護膜２１３が形成されている。
検出部３０２に含まれるそれぞれの熱型赤外線検出器２
００の間には、エッチング孔２１５が設けられている。
【０００５】次に、図１５を用いて、図１４に示す熱型
赤外線固体撮像装置３００の製造方法について簡単に説
明する。まず、図１５（ａ）に示すように、シリコン基
板２０１上の検出部３０２に赤外線検知膜２０６を、ま
た、信号処理回路部３０３に半導体素子２０２を形成し
た後に、酸化シリコンからなる層間分離層２０７を全面
に形成する。層間分離層２０７上には、アルミニウムの
配線層２０８が形成される。かかる工程では、検出部３
０２と信号処理回路部３０３の双方の配線層２０８が同
時に形成される。
赤外線固体撮像装置３００の製造方法について簡単に説
明する。まず、図１５（ａ）に示すように、シリコン基
板２０１上の検出部３０２に赤外線検知膜２０６を、ま
た、信号処理回路部３０３に半導体素子２０２を形成し
た後に、酸化シリコンからなる層間分離層２０７を全面
に形成する。層間分離層２０７上には、アルミニウムの
配線層２０８が形成される。かかる工程では、検出部３
０２と信号処理回路部３０３の双方の配線層２０８が同
時に形成される。
【０００６】次に、図１５（ｂ）に示すように、酸化シ
リコンからなる絶縁層２０９で配線層２０８を覆った
後、層間分離層２０７の所定の領域を開口し、更に、シ
リコンからなる犠牲層２１４を形成する。更に、犠牲層
２１４の所定の位置を開口して、脚部２１１で支持され
た傘構造部２１０を形成する。傘構造部２１０には、赤
外線吸収膜２１２が形成され、これを覆うように窒化シ
リコンからなる保護膜２１３が形成される。かかる工程
では、検出部３０２と信号処理回路部３０３の双方を覆
う保護膜２１３が同時に形成される。続いて、犠牲層２
１４等を除去するためのエッチング孔２１５が形成され
る。
リコンからなる絶縁層２０９で配線層２０８を覆った
後、層間分離層２０７の所定の領域を開口し、更に、シ
リコンからなる犠牲層２１４を形成する。更に、犠牲層
２１４の所定の位置を開口して、脚部２１１で支持され
た傘構造部２１０を形成する。傘構造部２１０には、赤
外線吸収膜２１２が形成され、これを覆うように窒化シ
リコンからなる保護膜２１３が形成される。かかる工程
では、検出部３０２と信号処理回路部３０３の双方を覆
う保護膜２１３が同時に形成される。続いて、犠牲層２
１４等を除去するためのエッチング孔２１５が形成され
る。
【０００７】最後に、図１５（ｃ）に示すように、エッ
チング孔２１５を介して犠牲層２１４を除去し、更に、
シリコン基板２０１の一部をエッチングして凹部２０３
を形成し、支持脚２０４に支持された赤外線検知部２０
５を形成する。以上の製造工程を行うことにより、図１
４に示す熱型赤外線固体撮像装置３００が完成する。
チング孔２１５を介して犠牲層２１４を除去し、更に、
シリコン基板２０１の一部をエッチングして凹部２０３
を形成し、支持脚２０４に支持された赤外線検知部２０
５を形成する。以上の製造工程を行うことにより、図１
４に示す熱型赤外線固体撮像装置３００が完成する。
【０００８】熱型赤外線固体撮像装置３００では、傘構
造部２１０に入射した赤外線が赤外線吸収膜２１２に吸
収され、熱として赤外線検知部２０５に伝えられる。こ
れにより赤外線検知膜２０６の温度が上昇し、赤外線検
知膜２０６の電気特性が変化する。この電気特性の変化
は電気信号に変換され、赤外線検知膜２０６に接続され
た配線層２０８を経て信号処理回路部３０３に送られ、
傘構造部２０６に入射する赤外線の量が検出される。
造部２１０に入射した赤外線が赤外線吸収膜２１２に吸
収され、熱として赤外線検知部２０５に伝えられる。こ
れにより赤外線検知膜２０６の温度が上昇し、赤外線検
知膜２０６の電気特性が変化する。この電気特性の変化
は電気信号に変換され、赤外線検知膜２０６に接続され
た配線層２０８を経て信号処理回路部３０３に送られ、
傘構造部２０６に入射する赤外線の量が検出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１４
に示す熱型赤外線固体撮像装置３００では、上述のよう
に、支持脚２０４や赤外線検知部２０５に含まれる層間
分離層２０７、保護膜２１３が、信号処理回路部３０３
に含まれる層間分離層２０７、保護膜２１３と同時に形
成されるため、層間分離層２０７、保護膜２１３の膜厚
が厚くなる。即ち、層間分離層２０７の膜厚は、信号処
理回路部３０３に含まれる半導体素子２０２と配線層２
０８との間の絶縁分離が十分になるような膜厚となる
が、かかる膜厚は、赤外線検知部２０５に含まれる赤外
線検知膜２０６と配線層２０８とを分離するのに必要な
膜厚より大きくなっている。また、信号処理回路部３０
３の保護に必要な保護膜２１３の膜厚は、傘構造部２１
０の表面保護に必要な保護膜２１３の膜厚より大きくな
っている。
に示す熱型赤外線固体撮像装置３００では、上述のよう
に、支持脚２０４や赤外線検知部２０５に含まれる層間
分離層２０７、保護膜２１３が、信号処理回路部３０３
に含まれる層間分離層２０７、保護膜２１３と同時に形
成されるため、層間分離層２０７、保護膜２１３の膜厚
が厚くなる。即ち、層間分離層２０７の膜厚は、信号処
理回路部３０３に含まれる半導体素子２０２と配線層２
０８との間の絶縁分離が十分になるような膜厚となる
が、かかる膜厚は、赤外線検知部２０５に含まれる赤外
線検知膜２０６と配線層２０８とを分離するのに必要な
膜厚より大きくなっている。また、信号処理回路部３０
３の保護に必要な保護膜２１３の膜厚は、傘構造部２１
０の表面保護に必要な保護膜２１３の膜厚より大きくな
っている。
【００１０】このため、第１に、支持脚２０４の熱コン
ダクタンスが大きくなるため、赤外線検知部２０５から
シリコン基板２０１に逃げる熱量が多くなり、赤外線の
検出感度が低くなっていた。また、第２に、傘構造部２
１３の熱容量が大きくなるため、熱型赤外線検出器２０
０の熱時定数が長くなり、動きの速い被写体を撮影する
ことができなかった。また、第３に、融点は約６６０℃
であるが４５０℃以上で劣化が見られるアルミニウムで
配線層２０８が形成されているため、犠牲層２１４の形
成に表面の平坦性に優れた熱ＣＶＤ法を使用できず、下
地段差を良好に被覆することができなかった。そこで本
発明は、赤外線の検出感度が高く、熱時定数が短い熱型
赤外線固体撮像装置の提供を目的とする。また、容易な
工程からなる熱型赤外線固体撮像装置の製造方法の提供
を目的とする。
ダクタンスが大きくなるため、赤外線検知部２０５から
シリコン基板２０１に逃げる熱量が多くなり、赤外線の
検出感度が低くなっていた。また、第２に、傘構造部２
１３の熱容量が大きくなるため、熱型赤外線検出器２０
０の熱時定数が長くなり、動きの速い被写体を撮影する
ことができなかった。また、第３に、融点は約６６０℃
であるが４５０℃以上で劣化が見られるアルミニウムで
配線層２０８が形成されているため、犠牲層２１４の形
成に表面の平坦性に優れた熱ＣＶＤ法を使用できず、下
地段差を良好に被覆することができなかった。そこで本
発明は、赤外線の検出感度が高く、熱時定数が短い熱型
赤外線固体撮像装置の提供を目的とする。また、容易な
工程からなる熱型赤外線固体撮像装置の製造方法の提供
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン基板
に形成された凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられ
た熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、検出領
域と処理領域とを備えたシリコン基板を準備する工程
と、該シリコン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、
該処理領域に半導体素子を、それぞれ形成する工程と、
該シリコン基板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子と
を覆う絶縁層を形成する工程と、該検出領域上の該絶縁
層を覆う犠牲層を形成する工程と、該シリコン基板上に
層間分離層と保護膜とを順次積層する工程と、該犠牲層
上の該層間分離層と該保護膜とを選択的に除去する除去
工程と、該検出領域上の該犠牲層上に、赤外線吸収膜を
含む傘構造部を形成する工程と、該犠牲層を選択的に除
去して、該絶縁層上に該傘構造部を載置させる工程と、
該検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形
成し、該絶縁層からなる支持脚と、該赤外線検知膜を含
む該絶縁層からなり該支持脚で支えられた赤外線検知部
とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを特徴とす
る熱型赤外線固体撮像装置の製造方法である。かかる製
造方法を用いることにより、支持脚や赤外線検知部等に
含まれる絶縁層（検出領域の絶縁層）を、処理領域の層
間分離層より薄くすることができる。このため、支持脚
の熱コンダクタンス及び赤外線検知部の熱容量が小さく
なる。その結果、赤外線検知部からシリコン基板に逃げ
る熱量が少なくなり、赤外線の検出感度を高くすること
ができる。更に、熱型赤外線検出器の熱時定数が短くな
り、動きの速い被写体の撮影が可能となる。
に形成された凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられ
た熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、検出領
域と処理領域とを備えたシリコン基板を準備する工程
と、該シリコン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、
該処理領域に半導体素子を、それぞれ形成する工程と、
該シリコン基板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子と
を覆う絶縁層を形成する工程と、該検出領域上の該絶縁
層を覆う犠牲層を形成する工程と、該シリコン基板上に
層間分離層と保護膜とを順次積層する工程と、該犠牲層
上の該層間分離層と該保護膜とを選択的に除去する除去
工程と、該検出領域上の該犠牲層上に、赤外線吸収膜を
含む傘構造部を形成する工程と、該犠牲層を選択的に除
去して、該絶縁層上に該傘構造部を載置させる工程と、
該検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形
成し、該絶縁層からなる支持脚と、該赤外線検知膜を含
む該絶縁層からなり該支持脚で支えられた赤外線検知部
とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを特徴とす
る熱型赤外線固体撮像装置の製造方法である。かかる製
造方法を用いることにより、支持脚や赤外線検知部等に
含まれる絶縁層（検出領域の絶縁層）を、処理領域の層
間分離層より薄くすることができる。このため、支持脚
の熱コンダクタンス及び赤外線検知部の熱容量が小さく
なる。その結果、赤外線検知部からシリコン基板に逃げ
る熱量が少なくなり、赤外線の検出感度を高くすること
ができる。更に、熱型赤外線検出器の熱時定数が短くな
り、動きの速い被写体の撮影が可能となる。
【００１２】上記除去工程は、上記犠牲層上に形成した
エッチング停止層をエッチングストッパとして用いて、
上記層間分離層と上記保護膜とを選択的にエッチングす
る工程でも良い。犠牲層上の層間分離層と保護膜とを、
正確に除去できるからである。
エッチング停止層をエッチングストッパとして用いて、
上記層間分離層と上記保護膜とを選択的にエッチングす
る工程でも良い。犠牲層上の層間分離層と保護膜とを、
正確に除去できるからである。
【００１３】上記傘構造部が、上記エッチング停止層
と、該エッチング停止層中に形成された上記赤外線吸収
膜とを含み、該傘構造部を該犠牲層上に形成した後に、
該傘構造部をエッチングストッパとして用いて上記除去
工程を行うものであっても良い。傘構造部がエッチング
ストッパを兼ねることにより、製造工程が簡略化される
からである。
と、該エッチング停止層中に形成された上記赤外線吸収
膜とを含み、該傘構造部を該犠牲層上に形成した後に、
該傘構造部をエッチングストッパとして用いて上記除去
工程を行うものであっても良い。傘構造部がエッチング
ストッパを兼ねることにより、製造工程が簡略化される
からである。
【００１４】また、本発明は、シリコン基板に形成され
た凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外
線固体撮像装置の製造方法であって、検出領域と処理領
域とを備えたシリコン基板を準備する工程と、該シリコ
ン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処理領域に
半導体素子を、それぞれ形成する工程と、該シリコン基
板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子とを覆う層間分
離層を形成する工程と、該検出領域上の該層間分離層を
選択的にエッチングして薄層化する薄層化工程と、該検
出領域上の該層間分離層を覆う犠牲層を形成する工程
と、該犠牲層上に、赤外線吸収膜を含む傘構造部を形成
する傘構造部形成工程と、該犠牲層を選択的に除去し
て、該層間分離層上に該傘構造部を載置する工程と、該
検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形成
し、該層間分離層からなる支持脚と、該赤外線検知膜を
含む該層間分離層からなり該支持脚で支えられた赤外線
検知部とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを特
徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法でもある。
かかる製造方法を用いることにより、支持脚や赤外線検
知部等に含まれる層間分離層（検出領域の層間分離層）
を、処理領域の層間分離層より薄くすることができる。
このため、支持脚の熱コンダクタンス及び赤外線検知部
の熱容量が小さくなる。その結果、赤外線検知部からシ
リコン基板に逃げる熱量が少なくなり、赤外線の検出感
度を高くすることができる。更に、熱型赤外線検出器の
熱時定数が短くなり、動きの速い被写体の撮影が可能と
なる。
た凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外
線固体撮像装置の製造方法であって、検出領域と処理領
域とを備えたシリコン基板を準備する工程と、該シリコ
ン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処理領域に
半導体素子を、それぞれ形成する工程と、該シリコン基
板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子とを覆う層間分
離層を形成する工程と、該検出領域上の該層間分離層を
選択的にエッチングして薄層化する薄層化工程と、該検
出領域上の該層間分離層を覆う犠牲層を形成する工程
と、該犠牲層上に、赤外線吸収膜を含む傘構造部を形成
する傘構造部形成工程と、該犠牲層を選択的に除去し
て、該層間分離層上に該傘構造部を載置する工程と、該
検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形成
し、該層間分離層からなる支持脚と、該赤外線検知膜を
含む該層間分離層からなり該支持脚で支えられた赤外線
検知部とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを特
徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法でもある。
かかる製造方法を用いることにより、支持脚や赤外線検
知部等に含まれる層間分離層（検出領域の層間分離層）
を、処理領域の層間分離層より薄くすることができる。
このため、支持脚の熱コンダクタンス及び赤外線検知部
の熱容量が小さくなる。その結果、赤外線検知部からシ
リコン基板に逃げる熱量が少なくなり、赤外線の検出感
度を高くすることができる。更に、熱型赤外線検出器の
熱時定数が短くなり、動きの速い被写体の撮影が可能と
なる。
【００１５】上記薄層化工程は、上記赤外線検知膜上の
上記層間分離膜中にエッチング停止層を形成し、該エッ
チング停止層をエッチングストッパとして用いて、該層
間分離膜をエッチングする工程でも良い。層間分離層
を、正確な膜厚で薄層化できるからである。なお、かか
るエッチング停止層は、赤外線検知膜の保護膜を兼ね
る。
上記層間分離膜中にエッチング停止層を形成し、該エッ
チング停止層をエッチングストッパとして用いて、該層
間分離膜をエッチングする工程でも良い。層間分離層
を、正確な膜厚で薄層化できるからである。なお、かか
るエッチング停止層は、赤外線検知膜の保護膜を兼ね
る。
【００１６】更に、上記傘構造部形成工程後に、少なく
とも該処理領域上の該層間分離膜上に保護膜を形成する
工程を含むものであっても良い。
とも該処理領域上の該層間分離膜上に保護膜を形成する
工程を含むものであっても良い。
【００１７】また、本発明は、シリコン基板に形成され
た凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外
線固体撮像装置の製造方法であって、検出領域と処理領
域とを備えたシリコン基板を準備する工程と、該シリコ
ン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処理領域に
半導体素子を、それぞれ形成する工程と、該シリコン基
板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子とを覆う層間分
離層を形成する工程と、少なくとも該検出領域上の該層
間分離層を覆う犠牲層を形成する工程と、該検出領域上
の該犠牲層上に、エッチング停止層と、該エッチング停
止層中に形成された赤外線吸収膜とを含む傘構造部を形
成する工程と、該シリコン基板上に保護膜を形成する工
程と、該エッチング停止層をエッチングストッパに用い
て、該傘構造部上の該保護膜を選択的に除去する工程
と、該犠牲層を選択的に除去して、該層間分離層上に該
傘構造部を載置する工程と、該検出領域の該シリコン基
板をエッチングして凹部を形成し、該層間分離層からな
る支持脚と、該赤外線検知膜を含む該層間分離層からな
り該支持脚で支えられた赤外線検知部とを、該凹部上に
形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体
撮像装置の製造方法でもある。かかる製造方法を用いる
ことにより、傘構造部の熱容量を小さくすることができ
る。この結果、熱型赤外線検出器の熱時定数が短くな
り、動きの速い被写体の撮影が可能となる。
た凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外
線固体撮像装置の製造方法であって、検出領域と処理領
域とを備えたシリコン基板を準備する工程と、該シリコ
ン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処理領域に
半導体素子を、それぞれ形成する工程と、該シリコン基
板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子とを覆う層間分
離層を形成する工程と、少なくとも該検出領域上の該層
間分離層を覆う犠牲層を形成する工程と、該検出領域上
の該犠牲層上に、エッチング停止層と、該エッチング停
止層中に形成された赤外線吸収膜とを含む傘構造部を形
成する工程と、該シリコン基板上に保護膜を形成する工
程と、該エッチング停止層をエッチングストッパに用い
て、該傘構造部上の該保護膜を選択的に除去する工程
と、該犠牲層を選択的に除去して、該層間分離層上に該
傘構造部を載置する工程と、該検出領域の該シリコン基
板をエッチングして凹部を形成し、該層間分離層からな
る支持脚と、該赤外線検知膜を含む該層間分離層からな
り該支持脚で支えられた赤外線検知部とを、該凹部上に
形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体
撮像装置の製造方法でもある。かかる製造方法を用いる
ことにより、傘構造部の熱容量を小さくすることができ
る。この結果、熱型赤外線検出器の熱時定数が短くな
り、動きの速い被写体の撮影が可能となる。
【００１８】また、本発明は、シリコン基板に形成され
た凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外
線固体撮像装置の製造方法であって、検出領域と処理領
域とを備えたシリコン基板を準備する工程と、該シリコ
ン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処理領域に
半導体素子を、それぞれ形成する工程と、該シリコン基
板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子とを覆う層間分
離層を形成する工程と、少なくとも該検出領域上の該層
間分離層を覆う犠牲層を形成する工程と、該検出領域上
の該犠牲層上に、赤外線吸収膜を含む傘構造部を形成す
る工程と、該シリコン基板上に保護膜を形成する工程
と、該赤外線吸収膜をエッチングストッパに用いて、該
傘構造部上の該保護膜を選択的に除去する工程と、該犠
牲層を選択的に除去して、該層間分離層上に該傘構造部
を載置する工程と、該検出領域の該シリコン基板をエッ
チングして凹部を形成し、該層間分離層からなる支持脚
と、該赤外線検知膜を含む該層間分離層からなり該支持
脚で支えられた赤外線検知部とを、該凹部上に形成する
工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置
の製造方法でもある。かかる製造方法を用いることによ
り、傘構造部の熱容量を小さくすることができる。この
結果、熱型赤外線検出器の熱時定数が短くなり、動きの
速い被写体の撮影が可能となる。
た凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外
線固体撮像装置の製造方法であって、検出領域と処理領
域とを備えたシリコン基板を準備する工程と、該シリコ
ン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処理領域に
半導体素子を、それぞれ形成する工程と、該シリコン基
板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子とを覆う層間分
離層を形成する工程と、少なくとも該検出領域上の該層
間分離層を覆う犠牲層を形成する工程と、該検出領域上
の該犠牲層上に、赤外線吸収膜を含む傘構造部を形成す
る工程と、該シリコン基板上に保護膜を形成する工程
と、該赤外線吸収膜をエッチングストッパに用いて、該
傘構造部上の該保護膜を選択的に除去する工程と、該犠
牲層を選択的に除去して、該層間分離層上に該傘構造部
を載置する工程と、該検出領域の該シリコン基板をエッ
チングして凹部を形成し、該層間分離層からなる支持脚
と、該赤外線検知膜を含む該層間分離層からなり該支持
脚で支えられた赤外線検知部とを、該凹部上に形成する
工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置
の製造方法でもある。かかる製造方法を用いることによ
り、傘構造部の熱容量を小さくすることができる。この
結果、熱型赤外線検出器の熱時定数が短くなり、動きの
速い被写体の撮影が可能となる。
【００１９】上記シリコン基板は、シリコン基板上に、
酸化シリコン層を介してシリコン層が形成されたＳＯＩ
基板であることが好ましい。かかる基板を用いることに
より、例えば、該シリコン層に形成したｐｎ接合ダイオ
ードを赤外線検知膜とすることができ、一般的なシリコ
ンプロセスで製造可能となるからである。
酸化シリコン層を介してシリコン層が形成されたＳＯＩ
基板であることが好ましい。かかる基板を用いることに
より、例えば、該シリコン層に形成したｐｎ接合ダイオ
ードを赤外線検知膜とすることができ、一般的なシリコ
ンプロセスで製造可能となるからである。
【００２０】少なくとも上記検出領域の上記シリコン層
を除去する工程を含むものであっても良い。検出領域の
熱コンダクタンス及び熱容量が小さくなることで、赤外
線検知部からシリコン基板に逃げる熱量が少なくなり、
赤外線の検出感度を高くできるからであり、また、熱型
赤外線検出器の熱時定数が短くなり、動きの速い被写体
の撮影が可能となるからである。
を除去する工程を含むものであっても良い。検出領域の
熱コンダクタンス及び熱容量が小さくなることで、赤外
線検知部からシリコン基板に逃げる熱量が少なくなり、
赤外線の検出感度を高くできるからであり、また、熱型
赤外線検出器の熱時定数が短くなり、動きの速い被写体
の撮影が可能となるからである。
【００２１】少なくとも上記検出領域の上記酸化シリコ
ン層を除去する工程を含むものであっても良い。検出領
域の熱コンダクタンス及び熱容量が小さくなることで、
赤外線検知部からシリコン基板に逃げる熱量が少なくな
り、赤外線の検出感度を高くできるからであり、また、
熱型赤外線検出器の熱時定数が短くなり、動きの速い被
写体の撮影が可能となるからである。
ン層を除去する工程を含むものであっても良い。検出領
域の熱コンダクタンス及び熱容量が小さくなることで、
赤外線検知部からシリコン基板に逃げる熱量が少なくな
り、赤外線の検出感度を高くできるからであり、また、
熱型赤外線検出器の熱時定数が短くなり、動きの速い被
写体の撮影が可能となるからである。
【００２２】上記犠牲層は、シリコン及びポリイミドか
ら選択される一の材料からなることが好ましい。かかる
材料を用いることにより、選択エッチングが容易となる
からである。
ら選択される一の材料からなることが好ましい。かかる
材料を用いることにより、選択エッチングが容易となる
からである。
【００２３】上記エッチング停止層は、窒化シリコン層
からなることが好ましい。
からなることが好ましい。
【００２４】上記赤外線検知膜と上記処理領域とを電気
的に接続する接続配線を形成する工程を含むものであっ
ても良い。
的に接続する接続配線を形成する工程を含むものであっ
ても良い。
【００２５】上記接続配線が、導電性シリコン及び／又
は高融点金属を含み、上記犠牲層を熱化学気相堆積法で
形成することが好ましい。接続配線にかかる材料を用い
ることにより、接続配線形成後の犠牲層の形成工程に、
例えば６００℃程度の高温となる熱化学気相堆積法を適
用することができる。この結果、犠牲層の表面の平坦性
が向上し、下地段差を良好に被覆することができ、以降
の工程が容易となる。
は高融点金属を含み、上記犠牲層を熱化学気相堆積法で
形成することが好ましい。接続配線にかかる材料を用い
ることにより、接続配線形成後の犠牲層の形成工程に、
例えば６００℃程度の高温となる熱化学気相堆積法を適
用することができる。この結果、犠牲層の表面の平坦性
が向上し、下地段差を良好に被覆することができ、以降
の工程が容易となる。
【００２６】更に、上記処理領域に、導電性シリコン及
び／又は高融点金属を含む回路配線を形成する工程を含
むものであっても良い。
び／又は高融点金属を含む回路配線を形成する工程を含
むものであっても良い。
【００２７】また、本発明は、検出部と該検出部から送
られた信号を処理する信号処理部とが、同一シリコン基
板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置であって、 ａ） シリコン基板上に設けられた半導体素子と、層間
分離層を介して該半導体素子上に設けられた回路配線と
を含む信号処理部と、 ｂ） 該シリコン基板に設けられた凹部上に支持脚で支
えられた赤外線検知部を含む検出部であって、該支持脚
と該赤外線検知部が、所定の膜厚の絶縁膜を含み、該赤
外線検知部に設けられた赤外線検知膜と該信号処理部と
が、該支持脚を通る接続配線で接続された検出部と、 ｃ）該検出部上に設けられた、赤外線吸収膜を含む赤外
線吸収部であって、赤外線を熱に変換して該検出部に伝
える赤外線吸収部とを含み、該絶縁膜の膜厚を、該層間
分離層の膜厚より小さくしたことを特徴とする熱型赤外
線固体撮像装置でもある。支持脚や赤外線検知部等に含
まれる絶縁層（検出領域の絶縁層）の膜厚を、処理領域
の層間分離層の膜厚より小さくすることにより、支持脚
の熱コンダクタンス及び赤外線検知部の熱容量が小さく
なる。この結果、赤外線検知部からシリコン基板に逃げ
る熱量が少なくなり、赤外線の検出感度を高くすること
ができる。更に、熱型赤外線検出器の熱時定数が短くな
り、動きの速い被写体の撮影が可能となる。
られた信号を処理する信号処理部とが、同一シリコン基
板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置であって、 ａ） シリコン基板上に設けられた半導体素子と、層間
分離層を介して該半導体素子上に設けられた回路配線と
を含む信号処理部と、 ｂ） 該シリコン基板に設けられた凹部上に支持脚で支
えられた赤外線検知部を含む検出部であって、該支持脚
と該赤外線検知部が、所定の膜厚の絶縁膜を含み、該赤
外線検知部に設けられた赤外線検知膜と該信号処理部と
が、該支持脚を通る接続配線で接続された検出部と、 ｃ）該検出部上に設けられた、赤外線吸収膜を含む赤外
線吸収部であって、赤外線を熱に変換して該検出部に伝
える赤外線吸収部とを含み、該絶縁膜の膜厚を、該層間
分離層の膜厚より小さくしたことを特徴とする熱型赤外
線固体撮像装置でもある。支持脚や赤外線検知部等に含
まれる絶縁層（検出領域の絶縁層）の膜厚を、処理領域
の層間分離層の膜厚より小さくすることにより、支持脚
の熱コンダクタンス及び赤外線検知部の熱容量が小さく
なる。この結果、赤外線検知部からシリコン基板に逃げ
る熱量が少なくなり、赤外線の検出感度を高くすること
ができる。更に、熱型赤外線検出器の熱時定数が短くな
り、動きの速い被写体の撮影が可能となる。
【００２８】また、本発明は、検出部と該検出部から送
られた信号を処理する信号処理部とが、同一シリコン基
板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置であって、 ａ） シリコン基板上に設けられた半導体素子と、層間
分離層を介して該半導体素子上に設けられた回路配線
と、該回路配線上に設けられた回路保護膜とを含む信号
処理部と、 ｂ） 該シリコン基板に設けられた凹部上に支持脚で支
えられた赤外線検知部を含む検出部であって、該支持脚
と該赤外線検知部が、所定の膜厚の絶縁膜を含み、該赤
外線検知部に設けられた赤外線検知膜と該信号処理部と
が、該支持脚を通る接続配線で接続された検出部と、 ｃ）該検出部上に設けられた、赤外線吸収膜と該赤外線
吸収膜上に設けられた吸収部保護膜とを含む赤外線吸収
部であって、赤外線を熱に変換して該検出部に伝える赤
外線吸収部とを含み、該吸収部保護膜の膜厚を、該回路
保護膜の膜厚より小さくしたことを特徴とする熱型赤外
線固体撮像装置でもある。吸収部保護膜の膜厚を、回路
保護膜の膜厚より小さくすることにより、傘構造部の熱
容量を小さくすることができる。この結果、熱型赤外線
検出器の熱時定数が短くなり、動きの速い被写体の撮影
が可能となる。
られた信号を処理する信号処理部とが、同一シリコン基
板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置であって、 ａ） シリコン基板上に設けられた半導体素子と、層間
分離層を介して該半導体素子上に設けられた回路配線
と、該回路配線上に設けられた回路保護膜とを含む信号
処理部と、 ｂ） 該シリコン基板に設けられた凹部上に支持脚で支
えられた赤外線検知部を含む検出部であって、該支持脚
と該赤外線検知部が、所定の膜厚の絶縁膜を含み、該赤
外線検知部に設けられた赤外線検知膜と該信号処理部と
が、該支持脚を通る接続配線で接続された検出部と、 ｃ）該検出部上に設けられた、赤外線吸収膜と該赤外線
吸収膜上に設けられた吸収部保護膜とを含む赤外線吸収
部であって、赤外線を熱に変換して該検出部に伝える赤
外線吸収部とを含み、該吸収部保護膜の膜厚を、該回路
保護膜の膜厚より小さくしたことを特徴とする熱型赤外
線固体撮像装置でもある。吸収部保護膜の膜厚を、回路
保護膜の膜厚より小さくすることにより、傘構造部の熱
容量を小さくすることができる。この結果、熱型赤外線
検出器の熱時定数が短くなり、動きの速い被写体の撮影
が可能となる。
【００２９】上記半導体基板と上記層間分離層との間、
又は該層間分離層と上記回路保護膜との間に、エッチン
グ停止層を含むものであっても良い。
又は該層間分離層と上記回路保護膜との間に、エッチン
グ停止層を含むものであっても良い。
【００３０】上記シリコン基板は、シリコン基板上に、
酸化シリコン層を介してシリコン層が形成されたＳＯＩ
基板であることが好ましい。かかる基板を用いることに
より、例えば、該シリコン層に形成したｐｎ接合ダイオ
ードを赤外線検知膜とすることができ、一般的なシリコ
ンプロセスで製造可能となるからである。
酸化シリコン層を介してシリコン層が形成されたＳＯＩ
基板であることが好ましい。かかる基板を用いることに
より、例えば、該シリコン層に形成したｐｎ接合ダイオ
ードを赤外線検知膜とすることができ、一般的なシリコ
ンプロセスで製造可能となるからである。
【００３１】少なくとも上記検出部の上記シリコン層が
除去されたものであっても良い。検出部の熱コンダクタ
ンス及び熱容量が小さくなることで、赤外線検知部から
シリコン基板に逃げる熱量が少なくなり、赤外線の検出
感度を高くできるからであり、また、熱型赤外線検出器
の熱時定数が短くなり、動きの速い被写体の撮影が可能
となるからである。
除去されたものであっても良い。検出部の熱コンダクタ
ンス及び熱容量が小さくなることで、赤外線検知部から
シリコン基板に逃げる熱量が少なくなり、赤外線の検出
感度を高くできるからであり、また、熱型赤外線検出器
の熱時定数が短くなり、動きの速い被写体の撮影が可能
となるからである。
【００３２】少なくとも上記検出部の上記酸化シリコン
層が除去されたものであっても良い。検出部の熱コンダ
クタンス及び熱容量が小さくなることで、赤外線検知部
からシリコン基板に逃げる熱量が少なくなり、赤外線の
検出感度を高くできるからであり、また、熱型赤外線検
出器の熱時定数が短くなり、動きの速い被写体の撮影が
可能となるからである。
層が除去されたものであっても良い。検出部の熱コンダ
クタンス及び熱容量が小さくなることで、赤外線検知部
からシリコン基板に逃げる熱量が少なくなり、赤外線の
検出感度を高くできるからであり、また、熱型赤外線検
出器の熱時定数が短くなり、動きの速い被写体の撮影が
可能となるからである。
【００３３】上記吸収部保護膜は、エッチング停止層で
も良い。
も良い。
【００３４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、全体が１
００で示される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮
像装置の断面図である。熱型赤外線固体撮像装置１００
は、図１２、１３に示す熱型赤外線固体撮像装置３００
とほぼ同じ外観構造を有し、図１は、図１３のＩ−Ｉに
相当する位置での断面図である。
００で示される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮
像装置の断面図である。熱型赤外線固体撮像装置１００
は、図１２、１３に示す熱型赤外線固体撮像装置３００
とほぼ同じ外観構造を有し、図１は、図１３のＩ−Ｉに
相当する位置での断面図である。
【００３５】図１に示すように、熱型赤外線固体撮像装
置１００は、シリコン基板１を含む。信号処理回路部３
０３のシリコン基板１には、ＭＯＳ型の半導体素子２が
設けられている。また、半導体素子２の電極に接続され
た配線層も形成されている。シリコン基板１の検出部３
０２には、凹部（空洞部）３が設けられ、凹部３上に
は、支持脚４に支持された赤外線検知部５が設けられて
いる。赤外線検知部５には、例えば、ダイオードなどの
ｐｎ接合素子、酸化バナジウム（ＶＯｘ）などのボロメ
ータ、ＢＳＴ（ＢａＳｒＴｉＯ３）などの焦電体等、温
度によってその電気特性が変化する材料からなる赤外線
検知膜６が設けられている。検出部３０２、信号処理回
路部３０３には、例えば酸化シリコンからなる絶縁層２
０と、例えばアルミニウムからなる配線層２１が設けら
れている。配線層２１は、赤外線反射膜を兼ねる。赤外
線検知部５上には傘構造部１０が設けられている。傘構
造部１０は、例えば窒化シリコンからなる脚部１１を含
む。脚部１１上には、窒化シリコンからなるエッチング
停止層２２に覆われた赤外線吸収膜１２が形成されてい
る。
置１００は、シリコン基板１を含む。信号処理回路部３
０３のシリコン基板１には、ＭＯＳ型の半導体素子２が
設けられている。また、半導体素子２の電極に接続され
た配線層も形成されている。シリコン基板１の検出部３
０２には、凹部（空洞部）３が設けられ、凹部３上に
は、支持脚４に支持された赤外線検知部５が設けられて
いる。赤外線検知部５には、例えば、ダイオードなどの
ｐｎ接合素子、酸化バナジウム（ＶＯｘ）などのボロメ
ータ、ＢＳＴ（ＢａＳｒＴｉＯ３）などの焦電体等、温
度によってその電気特性が変化する材料からなる赤外線
検知膜６が設けられている。検出部３０２、信号処理回
路部３０３には、例えば酸化シリコンからなる絶縁層２
０と、例えばアルミニウムからなる配線層２１が設けら
れている。配線層２１は、赤外線反射膜を兼ねる。赤外
線検知部５上には傘構造部１０が設けられている。傘構
造部１０は、例えば窒化シリコンからなる脚部１１を含
む。脚部１１上には、窒化シリコンからなるエッチング
停止層２２に覆われた赤外線吸収膜１２が形成されてい
る。
【００３６】一方、信号処理回路部３０３上には、上述
のように絶縁層２０が設けられ、その上にエッチング停
止層２２が形成されている。エッチング停止層２２上に
は、例えば酸化シリコンからなる層間分離層７、アルミ
ニウムからなる配線層８、保護膜１３が形成されてい
る。検出部３０２に含まれるそれぞれの傘構造部１０の
間には、エッチング孔１５が設けられている。
のように絶縁層２０が設けられ、その上にエッチング停
止層２２が形成されている。エッチング停止層２２上に
は、例えば酸化シリコンからなる層間分離層７、アルミ
ニウムからなる配線層８、保護膜１３が形成されてい
る。検出部３０２に含まれるそれぞれの傘構造部１０の
間には、エッチング孔１５が設けられている。
【００３７】次に、図２を用いて、図１に示す熱型赤外
線固体撮像装置１００の製造方法について簡単に説明す
る。まず、図２（ａ）に示すように、シリコン基板１上
の検出部３０２に赤外線検知膜６を、また、信号処理回
路部３０３に半導体素子２を形成した後に、酸化シリコ
ンからなる絶縁層２０を全面に形成する。絶縁層２０
は、２回に分けて形成し、その間にアルミニウムからな
る配線層２１が形成される。配線層２１は、アルミニウ
ム層を全面に蒸着した後、パターニングを行って形成す
る。続いて、絶縁層２０の所定の位置に開口を設け、更
に、シリコンを全面に堆積しパターニングすることによ
り、検出部３０２のみに犠牲層１４を形成する。
線固体撮像装置１００の製造方法について簡単に説明す
る。まず、図２（ａ）に示すように、シリコン基板１上
の検出部３０２に赤外線検知膜６を、また、信号処理回
路部３０３に半導体素子２を形成した後に、酸化シリコ
ンからなる絶縁層２０を全面に形成する。絶縁層２０
は、２回に分けて形成し、その間にアルミニウムからな
る配線層２１が形成される。配線層２１は、アルミニウ
ム層を全面に蒸着した後、パターニングを行って形成す
る。続いて、絶縁層２０の所定の位置に開口を設け、更
に、シリコンを全面に堆積しパターニングすることによ
り、検出部３０２のみに犠牲層１４を形成する。
【００３８】続いて、赤外線検知部５上の犠牲層１４を
開口し、窒化シリコンからなるエッチング停止層２２を
形成する。エッチング停止層２２も２回に分けて形成す
ることにより、検出部３０２のエッチング停止層２２中
に、赤外線吸収膜１２を形成する。
開口し、窒化シリコンからなるエッチング停止層２２を
形成する。エッチング停止層２２も２回に分けて形成す
ることにより、検出部３０２のエッチング停止層２２中
に、赤外線吸収膜１２を形成する。
【００３９】続いて、酸化シリコンからなる層間分離層
７を全面に形成し、その上にアルミニウムからなる配線
層８を形成する。更に、例えば酸化シリコンからなる保
護膜１３を全面に形成する。
７を全面に形成し、その上にアルミニウムからなる配線
層８を形成する。更に、例えば酸化シリコンからなる保
護膜１３を全面に形成する。
【００４０】次に、信号処理回路部３０３上にレジスト
マスク（図示せず）を形成し、図２（ｂ）に示すよう
に、検出部３０２の上の保護膜１３を除去し、更に、層
間分離層７をエッチングする。層間分離層７のエッチン
グは、例えば弗化水素酸溶液を用いたウエットエッチン
グにより行う。弗化水素酸溶液では、酸化シリコンから
なる層間分離層７はエッチングされるが、窒化シリコン
からなるエッチング停止層２２はエッチングされないた
め、エッチング停止層２２の上面でエッチングを停止さ
せることができる。
マスク（図示せず）を形成し、図２（ｂ）に示すよう
に、検出部３０２の上の保護膜１３を除去し、更に、層
間分離層７をエッチングする。層間分離層７のエッチン
グは、例えば弗化水素酸溶液を用いたウエットエッチン
グにより行う。弗化水素酸溶液では、酸化シリコンから
なる層間分離層７はエッチングされるが、窒化シリコン
からなるエッチング停止層２２はエッチングされないた
め、エッチング停止層２２の上面でエッチングを停止さ
せることができる。
【００４１】次に、図２（ｃ）に示すように、ドライエ
ッチングでエッチング孔１５を形成した後、犠牲層１４
をエッチングにより除去し、更に、シリコン基板１の一
部をエッチングして凹部３を形成する。犠牲層１４の除
去、凹部３の形成には、例えばＸｅＦ２を用いたドライ
エッチングが用いられる。この結果、図２（ｃ）に示す
ような、傘構造部１０を備えた検出部３０２と、信号処
理回路部３０３とが同一シリコン基板１上に形成された
熱型赤外線固体撮像装置１００が完成する。
ッチングでエッチング孔１５を形成した後、犠牲層１４
をエッチングにより除去し、更に、シリコン基板１の一
部をエッチングして凹部３を形成する。犠牲層１４の除
去、凹部３の形成には、例えばＸｅＦ２を用いたドライ
エッチングが用いられる。この結果、図２（ｃ）に示す
ような、傘構造部１０を備えた検出部３０２と、信号処
理回路部３０３とが同一シリコン基板１上に形成された
熱型赤外線固体撮像装置１００が完成する。
【００４２】熱型赤外線固体撮像装置１００では、傘構
造部１０に入射した赤外線が赤外線吸収膜１２に吸収さ
れて熱になる。かかる熱は、脚部１１を通って赤外線検
知部５に伝わり、これにより赤外線検知部５の温度が上
昇し、赤外線検知膜６の電気特性が変化する。この電気
特性の変化は、電気信号の変化として赤外線検知膜６に
接続された配線層２１から配線層８を経て信号処理回路
部３０３に送られる。信号処理回路部３０３では、かか
る電気信号の変化から、赤外線検知部５に入射した赤外
線の量を検出する。
造部１０に入射した赤外線が赤外線吸収膜１２に吸収さ
れて熱になる。かかる熱は、脚部１１を通って赤外線検
知部５に伝わり、これにより赤外線検知部５の温度が上
昇し、赤外線検知膜６の電気特性が変化する。この電気
特性の変化は、電気信号の変化として赤外線検知膜６に
接続された配線層２１から配線層８を経て信号処理回路
部３０３に送られる。信号処理回路部３０３では、かか
る電気信号の変化から、赤外線検知部５に入射した赤外
線の量を検出する。
【００４３】熱型赤外線固体撮像装置１００では、特
に、支持脚４が層間分離層７を含まない構造となってい
る。このため、支持脚４の熱コンダクタンスが小さく、
赤外線検知部５からシリコン基板１に流出する熱量が少
なくなり、赤外線の検出感度が高くなる。
に、支持脚４が層間分離層７を含まない構造となってい
る。このため、支持脚４の熱コンダクタンスが小さく、
赤外線検知部５からシリコン基板１に流出する熱量が少
なくなり、赤外線の検出感度が高くなる。
【００４４】また、赤外線検知部５が層間分離層７を含
まず、かつ、傘構造部が保護膜１３を含まないので、赤
外線検知部５、および傘構造部１０の厚みは、従来構造
（図１４参照）よりも薄くなっている。このため、赤外
線検知部５および傘構造部１０の熱容量が小さくなり、
赤外線検出器の熱時定数が短くなるため、被写体が素早
い動きをする場合にも追跡可能となる。
まず、かつ、傘構造部が保護膜１３を含まないので、赤
外線検知部５、および傘構造部１０の厚みは、従来構造
（図１４参照）よりも薄くなっている。このため、赤外
線検知部５および傘構造部１０の熱容量が小さくなり、
赤外線検出器の熱時定数が短くなるため、被写体が素早
い動きをする場合にも追跡可能となる。
【００４５】実施の形態２．図３は、全体が１１０で示
される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像装置の
断面図である。図３、４は、図１３のＩ−Ｉに相当する
位置での断面図である。図３、４中、図１と同一符号
は、同一又は相当箇所を示す。
される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像装置の
断面図である。図３、４は、図１３のＩ−Ｉに相当する
位置での断面図である。図３、４中、図１と同一符号
は、同一又は相当箇所を示す。
【００４６】図３に示すように、熱型赤外線固体撮像装
置１１０は、信号処理回路部３０３にエッチング停止層
２２を含まない点を除いて、上述の熱型赤外線固体撮像
装置１００と同じ構造である。
置１１０は、信号処理回路部３０３にエッチング停止層
２２を含まない点を除いて、上述の熱型赤外線固体撮像
装置１００と同じ構造である。
【００４７】図４を用いて図３に示す熱型赤外線固体撮
像装置１１０の製造方法について簡単に説明する。ま
ず、図４（ａ）に示すように、シリコン基板１上の検出
部３０２に赤外線検知膜６を、また、信号処理回路部３
０３に半導体素子２を形成した後に、酸化シリコンから
なる絶縁層２０を全面に形成する。絶縁層２０は、２回
に分けて形成し、その間にアルミニウムからなる配線層
２１を形成する。続いて、絶縁層２０の所定の位置に開
口を設け、更に、シリコンを全面に堆積しパターニング
することにより、検出部３０２のみに犠牲層１４を形成
する。
像装置１１０の製造方法について簡単に説明する。ま
ず、図４（ａ）に示すように、シリコン基板１上の検出
部３０２に赤外線検知膜６を、また、信号処理回路部３
０３に半導体素子２を形成した後に、酸化シリコンから
なる絶縁層２０を全面に形成する。絶縁層２０は、２回
に分けて形成し、その間にアルミニウムからなる配線層
２１を形成する。続いて、絶縁層２０の所定の位置に開
口を設け、更に、シリコンを全面に堆積しパターニング
することにより、検出部３０２のみに犠牲層１４を形成
する。
【００４８】続いて、酸化シリコンからなる層間分離層
７を全面に形成し、その上にアルミニウムからなる配線
層８を形成する。更に、例えば酸化シリコンからなる保
護膜１３を全面に形成する。
７を全面に形成し、その上にアルミニウムからなる配線
層８を形成する。更に、例えば酸化シリコンからなる保
護膜１３を全面に形成する。
【００４９】次に、信号処理回路部３０３上にレジスト
マスク（図示せず）を形成し、図４（ｂ）に示すよう
に、検出部３０２の上の保護膜１３を除去し、更に、層
間分離層７をエッチングする。層間分離層７のエッチン
グは、例えば弗化水素酸溶液を用いたウエットエッチン
グにより行う。弗化水素酸溶液では、酸化シリコンから
なる層間分離層７はエッチングされるが、シリコンから
なる犠牲層１４はエッチングされないため、犠牲層１４
の上面でエッチングを停止させることができる。
マスク（図示せず）を形成し、図４（ｂ）に示すよう
に、検出部３０２の上の保護膜１３を除去し、更に、層
間分離層７をエッチングする。層間分離層７のエッチン
グは、例えば弗化水素酸溶液を用いたウエットエッチン
グにより行う。弗化水素酸溶液では、酸化シリコンから
なる層間分離層７はエッチングされるが、シリコンから
なる犠牲層１４はエッチングされないため、犠牲層１４
の上面でエッチングを停止させることができる。
【００５０】次に、図４（ｃ）に示すように、実施の形
態１と同様の工程で、犠牲層１４上に傘構造部１０を形
成する。続いて、エッチング孔１５を形成した後、例え
ばＸｅＦ２ガスを用いたドライエッチングにより、犠牲
層１４の除去、凹部３の形成を行う。これにより、図４
（ｃ）に示すような熱型赤外線固体撮像装置１１０が完
成する。
態１と同様の工程で、犠牲層１４上に傘構造部１０を形
成する。続いて、エッチング孔１５を形成した後、例え
ばＸｅＦ２ガスを用いたドライエッチングにより、犠牲
層１４の除去、凹部３の形成を行う。これにより、図４
（ｃ）に示すような熱型赤外線固体撮像装置１１０が完
成する。
【００５１】熱型赤外線固体撮像装置１１０では、熱型
赤外線固体撮像装置１００と同様に、支持脚４が層間分
離層７を含まない構造となっている。このため、支持脚
４の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線の検出感度
が高くなる。
赤外線固体撮像装置１００と同様に、支持脚４が層間分
離層７を含まない構造となっている。このため、支持脚
４の熱コンダクタンスが小さくなり、赤外線の検出感度
が高くなる。
【００５２】また、赤外線検出部５が層間分離層７を含
まず、かつ、傘構造部１０が保護膜１３を含まないた
め、赤外線検知部５および傘構造部１０の熱容量が小さ
くなり、赤外線検出器の熱時定数が短くなる。この結
果、動作の速い被写体の撮影も可能となる。
まず、かつ、傘構造部１０が保護膜１３を含まないた
め、赤外線検知部５および傘構造部１０の熱容量が小さ
くなり、赤外線検出器の熱時定数が短くなる。この結
果、動作の速い被写体の撮影も可能となる。
【００５３】また、実施の形態１、２に示す熱型赤外線
固体撮像装置１００、１１０において、配線層２１を、
不純物濃度が１０１８ｃｍ−３以上の多結晶又は非晶質
シリコン等の半導体材料から形成しても良い。また、モ
リブデン、タングステン、チタン、コバルト、白金、タ
ンタル等の高融点金属材料やそのシリサイドから形成し
ても良い。更には、半導体材料と高融点金属材料やその
シリサイドの積層構造から形成しても良い。配線層２１
を、アルミニウムに代えてかかる融点の高い材料から形
成することにより、後の工程で形成される犠牲層１４
を、形成温度の高い熱化学気相堆積法（熱ＣＶＤ法）な
どで形成することができる。
固体撮像装置１００、１１０において、配線層２１を、
不純物濃度が１０１８ｃｍ−３以上の多結晶又は非晶質
シリコン等の半導体材料から形成しても良い。また、モ
リブデン、タングステン、チタン、コバルト、白金、タ
ンタル等の高融点金属材料やそのシリサイドから形成し
ても良い。更には、半導体材料と高融点金属材料やその
シリサイドの積層構造から形成しても良い。配線層２１
を、アルミニウムに代えてかかる融点の高い材料から形
成することにより、後の工程で形成される犠牲層１４
を、形成温度の高い熱化学気相堆積法（熱ＣＶＤ法）な
どで形成することができる。
【００５４】図５は、熱ＣＶＤ法を用いて形成した犠牲
層１４（図５（ａ））と、スパッタ法等を用いて形成し
た犠牲層１４（図５（ｂ））とを比較したものである。
図からわかるように、熱ＣＶＤ法を用いることにより、
形成した犠牲層１４の表面の平坦性が向上する。このた
め、後の製造工程がより容易となる。
層１４（図５（ａ））と、スパッタ法等を用いて形成し
た犠牲層１４（図５（ｂ））とを比較したものである。
図からわかるように、熱ＣＶＤ法を用いることにより、
形成した犠牲層１４の表面の平坦性が向上する。このた
め、後の製造工程がより容易となる。
【００５５】実施の形態３．実施の形態３、４は、検出
部３０２の支持脚４、赤外線検出部５に含まれる層間分
離層７の膜厚を薄くして、熱型赤外線固体撮像装置１２
０、１３０における、赤外線の検出感度を向上させ、検
出器の熱時定数を短くするものである。図６は、全体が
１２０で示される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体
撮像装置の断面図であり、図１３のＩ−Ｉに相当する位
置での断面図である。図６中、図１と同一符号は、同一
又は相当箇所を示す。
部３０２の支持脚４、赤外線検出部５に含まれる層間分
離層７の膜厚を薄くして、熱型赤外線固体撮像装置１２
０、１３０における、赤外線の検出感度を向上させ、検
出器の熱時定数を短くするものである。図６は、全体が
１２０で示される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体
撮像装置の断面図であり、図１３のＩ−Ｉに相当する位
置での断面図である。図６中、図１と同一符号は、同一
又は相当箇所を示す。
【００５６】本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像
装置１２０では、検出部３０２の配線層２１と信号処理
回路部３０３の配線層８とが、同一工程で形成されてい
る。即ち、熱型赤外線固体撮像装置１２０では、酸化シ
リコンからなる層間分離層７をシリコン基板１上に形成
する。層間分離層７の膜厚は、半導体素子２と層間分離
層７上の配線層８とが、電気的に十分に絶縁できる膜厚
とする。続いて、信号処理回路部３０３に形成したレジ
ストマスク（図示せず）を用いて、検出部３０２の層間
分離層７をエッチングしてリセス２３を形成する。
装置１２０では、検出部３０２の配線層２１と信号処理
回路部３０３の配線層８とが、同一工程で形成されてい
る。即ち、熱型赤外線固体撮像装置１２０では、酸化シ
リコンからなる層間分離層７をシリコン基板１上に形成
する。層間分離層７の膜厚は、半導体素子２と層間分離
層７上の配線層８とが、電気的に十分に絶縁できる膜厚
とする。続いて、信号処理回路部３０３に形成したレジ
ストマスク（図示せず）を用いて、検出部３０２の層間
分離層７をエッチングしてリセス２３を形成する。
【００５７】次に、層間分離層７上に、例えばアルミニ
ウム層を形成し、これをパターニングして配線層２１と
配線層８を同時に形成する。続いて、酸化シリコンから
なる絶縁層２４で配線層２１、配線層８を覆う。
ウム層を形成し、これをパターニングして配線層２１と
配線層８を同時に形成する。続いて、酸化シリコンから
なる絶縁層２４で配線層２１、配線層８を覆う。
【００５８】次に、実施の形態１と同様に、犠牲層（図
示せず）を形成し、その上に例えば酸化シリコンからな
る保護膜１３を形成する。検出部３０２の保護膜１３中
には赤外線吸収膜１２が形成される。
示せず）を形成し、その上に例えば酸化シリコンからな
る保護膜１３を形成する。検出部３０２の保護膜１３中
には赤外線吸収膜１２が形成される。
【００５９】次に、保護膜１３の一部をエッチングして
エッチング孔１５を形成した後、実施の形態１と同様
に、犠牲層（図示せず）をエッチングにより除去し、更
に、シリコン基板１の一部をエッチングして凹部３を形
成する。犠牲層１４の除去、凹部６の形成には、例えば
ＸｅＦ２を用いたドライエッチングが用いられる。な
お、図１のように、信号処理回路部３０３上の犠牲層を
形成してもよい。
エッチング孔１５を形成した後、実施の形態１と同様
に、犠牲層（図示せず）をエッチングにより除去し、更
に、シリコン基板１の一部をエッチングして凹部３を形
成する。犠牲層１４の除去、凹部６の形成には、例えば
ＸｅＦ２を用いたドライエッチングが用いられる。な
お、図１のように、信号処理回路部３０３上の犠牲層を
形成してもよい。
【００６０】本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像
装置１２０では、支持脚４、赤外線検知部５に含まれる
層間分離層７の膜厚が、信号処理回路部３０３の層間分
離層７より薄くなっている。このため、支持脚４の熱コ
ンダクタンスが小さく、赤外線検知部５からシリコン基
板１に流出する熱量が少なくなり、赤外線の検出感度が
高くなる。また、赤外線検知部５の熱容量が小さいた
め、赤外線検出器の熱時定数が短くなる。なお、熱型赤
外線固体撮像装置１２０では、傘構造部１０に含まれる
保護膜１３の膜厚は、従来構造（図１４）と同程度であ
る。
装置１２０では、支持脚４、赤外線検知部５に含まれる
層間分離層７の膜厚が、信号処理回路部３０３の層間分
離層７より薄くなっている。このため、支持脚４の熱コ
ンダクタンスが小さく、赤外線検知部５からシリコン基
板１に流出する熱量が少なくなり、赤外線の検出感度が
高くなる。また、赤外線検知部５の熱容量が小さいた
め、赤外線検出器の熱時定数が短くなる。なお、熱型赤
外線固体撮像装置１２０では、傘構造部１０に含まれる
保護膜１３の膜厚は、従来構造（図１４）と同程度であ
る。
【００６１】実施の形態４．図７は、全体が１３０で示
される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像装置の
断面図であり、図１３のＩ−Ｉに相当する位置での断面
図である。図７中、図１と同一符号は、同一又は相当箇
所を示す。
される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像装置の
断面図であり、図１３のＩ−Ｉに相当する位置での断面
図である。図７中、図１と同一符号は、同一又は相当箇
所を示す。
【００６２】本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像
装置１３０では、層間分離層７がエッチング停止層２５
を含む以外は、上述の熱型赤外線固体撮像装置１２０と
同じ構造である。
装置１３０では、層間分離層７がエッチング停止層２５
を含む以外は、上述の熱型赤外線固体撮像装置１２０と
同じ構造である。
【００６３】熱型赤外線固体撮像装置１３０では、エッ
チング停止層２５を間に挟むように、シリコン基板１上
に層間分離層７を形成する。即ち、シリコン基板１上
に、所定膜厚の層間分離層７を形成し、かかる層間分離
層７に赤外線検知膜６を形成する。続いて、その上にエ
ッチング停止層２５を形成した後、再度、層間分離層７
を形成する。エッチング停止層２５は、例えば窒化シリ
コンからなる。
チング停止層２５を間に挟むように、シリコン基板１上
に層間分離層７を形成する。即ち、シリコン基板１上
に、所定膜厚の層間分離層７を形成し、かかる層間分離
層７に赤外線検知膜６を形成する。続いて、その上にエ
ッチング停止層２５を形成した後、再度、層間分離層７
を形成する。エッチング停止層２５は、例えば窒化シリ
コンからなる。
【００６４】続いて、実施の形態３と同様に、信号処理
回路部３０３に形成したレジストマスク（図示せず）を
用いて、検出部３０２の層間分離層７をエッチングして
リセス２３を形成する。層間分離層７のエッチングに
は、例えば弗化水素酸の水溶液によるウエットエッチン
グを用いる。エッチング停止層２５は弗化水素酸によっ
てエッチングされないため、エッチング停止層２５が露
出した時点でエッチングが停止し、リセス２３の深さを
精度良く制御できる。
回路部３０３に形成したレジストマスク（図示せず）を
用いて、検出部３０２の層間分離層７をエッチングして
リセス２３を形成する。層間分離層７のエッチングに
は、例えば弗化水素酸の水溶液によるウエットエッチン
グを用いる。エッチング停止層２５は弗化水素酸によっ
てエッチングされないため、エッチング停止層２５が露
出した時点でエッチングが停止し、リセス２３の深さを
精度良く制御できる。
【００６５】次に、実施の形態３と同様の工程を行うこ
とにより、配線層２１と配線層８を同時に形成し、傘構
造部１０、凹部３等を形成する。
とにより、配線層２１と配線層８を同時に形成し、傘構
造部１０、凹部３等を形成する。
【００６６】本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像
装置１３０では、熱型赤外線固体撮像装置１２０と同様
に、支持脚４、赤外線検知部５に含まれる層間分離層７
の膜厚が、信号処理回路部３０３の層間分離層７より薄
くなる。このため、赤外線の検出感度が高くなる。ま
た、赤外線検知部５の熱容量が小さいため、赤外線検出
器の熱時定数が短くなる。
装置１３０では、熱型赤外線固体撮像装置１２０と同様
に、支持脚４、赤外線検知部５に含まれる層間分離層７
の膜厚が、信号処理回路部３０３の層間分離層７より薄
くなる。このため、赤外線の検出感度が高くなる。ま
た、赤外線検知部５の熱容量が小さいため、赤外線検出
器の熱時定数が短くなる。
【００６７】特に、エッチング停止層２５を用いること
により、リセス２３の深さを正確に制御でき、アレイ状
に形成された複数の赤外線検出部６に含まれる層間分離
層７の膜厚を均一にすることができる。
により、リセス２３の深さを正確に制御でき、アレイ状
に形成された複数の赤外線検出部６に含まれる層間分離
層７の膜厚を均一にすることができる。
【００６８】なお、実施の形態３、４に示した熱型赤外
線固体撮像装置１２０、１３０において、次に示す実施
の形態５、６と同様に、傘構造部１０に含まれる保護膜
１３を、別途エッチングして、薄くすることもできる。
これにより、赤外線検出器の熱時定数を更に短くするこ
とができる。
線固体撮像装置１２０、１３０において、次に示す実施
の形態５、６と同様に、傘構造部１０に含まれる保護膜
１３を、別途エッチングして、薄くすることもできる。
これにより、赤外線検出器の熱時定数を更に短くするこ
とができる。
【００６９】実施の形態５．実施の形態５、６は、検出
部３０２の傘構造部１０に保護膜１３を形成しないこと
により、熱型赤外線固体撮像装置１４０、１５０におけ
る、検出器の熱時定数を短くするものである。図８は、
全体が１４０で示される本実施の形態にかかる熱型赤外
線固体撮像装置の断面図であり、図１３のＩ−Ｉに相当
する位置での断面図である。図８中、図１と同一符号
は、同一又は相当箇所を示す。
部３０２の傘構造部１０に保護膜１３を形成しないこと
により、熱型赤外線固体撮像装置１４０、１５０におけ
る、検出器の熱時定数を短くするものである。図８は、
全体が１４０で示される本実施の形態にかかる熱型赤外
線固体撮像装置の断面図であり、図１３のＩ−Ｉに相当
する位置での断面図である。図８中、図１と同一符号
は、同一又は相当箇所を示す。
【００７０】本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像
装置１４０では、検出部３０２の配線層２１と信号処理
回路部３０３の配線層８とが、同一工程で形成されてい
る。即ち、熱型赤外線固体撮像装置１４０では、酸化シ
リコンからなる層間分離層７をシリコン基板１上に形成
する。層間分離層７の膜厚は、半導体素子２と層間分離
層７上の配線層８とが、電気的に十分に絶縁できる膜厚
とする。
装置１４０では、検出部３０２の配線層２１と信号処理
回路部３０３の配線層８とが、同一工程で形成されてい
る。即ち、熱型赤外線固体撮像装置１４０では、酸化シ
リコンからなる層間分離層７をシリコン基板１上に形成
する。層間分離層７の膜厚は、半導体素子２と層間分離
層７上の配線層８とが、電気的に十分に絶縁できる膜厚
とする。
【００７１】次に、層間分離層７上に、例えばアルミニ
ウム層を形成し、これをパターニングして配線層２１と
配線層８を同時に形成する。続いて、酸化シリコンから
なる絶縁層２４で配線層２１、配線層８を覆う。
ウム層を形成し、これをパターニングして配線層２１と
配線層８を同時に形成する。続いて、酸化シリコンから
なる絶縁層２４で配線層２１、配線層８を覆う。
【００７２】次に、実施の形態１と同様に、犠牲層（図
示せず）を形成し、その上に窒化シリコンからなるエッ
チング停止層２６を形成する。傘構造部１０のエッチン
グ停止層２６中には、実施の形態１と同様に、赤外線吸
収膜１２を形成する。更に、その上に例えば酸化シリコ
ンからなる保護膜１３を形成する。
示せず）を形成し、その上に窒化シリコンからなるエッ
チング停止層２６を形成する。傘構造部１０のエッチン
グ停止層２６中には、実施の形態１と同様に、赤外線吸
収膜１２を形成する。更に、その上に例えば酸化シリコ
ンからなる保護膜１３を形成する。
【００７３】次に、信号処理回路部３０３上に形成した
レジストマスク（図示せず）を用いて、傘構造部１０上
の保護膜１３をエッチングする。保護膜１３のエッチン
グは、例えば、弗化水素酸の水溶液を用いたウエットエ
ッチングにより行なわれる。保護膜１３のエッチング
は、エッチング停止層２６が露出した時点で停止する。
レジストマスク（図示せず）を用いて、傘構造部１０上
の保護膜１３をエッチングする。保護膜１３のエッチン
グは、例えば、弗化水素酸の水溶液を用いたウエットエ
ッチングにより行なわれる。保護膜１３のエッチング
は、エッチング停止層２６が露出した時点で停止する。
【００７４】次に、実施の形態１と同様に、エッチング
孔１５を形成した後、犠牲層（図示せず）をエッチング
により除去し、更に、シリコン基板１の一部をエッチン
グして凹部３を形成する。犠牲層１４の除去、凹部３の
形成には、例えばＸｅＦ２を用いたドライエッチングが
用いられる。なお、図１のように、信号処理回路部３０
３上の犠牲層１４はなくてもよい。
孔１５を形成した後、犠牲層（図示せず）をエッチング
により除去し、更に、シリコン基板１の一部をエッチン
グして凹部３を形成する。犠牲層１４の除去、凹部３の
形成には、例えばＸｅＦ２を用いたドライエッチングが
用いられる。なお、図１のように、信号処理回路部３０
３上の犠牲層１４はなくてもよい。
【００７５】本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像
装置１４０では、傘構造部１０に含まれる保護膜が除去
されているため傘構造部１０の熱容量が小さくなり、赤
外線検出器の熱時定数が短くなる。なお、熱型赤外線固
体撮像装置１４０では、支持脚４、赤外線検知部５に含
まれる層間分離層７の膜厚は、従来構造（図１４）と同
程度である。
装置１４０では、傘構造部１０に含まれる保護膜が除去
されているため傘構造部１０の熱容量が小さくなり、赤
外線検出器の熱時定数が短くなる。なお、熱型赤外線固
体撮像装置１４０では、支持脚４、赤外線検知部５に含
まれる層間分離層７の膜厚は、従来構造（図１４）と同
程度である。
【００７６】実施の形態６．図９は、全体が１５０で示
される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像装置の
断面図であり、図１３のＩ−Ｉに相当する位置での断面
図である。図９中、図１と同一符号は、同一又は相当箇
所を示す。
される本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像装置の
断面図であり、図１３のＩ−Ｉに相当する位置での断面
図である。図９中、図１と同一符号は、同一又は相当箇
所を示す。
【００７７】熱型赤外線固体撮像装置１５０では、エッ
チング停止層２６を形成せず、吸収部保護膜中に、エッ
チングストッパとしても機能する赤外線吸収膜１２を形
成する。これ以外の構造は、上述の熱型赤外線固体撮像
装置１４０と同じである。実施の形態５と同様に、信号
処理回路部３０３上に形成したレジストマスク（図示せ
ず）を用いて、傘構造部１０上の保護膜１３をエッチン
グする。保護膜１３のエッチングは、例えば、弗化水素
酸の水溶液を用いたウエットエッチングにより行なわれ
る。この時点では、検出部３０２の全面に赤外線吸収膜
が残してあるため、保護膜１３のエッチングは、例え
ば、窒化タングステンからなる赤外線吸収膜１２が露出
した時点で停止する。次に、赤外線吸収膜１２を所定の
位置に残して、その上に吸収部保護膜を形成する。
チング停止層２６を形成せず、吸収部保護膜中に、エッ
チングストッパとしても機能する赤外線吸収膜１２を形
成する。これ以外の構造は、上述の熱型赤外線固体撮像
装置１４０と同じである。実施の形態５と同様に、信号
処理回路部３０３上に形成したレジストマスク（図示せ
ず）を用いて、傘構造部１０上の保護膜１３をエッチン
グする。保護膜１３のエッチングは、例えば、弗化水素
酸の水溶液を用いたウエットエッチングにより行なわれ
る。この時点では、検出部３０２の全面に赤外線吸収膜
が残してあるため、保護膜１３のエッチングは、例え
ば、窒化タングステンからなる赤外線吸収膜１２が露出
した時点で停止する。次に、赤外線吸収膜１２を所定の
位置に残して、その上に吸収部保護膜を形成する。
【００７８】本実施の形態にかかる熱型赤外線固体撮像
装置１５０では、傘構造部１０上の保護膜１３が除去さ
れているため傘構造部１０の熱容量が小さくなり、赤外
線検出器の熱時定数が短くなる。なお、支持脚４、赤外
線検知部５に含まれる層間分離層７の膜厚は、従来構造
（図１４）と同程度である。
装置１５０では、傘構造部１０上の保護膜１３が除去さ
れているため傘構造部１０の熱容量が小さくなり、赤外
線検出器の熱時定数が短くなる。なお、支持脚４、赤外
線検知部５に含まれる層間分離層７の膜厚は、従来構造
（図１４）と同程度である。
【００７９】実施の形態７．上述の実施の形態１〜６に
かかる熱型赤外線固体撮像装置の製造に用いるシリコン
基板１としては、図１０（ａ）に示すようなＳＯＩ（Si
licon On Insulator）基板３０を用いることができる。
ＳＯＩ基板３０は、シリコン基板３１と、その上に順次
積層された酸化シリコン層（ＢＯＸ層）３２、シリコン
層（ＳＯＩ層）３３からなる。例えば、ｐｎ接合ダイオ
ードからなる赤外線検知膜６をシリコン層３３に、半導
体素子２をシリコン層３３もしくはシリコン基板３１に
形成し、続いて上述の工程が行なわれて、熱型赤外線固
体撮像装置が完成する。
かかる熱型赤外線固体撮像装置の製造に用いるシリコン
基板１としては、図１０（ａ）に示すようなＳＯＩ（Si
licon On Insulator）基板３０を用いることができる。
ＳＯＩ基板３０は、シリコン基板３１と、その上に順次
積層された酸化シリコン層（ＢＯＸ層）３２、シリコン
層（ＳＯＩ層）３３からなる。例えば、ｐｎ接合ダイオ
ードからなる赤外線検知膜６をシリコン層３３に、半導
体素子２をシリコン層３３もしくはシリコン基板３１に
形成し、続いて上述の工程が行なわれて、熱型赤外線固
体撮像装置が完成する。
【００８０】赤外線検知膜６もしくは半導体素子２を形
成する領域を、他の領域と絶縁するために、図１０
（ｂ）に示すように、所定領域のシリコン層３３を残し
て周囲を酸化してシリコン酸化膜３４としても良い。
成する領域を、他の領域と絶縁するために、図１０
（ｂ）に示すように、所定領域のシリコン層３３を残し
て周囲を酸化してシリコン酸化膜３４としても良い。
【００８１】また、図１０（ｃ）に示すように、所定領
域のシリコン層３３をメサ型に残して周囲をエッチング
で除去しても良い。
域のシリコン層３３をメサ型に残して周囲をエッチング
で除去しても良い。
【００８２】特に、図１０（ｃ）に示すようなＳＯＩ基
板３６を用いることにより、図１０（ｂ）に示すＳＯＩ
基板３５を用いる場合に比べて、支持脚４、赤外線検知
部５がシリコン酸化膜３４を含まない構造となる。この
ため、支持脚４の熱コンダクタンスを小さくでき、赤外
線検出感度の高い赤外線検出器を得ることができる。更
に、赤外線検知部５の熱容量を小さくできるので、熱時
定数の短い赤外線検出器を得ることができる。
板３６を用いることにより、図１０（ｂ）に示すＳＯＩ
基板３５を用いる場合に比べて、支持脚４、赤外線検知
部５がシリコン酸化膜３４を含まない構造となる。この
ため、支持脚４の熱コンダクタンスを小さくでき、赤外
線検出感度の高い赤外線検出器を得ることができる。更
に、赤外線検知部５の熱容量を小さくできるので、熱時
定数の短い赤外線検出器を得ることができる。
【００８３】実施の形態８．上述の実施の形態１〜６に
かかる熱型赤外線固体撮像装置の製造に用いるシリコン
基板１としては、図１１（ｄ）に示すようなＳＯＩ（Si
licon On Insulator）基板４５を用いることができる。
ＳＯＩ基板４５は、シリコン基板４１と、その上に順次
積層された酸化シリコン層（ＢＯＸ層（Buried Oxide
層））４２、シリコン層（ＳＯＩ層）４３からなる。例
えば、ｐｎ接合ダイオードからなる赤外線検知膜６をシ
リコン層４３に、半導体素子２をシリコン層４３もしく
はシリコン基板４１に形成し、続いて上述の工程が行な
われて、熱型赤外線固体撮像装置が完成する。
かかる熱型赤外線固体撮像装置の製造に用いるシリコン
基板１としては、図１１（ｄ）に示すようなＳＯＩ（Si
licon On Insulator）基板４５を用いることができる。
ＳＯＩ基板４５は、シリコン基板４１と、その上に順次
積層された酸化シリコン層（ＢＯＸ層（Buried Oxide
層））４２、シリコン層（ＳＯＩ層）４３からなる。例
えば、ｐｎ接合ダイオードからなる赤外線検知膜６をシ
リコン層４３に、半導体素子２をシリコン層４３もしく
はシリコン基板４１に形成し、続いて上述の工程が行な
われて、熱型赤外線固体撮像装置が完成する。
【００８４】図１１（ｄ）のＳＯＩ基板４５では、赤外
線検知膜６もしくは半導体素子２を形成する領域を他の
領域と絶縁するために、所定領域のシリコン層４３を残
して周囲のシリコン層４３、酸化シリコン層４２がエッ
チングにより除去されている。図１１（ｄ）のＳＯＩ基
板４５は、図１１（ａ）のＳＯＩ基板４０を加工して作
製される。
線検知膜６もしくは半導体素子２を形成する領域を他の
領域と絶縁するために、所定領域のシリコン層４３を残
して周囲のシリコン層４３、酸化シリコン層４２がエッ
チングにより除去されている。図１１（ｄ）のＳＯＩ基
板４５は、図１１（ａ）のＳＯＩ基板４０を加工して作
製される。
【００８５】作製方法は、図１１（ｂ）に示すように、
所定領域のシリコン層４３を残して周囲を酸化してシリ
コン酸化層４４とした後に、シリコン酸化層４４、酸化
シリコン層４２をエッチングしても良い。
所定領域のシリコン層４３を残して周囲を酸化してシリ
コン酸化層４４とした後に、シリコン酸化層４４、酸化
シリコン層４２をエッチングしても良い。
【００８６】また、図１１（ｃ）に示すように、所定領
域のシリコン層４３をメサ型に残して周囲をエッチング
で除去し、更に、酸化シリコン層４２をエッチングして
も良い。
域のシリコン層４３をメサ型に残して周囲をエッチング
で除去し、更に、酸化シリコン層４２をエッチングして
も良い。
【００８７】図１１（ｄ）に示すようなＳＯＩ基板４５
を用いることにより、支持脚４、赤外線検知部５がシリ
コン酸化層４４に加えて、酸化シリコン層４２を含まな
い構造となる。このため、支持脚４の熱コンダクタンス
を小さくでき、赤外線検出感度の高い赤外線検出器を得
ることができる。更に、赤外線検知部５の熱容量を小さ
くできるので、熱時定数の短い赤外線検出器を得ること
ができる。
を用いることにより、支持脚４、赤外線検知部５がシリ
コン酸化層４４に加えて、酸化シリコン層４２を含まな
い構造となる。このため、支持脚４の熱コンダクタンス
を小さくでき、赤外線検出感度の高い赤外線検出器を得
ることができる。更に、赤外線検知部５の熱容量を小さ
くできるので、熱時定数の短い赤外線検出器を得ること
ができる。
【００８８】なお、実施の形態７、８に示したＳＯＩ基
板３５、３６、４５は、図１４に示す従来構造の熱型赤
外線固体撮像装置３００に適用することもできる。これ
により、赤外線の検出感度を向上させ、検出器の熱時定
数を短くすることができる。
板３５、３６、４５は、図１４に示す従来構造の熱型赤
外線固体撮像装置３００に適用することもできる。これ
により、赤外線の検出感度を向上させ、検出器の熱時定
数を短くすることができる。
【００８９】実施の形態１〜８および、図１４に示す従
来構造の熱型赤外線固体撮像装置３００において、配線
層２１だけでなく、配線層８を不純物濃度が１０１８ｃ
ｍ− ３以上の多結晶又は非晶質シリコン等の半導体材
料、若しくはモリブデン、タングステン、チタン、コバ
ルト、白金、タンタル等の高融点金属及びそのシリサイ
ド膜、または、半導体材料と高融点金属やそのシリサイ
ド膜の積層構造から形成しても構わない。これにより、
犠牲層１４の形成に、熱ＣＶＤ法等の成膜温度の高い製
造方法を用いることができる。熱ＣＶＤ法を用いること
により、形成した犠牲層１４の表面の平坦性が向上す
る。このため、後の製造工程がより容易になる。
来構造の熱型赤外線固体撮像装置３００において、配線
層２１だけでなく、配線層８を不純物濃度が１０１８ｃ
ｍ− ３以上の多結晶又は非晶質シリコン等の半導体材
料、若しくはモリブデン、タングステン、チタン、コバ
ルト、白金、タンタル等の高融点金属及びそのシリサイ
ド膜、または、半導体材料と高融点金属やそのシリサイ
ド膜の積層構造から形成しても構わない。これにより、
犠牲層１４の形成に、熱ＣＶＤ法等の成膜温度の高い製
造方法を用いることができる。熱ＣＶＤ法を用いること
により、形成した犠牲層１４の表面の平坦性が向上す
る。このため、後の製造工程がより容易になる。
【００９０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかる熱型赤外線固体撮像装置では、赤外線の検出感
度が高くなる。
にかかる熱型赤外線固体撮像装置では、赤外線の検出感
度が高くなる。
【００９１】また、本発明にかかる熱型赤外線固体撮像
装置では、熱時定数が短くなり、動きの素早い被写体の
撮影も可能となる。
装置では、熱時定数が短くなり、動きの素早い被写体の
撮影も可能となる。
【００９２】また、本発明にかかる熱型赤外線固体撮像
装置の製造方法では、犠牲層の表面平坦となり、製造工
程が簡単となる。
装置の製造方法では、犠牲層の表面平坦となり、製造工
程が簡単となる。
【図１】 本発明の実施の形態１にかかる熱型赤外線固
体撮像装置の断面図である。
体撮像装置の断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１にかかる熱型赤外線固
体撮像装置の製造工程図である。
体撮像装置の製造工程図である。
【図３】 本発明の実施の形態２にかかる熱型赤外線固
体撮像装置の断面図である。
体撮像装置の断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態２にかかる熱型赤外線固
体撮像装置の製造工程図である。
体撮像装置の製造工程図である。
【図５】 犠牲層の形状を比較した図である。
【図６】 本発明の実施の形態３にかかる熱型赤外線固
体撮像装置の断面図である。
体撮像装置の断面図である。
【図７】 本発明の実施の形態４にかかる熱型赤外線固
体撮像装置の断面図である。
体撮像装置の断面図である。
【図８】 本発明の実施の形態５にかかる熱型赤外線固
体撮像装置の断面図である。
体撮像装置の断面図である。
【図９】 本発明の実施の形態６にかかる熱型赤外線固
体撮像装置の断面図である。
体撮像装置の断面図である。
【図１０】 本発明の実施の形態７にかかるＳＯＩ基板
の断面図である。
の断面図である。
【図１１】 本発明の実施の形態８にかかるＳＯＩ基板
の断面図である。
の断面図である。
【図１２】 従来の熱型赤外線固体撮像装置の斜視図で
ある。
ある。
【図１３】 従来の熱型赤外線固体撮像装置に含まれる
赤外線検出部の拡大図である。
赤外線検出部の拡大図である。
【図１４】 従来の熱型赤外線固体撮像装置の断面図で
ある。
ある。
【図１５】 従来の熱型赤外線固体撮像装置の製造工程
図である。
図である。
１ シリコン基板、２ 半導体素子、３ 凹部、４ 支
持脚、５ 赤外線検知部、６ 赤外線検知膜、７ 層間
分離層、８ 配線層、１０ 傘構造部、１１脚部、１２
赤外線吸収膜、１３ 保護膜、１４ 犠牲層、１５
エッチング孔、２０ 絶縁層、２１ 配線層、２２ エ
ッチング停止層、１００ 熱型赤外線固体撮像装置。
持脚、５ 赤外線検知部、６ 赤外線検知膜、７ 層間
分離層、８ 配線層、１０ 傘構造部、１１脚部、１２
赤外線吸収膜、１３ 保護膜、１４ 犠牲層、１５
エッチング孔、２０ 絶縁層、２１ 配線層、２２ エ
ッチング停止層、１００ 熱型赤外線固体撮像装置。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/33 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｕ 5/335 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ (72)発明者 曽根 孝典 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2G065 AA04 AB02 BA12 BA13 BA34 BC02 BE08 CA13 DA18 2G066 BA04 BA05 BA09 BA13 BA55 BB09 CA02 4M118 AA01 AA10 AB01 BA09 BA14 CA03 CA20 CA32 CA40 CB12 FA06 GA10 5C024 AX06 CX41 CY47 EX22 GX08 HX01
Claims (23)
- 【請求項１】 シリコン基板に形成された凹部上に赤外
線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外線固体撮像装置
の製造方法であって、 検出領域と処理領域とを備えたシリコン基板を準備する
工程と、 該シリコン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処
理領域に半導体素子を、それぞれ形成する工程と、 該シリコン基板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子と
を覆う絶縁層を形成する工程と、 該検出領域上の該絶縁層を覆う犠牲層を形成する工程
と、 該シリコン基板上に層間分離層と保護膜とを順次積層す
る工程と、 該犠牲層上の該層間分離層と該保護膜とを選択的に除去
する除去工程と、 該検出領域上の該犠牲層上に、赤外線吸収膜を含む傘構
造部を形成する工程と、 該犠牲層を選択的に除去して、該絶縁層上に該傘構造部
を載置させる工程と、 該検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形
成し、該絶縁層からなる支持脚と、該赤外線検知膜を含
む該絶縁層からなり該支持脚で支えられた赤外線検知部
とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを特徴とす
る熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記除去工程が、上記犠牲層上に形成し
たエッチング停止層をエッチングストッパとして用い
て、上記層間分離層と上記保護膜とを選択的にエッチン
グする工程であることを特徴とする請求項１に記載の製
造方法。 - 【請求項３】 上記傘構造部が、上記エッチング停止層
と、該エッチング停止層中に形成された上記赤外線吸収
膜とを含み、該傘構造部を該犠牲層上に形成した後に、
該傘構造部をエッチングストッパとして用いて上記除去
工程を行うことを特徴とする請求項２に記載の製造方
法。 - 【請求項４】 シリコン基板に形成された凹部上に赤外
線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外線固体撮像装置
の製造方法であって、 検出領域と処理領域とを備えたシリコン基板を準備する
工程と、 該シリコン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処
理領域に半導体素子を、それぞれ形成する工程と、 該シリコン基板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子と
を覆う層間分離層を形成する工程と、 該検出領域上の該層間分離層を選択的にエッチングして
薄層化する薄層化工程と、 該検出領域上の該層間分離層を覆う犠牲層を形成する工
程と、 該犠牲層上に、赤外線吸収膜を含む傘構造部を形成する
傘構造部形成工程と、 該犠牲層を選択的に除去して、該層間分離層上に該傘構
造部を載置する工程と、 該検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形
成し、該層間分離層からなる支持脚と、該赤外線検知膜
を含む該層間分離層からなり該支持脚で支えられた赤外
線検知部とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを
特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記薄層化工程が、上記赤外線検知膜上
の上記層間分離膜中にエッチング停止層を形成し、該エ
ッチング停止層をエッチングストッパとして用いて、該
層間分離膜をエッチングする工程であることを特徴とす
る請求項４に記載の製造方法。 - 【請求項６】 更に、上記傘構造部形成工程後に、少な
くとも該処理領域上の該層間分離膜上に保護膜を形成す
る工程を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の
製造方法。 - 【請求項７】 シリコン基板に形成された凹部上に赤外
線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外線固体撮像装置
の製造方法であって、 検出領域と処理領域とを備えたシリコン基板を準備する
工程と、 該シリコン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処
理領域に半導体素子を、それぞれ形成する工程と、 該シリコン基板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子と
を覆う層間分離層を形成する工程と、 少なくとも該検出領域上の該層間分離層を覆う犠牲層を
形成する工程と、 該検出領域上の該犠牲層上に、エッチング停止層と、該
エッチング停止層中に形成された赤外線吸収膜とを含む
傘構造部を形成する工程と、 該シリコン基板上に保護膜を形成する工程と、 該エッチング停止層をエッチングストッパに用いて、該
傘構造部上の該保護膜を選択的に除去する工程と、 該犠牲層を選択的に除去して、該層間分離層上に該傘構
造部を載置する工程と、 該検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形
成し、該層間分離層からなる支持脚と、該赤外線検知膜
を含む該層間分離層からなり該支持脚で支えられた赤外
線検知部とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを
特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項８】 シリコン基板に形成された凹部上に赤外
線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外線固体撮像装置
の製造方法であって、 検出領域と処理領域とを備えたシリコン基板を準備する
工程と、 該シリコン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処
理領域に半導体素子を、それぞれ形成する工程と、 該シリコン基板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子と
を覆う層間分離層を形成する工程と、 少なくとも該検出領域上の該層間分離層を覆う犠牲層を
形成する工程と、 該検出領域上の該犠牲層上に、赤外線吸収膜を含む傘構
造部を形成する工程と、 該シリコン基板上に保護膜を形成する工程と、 該赤外線吸収膜をエッチングストッパに用いて、該傘構
造部上の該保護膜を選択的に除去する工程と、 該犠牲層を選択的に除去して、該層間分離層上に該傘構
造部を載置する工程と、 該検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形
成し、該層間分離層からなる支持脚と、該赤外線検知膜
を含む該層間分離層からなり該支持脚で支えられた赤外
線検知部とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを
特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項９】 上記シリコン基板が、シリコン基板上
に、酸化シリコン層を介してシリコン層が形成されたＳ
ＯＩ基板であることを特徴とする請求項１〜８のいずれ
かに記載の製造方法。 - 【請求項１０】 少なくとも上記検出領域の上記シリコ
ン層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項９に
記載の製造方法。 - 【請求項１１】 少なくとも上記検出領域の上記酸化シ
リコン層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項
１０に記載の製造方法。 - 【請求項１２】 上記犠牲層が、シリコン及びポリイミ
ドから選択される一の材料からなることを特徴とする請
求項１〜８のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項１３】 上記エッチング停止層が、窒化シリコ
ン層からなることを特徴とする請求項２、３、５〜８の
いずれかに記載の製造方法。 - 【請求項１４】 上記赤外線検知膜と上記処理領域とを
電気的に接続する接続配線を形成する工程を含むことを
特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項１５】 上記接続配線が、導電性シリコン及び
／又は高融点金属を含み、上記犠牲層を熱化学気相堆積
法で形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか
に記載の製造方法。 - 【請求項１６】 更に、上記処理領域に、導電性シリコ
ン及び／又は高融点金属を含む回路配線を形成する工程
を含む請求項１５に記載の製造方法。 - 【請求項１７】 検出部と該検出部から送られた信号を
処理する信号処理部とが、同一シリコン基板上に設けら
れた熱型赤外線固体撮像装置であって、 ａ） シリコン基板上に設けられた半導体素子と、層間
分離層を介して該半導体素子上に設けられた回路配線と
を含む信号処理部と、 ｂ） 該シリコン基板に設けられた凹部上に支持脚で支
えられた赤外線検知部を含む検出部であって、該支持脚
と該赤外線検知部が、所定の膜厚の絶縁膜を含み、該赤
外線検知部に設けられた赤外線検知膜と該信号処理部と
が、該支持脚を通る接続配線で接続された検出部と、 ｃ）該検出部上に設けられた、赤外線吸収膜を含む赤外
線吸収部であって、赤外線を熱に変換して該検出部に伝
える赤外線吸収部とを含み、 該絶縁膜の膜厚を、該層間分離層の膜厚より小さくした
ことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置。 - 【請求項１８】 検出部と該検出部から送られた信号を
処理する信号処理部とが、同一シリコン基板上に設けら
れた熱型赤外線固体撮像装置であって、 ａ） シリコン基板上に設けられた半導体素子と、層間
分離層を介して該半導体素子上に設けられた回路配線
と、該回路配線上に設けられた回路保護膜とを含む信号
処理部と、 ｂ） 該シリコン基板に設けられた凹部上に支持脚で支
えられた赤外線検知部を含む検出部であって、該支持脚
と該赤外線検知部が、所定の膜厚の絶縁膜を含み、該赤
外線検知部に設けられた赤外線検知膜と該信号処理部と
が、該支持脚を通る接続配線で接続された検出部と、 ｃ）該検出部上に設けられた、赤外線吸収膜と該赤外線
吸収膜上に設けられた吸収部保護膜とを含む赤外線吸収
部であって、赤外線を熱に変換して該検出部に伝える赤
外線吸収部とを含み、 該吸収部保護膜の膜厚を、該回路保護膜の膜厚より小さ
くしたことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置。 - 【請求項１９】 上記半導体基板と上記層間分離層との
間、又は該層間分離層と上記回路保護膜との間に、エッ
チング停止層を含むことを特徴とする請求項１７又は１
８に記載の熱型赤外線固体撮像装置。 - 【請求項２０】 上記シリコン基板が、シリコン基板上
に、酸化シリコン層を介してシリコン層が形成されたＳ
ＯＩ基板であることを特徴とする請求項１７又は１８に
記載の熱型赤外線固体撮像装置。 - 【請求項２１】 少なくとも上記検出部の上記シリコン
層が除去されたことを特徴とする請求項２０に記載の熱
型赤外線固体撮像装置。 - 【請求項２２】 少なくとも上記検出部の上記酸化シリ
コン層が除去されたことを特徴とする請求項２１に記載
の熱型赤外線固体撮像装置。 - 【請求項２３】 上記吸収部保護膜が、エッチング停止
層からなることを特徴とする請求項１８に記載の熱型赤
外線固体撮像装置。
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|---|---|---|---|
| JP2001147906A JP4865957B2 (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 熱型赤外線固体撮像装置の製造方法 |
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|---|---|
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