JPS63114256A - カラ−イメ−ジセンサ - Google Patents
カラ−イメ−ジセンサInfo
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- JPS63114256A JPS63114256A JP61260256A JP26025686A JPS63114256A JP S63114256 A JPS63114256 A JP S63114256A JP 61260256 A JP61260256 A JP 61260256A JP 26025686 A JP26025686 A JP 26025686A JP S63114256 A JPS63114256 A JP S63114256A
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- insulating film
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカラーイメージセンサに閃するものである。
一次元密行イメージセンナは、原イ5と同一サイズのセ
ンナ長を持つので光学縮小系を必要とぜず、ファクシミ
リやイメージスキャナの小型化、低価格化に大きく寄与
する。このため、近年その開発が活発化しており、第1
6回内体素子コンフ2レンス論文集(1084)P、5
56に示すように、光電変換素子と、これを駆動する走
査回路とを同一の石英基板上に集積化した密行イメージ
センサが開発・実用化されている。
ンナ長を持つので光学縮小系を必要とぜず、ファクシミ
リやイメージスキャナの小型化、低価格化に大きく寄与
する。このため、近年その開発が活発化しており、第1
6回内体素子コンフ2レンス論文集(1084)P、5
56に示すように、光電変換素子と、これを駆動する走
査回路とを同一の石英基板上に集積化した密行イメージ
センサが開発・実用化されている。
この密着イメージセンナの光電変換素子面にカラーフィ
ルタを形成してフルカラー化を行う場合、従来は第3図
に示すように、光電変換素子5と層間絶縁膜2との間に
カラーフィルタ3を形成する方法が考案されていた。
ルタを形成してフルカラー化を行う場合、従来は第3図
に示すように、光電変換素子5と層間絶縁膜2との間に
カラーフィルタ3を形成する方法が考案されていた。
第3図に示すカラーフィルタの膜厚は0.5〜1.8μ
m(色により異なる)、下部電極の膜厚は0.12μm
、光電変換素子5の膜厚は1.2μmである。即ち第2
図に示す上部電極6はカラーフィルタ3と光電変換素子
5による1、9〜3.2μmの段差をカバーする必要が
ある。1゜9〜3.2μmの段差は半導体プロセス中の
段差としてはかなり大きく、第2図の構造を用いると、
」一部電極0は段差部で断線する確率が高くなる。とい
う問題点を有していた。
m(色により異なる)、下部電極の膜厚は0.12μm
、光電変換素子5の膜厚は1.2μmである。即ち第2
図に示す上部電極6はカラーフィルタ3と光電変換素子
5による1、9〜3.2μmの段差をカバーする必要が
ある。1゜9〜3.2μmの段差は半導体プロセス中の
段差としてはかなり大きく、第2図の構造を用いると、
」一部電極0は段差部で断線する確率が高くなる。とい
う問題点を有していた。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的は上
部電極60カバーする段差を平担化し、1部電極の断線
を防止することにある。
部電極60カバーする段差を平担化し、1部電極の断線
を防止することにある。
(問題点を解決するための手段〕
本発明のカラーイメージセンサは、透明絶縁基板11に
光電変換素子5とそれを駆動する走査回路とを集積化し
たカラーイメージセンサにおいて、層間絶縁膜2に間口
部を設け、該開口部にカラーフィルタ3を形成したこと
を特徴とする。
光電変換素子5とそれを駆動する走査回路とを集積化し
たカラーイメージセンサにおいて、層間絶縁膜2に間口
部を設け、該開口部にカラーフィルタ3を形成したこと
を特徴とする。
(実施例〕
第1図に本発明のカラーイメージセンサの実施例を示す
。1が透明絶縁基板、2が層間絶縁膜、3がカラーフィ
ルタ、4が下部電極、5が光電変換素子、6が上部電極
、7が駆動回路を構成する薄膜トランジスタ(T@F−
T)であり、第1図〜第3図では簡単のためT・F@T
を代表して1個だけ描いである。
。1が透明絶縁基板、2が層間絶縁膜、3がカラーフィ
ルタ、4が下部電極、5が光電変換素子、6が上部電極
、7が駆動回路を構成する薄膜トランジスタ(T@F−
T)であり、第1図〜第3図では簡単のためT・F@T
を代表して1個だけ描いである。
以下、第2図で工程を追いながら説明する。
ます薄膜トランジスタ7を形成後、層間m縁膜2となる
SIO,膜を減圧CVD法で約0.8μm成膜し、光電
変換素子を形成する箇所に弗酸と水の混酸で7オトエツ
チして居間絶縁公開口部8を設ける(第2図−(al)
、このときの該開口部の面積は少なくともカラーフィル
タ3の面積よりも大きくなくてはならない、これは、該
開口部の面積がカラーフィルタ30面も1よりも小さい
と、カラーフィルタ3に段差が発生し、素子面の平担化
に寄与しないためである。
SIO,膜を減圧CVD法で約0.8μm成膜し、光電
変換素子を形成する箇所に弗酸と水の混酸で7オトエツ
チして居間絶縁公開口部8を設ける(第2図−(al)
、このときの該開口部の面積は少なくともカラーフィル
タ3の面積よりも大きくなくてはならない、これは、該
開口部の面積がカラーフィルタ30面も1よりも小さい
と、カラーフィルタ3に段差が発生し、素子面の平担化
に寄与しないためである。
次に、上記層間絶縁膜開口部8にカラーフィルタ3を形
成する。カラーフィルタは、本実施例ではT i Os
とSin、の誘電多層膜を電子ビーム蒸着で形成するこ
とによって作った干渉フィルタである。干渉フィルタの
膜厚は色により異なるが0.5〜1.8μmの範囲であ
る。この上に下部電極3となるITO膜を0.2μmス
パッタする。このITOを弗硝酸を用いて所望の大きさ
にフォトエッチし、続いてITOマスクでカラーフィル
タをCIICIF、プラズマによるドライエツチングで
パタニングする。この上に光電変換素子5となる非晶質
シリコンをプラズマCVDで約1.2μm堆積する。こ
の非晶質シリコンをCF4プラズマによるドライエツチ
ングでパタニングする(第2図−(bl)。このとき、
光電変換素子5の大きさを居間絶縁公開口部8の大きさ
と一致するようにパタニングすると、段差平担化に最も
効果がある。
成する。カラーフィルタは、本実施例ではT i Os
とSin、の誘電多層膜を電子ビーム蒸着で形成するこ
とによって作った干渉フィルタである。干渉フィルタの
膜厚は色により異なるが0.5〜1.8μmの範囲であ
る。この上に下部電極3となるITO膜を0.2μmス
パッタする。このITOを弗硝酸を用いて所望の大きさ
にフォトエッチし、続いてITOマスクでカラーフィル
タをCIICIF、プラズマによるドライエツチングで
パタニングする。この上に光電変換素子5となる非晶質
シリコンをプラズマCVDで約1.2μm堆積する。こ
の非晶質シリコンをCF4プラズマによるドライエツチ
ングでパタニングする(第2図−(bl)。このとき、
光電変換素子5の大きさを居間絶縁公開口部8の大きさ
と一致するようにパタニングすると、段差平担化に最も
効果がある。
最後に薄膜トランジスタ7の電極取出用コンタクト、1
.−ルをフォトエッチであけ、上部電極0のAl−3i
−Cu合金を0.78mスパッタ、パタニングする(第
2図−(C))ことにより、光電変換素子5と薄膜トラ
ンジスタ7の配線とを同時に形成する。この後、能vI
素子面に保F!痕のポリイミド膜をり槓lてカラーイメ
ージセンサチップが完成する。
.−ルをフォトエッチであけ、上部電極0のAl−3i
−Cu合金を0.78mスパッタ、パタニングする(第
2図−(C))ことにより、光電変換素子5と薄膜トラ
ンジスタ7の配線とを同時に形成する。この後、能vI
素子面に保F!痕のポリイミド膜をり槓lてカラーイメ
ージセンサチップが完成する。
以上のような工程で作成したカラーイメージセンサによ
れば、上部電極6の光電変換素子6上での段差が従来例
(第3図)では1.9〜3.2μmであったのに対し、
同じ場所での上部電極の段差が1.1〜2.4μmに低
減された。このため、」:配設差部で上部電極6が断線
する割合は従来例に比較して50%以上減少した。
れば、上部電極6の光電変換素子6上での段差が従来例
(第3図)では1.9〜3.2μmであったのに対し、
同じ場所での上部電極の段差が1.1〜2.4μmに低
減された。このため、」:配設差部で上部電極6が断線
する割合は従来例に比較して50%以上減少した。
本発明のカラーイメージセ/すによれば、従来光電変換
素子の段差部で発生する確率が高かった上部電極の断線
率を、従来に比べて50%以上減らずことができる。こ
のため、本発明はカラーイメージセンサの信頼性、歩留
りの向上、並びにコスト低減に多大の効果をイ「する。
素子の段差部で発生する確率が高かった上部電極の断線
率を、従来に比べて50%以上減らずことができる。こ
のため、本発明はカラーイメージセンサの信頼性、歩留
りの向上、並びにコスト低減に多大の効果をイ「する。
第1図は本発明のカラーイメージセンサの断面図。
第2図111〜IcIは本発明のカラーイメージセンサ
の製造工程図。 第3図は従来のカラーイメージセンサの断面り1゜ 1・・・透明絶縁基板 2・・・層間絶縁膜 3・・・カラーフィルタ 4・・・下部電極 5・・・光電変換素子 6・・・上部電極 7・・・薄厚トランジスタ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他1名J、IQt独 第1図 □ I Apa彫縛1vla4t)l>
第2図 第3図
の製造工程図。 第3図は従来のカラーイメージセンサの断面り1゜ 1・・・透明絶縁基板 2・・・層間絶縁膜 3・・・カラーフィルタ 4・・・下部電極 5・・・光電変換素子 6・・・上部電極 7・・・薄厚トランジスタ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他1名J、IQt独 第1図 □ I Apa彫縛1vla4t)l>
第2図 第3図
Claims (2)
- (1)透明絶縁基板1上に光電変換素子5とそれを駆動
する走査回路とを集積化したカラーイメージセンサにお
いて、層間絶縁膜2に開口部を設け、該開口部にカラー
フィルタ3を形成したことを特徴とするカラーイメージ
センサ。 - (2)同項記載の層間絶縁膜開口部8の面積が、カラー
フィルタ3の面積よりも大きいことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のカラーイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61260256A JPS63114256A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | カラ−イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61260256A JPS63114256A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | カラ−イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63114256A true JPS63114256A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17345520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61260256A Pending JPS63114256A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | カラ−イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63114256A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140346452A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61260256A patent/JPS63114256A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140346452A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
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