JPS63114256A - カラ−イメ−ジセンサ - Google Patents
カラ−イメ−ジセンサInfo
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- JPS63114256A JPS63114256A JP61260256A JP26025686A JPS63114256A JP S63114256 A JPS63114256 A JP S63114256A JP 61260256 A JP61260256 A JP 61260256A JP 26025686 A JP26025686 A JP 26025686A JP S63114256 A JPS63114256 A JP S63114256A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカラーイメージセンサに閃するものである。
一次元密行イメージセンナは、原イ５と同一サイズのセ
ンナ長を持つので光学縮小系を必要とぜず、ファクシミ
リやイメージスキャナの小型化、低価格化に大きく寄与
する。このため、近年その開発が活発化しており、第１
６回内体素子コンフ２レンス論文集（１０８４）Ｐ、５
５６に示すように、光電変換素子と、これを駆動する走
査回路とを同一の石英基板上に集積化した密行イメージ
センサが開発・実用化されている。
ンナ長を持つので光学縮小系を必要とぜず、ファクシミ
リやイメージスキャナの小型化、低価格化に大きく寄与
する。このため、近年その開発が活発化しており、第１
６回内体素子コンフ２レンス論文集（１０８４）Ｐ、５
５６に示すように、光電変換素子と、これを駆動する走
査回路とを同一の石英基板上に集積化した密行イメージ
センサが開発・実用化されている。
この密着イメージセンナの光電変換素子面にカラーフィ
ルタを形成してフルカラー化を行う場合、従来は第３図
に示すように、光電変換素子５と層間絶縁膜２との間に
カラーフィルタ３を形成する方法が考案されていた。
ルタを形成してフルカラー化を行う場合、従来は第３図
に示すように、光電変換素子５と層間絶縁膜２との間に
カラーフィルタ３を形成する方法が考案されていた。
第３図に示すカラーフィルタの膜厚は０．５〜１．８μ
ｍ（色により異なる）、下部電極の膜厚は０．１２μｍ
、光電変換素子５の膜厚は１．２μｍである。即ち第２
図に示す上部電極６はカラーフィルタ３と光電変換素子
５による１、９〜３．２μｍの段差をカバーする必要が
ある。１゜９〜３．２μｍの段差は半導体プロセス中の
段差としてはかなり大きく、第２図の構造を用いると、
」一部電極０は段差部で断線する確率が高くなる。とい
う問題点を有していた。
ｍ（色により異なる）、下部電極の膜厚は０．１２μｍ
、光電変換素子５の膜厚は１．２μｍである。即ち第２
図に示す上部電極６はカラーフィルタ３と光電変換素子
５による１、９〜３．２μｍの段差をカバーする必要が
ある。１゜９〜３．２μｍの段差は半導体プロセス中の
段差としてはかなり大きく、第２図の構造を用いると、
」一部電極０は段差部で断線する確率が高くなる。とい
う問題点を有していた。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的は上
部電極６０カバーする段差を平担化し、１部電極の断線
を防止することにある。
部電極６０カバーする段差を平担化し、１部電極の断線
を防止することにある。
（問題点を解決するための手段〕
本発明のカラーイメージセンサは、透明絶縁基板１１に
光電変換素子５とそれを駆動する走査回路とを集積化し
たカラーイメージセンサにおいて、層間絶縁膜２に間口
部を設け、該開口部にカラーフィルタ３を形成したこと
を特徴とする。
光電変換素子５とそれを駆動する走査回路とを集積化し
たカラーイメージセンサにおいて、層間絶縁膜２に間口
部を設け、該開口部にカラーフィルタ３を形成したこと
を特徴とする。
（実施例〕
第１図に本発明のカラーイメージセンサの実施例を示す
。１が透明絶縁基板、２が層間絶縁膜、３がカラーフィ
ルタ、４が下部電極、５が光電変換素子、６が上部電極
、７が駆動回路を構成する薄膜トランジスタ（Ｔ＠Ｆ−
Ｔ）であり、第１図〜第３図では簡単のためＴ・Ｆ＠Ｔ
を代表して１個だけ描いである。
。１が透明絶縁基板、２が層間絶縁膜、３がカラーフィ
ルタ、４が下部電極、５が光電変換素子、６が上部電極
、７が駆動回路を構成する薄膜トランジスタ（Ｔ＠Ｆ−
Ｔ）であり、第１図〜第３図では簡単のためＴ・Ｆ＠Ｔ
を代表して１個だけ描いである。
以下、第２図で工程を追いながら説明する。
ます薄膜トランジスタ７を形成後、層間ｍ縁膜２となる
ＳＩＯ，膜を減圧ＣＶＤ法で約０．８μｍ成膜し、光電
変換素子を形成する箇所に弗酸と水の混酸で７オトエツ
チして居間絶縁公開口部８を設ける（第２図−（ａｌ）
、このときの該開口部の面積は少なくともカラーフィル
タ３の面積よりも大きくなくてはならない、これは、該
開口部の面積がカラーフィルタ３０面も１よりも小さい
と、カラーフィルタ３に段差が発生し、素子面の平担化
に寄与しないためである。
ＳＩＯ，膜を減圧ＣＶＤ法で約０．８μｍ成膜し、光電
変換素子を形成する箇所に弗酸と水の混酸で７オトエツ
チして居間絶縁公開口部８を設ける（第２図−（ａｌ）
、このときの該開口部の面積は少なくともカラーフィル
タ３の面積よりも大きくなくてはならない、これは、該
開口部の面積がカラーフィルタ３０面も１よりも小さい
と、カラーフィルタ３に段差が発生し、素子面の平担化
に寄与しないためである。
次に、上記層間絶縁膜開口部８にカラーフィルタ３を形
成する。カラーフィルタは、本実施例ではＴ ｉ Ｏｓ
とＳｉｎ、の誘電多層膜を電子ビーム蒸着で形成するこ
とによって作った干渉フィルタである。干渉フィルタの
膜厚は色により異なるが０．５〜１．８μｍの範囲であ
る。この上に下部電極３となるＩＴＯ膜を０．２μｍス
パッタする。このＩＴＯを弗硝酸を用いて所望の大きさ
にフォトエッチし、続いてＩＴＯマスクでカラーフィル
タをＣＩＩＣＩＦ、プラズマによるドライエツチングで
パタニングする。この上に光電変換素子５となる非晶質
シリコンをプラズマＣＶＤで約１．２μｍ堆積する。こ
の非晶質シリコンをＣＦ４プラズマによるドライエツチ
ングでパタニングする（第２図−（ｂｌ）。このとき、
光電変換素子５の大きさを居間絶縁公開口部８の大きさ
と一致するようにパタニングすると、段差平担化に最も
効果がある。
成する。カラーフィルタは、本実施例ではＴ ｉ Ｏｓ
とＳｉｎ、の誘電多層膜を電子ビーム蒸着で形成するこ
とによって作った干渉フィルタである。干渉フィルタの
膜厚は色により異なるが０．５〜１．８μｍの範囲であ
る。この上に下部電極３となるＩＴＯ膜を０．２μｍス
パッタする。このＩＴＯを弗硝酸を用いて所望の大きさ
にフォトエッチし、続いてＩＴＯマスクでカラーフィル
タをＣＩＩＣＩＦ、プラズマによるドライエツチングで
パタニングする。この上に光電変換素子５となる非晶質
シリコンをプラズマＣＶＤで約１．２μｍ堆積する。こ
の非晶質シリコンをＣＦ４プラズマによるドライエツチ
ングでパタニングする（第２図−（ｂｌ）。このとき、
光電変換素子５の大きさを居間絶縁公開口部８の大きさ
と一致するようにパタニングすると、段差平担化に最も
効果がある。
最後に薄膜トランジスタ７の電極取出用コンタクト、１
．−ルをフォトエッチであけ、上部電極０のＡｌ−３ｉ
−Ｃｕ合金を０．７８ｍスパッタ、パタニングする（第
２図−（Ｃ））ことにより、光電変換素子５と薄膜トラ
ンジスタ７の配線とを同時に形成する。この後、能ｖＩ
素子面に保Ｆ！痕のポリイミド膜をり槓ｌてカラーイメ
ージセンサチップが完成する。
．−ルをフォトエッチであけ、上部電極０のＡｌ−３ｉ
−Ｃｕ合金を０．７８ｍスパッタ、パタニングする（第
２図−（Ｃ））ことにより、光電変換素子５と薄膜トラ
ンジスタ７の配線とを同時に形成する。この後、能ｖＩ
素子面に保Ｆ！痕のポリイミド膜をり槓ｌてカラーイメ
ージセンサチップが完成する。
以上のような工程で作成したカラーイメージセンサによ
れば、上部電極６の光電変換素子６上での段差が従来例
（第３図）では１．９〜３．２μｍであったのに対し、
同じ場所での上部電極の段差が１．１〜２．４μｍに低
減された。このため、」：配設差部で上部電極６が断線
する割合は従来例に比較して５０％以上減少した。
れば、上部電極６の光電変換素子６上での段差が従来例
（第３図）では１．９〜３．２μｍであったのに対し、
同じ場所での上部電極の段差が１．１〜２．４μｍに低
減された。このため、」：配設差部で上部電極６が断線
する割合は従来例に比較して５０％以上減少した。
本発明のカラーイメージセ／すによれば、従来光電変換
素子の段差部で発生する確率が高かった上部電極の断線
率を、従来に比べて５０％以上減らずことができる。こ
のため、本発明はカラーイメージセンサの信頼性、歩留
りの向上、並びにコスト低減に多大の効果をイ「する。
素子の段差部で発生する確率が高かった上部電極の断線
率を、従来に比べて５０％以上減らずことができる。こ
のため、本発明はカラーイメージセンサの信頼性、歩留
りの向上、並びにコスト低減に多大の効果をイ「する。
第１図は本発明のカラーイメージセンサの断面図。
第２図１１１〜ＩｃＩは本発明のカラーイメージセンサ
の製造工程図。 第３図は従来のカラーイメージセンサの断面り１゜ １・・・透明絶縁基板 ２・・・層間絶縁膜 ３・・・カラーフィルタ ４・・・下部電極 ５・・・光電変換素子 ６・・・上部電極 ７・・・薄厚トランジスタ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名Ｊ、ＩＱｔ独 第１図 □ Ｉ Ａｐａ彫縛１ｖｌａ４ｔ）ｌ＞
第２図 第３図
の製造工程図。 第３図は従来のカラーイメージセンサの断面り１゜ １・・・透明絶縁基板 ２・・・層間絶縁膜 ３・・・カラーフィルタ ４・・・下部電極 ５・・・光電変換素子 ６・・・上部電極 ７・・・薄厚トランジスタ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名Ｊ、ＩＱｔ独 第１図 □ Ｉ Ａｐａ彫縛１ｖｌａ４ｔ）ｌ＞
第２図 第３図
Claims (2)
- （１）透明絶縁基板１上に光電変換素子５とそれを駆動
する走査回路とを集積化したカラーイメージセンサにお
いて、層間絶縁膜２に開口部を設け、該開口部にカラー
フィルタ３を形成したことを特徴とするカラーイメージ
センサ。 - （２）同項記載の層間絶縁膜開口部８の面積が、カラー
フィルタ３の面積よりも大きいことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のカラーイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61260256A JPS63114256A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | カラ−イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61260256A JPS63114256A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | カラ−イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114256A true JPS63114256A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17345520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61260256A Pending JPS63114256A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | カラ−イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114256A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140346452A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61260256A patent/JPS63114256A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140346452A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
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