JPS62283699A - 多層配線基板の製造法 - Google Patents

多層配線基板の製造法

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JPS62283699A
JPS62283699A JP12679486A JP12679486A JPS62283699A JP S62283699 A JPS62283699 A JP S62283699A JP 12679486 A JP12679486 A JP 12679486A JP 12679486 A JP12679486 A JP 12679486A JP S62283699 A JPS62283699 A JP S62283699A
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JP12679486A
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English (en)
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達哉 中島
愛　英夫
鶴田　直宏
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層配線基板の製造方法に関し、特に高密度
実装を要求されるコンピューター等のプリント回路基板
や、ＬＳＩ実装用の回路モジュール等に使用される多層
基板を、高性能高信頼性でかつ経済的に製造する方法に
関する。
〔従来の技術〕
従来、コンピューターや通信機器等に使用される回路基
板としては、ガラス繊維にエポキシ樹脂やポリイミド樹
脂を含浸させたものの両面に銅箔を設けた基板があり、
又、配線密度を上げるため内層にも導体パターン層を設
け、各層の導体パターンをスルーホールメッキで接続さ
せた多層プリント回路基板がある。或いは、アルミナセ
ラミックやガラス等の無機絶縁基板の面上に印刷方式に
て金属パターン層を形成した厚膜配線基板、更には樹脂
基材や無機絶縁基板の面上にメッキや蒸着等の方式にて
金属パターン層を形成した、所謂薄膜配線基板が用いら
れている。
これらの方式の場合、導体パターン層の上下間の接続の
為に絶縁層をドリル又はパンチングにより穴開は加工を
行い、この大円をメッキ法や導電性を有する材料で穴埋
めする方法がとられてきたが、ドリル径やパンチングピ
ンの微小化の限界から超高密度配線が困難となっている
。
近年超大型コンピューターの高速演算化の為に超高密度
配線技術の要求が高く、これに対して絶縁層やバイアホ
ール（スルーホール）形成にＬＳＩで用いられるドライ
エツチングや湿式１・ノチング技術を応用して微細化を
図っているが、プロセスが複雑なために製造コストが著
しく高いものとなり、実用化が困難となっている。又、
湿式１・ノチング法はフォトレジストを用いて絶縁層を
エツチングするため、約４５°のテーパー角をもったバ
イアホールしか形成できず、絶縁層の膜厚にバイアホー
ル径が依存する欠点を有し、例えば膜厚２０μｍの絶縁
層に対し小径を２０μｍ確保するには大径は６０μｍに
なり、高密度実装への阻害要因になっている。
この欠点を解決するためにフォトレジストをそのまま絶
縁層として用いる試みがなされ、例えば特開昭５８−１
１９６９５号公報に開示されている。しかしながら開示
された樹脂の耐熱性が低いために、ＬＳＩを実装する際
にかかる熱に耐えられず、信頼性を欠く欠点を存してい
る。
更に、フォトレジストに耐熱性を付与するために、感光
性ポリイミド前駆体を用いることが容易に考えられる。
しかしながら、特開昭５４−１４５７９４号公報、特開
昭５７−１６８９４２号公報等に記載された感光性ポリ
イミド前駆体を用いた場合、ポリマー溶液の粘度が高く
なるため、ＬＳＩ実装用多層基板用途に必要な１０ｃｒ
ｍ以上の膜厚が容易に得られず、不適当である。
又、特公昭５５−３０２０７号公報、特公昭５５−４１
４２２号公報、特開昭５９−２１９３３０号公報等に記
載された感光性ポリイミド前駆体を多層配線板の絶縁層
として用いた場合、高密度なバイアホールを有する高耐
熱性の絶縁層が容易に形成できるが、特願昭５９−２４
２４９４号公報に記載されている多層配線板の製造方法
によると、特に、配線層を銅又は金で形成した場合、銅
、金とポリイミドの接着力が低いため、配線層が絶縁層
から剥離し易く信頼性に欠けると云う゛問題点を有して
いる。
更に２層以上の導体層を銅で形成した場合、感光性ポリ
イミドを熱処理して高絶縁化する工程において、雰囲気
中の酸素によって下層の導体層が特にバイアホール部に
おいて酸化され易く問題となる。又、通常の使用環境下
においても、雰囲気中の水分と酸素により、露出部の銅
配線が酸化を受ける恐れがあり、十分な信頼性が得られ
￥ｔＧ１゜〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上記の欠点を除き、極めて微小径のツマイアホ
ールを精度良く形成し、又、信頼性にも優れた多層配線
基板を効率よく形成することを可能にした高密度実装に
適した配線基板の製造方法を提（共することを目的とす
る。
〔問題点を解決するための手段〕
耶ち、本発明は、（イ）下地基板の表面に導電性７くタ
ーンを形成する工程（導電層形成工程）、（ロ）該導電
層上に、一般式（Ｉ） ３式中のＸは＜２＋ｎ）ｆｉ［［ｉの炭素環式基又は複
素環式基、Ｙは（２＋ｍ）ｉｉｌｔｉの炭素環式基又は
複素を有する基、Ｗは熱処理により一〇〇ＯＲのカルボ
ニル基と反応して環を形成し得る基、ｎは１又は２、ｍ
はＯｌｌ又は２であり、かつ、Ｃ０ＯＲとＺは互いにオ
ルト位又はペリ位の関係にある〕又は一般式（ｎ） 〔但し、式中人は４　（ｉ［［ｉの炭素環式基又は複素
環式基を示し、Ｂは２価の炭素環式基又は複素環式基を
示す。〕 で示される繰り返し単位を有する光架橋性重合体層を設
け、該層上にフォトマスクを介して光照射し、現１象に
よりバイアホールを形成し、引続き該層を熱処理して高
絶縁化する工程（絶縁層形成工程）、 （ハ）該絶縁層の表面に、ニッケル、クロム、クロム金
より選ばれた配線層用下地層を形成する工程（下地層形
成工程）、 （ニ）更に該下地層の表面に金の導体回路を形成し、バ
イアホールを介して下層の導電性パターンと電気的に接
続する工程（配線層形成工程）からなることを特徴とす
る多層配線基板の製造方法に関するものである。
本発明の導電層形成工程とは、アルミナセラミック板、
ガラス板、樹脂或いはホーローで絶縁処理されたアルミ
、鉄などの金属板、ガラス布基材エポキシ基板、ガラス
布基材ポリイミド基板、ポリイミドフィルム等から選ば
れた下地基板の表面に、メッキ法、蒸着法、スパッタ法
、スクリーン印刷法、加圧接着法等で銅、銀、金、アル
ミニウム、モリブデン等の導電性パターンを形成する工
程である。
導体形成の具体列を示すと、下地基板を有機溶剤、酸或
いはアルカリ水溶液から選ばれた洗浄剤で洗ｆ争するか
、或いは酸素、四弗化炭素等を含むガスを用いプラズマ
エツチングにて表面をクリーニングする。その後、スパ
ッタリング装置を用いクロム、銅、金、ニッケル、アル
ミ等から選ばれた金属をターゲットとし、単層ないしは
複層を下地基板の上に沈着させる。スパッタリングを用
いた場合、下地基板と導体の接着力が優れたものとなる
。又、蒸着↓こより下地基板に導体を形成することも可
能である。更にこの導体層の上に電気メッキ等により金
等の導体金属を沈着させ導体厚さを厚くする方法も可能
である。プロセス的に優れた方法としては、下地基板に
無電解メッキでニッケル又は銅又は金層を形成した後、
メンキレジストを用いパターンメッキ法により導電性パ
ターンを形成する方法が挙げられる。
更に、コスト的に有利な方法としては、銅箔等の金属箔
をラミネートし、化学エツチングによりパターンを形成
する方法や、スクリーン印刷で導電性材料を印刷しパタ
ーンを形成する方法が挙げろれる。
この導電層形成工程において、導体だけでなく通常厚膜
インキと称せられているペーストにより、砥抗体パター
ンやコンデンサーパターンを形成し、機能回路を形成す
ることも可能である。
又、必要に応じて導電層上に保護層を形成しても良い。
即ち、感光性ポリイミド前駆体の紫外線吸収率が高いた
め、導電層が銅のような反射率の低い金属が下地の場合
は、露光、現像後、バイアホールの形状が逆テーパ（ハ
ングオーバー）になり易く、配線層を形成する際の障害
となる。
金属の＋Ｎ類としては、クロム、クロム金、モリブデン
、タングステン、アルミニウム、チタン、パラジウム、
白金、ニッケル等が例として挙げられる。
形成法は、例として、基着法、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、電解フレキ法、無電解メッキ法等が挙げられる。
これらの方法を用いて、導電層上に通常のフォトリソグ
ラフィーの手法により、厚さ１０オングストロームから
１０ミクロンの保護層を形成できる。
本発明の絶縁層形成工程とは、光架橋性重合体を絶縁層
として用い微細バイアホールを形成する工程である。以
下に、さらに詳しく述べる。
まず、一般式（１） 又は一般式（ｎ） Ｏｏ で示される繰り返し単位を有する重合体に、必要ならば
ミヒラーズケトン等の紫外線吸収ピーク波長が３００〜
５００ｎｍにある増感剤を加え、ジメチルホルムアミド
、Ｎ−メチルピロリドン等の溶？Ｊ＆こン容解し、スピ
ンコーター、ロールコータ−１或いはスクリーン印刷機
等の塗布機を用いて導電層が形成された基板の上に塗布
し、熱風乾燥機やホットプレート等を用い溶剤を除去し
塗膜を形成させる。
続いてフォトマスクを使用し、バイアホール部以外の部
分に紫外線を照射し硬化させる。好ましく二よ、続いて
特願昭６０−６６１３号明細書に記載されているように
熱処理を加えるのが良い。この熱処理により光硬化部が
更に架橋して現像液に膨潤し難くなり、現像後高密度な
パターンが得られる。
温度は好ましくは５０℃〜１４０℃で、未露光部がゲル
化しない温度が良い。時間は好ましくは１秒〜１時間、
更に好ましくは５分〜２０分が良い。次にγ−ブチロラ
クトン、Ｎ−メチルピロリドン等の現＠液、イソプロピ
ルアルコール、キシレン等のリンス液で未露光部を現像
除去してバイアホールを形成し、２００〜４５０″Ｃの
熱処理により耐熱性の優れだ絶縁層を形成する。
一般式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体に
おいて、式中のＸは３又は４（ｉｌ［ｉの炭素環式基又
は複素環式基であって、このようなＸとしては、例えば
ベンゼン環やナフタレン環、アントラセン環などの縮合
多環芳香族、ピリジン、チオフェンなどの複素環式基、
及び一般式（■、）’ｎ−Ｘ、−＝：紅　　　　　（Ｉ
ＩＩ）１はＯ又は１、Ｘ２はＣＨ３、又はＣＦｓである
〕で示される基などが挙げられる。
これらの中で炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基や、Ｘ
ｌが−ｆＣＨぢ（ｌは０又は１である）、ＣＦ。
１）で示される基が好ましく、更に式 前記一般式（１）におけるＹは、２．３、又は４１ｉ１
５の炭素環式基又は複素環式基であって、このようなも
のとしては、例えばナフタレン、アントラセンなどに由
来する炭素数１０〜１日の２１ｉ！［ｉの芳香族炭化水
素基環、ピリジン、イミダゾールなどに由来する複素環
式基及び式 １３　　　　　　　　Ｙ、　　　　　　　　　　　　　
　　　　Ｙ４　　　　　　　　Ｙ番〔式中のＹｌはＨ，
ＣＨｓ　　、（ＣＨ３）ＣＨ，０ＣＨｓ、Ｃ○ＯＨ、ハ
ロゲン原子又はＳ　Ｏ３Ｈ、Ｙｚは＋ＣＨ２卑（ただし
ｐはＯ又は１である）、−８Ｏ，−２Ｈ３ ＣＦ。
Ｙ３及び４は、Ｈ，ＣＨ３、ＣｚＨｌＩ、　ＯＣ）ｂ、
ハロゲン原子、Ｃ００ＨＳＳＯ，Ｈ又はＮＯ２、′１′
１１及びＹ６はＨｌＣＮ、ハｌ：ｌゲン原子、ＣＨ３、
ＯＣＨ３、Ｓ　０３Ｈ又ハＯＨである〕 で示される基などが挙げられる。これらの中で炭素数１
０〜１４の２価の芳香族炭化水素環や、Ｙ２が−Ｓ　Ｏ
，−１−〇−又は−３−で、かツＹ３及び盲が共に水素
原子である式（＆）で示される基が好ましく、更に式 で示される基が好ましい。
又、Ｒとして用いる反応性炭素−炭素二重結合を有する
基としては、例えば、 ＯＲ” ＯＨＯＲ’ Ｒ”　　ＣＨ＝　ＣＨｚ　　　　　　　　　　　（Ｉ［
Ｉｇ）ＯＲ’ 〔式中のＲｏは水素原子又はメチル基、Ｒ”は炭素数１
ないし３のアルキレン基、ｎは１又は２を表す。〕 （Ｌ）の例としては、 −ＣＨ２−ＣＨ２−０−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ。
　　ＣＨ３ （■ωの例としては、 −ＣＨ，−Ｏ−ＣＨ喧ｌ −ＣＨ，−ＣＨ，−ＣＸＣＨ−Ｃ八 （ＩＩｌ、）の例としては、 ＯＨＯ （■、）の例としては、 −ＣＨ２−ＣＨ−Ｃ）４ −　ＣＨｚ　−ＣＨｚ−ＣＨ−ＣＨ２ （−）の例としては、 ０ＣＨａ −ＣＨ，−ＣＨ，−Ｎ　Ｈ−Ｃ−ＣＨ＝　ＣＨ２などが
挙げられる。
前記一般式（Ｉ）におけるＷは、熱処理によりＲＯＨ（
Ｒは前記と同じ意味をもつ）を脱離せしめるに際し、−
ＣＯＯＲのカルボニル基と反応して環を形成し得る基で
あって、このようなものとしては、特に−Ｃ−Ｎ　Ｈ２
Ａ＜好適である。又、ｎとしては、２が好ましい。
一般式（ｎ）で表される重合体は、例えば、特願昭６０
−１３８７６３号、特願昭６１−３３４４９号の明ＩＩ
Ｉ書に記載されている感光性ポリイミドが挙げられる。
式（ＩＩ）において、Ａとしては、炭素数６ないし２０
の芳香族炭化水素基もしくは構造式ｘｂで示される基が
好ましい。
０　　　　　　　　　　ＣＦ３− これらのうち以下に示す基が特に好ましい。
−５−１−〇−１−５−を示し、Ｒ１、Ｒ３はそれぞれ
炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ２、電はそれぞれ
水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示す。〕 ′／／ａのより好ましい例としては以下の基が挙げられ
る。
「ここでＲ，Ｒ，は、夫々−ＣＨａ、　ＣＨｚＣＨａ又
は−ＣＨ（ＣＨ３）２を示し、Ｒ２、へは夫々−Ｒ５−
ＣＨ７，、−ＣＨ２ＣＨ３又は−ＣＨ（ＣＨ３）を示す
。〕光架橋性重合体に有用な光重合開始剤は、一般に使
用されるものでよいが、本発明に適するものは、例えば
アントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−エチ
ルアントラキノン等のアントラキノンＢＢ４体、ベンゾ
イン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル等のベンゾイン銹導体、クロルチオキサントン、
ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン誘導
体、べ・ンゾフェノン、４，４゛−ジクロルヘンシフエ
ノン、ミヒラーズケトン（４，４’−ビス（ジメチルア
ミノ）ベンゾフェノン、４，４゛−ビス（ジエチルアミ
ノ）ベンゾフェノン〕、ジヘンゾスハロン、アンスロン
、ビアンスラニルー〇−ベンゾイル安思香酸メチル等の
ベンゾフェノン誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケ
タール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等の
ベンジル誘導体、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、
ｐ−ｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、２．ヒドロ
キシ−２−メチルプロとシフエノン、２．２−ジェトキ
シアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体、１−フェ
ニル−１，２−プロパンジオンー２−（ｏ−メトキシカ
ルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパン
ジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１
−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベン
ゾイル）オキシム等のオキシム類が挙げられる。更にこ
れらの開始剤と共に増感剤を用いることもできる。これ
ら光重合開始剤等の使用量に制限はないが、好ましくは
０．１ないし３０重量％である。
本発明の下地層形成工程とは、絶縁層と配線層の接着力
を向上させる目的で、絶縁層表面にニッケル、クロム及
びクロム金より選ばれた配線雇用下地層を形成する工程
である。
配線層を電解金メッキにより形成する場合、通常導通雇
として金の薄膜を蒸着或いは無電解メッキ法を用いて絶
縁層上に形成するが、金とポリイミドとの接着力が低い
ため、導通層及び配線層が剥離し易くなり信頼性に欠け
る。
そこで、種々の金属を接着用下地層として検討した結果
、クロム、クロム金、モリブデン、タングステン、チタ
ン、アルミニウム、パラジウム、白金、ニッケルが良好
な結果を示した。この中ではクロム及びニッケルが最も
良く、酸又はフェリシアン化カリウム水溶液等でエツチ
ングができるので、パターニングが容易である。更に下
地層と金の配線層との接着力も高める必要がある時は、
クロム金を用いるのが好ましい。クロム金の金の含有率
は１〜９９％、好ましくは５〜５０％が良い。
クロスはクロム金層の形成法としては、蒸着法、スパッ
タリング法、イオンコーティング法、Ｃ■Ｄ？１等を用
いて絶縁層上に一面に１０オングストロームから１０ミ
クロン、好ましくは１００オングストロームから１ミク
ロンの厚さに付着させる。不必要な部分については、配
線層形成後エツチングにより除去する。エツチングは、
湿式エツチング又はドライエツチングが選べる。湿式エ
ツチング液としては、酸又は硝酸第二セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸の混合液、又は、フェリシアン化カリウ
ムと水酸化ナトリウムの混合液が例として挙げられる。
ドライエツチングの例としては、イオンミリング、リア
クティブイオンエツチングが挙げられ、使用するガスと
しては、アルゴン等の不活性ガス又は塩素ガス（空気又
は不活性ガスで希釈しても良い）が例として挙げられる
。
下地層と該絶縁層との接着力並びにバイアホール部での
良好な電気的導通を確保するために、下地層を形成する
前に、該絶縁層表面及びバイアホール内部をクリーニン
グするのが望ましい。
クリーニング法としては、ウェット法とドライ法が有る
。ウェット法の洗浄液としては、例えば硫酸、硝酸、弗
酸、酢酸等の酸、水酸化ナトリウム水ｉ　液、アンモニ
ア、水酸化アンモニウム、ヒドラジン、エチレンジアミ
ン等のアルカリ、アセトン、エタノール、トリクレン、
フレオン、キシレン、カテコール等の有機溶剤、過硫酸
アンモニウム水溶液、フェリシアン化カリウム水溶液、
硝酸セリウムアンモニウム水溶液等の金属用エッチャン
トが挙げられる。
ドライ法としては、プラズマアッシング、プラズマエツ
チング、スパノタエノチンク、気相エツチングが例とし
て挙げられる。用いられるガスとしては、アルゴン、窒
素、酸素、四塩化炭素、四弗化炭素、塩素等が例として
挙げられる。
本発明で云う配線層形成工程とは、メッキ法、スパッタ
リング法、蒸着法等により下地層表面に酸化され難い金
の配線パターンを形成し、同時にバイアホール部を導体
化し、下層の導電性パターンと電気的に接続する工程で
ある。更に詳しく述べると、例えば、メッキ法による配
線層形成方法の場合、下地層を液体ホーニング或いはプ
ラズマエツチング或いは酸、アルカリによるエツチング
等により粗面化し、該層表面及びバイアホール内の濡れ
性、接着性を改善する。必要ならば次に無電解メッキ法
又は蒸着法により金の導通層を形成しても良い。
次にフォトレジストを用い配線パターン以外の部分をマ
スクし、電気メ・ツキにより金配線パターン及びバイア
ホール内部のメッキを行う。次にフォトレジストを剥離
し、硫酸でクイックエツチングし、配線部以外の不要な
下地層を除去する。この方法における無電解メッキ法に
代えてスパッタリングや蒸着により配線パターンを形成
する方法もある。又、配線層上にも必要ならば保護層を
形成しても良い。
この絶縁層形成と配線層形成を繰り返し行うことにより
、複数層の配線層を持つ多層配線基板を製造することが
できる。
〔実施例〕
次に本発明及びその効果を実施例により説明するが、本
発明はこれによりなんら限定されるものではない。
まず本発明に使用する絶縁層を形成する光架橋性重合体
の製法を参考例１〜４により説明する。
参考例１ ５００ｍ１　Ｓ’のセパラブルフラスコに、無水ピロメ
リット酸２１．９ｇ　、２−ヒドロキシエチルメタクリ
レ−）２７．０ｇ　、　ｒ−ブチロラクトン１００ｍ１
を入れ、水冷下、攪拌しながらピリジン１７．０ｇを加
えた。
室温で１６時間攪拌した後ジシクロへキシルカルボジイ
ミド４１．２ｇのγ−ブチロラクトン４０ｍ１の溶液を
水冷下、１０分間で加え、続いて４，４゛−ジアミノジ
フェニルエーテル１６．０ｇを１５分間で加えた。水冷
下、３時間攪拌した後、エタノール５ｍｌを加えて更に
１時間攪拌し、沈澱を濾過した後、得られた溶液を１０
１のエタノールに加え、生成した沈澱をエタノールで洗
浄した後、真空乾燥して淡褐色の粉末ポリマー（Ａ−１
と称す）を得た。得られたＡ−１ポリマーのＮ−メチル
ピロリドン中、３０°ＣＩｇ／ｄｌでの固有粘度〔η〕
は０．２２であった。ＧＰＣによって求めた重量平均分
子量は１３０００であった。
Ａ−１ポリマ一１０ｇ５　ミヒラーズケトン０．６ｇを
Ｎ−メチルピロリドン１４ｇに熔解し、ポリマー溶液Ｃ
−１を得た。
参考例２ ピロメリット酸二無水物の代わりにベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物３２．２ｇを使った以外は参考例
１と同様に合成した。
この粉末ポリマー１０ｇ　、ミヒラーズケトン０．６ｇ
をＮ−メチルピロリドン１４ｇにン容解しポリマー溶液
Ｃ−２を得た。
参考例３ ジアミノジフェニルエーテル１１０ｇをＮ−メチルピロ
リドン２９０ｇに熔解しアミン溶液を調製した。
ヘンシフエノンテトラカルボン酸二無水物１７７ｇをジ
メチルアセトアミド３１０　ｇにン容解させ、次にＮ−
メチルピロリドン１８０　ｇを加えて溶解させ酸溶液を
調製した。３ｊ！のセパラブルフラスコを用い、６０℃
のアミン溶液に酸溶液を加え３時間反応させることによ
り重合体溶液を得た。この重合体溶液５０ｇ　、ミヒラ
ーズケトン１．２ｇを３０ｇのＮ−メチルピロリドンに
溶解した溶液及びジメチルアミノエチルメククリレート
９．６ｇをＮ−メチルピロリドン１０ｇに熔解した溶液
を混合し、ポリマー溶液Ｃ−３を得た。
参考例４ 撹拌機、滴下漏斗、内部温度針及び窒素導入管を備えた
円筒状容器内で、窒素ガス雰囲気下、４゜４°−ジアミ
ノ−３，３’、５．５’−テトラメチルジフェニルメタ
ン７０．１ｇ　　（０，２８モル）をＮ−メチルピロリ
ドン（Ｎ　Ｍ　Ｐ　）　９００ｍ１に溶かし、０〜５℃
に冷却する。ここでベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ
無水物（ＢＴＤＡ）９０．２ｇ　　（０，２８モル）を
調製し、少量宛４時間をかけて加える。最後の添加の３
０分後に、トリエチルアミン６２．３ｇ　　（０，６３
モル）及び無水酢酸２５６．９　ｇ　　（２，５２モル
）を滴下して生成したポリアミド酸を環化してポリイミ
ドにする。室温で１６時間攪拌した後、ｆ４液を強く攪
拌しなから２０１の水に注ぎ、沈澱した生成物を濾過す
る。生成物を新に水２０Ｊで処理し、濾過して８０℃に
て真空乾燥する。Ｎ　Ｍ　Ｐの０．５％溶液として２５
°Ｃで測定した固有粘度ηｉｎｈは０．７９ｄｌ　／ｇ
である。微分走査熱量計（Ｄ　Ｓ　Ｃ）で測定したガラ
ス転位温度（Ｔｇ　）は３０９℃である。
得られたポリマー１０ｇをＮ−メチルピロリドン２０ｇ
に熔解し、ポリマー溶液Ｃ−４を得た。
実施例１ ５０ｍｍ角、厚さ１ｍｍのセラミック基板を脱脂、洗浄
した。次に専用センチタイザー及びアクチベーターによ
り該表面を活性化した後、Ｎｉの無電解メッキ液（上材
工業社製）によりＮｉ層を５００心の厚さに形成した。
その後メソキレシストのためのフオトレジス（マイクロ
ポジ・ノドＴＦ−２０、シプレー社Ｍ）を６０μｍ厚さ
にバターニングした。続いて電解金メ・７キ浴（上材工
業社製）に入れ、電流密度５０ｍＡ／ｃｎ！で金メッキ
を行い、厚さ５μｍ、ライン中５０μｍ、ランド径１０
０　Ａ！ｍ　、ランド間５００μｍの金パターンを得た
（導電層形成）。
メンキレジストを専用リムーバーで除去した後、同様の
方法でＮｉ層を５ｏｏｏＸ形成し、続いてエツチング用
フォトレジスト（東京応化社製ＯＭＲ−８３）を用いて
導電層上にＮｉの保護層を形成した。Ｎｉのエツチング
液としては硫酸を用いた（慄護層形成）。
導電層、保護層が形成された基板に参考例１で調製した
ポリマー溶液Ｃ−１を、スピンコーターを用いて７００
ｒｐｍ、　１０秒の回転で成膜した後、７０℃の熱風乾
燥機を用いて１２０分乾燥した。次いで、これに７５μ
ｍφの黒丸が５００　μｍ格子間隔についているフォト
マスクを密着させ、２５０Ｗ超高圧水銀灯を有したマス
ク了ライナー（露光機）を用い２分間露光した。露光後
７０°Ｃで１５分処理した後、γ−ブチロラクトン／イ
ソプロピルアルコール（１層１体積比）の現像液に６０
秒Ｐｊ：潰した後、イソプロピルアルコールでリンスし
た。引続き窒素雰囲気下で２００℃、１時間、更に４０
０℃１時間熱処理し熱硬化した。得られた絶縁層の厚さ
は１０１１ｍであった（絶縁層形成）。
次に該絶縁層表面及びバイアホール内をドライエ、チン
グ装置（日型アネルハ社製ＯＥＭ−４５１）により、酸
素プラズマ（０，４Ｔｏｒｒ、１００−１１０分）でク
リーニング・粗面化し、続いてＮｉ層を無電解メッキ法
を用いて前記と同様の方法で５０００にの厚さに形成し
た（下地層形成）。
次に導電性パターンを形成したのと同様の方法で電気メ
ツキ法により５μｍ厚さの金の配線パターンを形成し、
バイアホールを介して下層の導電性パターンと電気的に
接続した（配線層形成）。
同様にして絶縁層形成と配線層形成を繰り返し、導体層
が７層からなる多層配線基板を製造した。
このバイアホールを１０００穴有する多層配線基板を用
いて熱衝撃試験機（タバイ社製ＴＳＢ−ＩＬ）によるバ
イアホール接続信頼性テストを行った。１５０°Ｃと一
６５℃のサイクルを１００回行った後、接続信頼性を評
価した所、断線等の異常は見られなかった。
又、配線層の抵抗率増加は１％以内であった。
実施例２．３ ポリマー溶液Ｃ−２、Ｃ−４を用い、実施例１と同様の
方法で導体層が８層構造の多層配線基板を製造した。
実施例１と同様のバイアホール接続信頼性評価を行った
ところ異常は見られなかった。又、配線層の抵抗率増加
は１％以内であった。
実施例４ ５０ｍｍ角、厚さ１ｍｍのセラミック基板を脱脂、洗浄
後、スパッタリング装置（日型アネルバ製５ＰＦ−４３
０８）により、５０００人のＣｒＡｕ　（Ａｕ含有率１
０重量％）を付着させる。その後メツキレシストのため
のフォトレジス（マイクロポジットＴＦ−２０、シプレ
ー社！！！りを６μｍ厚さにパターニングした。続いて
電解金メッキ浴（上材工業社！！１！りに入れ、電流密
度５０ｍＡ／ａｎｔで金メッキを行い、厚さ５μｍ、ラ
イン巾５０μｍ、ランド径１００　μｍ、ランド間５０
０　μｍの金パターンを得た（導電層形成）。
得られた導電層基板に上記のスパンタリング法と同様に
して２５００ＡのＣｒＡｕを付着させる。エツチング用
スオトレジスト（東京応化社ｊｌＯＭＲ−８３）を用い
て導電層上に保護層を形成する。エツチング液はフェリ
シアン化カリウム水溶液を用いた（保護層形成）。
導電層、保護層が形成された基板に参考例４で調製した
ポリマー溶液Ｃ−１を、スピンコーターを用いて７００
ｒｐｍ、１０秒の回転で成膜した後、７０℃の熱風乾燥
機を用いて１２０分乾燥した。次いで、これに７５μｍ
φの黒丸が５００μｍ格子間隔についているフォトマス
クを密着させ、２５０　Ｗ超高圧水銀灯を有したマスク
アライナ−（露光機）を用い２分間露光した。露光後７
０℃で１５分処理した後、Ｔ−ブチロラクトン／イソプ
ロピルアルコール（１層１体積比）の現像液に６０秒浸
漬した後、イソプロピルアルコールでリンスした。引続
き窒素雰囲気下で２００℃１時間、更に４００°Ｃ１時
間熱処理し熱硬化した。得られた絶縁層の厚さは１０μ
ｍであった（絶縁層形成）。
次に該絶縁層表面及びバイアホール内をドライエツチン
グ装置（日型アネルハ社製ＯＥＭ−４５１）により、酸
素プラズマ（０，４Ｔｏｒｒ、１００Ｗ、　１０分）で
クリーニング・粗面化した。続いて前記のスパンタリン
グ法と同様にして、５ｏｏｏＫのＣｒＡｕ　（Ａｕ含有
率１０重量％）層を形成した（下地層形成）。
次に導電性パターンを形成したのと同様の方法で電気メ
ツキ法により５μｍ厚さの金の配線パターンを形成し、
バイアホールを介して下層の導電性パターンと電気的に
接続した（配線層形成）。
同様にして絶縁層形成と配線層形成を繰り返し、導体層
が７層からなる多層配線基板を製造した。
このバイアホールを１０００穴有する多層配線基板を用
いて熱衝撃試験機（タバイ社製ＴＳＢ−ＩＬ）によるバ
イアホール接続信頼性テストを行った。１５０℃と一６
５°Ｃのサイクルを１００回行った後、接続信頼性を評
価した所、断線等の異常は見られなかった。
又、配線層の抵抗率増加は１％以内であった。
比較例１ ポリマー溶液としてＣ−３を用いた他は、実施例１と同
様にして導電層及び保護層を形成し、更に絶縁層を形成
しようとした所、膜厚５μｍまでしか形成できなかった
。
比較例２ ５０ｍｍ角、犀さｌｌｌ１ｍのセラミック基板を脱脂、
洗浄後、スパッタリング装置（日型アネルバ製５ＰＦ−
４３０Ｈ）により、１ｏｏｏｉのＣｒ、及び２５００λ
のＣｕを付着させる。その後メツキレシストのためのフ
ォトレジスト（マイクロポジットＴＦ−２０、シプレー
社Ｍ）を６μｍ厚さにパターニングした。続いて硫酸銅
メッキ浴に入れ、電流密度５抛Ａ／ｃｄｒ銅メツキを行
い、厚さ５μｍ１ライン中５０μｍ、ランド１１ｏｏμ
ｍ、ランド間５００μｍの金パターンを得た（導電層形
成）。
メンキレジストを専用リムーバーで除去した後、過硫酸
アンモニウム水溶液及び硝酸セリウム水溶液で不要のＣ
ｕ及びＣｒｔ：ｌをクイックエツチングした。
得られた導電層上に上記のスパッタリング法と同様にし
て１０００λのＣｕ、２５００式のＣｒを付着させる。
エツチング用スオトレジスト（東京応化社製ＯＭＲ−８
３）を用いて導電層上に保護層を形成する。エツチング
液は、過硫酸アンモニウム水溶液及び硝酸セリウム水溶
液を用いた。
導電層、保護層が形成された基板に参考例１で調製した
ポリマー溶液Ｃ−１を、スピンコーターを用いて７００
ｒｐｍ、１０秒の回転で成膜した後、７０℃の熱風乾燥
機を用いて１２０分乾燥した。次いで、これに７５μｍ
φの黒丸が５００μｍ格子間隔についているフォトマス
クを密着させ、２５０Ｗ超高圧水銀灯を有したマスクア
ライナ−（露光機）を用い２分間露光した。露光後７０
℃で１５分処理した後、γ−ブチロラクトン／イソプロ
ピルアルコール（１層１体積比）の現像液に６０秒浸漬
した後、イソプロピルアルコールでリンスした。引続き
窒素雰囲気下で２００℃１時間、更に４００℃１時間熱
処理し熱硬化した。得られた絶縁層の厚さは１０μｍで
あった（絶縁層形成）。
次に該絶縁層表面及びバイアホール内をドライエツチン
グ装置（日型アネルバ社製ＯＥＭ−４５１）により、酸
素プラズ７　（０，４Ｔｏｒｒ、１００Ｗ、　１０分）
でクリーニング・粗面化した。続いてＣｒ１ＯＯＯ７４
、Ｃｕ２５００λの層を前記と同様の方法で形成した。
次に導電性パターンを形成したのと同様の方法で電気メ
ツキ法により５μｌ厚さの銅の配線パターンを形成し、
バイアホールを介して導電性パターンと電気的に接続し
た（配線層形成）。
同様にして絶縁層形成と配線層形成を繰り返し、導体層
が７層からなる多層配線基板を製造した。
このバイアホールを１０００穴有する多層配線基板を用
いて熱衝撃試験機（タバイ社製ＴＳＢ−ＩＬ）によるバ
イアホール接＠信頼性テストを行った。１５０℃と一６
５℃のサイクルを１００回行った後、接続信頼性を評価
した所、断線等の異常は見られなかった。
次に、配線層の抵抗率を測定した所、５％の増加が認め
られた。
〔発明の効果〕
以上に説明した如く、本発明の製造方法によると、絶縁
層上に、配線層との接着力を向上させるための下地層を
設け、更に配線層を酸化され難い金で形成するため、信
頼性の高い多層構造基板が製造できる。又、本発明の絶
縁層形成に使用される重合体は、ＬＳＩ実装用モジュー
ル等への用途に必要な高密度なバイアホール形成が容易
にできる特徴を有する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）（イ）下地基板の表面に導電性パターンを形成す
    る工程（導電層形成工程）、 （ロ）該導電層上に、一般式（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） 〔式中のＸは（２＋ｎ）価の炭素環式基又は複素環式基
    、Ｙは（２＋ｍ）価の炭素環式基又は複素環式基、Ｚは
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 又は▲数式、化学式、表等があります▼、Ｒは炭素−炭
    素二重結合 を有する基、Ｗは熱処理により−ＣＯＯＲのカルボニル
    基と反応して環を形成し得る基、ｎは１又は２、ｍは０
    、１又は２であり、かつ、ＣＯＯＲとＺは互いにオルト
    位又はペリ位の関係にある〕又は一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔但し、式中Ａは４価の炭素環式基又は複素環式基を示
    し、Ｂは２価の炭素環式基又は複素環式基を示す。〕 で示される繰り返し単位を有する光架橋性重合体層を設
    け、該層上にフォトマスクを介して光照射し、現像によ
    りバイアホールを形成し、引続き該層を熱処理して高絶
    縁化する工程（絶縁層形成工程）、 （ハ）該絶縁層の表面に、ニッケル、クロム、クロム金
    より選ばれた配線層用下地層を形成する工程（下地層形
    成工程）、 （ニ）更に該下地層の表面に金の導体回路を形成し、バ
    イアホールを介して下層の導電性パターンと電気的に接
    続する工程（配線層形成工程）からなることを特徴とす
    る多層配線基板の製造方法。
JP12679486A 1986-05-31 1986-05-31 多層配線基板の製造法 Pending JPS62283699A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02148881A (ja) * 1988-07-11 1990-06-07 E I Du Pont De Nemours & Co 誘電体層の形成方法
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JP2003017849A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法

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