JP2003156844A - 感光性樹脂組成物、多孔質樹脂、回路基板および回路付サスペンション基板 - Google Patents

感光性樹脂組成物、多孔質樹脂、回路基板および回路付サスペンション基板

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JP2003156844A
JP2003156844A JP2001356637A JP2001356637A JP2003156844A JP 2003156844 A JP2003156844 A JP 2003156844A JP 2001356637 A JP2001356637 A JP 2001356637A JP 2001356637 A JP2001356637 A JP 2001356637A JP 2003156844 A JP2003156844 A JP 2003156844A
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JP
Japan
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resin composition
porous
photosensitive resin
circuit
polybenzoxazole precursor
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JP2001356637A
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English (en)
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Shu Mochizuki
周 望月
Takahiro Fukuoka
孝博 福岡
Naotaka Kaneshiro
直隆 金城
Takashi Kondo
隆 近藤
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い耐熱性、寸法安定性、絶縁性を有し、し
かも、均一で微細な気泡を有する多孔質樹脂、および、
その多孔質樹脂を得るための感光性樹脂組成物、さらに
は、そのような多孔質樹脂を絶縁層として有する、回路
基板および回路付サスペンション基板を提供すること。 【解決手段】 感光性樹脂組成物2として、一般式
(1)で示される繰り返し単位構造を有するポリベンゾ
オキサゾール前駆体4と、感光剤と、分散性化合物3
と、溶剤とを含有させる。この感光性樹脂組成物2から
溶剤を除くことにより、ポリベンゾオキサゾール前駆体
4中に分散性化合物3が分散した状態を形成し、次い
で、分散性化合物3を除去して多孔化した後、硬化させ
て多孔質樹脂を得る。得られた多孔質樹脂は、低誘電率
であるため、回路基板の絶縁層6として用いれば、その
回路基板の高周波特性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は感光性樹脂組成物、
多孔質樹脂、回路基板および回路付サスペンション基板
に関し、詳しくは、回路基板および回路付サスペンショ
ン基板の絶縁層の形成のために好適に用いられる感光性
樹脂組成物および多孔質樹脂、および、そのような多孔
質樹脂を絶縁層として有する、回路基板および回路付サ
スペンション基板に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリベンゾオキサゾール樹脂は、例え
ば、特開平7−300558号公報や特開2000−1
69582号公報などに記載されるように、高い耐熱
性、寸法安定性、絶縁性を有するために、多層回路の層
間絶縁膜や回路基板のカバーコートなどに使用すること
が検討されつつある。しかるに、最近では、電子・電気
機器の高性能化、高機能化に伴い、大量の情報を蓄積
し、高速に処理、高速に伝達することが要求されてお
り、そのような用途に用いられるポリベンゾオキサゾー
ル樹脂にも、高周波化に対応した電気的特性として、低
誘電率化が求められている。
【0003】しかし、一般に、プラスチック材料の誘電
率は、その分子骨格から決定されてしまうため、その分
子骨格を変成しても誘電率を下げるには限界がある。そ
のため、空気の誘電率が低いこと(ε=1.0)に着目
して、プラスチック材料を多孔化させて、その空孔率に
よって誘電率を制御しようとする方法が各種提案されて
いる。
【0004】そのような多孔質樹脂を得る方法として
は、乾式法や湿式法などがあり、乾式法では、通常、物
理的方法によるものと、化学的方法によるものとが知ら
れている。物理的方法は、クロロフルオロカーボン類な
どの低沸点液体(発泡剤)を樹脂中に分散させた後、加
熱して発泡剤を揮発させることにより気泡を生じさせ、
これによって発泡体を得るものである。また、化学的方
法は、樹脂に発泡剤を添加して、これを熱分解すること
によって生じるガスによりセルを形成し、これによって
発泡体を得るものである。物理的方法によるものとして
は、例えば、米国特許公報第4532263号におい
て、塩化メチレン、クロロホルム、トリクロロエタンな
どを発泡剤として用いて、発泡ポリエーテルイミドを得
ることが提案されている。
【0005】さらに、近年では、セル径が小さく、セル
密度の高い発泡体として、窒素や二酸化炭素などの気体
を高圧にて樹脂中に溶解させた後、圧力を解放し、樹脂
のガラス転移点や軟化点付近まで加熱することにより、
気泡を生じさせる方法が提案されている。このような方
法では、微孔質発泡体を得ることができ、例えば、特開
平6−322168号公報では、この方法をポリエーテ
ルイミド樹脂に適用して、耐熱性を有する発泡体を得る
ことが提案されている。また、例えば、特開平10−4
5936号公報では、この方法をシンジオタクチック構
造を有するスチレン系樹脂に適用して、気泡サイズが
0.1〜20μmの多孔質を有する発泡体を得て、これ
を電気回路部材として用いることが提案されている。ま
た、例えば、特開平9−100363号公報では、二酸
化炭素などを発泡剤として発泡された空孔率が10vo
l%以上の多孔質なプラスチックを含む、耐熱温度が1
00℃以上で、かつ、誘電率が2.5以下である低誘電
率プラスチック絶縁フィルムが提案されている。
【0006】さらに、特開2000−44719号公報
では、ポリイミド樹脂中に親水性ポリマーを分散させ、
水、アルコールなどのポリイミド樹脂を溶解せず、親水
性ポリマーを溶解する溶剤で、親水性ポリマーを除去す
ることにより、多孔質のポリイミド樹脂を得ることが提
案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような多
孔質樹脂を得る方法において、例えば、物理的手法で
は、発泡剤として用いられるクロロフルオロカーボン類
が、安全衛生上およびオゾン層の破壊などの環境上から
好ましいものではなく、また、微細かつ均一なセル径を
形成することが困難である。
【0008】また、化学的手法では、発泡後、ガスを発
生させた発泡剤の残さが、発泡体中に残存するおそれが
あるため、電子・電気機器や電子部品など、低汚染性が
強く要求される用途には不向きである。
【0009】さらに、気体を高圧で樹脂中に溶解させた
後、圧力を解放し、樹脂のガラス転移点や軟化点付近ま
で加熱することにより、気泡を生じさせる方法におい
て、例えば、特開平6−322168号公報に記載され
る方法では、高圧ガスを圧力容器中で含浸するときに、
圧力容器を樹脂のビカー軟化点またはその近傍まで加熱
するので、減圧するときには、樹脂が溶融状態にある一
方で高圧ガスが膨張しやすいために、得られた発泡体の
気泡サイズがあまり小さくならず、例えば、回路基板な
どとして用いる場合には、その厚みが厚くなってしまっ
たり、あるいは、そのパターン化において微細化に限界
を生ずる。また、例えば、特開平10−45936号公
報に記載される方法では、スチレン系樹脂のガラス転移
点が100℃付近であるため、それ以上の高温では使用
できず、さらに、特開平9−100363号公報に記載
される方法では、気泡サイズがあまり小さくならず、パ
ターン化において微細化に限界を生ずる。
【0010】さらに、特開2000−44719号公報
に記載される方法では、ポリイミド樹脂中に分散させる
溶剤が、分子量の大きい親水性ポリマーであるため、ポ
リイミド樹脂中から親水性ポリマーを完全に除去するこ
とが困難である。
【0011】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、その目的とするところは、高い耐熱性、寸法安
定性、絶縁性を有し、しかも、均一で微細な気泡を有す
る多孔質樹脂、および、その多孔質樹脂を得るための感
光性樹脂組成物、さらには、そのような多孔質樹脂を絶
縁層として有する、回路基板および回路付サスペンショ
ン基板を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の感光性樹脂組成物は、下記一般式(1)で
示される繰り返し単位構造を有するポリベンゾオキサゾ
ール前駆体と、感光剤と、前記ポリベンゾオキサゾール
前駆体に対して分散可能な分散性化合物と、溶剤とを含
有することを特徴としている。
【0013】
【化3】 (式中、R1は、エーテル結合、炭素−炭素間結合、置
換されていてもよいメチレンのいずれかを示し、R2
は、
【0014】
【化4】 (aは、同一または相異なって、水素原子またはハロゲ
ン原子を示す。)のいずれかを示す。) また、この感光性樹脂組成物においては、分散性化合物
が、ポリアクレートオリゴマー、ポリエーテルオリゴマ
ー、ポリエステルオリゴマー、ポリウレタンオリゴマー
からなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好
ましい。
【0015】また、本発明は、この感光性樹脂組成物か
ら溶剤を除くことにより、前記ポリベンゾオキサゾール
前駆体中に分散性化合物が分散した状態を形成する工
程、分散性化合物を除去することにより、多孔化する工
程、および感光性樹脂組成物を硬化させる工程を含む工
程によって得られる、多孔質樹脂をも含むものである。
なお、この多孔質樹脂を得る工程においては、感光性樹
脂組成物を、露光および現像することによりパターン化
する工程を含むことが好ましい。
【0016】そして、このような多孔質樹脂は、回路基
板の絶縁層として、とりわけ、回路付サスペンション基
板の絶縁層として好適に用いられる。
【0017】また、本発明は、このような多孔質樹脂を
絶縁層として有している、回路基板および回路付サスペ
ンション基板をも含むものである。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の感光性樹脂組成物は、ポ
リベンゾオキサゾール前駆体と、感光剤と、ポリベンゾ
オキサゾール前駆体に対して分散可能な分散性化合物
と、溶剤とを含有している。
【0019】本発明に用いられるポリベンゾオキサゾー
ル前駆体は、下記一般式(1)に示す繰り返し単位構造
を有する、ポリベンゾオキサゾール樹脂の前駆体であっ
て、ビスアミノフェノールと、二官能のアルデヒドとを
反応させることによって得ることができる。
【0020】
【化5】 (式中、R1は、エーテル結合、炭素−炭素間結合、置
換されていてもよいメチレンのいずれかを示し、R2
は、
【0021】
【化6】 (aは、同一または相異なって、水素原子またはハロゲ
ン原子を示す。)のいずれかを示す。) なお、R1で示される置換されていてもよいメチレンと
しては、例えば、メチレン、プロピリデン(−C(CH
−)、ヘキサフルオロプロピリデン(−C(CF
−)などが挙げられる。
【0022】また、aで示されるハロゲン原子として
は、例えば、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素などが挙
げられ、好ましくは、フッ素が挙げられる。
【0023】R2の態様としては、4つのaのうち、4
つのすべてが水素原子、いずれか3つが水素原子で残り
の1つがハロゲン原子、いずれか2つが水素原子で残り
の2つがハロゲン原子、いずれか1つが水素原子で残り
の3つがハロゲン原子、または、4つのすべてがハロゲ
ン原子である態様が挙げられる。好ましくは、4つのす
べてが水素原子である態様、および、4つのすべてがハ
ロゲン原子である態様が挙げられる。
【0024】対応するビスアミノフェノールとしては、
例えば、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシフ
ェニルエーテル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒド
ロキシフェニルエーテル、3,4'−ジアミノ−3,4'
−ジヒドロキシフェニルエーテル、3,3'−ジヒドロ
キシベンジジン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンなどが挙げら
れる。また、それらは、単独で用いてもよいし、2種以
上を併用してもよい。
【0025】また、対応する二官能のアルデヒドとして
は、例えば、m−またはp−フタルアルデヒドおよびそ
のハロゲン化物、より具体的には、例えば、イソフタル
アルデヒド、テレフタルアルデヒド、テトラフルオロイ
ソフタルアルデヒド、テトラフルオロテレフタルアルデ
ヒドなどが挙げられる。また、それらは、単独で用いて
もよいし、2種以上を併用してもよい。
【0026】なお、このような2官能のアルデヒドは、
対応する2官能のニトリルから公知の方法によって製造
することができる。
【0027】そして、ポリベンゾオキサゾール前駆体
は、例えば、これらビスアミノフェノールと二官能のア
ルデヒドとを、実質的に等モル比となるような割合で、
適宜の反応溶媒、例えば、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラク
トンなどの極性溶媒中において、好ましくは不活性ガス
雰囲気下、0〜90℃で1〜36時間反応させることに
よって、ポリベンゾオキサゾール前駆体の溶液として得
ることができる。
【0028】このようにして得られるポリベンゾオキサ
ゾール前駆体は、例えば、その重量平均分子量が、50
00〜200000程度、好ましくは、10000〜1
00000程度である。なお、このようにして得られる
ポリベンゾオキサゾール前駆体は、そのまま用いてもよ
いし、あるいは、沈殿後、ろ別収集して用いるなど、適
宜の後処理を行なってもよい。
【0029】なお、このようにして得られるポリベンゾ
オキサゾール前駆体は、ビスアミノフェノールと二官能
のアルデヒドとを混ぜ合わせるのみの簡易な方法によっ
て得ることができるので、生産効率の向上によるコスト
の低減化を図ることができる。また、このような反応で
は、例えば、ビスアミノフェノールと二官能のカルボン
酸との反応によってポリベンゾオキサゾール前駆体を得
る場合のように、酸クロライドなどのイオン性物質を用
いる必要がないので、耐腐食性が向上され、後述するよ
うな回路基板の絶縁層として用いる場合には、信頼性の
向上を図ることができる。
【0030】本発明に用いられる感光剤は、ポリベンゾ
オキサゾール前駆体を露光したときに、露光部と未露光
部の溶解性コントラストを得ることができるものであれ
ば、いずれのものも用いることができ、そのような感光
剤としては、例えば、ジヒドロピリジン誘導体、ジアゾ
ナフトキノンスルホン酸エステル誘導体、芳香族ジアジ
ド化合物などが挙げられる。
【0031】これら感光剤のうちでは、アルカリ水溶液
で現像が可能で、ポジ型の画像を得ることができるジア
ゾナフトキノンスルホン酸エステル誘導体が好ましく用
いられる。
【0032】ジアゾナフトキノンスルホン酸エステル誘
導体は、1,2−ベンゾキノンジアジド、あるいは、
1,2−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物であ
って、特に限定されないが、例えば、下記の構造式で示
される化合物などが挙げられる。なお、このようなジア
ゾナフトキノンスルホン酸エステル誘導体は、単独で用
いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
【0033】
【化7】 感光剤の配合量は、ポリベンゾオキサゾール前駆体10
0重量部に対して、通常、1〜100重量部の範囲で用
いられる。1重量部未満であると、パターンニング性が
不良となる場合があり、また、100重量部を超える
と、皮膜の機械的強度が著しく低下する場合がある。
【0034】また、本発明に用いられる分散性化合物
は、ポリベンゾオキサゾール前駆体に対して分散し得る
化合物であって、より具体的には、ポリベンゾオキサゾ
ール前駆体に対して微粒子としてミクロ相分離して、海
島構造を形成し得る化合物である。本発明に用いられる
分散性化合物は、そのような化合物であれば、特に制限
されないが、ポリベンゾオキサゾール前駆体に対して完
全に相溶しないものが好ましく、また、加熱により揮散
するか、もしくは、分解して炭化するもの、あるいは、
特定の溶剤によって抽出できるものが好ましく用いられ
る。そのような化合物としては、例えば、同一あるいは
相異なる単量体が2以上重合している比較的低重合度の
オリゴマーが挙げられ、より具体的には、例えば、ポリ
アクリレートオリゴマー、ポリエーテルオリゴマー、ポ
リエステルオリゴマー、ポリウレタンオリゴマーなどが
挙げられる。
【0035】ポリアクリレートオリゴマーとしては、例
えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオ
ペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチ
ロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエ
リスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ
(メタ)アクリレート、オリゴエステル(メタ)アクリ
レートなどが挙げられる。
【0036】ポリエーテルオリゴマーとしては、例え
ば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコー
ル、ポリブチレングリコール、および、それらの片末端
もしくは両末端が、メチル、フェニル、(メタ)アクリ
レートなどのブロック剤で封鎖されている封鎖物などが
挙げられる。
【0037】ポリエステルオリゴマーとしては、例え
ば、ε−カプロラクトン、および、それらの片末端もし
くは両末端が、メチル、フェニル、(メタ)アクリレー
トなどのブロック剤で封鎖されている封鎖物などが挙げ
られる。
【0038】ポリウレタンオリゴマーとしては、例え
ば、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオー
ル、ポリカーボネートポリオール、ポリブタジエンポリ
オールなどのマクロポリオールと、ポリイソシアネート
モノマーとの反応生成物などのウレタンポリオール、例
えば、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、フェニ
ルグリシジルエーテルアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート、グリセリンジメタクリレートな
どのヒドロキシ(メタ)アクリレートモノマーと、メチ
レンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、イ
ソホロンジイソシアネートなどのポリイソシアネートモ
ノマー、あるいは、上記したウレタンポリオールとの反
応生成物などのウレタンアクリレートなどが挙げられ
る。
【0039】このような分散性化合物は、単独で用いて
もよいし、2種以上を併用してもよい。また、その重量
平均分子量が、150〜10000、さらには、300
〜5000の範囲にあることが好ましい。150未満で
あると、ポリベンゾオキサゾール前駆体に対して良好に
相溶してしまう場合があり、一方、10000を超える
と、微細に分散させることができない場合がある。ま
た、このような分散性化合物は、ポリベンゾオキサゾー
ル前駆体100重量部に対して、通常、200重量部以
下、多孔質樹脂の気泡のサイズを微細(10μm未満)
とするためには、好ましくは、10〜200重量部、と
りわけ、誘電率を3以下とするするためには、好ましく
は、30〜100重量部の範囲で用いられる。
【0040】また、本発明に用いられる溶剤は、ポリベ
ンゾオキサゾール前駆体の合成に用いた反応溶媒をその
まま用いてもよく、さらに、そのような反応溶媒ととも
に、あるいは、反応溶媒に代えて、例えば、1,3−ジ
メチル−2−イミダゾリジノン、ジグライム、トリグラ
イム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサ
ン、トルエン、キシレンなどの有機溶剤を、単独もしく
は2種以上併用して用いてもよい。溶媒の使用量は、特
に限定されないが、使用量を調整することによって、通
常、その目的および用途に応じた感光性樹脂組成物の粘
度を調整する。通常は、ポリベンゾオキサゾール前駆
体、感光剤および分散性化合物の合計量に対して、重量
比で、等量〜100倍量、好ましくは、2〜50倍量の
範囲で用いられる。
【0041】そして、本発明の感光性樹脂組成物は、ポ
リベンゾオキサゾール前駆体、感光剤、分散性化合物お
よび溶媒を、上記した割合において、適宜公知の方法に
よって配合すればよい。このようにして得られた本発明
の感光性樹脂組成物は、高い耐熱性、寸法安定性、絶縁
性を有し、しかも、均一で微細な気泡を有し、低誘電率
で微細なパターンを形成しやすい多孔質樹脂、とりわ
け、回路基板の絶縁層を形成するための多孔質樹脂の原
料として好適に用いられる。
【0042】次に、本発明の感光性樹脂組成物を用い
て、多孔質樹脂を製造する方法を、多孔質樹脂からなる
回路基板の絶縁層を形成する方法を例にとって説明す
る。
【0043】この方法では、図1(a)に示すように、
まず、所定の基材1を用意して、図1(b)に示すよう
に、感光性樹脂組成物2を、その基材1上に塗工した
後、熱風乾燥などにより乾燥させて、感光性樹脂組成物
2から溶剤を除去して皮膜を形成する。
【0044】基材としては、例えば、銅、アルミニウ
ム、ステンレス、銅−ベリリウム、リン青銅、鉄−ニッ
ケルなどの金属または合金の箔または板、例えば、シリ
コンウエハー、ガラスなどのセラミックの箔または板、
例えば、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリエステル樹
脂などのプラスチックのフィルムなどが挙げられる。
【0045】感光性樹脂組成物の塗工は、例えば、スピ
ンコータ、バーコータなどの公知の塗工方法によればよ
く、基材の形状や、塗工の厚さに合わせて、適宜好適な
方法により塗工すればよい。また、その乾燥後の厚み
が、0.1〜50μm、好ましくは、1〜25μmとな
るように塗工することが好ましい。なお、塗工の前に、
基材の表面に、予めシランカップリング剤やチタネート
系カップリング剤を下塗りしておくことによって、密着
性を向上させることができる。
【0046】そして、乾燥は、通常、40℃〜120℃
で行なう。40℃より低いときは、溶剤の除去速度が遅
く、また、120℃より高いときは、感光剤が熱分解す
る場合がある。好適には、60〜100℃にて行なう。
このような乾燥によって、溶剤が除去されることによ
り、図1(b)にモデル的に示されるように、分散性化
合物3が、ポリベンゾオキサゾール前駆体4に対して不
溶化して、微細な粒子としてミクロ相分離し、ポリベン
ゾオキサゾール前駆体4中に分散性化合物3の海島構造
が形成される。
【0047】次いで、図1(c)に示すように、乾燥さ
れた感光性樹脂組成物2に、フォトマスク5を介して活
性光線を照射することによって露光を行なった後、必要
により加熱することによって、ポジ型またはネガ型の潜
像を形成し、これを現像することによって、ポジ型また
はネガ型の画像、すなわち、所要のパターンを形成す
る。より具体的には、ポリベンゾオキサゾール前駆体
は、用いる感光剤の種類によっていくらか異なるもの
の、例えば、ジアゾナフトキノンスルホン酸エステル誘
導体の場合は、露光部が現像液に溶解して、ポジ型画像
を形成する。
【0048】現像は、浸漬法やスプレー法などの公知の
方法により行なえばよく、現像温度は、通常、25〜5
0℃の範囲が適当である。また、用いられる現像液とし
ては、例えば、良溶媒(N、N−ジメチルホルムアミ
ド、N、N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−
ピロリドンなど)と貧溶媒(低級アルコール、ケトン、
水、芳香族炭化水素など)との混合溶媒、塩基性溶媒
(水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、トリエタノ
ールアミン水溶液、水溶性有機アミン化合物など)など
が挙げられる。
【0049】なお、この方法においては、ポジ型画像で
現像することが好ましく、図1(d)においては、ポジ
型画像でパターン化された態様が示されている。
【0050】そして、図1(d)に示すように、感光性
樹脂組成物2から分散性化合物3を除去することによ
り、ポリベンゾオキサゾール前駆体4を多孔化する。
【0051】感光性樹脂組成物から分散性化合物を除去
する方法としては、加熱により揮散させる、または、分
解して炭化する、あるいは、特定の溶剤によって抽出す
るなど、公知の方法が用いられる。これらの方法のう
ち、特定の溶剤によって抽出する方法が好ましい。溶剤
により抽出すれば、加熱によって除去しきれない分散性
化合物の残さを取り除くことができ、誘電率をさらに低
下させることができる。
【0052】抽出溶剤としては、通常用いられる有機溶
剤でよく、ポリベンゾオキサゾール前駆体の組成や分散
性化合物の種類によって、適宜選択すればよい。そのよ
うな有機溶剤としては、例えば、N−メチル−2−ピロ
リドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリ
ジノン、ジメチルスルホキシド、ジグライム、トリグラ
イムなどの極性溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどのエーテル系溶剤、例えば、シクロヘキサ
ノン、メチルエチルケトン、アセトンなどのケトン系溶
剤、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
系溶剤、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノールなどのアルコール系溶剤などが挙げられる。それ
らは、単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよ
い。
【0053】また、この抽出による方法では、特に、液
化二酸化炭素、もしくは、高温高圧状態あるいは超臨界
状態にある二酸化炭素を用いることが好ましい。このよ
うな二酸化炭素を用いて抽出すれば、抽出効率を格段に
向上させることができ、良好に多孔化することができ
る。このような二酸化炭素を用いる場合には、例えば、
耐圧容器中で、0〜150℃、さらには、20〜120
℃で、3.5〜100MPa、さらには、6〜50MP
aで抽出を行なうことが好ましい。
【0054】なお、このような、感光性樹脂組成物から
分散性化合物を除去する工程は、本発明の感光性樹脂組
成物から多孔質樹脂を得る工程中の、どの工程において
行なってもよく、独立に、または、全行程を通じて行な
ってもよい。すなわち、この説明においては、この工程
を、感光性樹脂組成物をパターン化した後、次に述べる
感光性樹脂組成物を硬化させる前の工程として述べてい
るが、感光性樹脂組成物から溶剤を除去して、ポリベン
ゾオキサゾール前駆体中に分散性化合物が分散した状態
を形成した後であれば、どの工程において行なってもよ
く、感光性樹脂組成物の露光前、露光後加熱前、加熱後
現像前、現像後、および、次に述べる硬化の前後、もし
くは、これらの各工程において複数回にわたって行なっ
てもよい。
【0055】そして、図1(e)に示すように、このよ
うに形成された感光性樹脂組成物2を硬化させることに
より、本発明の多孔質樹脂からなる絶縁層6を得ること
ができる。硬化は、公知の方法により行なえばよく、例
えば、真空下、不活性ガス雰囲気下もしくは大気雰囲気
下において、350℃〜400℃程度で、数時間、加熱
することが好ましい。これによって、ポリベンゾオキサ
ゾール前駆体が環化されて、ポリベンゾオキサゾール樹
脂からなる多孔質樹脂の絶縁層が形成される。
【0056】そして、回路基板として使用するために
は、例えば、図2(a)に示すように、この絶縁層6を
ベース層6として、そのベース層6の上に、導体層7
を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セ
ミアディティブ法などの公知のパターンニング法によっ
て、所定の回路パターンとして形成し、次いで、図2
(b)に示すように、必要により、その導体層7を絶縁
層からなるカバー層8によって被覆すればよい。なお、
導体層を形成するための導体としては、例えば、銅、ニ
ッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いら
れ、その厚みは、通常、1〜15μmである。また、カ
バー層としては、本発明の多孔質樹脂を用いてもよく、
また、その他の、カバー層として通常用いられる公知の
樹脂を用いてもよい。カバー層の厚みは、通常、2〜2
5μmである。
【0057】このようにして得られる絶縁層は、ポリベ
ンゾオキサゾール樹脂からなるので、高い耐熱性、寸法
安定性、絶縁性能を有し、しかも、10μm未満、さら
には、5μm未満の均一で微細な気泡を有しているた
め、ラインアンドスペースが精細な回路パターンを形成
することができ、かつ、誘電率が3以下、さらには、
2.5以下の低誘電率であるため、高周波特性を向上さ
せることができる。そのため、回路基板、好ましくは、
フレキシブル配線板のベース層、カバー層あるいは中間
絶縁層などとして好適に用いることができ、このような
絶縁層を有する回路基板は、高周波電気信号を高速に伝
達することのできる回路基板として有効に用いることが
できる。
【0058】とりわけ、本発明の多孔質樹脂からなる絶
縁層を、ハードディスクドライブの磁気ヘッドを実装す
る回路付サスペンション基板の絶縁層として用いれば、
そのような絶縁層を有する回路付サスペンション基板
は、磁気ヘッドにより読み書きされる大量の情報を、高
速に伝達することができる。
【0059】次に、本発明の多孔質樹脂を、そのような
回路付サスペンション基板として用いる、具体的な態様
について詳述する。
【0060】図3は、本発明の多孔質樹脂が、絶縁層と
して用いられている回路付サスペンション基板の、一実
施形態の斜視図である。
【0061】図3において、この回路付サスペンション
基板11は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド(図
示せず)を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと
磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗し
て、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支
持するものであり、磁気ヘッドと、外部の回路としての
リード・ライト基板とを接続するための配線が、所定の
回路パターンとして一体に形成されている。
【0062】このような回路付サスペンション基板11
は、長手方向に延びる支持基板12の上に、ベース層1
3が形成されており、そのベース層13の上に、所定の
回路パターンとして形成される導体層14が形成されて
いる。なお、この回路パターンは、互いに所定の間隔を
隔てて平行状に配置される複数の配線14a、14b、
14c、14dによって構成されている。支持基板12
の先端部には、その支持基板12を切り込むことによっ
て、磁気ヘッドを実装するためのジンバル15が形成さ
れている。また、その支持基板12の先端部には、磁気
ヘッドと各配線14a、14b、14c、14dとを接
続するための磁気ヘッド側接続端子16が形成されると
ともに、支持基板12の後端部には、リード・ライト基
板と各配線14a、14b、14c、14dとを接続す
るための外部側接続端子17が形成されている。なお、
図3においては、図示されていないが、実際には、導体
層14の上には、絶縁体からなるカバー層18が被覆さ
れている。
【0063】次に、このような回路付サスペンション基
板11を製造する方法の一実施形態について、図4〜図
6を参照して詳述する。なお、図4〜図6においては、
回路付サスペンション基板11の長手方向途中を、その
回路付サスペンション基板11の長手方向に直交する方
向に沿う断面として示している。
【0064】まず、図4に示すように、支持基板12を
用意して、その支持基板12の上に、所定のパターンで
ベース層13を形成する。支持基板12としては、金属
箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ス
テンレス、42アロイなどが好ましく用いられる。ま
た、その厚さが、10〜60μm、さらには、15〜3
0μm、その幅が、50〜500mm、さらには、12
5〜300mmのものが好ましく用いられる。
【0065】そして、まず、図4(a)に示すように、
予め用意された支持基板12上に、図4(b)に示すよ
うに、感光性樹脂組成物を、その支持基板12の全面に
塗工した後、40℃〜120℃で乾燥することにより、
溶剤を除去してポリベンゾオキサゾール前駆体4中に分
散性化合物3を分散させるとともに、感光性樹脂組成物
の皮膜13aを形成する。
【0066】次に、図4(c)に示すように、その皮膜
13aを、フォトマスク24を介して露光させた後、ポ
ジ型画像またはネガ型画像で現像することにより、皮膜
13aを所定のパターンとする。なお、フォトマスク2
4を介して照射する照射線は、その露光波長が、300
〜450nm、さらには、350〜420nmであるこ
とが好ましく、その露光積算光量が、100〜5000
mJ/cm2、さらには、200〜3000mJ/cm2
であることが好ましい。なお、図4においては、ポジ型
画像でパターン化された態様が示されている。
【0067】そして、図4(d)に示すように、皮膜1
3aから分散性化合物3を除去することにより、ポリベ
ンゾオキサゾール前駆体4を多孔化する。分散性化合物
3の除去は、加熱、分解、抽出のいずれの方法でもよい
が、好ましくは、抽出が用いられる。
【0068】次いで、図4(e)に示すように、ポリベ
ンゾオキサゾール前駆体4の皮膜13aを、350℃〜
400℃程度で、数時間、加熱することによって、ポリ
ベンゾオキサゾール前駆体4を環化して、ポリベンゾオ
キサゾール樹脂からなる多孔質のベース層13を形成す
る。なお、このようにして形成されるベース層13の厚
みは、通常、2〜20μm、好ましくは、5〜10μm
である。
【0069】次いで、図5に示すように、ベース層13
の上に、所定の回路パターンで導体層14を形成する。
導体層14を形成するための導体としては、回路付サス
ペンション基板の導体として使用できるものであれば、
特に制限されることなく使用することができる。そのよ
うな導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はん
だ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、
銅が用いられる。また、所定の回路パターンで導体層1
4を形成するには、例えば、サブトラクティブ法、アデ
ィティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターン
ニング法のいずれでもよいが、好ましくは、セミアディ
ティブ法が用いられる。すなわち、まず、図5(a)に
示すように、支持基板12およびベース層13の全面
に、下地20となる導体の薄膜を形成する。下地20の
形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ま
しく用いられる。また、下地20となる導体は、クロム
や銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例え
ば、支持基板12およびベース層13の全面に、クロム
薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成
することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚みが、10
0〜600Å、銅薄膜の厚みが、500〜2000Åで
あることが好ましい。
【0070】次いで、図5(b)に示すように、その下
地20の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめっ
きレジスト21を形成する。めっきレジスト21は、例
えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法
により、所定のレジストパターンとして形成すればよ
い。次いで、図5(c)に示すように、ベース層13に
おけるめっきレジスト21が形成されていない部分に、
めっきにより、所定の回路パターンの導体層14を形成
する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれで
もよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、
電解銅めっきが好ましく用いられる。なお、この回路パ
ターンは、例えば、図1に示されるように、互いに所定
の間隔を隔てて平行状に配置される、複数の配線14
a、14b、14c、14dパターンとして形成する。
導体層14の厚みは、通常、2〜50μm、好ましく
は、5〜30μmであり、各配線14a、14b、14
c、14dの幅は、通常、5〜500μm、好ましく
は、10〜200μmであり、各配線14a、14b、
14c、14d間の間隔は、通常、5〜500μm、好
ましくは、10〜200μmである。
【0071】そして、図5(d)に示すように、めっき
レジスト21を、例えば、化学エッチング(ウェットエ
ッチング)などの公知のエッチング法または剥離によっ
て除去した後、図5(e)に示すように、めっきレジス
ト21が形成されていた下地20を、同じく、化学エッ
チング(ウェットエッチング)など公知のエッチング法
により除去する。これによって、ベース層13の上に、
導体層14を所定の回路パターンとして形成する。
【0072】次いで、図6に示すように、導体層14の
表面を金属皮膜22により保護した後、この導体層14
を、絶縁体からなるカバー層18により被覆する。すな
わち、まず、図6(a)に示すように、導体層14の表
面、および、支持基板12の表面に、金属皮膜22を形
成する。この金属皮膜22は、無電解ニッケルめっきに
よって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ま
しく、その厚みは、導体層14の表面が露出しない程度
であればよく、例えば、0.05〜0.2μm程度であ
ればよい。
【0073】次いで、導体層14を被覆するためのカバ
ー層18を形成する。カバー層18には、ベース層13
と同じく、感光性樹脂組成物が用いられ、図6(b)に
示すように、ベース層13と同様の方法によって、ポリ
ベンゾオキサゾール樹脂からなる多孔質のカバー層18
を形成する。なお、このようにして形成されるカバー層
18の厚みは、導体層14の厚みにもよるが、通常、2
〜25μm、好ましくは、5〜20μmである。
【0074】そして、図6(c)に示すように、支持基
板12の上に形成されている金属皮膜22を剥離する。
なお、磁気ヘッド側接続端子16および外部側接続端子
17は、図には示していないが、カバー層18の形成に
おいて、各端子部分がカバー層18によって被覆されな
いようにしておき、支持基板12の上に形成されている
金属皮膜22を剥離する時に、同時に、各端子部分の金
属皮膜22を剥離した後、露出する導体層14の表面
を、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なう
ことにより形成する。なお、ニッケルめっき層および金
めっき層の厚さは、いずれも、0.2〜5μm程度であ
ることが好ましい。
【0075】そして、電解ニッケルめっきおよび電解金
めっきに用いためっきリードを、化学エッチングなどに
より除去し、支持基板12を、化学エッチングなど公知
の方法によって、ジンバル15などの所定の形状に切り
抜き、洗浄および乾燥することにより、図3に示すよう
な回路付サスペンション基板11を得る。
【0076】このようにして得られる回路付サスペンシ
ョン基板11は、低誘電率化が図られており、高周波特
性が良好であるため、磁気ヘッドにより読み書きされる
大量の情報を、高速に伝達することができる。
【0077】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例およ
び比較例に限定されることはない。
【0078】合成例1(ポリベンゾオキサゾール前駆体
Aの合成) 乾燥窒素導入管をもつフラスコ内において、3,3'−
ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシフェニルエーテル4
6.4重量部(0.2モル)を、乾燥したN,N−ジメ
チルアセトアミド110重量部に溶解し、これに、イソ
フタルアルデヒド26.82重量部(0.2モル)を加
えた。その後、室温で48時間、乾燥窒素雰囲気下にお
いて攪拌し、ポリベンゾオキサゾール前駆体Aの溶液を
調製した。
【0079】合成例2(ポリベンゾオキサゾール前駆体
Bの合成) 乾燥窒素導入管をもつフラスコ内において、2,2−ビ
ス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフル
オロプロパン73.25重量部(0.2モル)を、乾燥
したN,N−ジメチルアセトアミド150重量部に溶解
し、これに、イソフタルアルデヒド26.82重量部
(0.2モル)を加えた。その後、室温で48時間、乾
燥窒素雰囲気下において攪拌し、ポリベンゾオキサゾー
ル前駆体Bの溶液を調製した。
【0080】実施例1 合成例1で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体Aの
溶液に、感光剤(2,3,4−トリス(1−オキソ−2
−ジアゾナフトキノン−4−スルホニルオキシ)ベンゾ
フェノンを、そのポリベンゾオキサゾール前駆体A10
0重量部に対して20重量部添加するとともに、重量平
均分子量が750のウレタンアクリレートオリゴマー
を、そのポリベンゾオキサゾール前駆体A100重量部
に対して40重量部添加し、攪拌して透明な均一の感光
性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成物を、厚さ2
5μmのステンレス箔(SUS304)上に、スピンコ
ータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが7μmとなるよう
に塗布し、100℃で10分間、加熱乾燥して、N,N
−ジメチルアセトアミドを除去することにより、ポリベ
ンゾオキサゾール前駆体A中にウレタンアクリレートオ
リゴマーの海島構造が形成されるような皮膜を形成し
た。
【0081】次に、フォトマスクを介して、露光量20
0mJ/cm2にて紫外線(λ=350〜435nm)
を露光し、2.38重量%テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液で現像処理して、ポジ型画像で
パターンを形成した。
【0082】この皮膜のパターンを80mmφのシート
状に切断し、500mLの耐圧容器に入れ、40℃の雰
囲気中、25MPa/cm2に加圧した後、圧力を保っ
たままガス量にして約3L/分の流量で二酸化炭素を注
入、排気してウレタンアクリレートオリゴマーを抽出す
る操作を2時間行なった。その後、300℃で1時間加
熱し、さらに、1.33Paの真空下に減圧した状態
で、360℃で加熱し、多孔質のポリベンゾオキサゾー
ル樹脂からなる膜を作製した。
【0083】得られた多孔質膜の断面のSEM観察像を
画像処理して求めた気泡のサイズは1.8μm、誘電率
は、2.4(1MHz)であった。
【0084】なお、測定条件は、以下の通りである(な
お、以下の実施例および比較例においても同じ)。
【0085】SEM観察:作製した多孔質シートを液体
窒素中で凍結して割断し、その断面を走査型電子顕微鏡
(SEM)(日立製作所製 S−570型)を用いて、
加速電圧10kvにて観察した。
【0086】誘電率:横河ヒューレットパッカード社製
HP4284AプレシジョンLCRメーターにより測定
した。
【0087】実施例2 合成例1で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体Aの
溶液に、感光剤(2,3,4−トリス(1−オキソ−2
−ジアゾナフトキノン−4−スルホニルオキシ)ベンゾ
フェノンを、そのポリベンゾオキサゾール前駆体A10
0重量部に対して30重量部添加するとともに、重量平
均分子量が1200のポリエチレングリコールジメチル
エーテルオリゴマーを、そのポリベンゾオキサゾール前
駆体A100重量部に対して40重量部添加し、攪拌し
て透明な均一の感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹
脂組成物を、厚さ25μmのステンレス箔(SUS30
4)上に、スピンコータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さ
が8μmとなるように塗布し、100℃で10分間、加
熱乾燥して、N,N−ジメチルアセトアミドを除去する
ことにより、ポリベンゾオキサゾール前駆体A中にポリ
エチレングリコールジメチルエーテルオリゴマーの海島
構造が形成されるような皮膜を形成した。
【0088】次に、フォトマスクを介して、露光量20
0mJ/cm2にて紫外線(λ=350〜435nm)
を露光し、2.38重量%テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液で現像処理して、ポジ型画像で
パターンを形成した。
【0089】この皮膜のパターンを80mmφのシート
状に切断し、500mLの耐圧容器に入れ、40℃の雰
囲気中、25MPa/cm2に加圧した後、圧力を保っ
たままガス量にして約3L/分の流量で二酸化炭素を注
入、排気してポリエチレングリコールジメチルエーテル
オリゴマーを抽出する操作を2時間行なった。その後、
300℃で1時間加熱し、さらに、1.33Paの真空
下に減圧した状態で、360℃で加熱し、多孔質のポリ
ベンゾオキサゾール樹脂からなる膜を作製した。
【0090】得られた多孔質膜の断面のSEM観察像を
画像処理して求めた気泡のサイズは1.6μm、誘電率
は、2.5(1MHz)であった。
【0091】実施例3 合成例2で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体Bの
溶液に、感光剤(2,3,4−トリス(1−オキソ−2
−ジアゾナフトキノン−4−スルホニルオキシ)ベンゾ
フェノンを、そのポリベンゾオキサゾール前駆体B10
0重量部に対して30重量部添加するとともに、重量平
均分子量が600のポリエチレングリコールジアクリレ
ートオリゴマーを、そのポリベンゾオキサゾール前駆体
B70重量部に対して40重量部添加し、攪拌して透明
な均一の感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成
物を、厚さ25μmのステンレス箔(SUS304)上
に、スピンコータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが8μ
mとなるように塗布し、100℃で10分間、加熱乾燥
して、N,N−ジメチルアセトアミドを除去することに
より、ポリベンゾオキサゾール前駆体B中にポリエチレ
ングリコールジアクリレートオリゴマーの海島構造が形
成されるような皮膜を形成した。
【0092】次に、フォトマスクを介して、露光量20
0mJ/cm2にて紫外線(λ=350〜435nm)
を露光し、2.38重量%テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液で現像処理して、ポジ型画像で
パターンを形成した。
【0093】この皮膜のパターンを80mmφのシート
状に切断し、500mLの耐圧容器に入れ、40℃の雰
囲気中、25MPa/cm2に加圧した後、圧力を保っ
たままガス量にして約3L/分の流量で二酸化炭素を注
入、排気してポリエチレングリコールジアクリレートオ
リゴマーを抽出する操作を2時間行なった。その後、3
00℃で1時間加熱し、さらに、1.33Paの真空下
に減圧した状態で、360℃で加熱し、多孔質のポリベ
ンゾオキサゾール樹脂からなる膜を作製した。
【0094】得られた多孔質膜の断面のSEM観察像を
画像処理して求めた気泡のサイズは0.8μm、誘電率
は、2.2(1MHz)であった。
【0095】比較例1 合成例1で得られたポリベンゾオキサゾール前駆体Aの
溶液に、感光剤(2,3,4−トリス(1−オキソ−2
−ジアゾナフトキノン−4−スルホニルオキシ)ベンゾ
フェノンを、そのポリベンゾオキサゾール前駆体A10
0重量部に対して30重量部添加し、攪拌して透明な均
一の感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成物
を、厚さ25μmのステンレス箔(SUS304)上
に、スピンコータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが15
μmとなるように塗布し、100℃で10分間、加熱乾
燥して、N,N−ジメチルアセトアミドを除去すること
により、ポリベンゾオキサゾール前駆体Aの皮膜を形成
した。なお、これをSEM観察したところ、海島構造の
ない均一な皮膜であることが確認された。
【0096】次に、フォトマスクを介して、露光量20
0mJ/cm2にて紫外線(λ=350〜435nm)
を露光し、2.38重量%テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液で現像処理して、ポジ型画像で
パターンを形成した。
【0097】この皮膜のパターンを80mmφのシート
状に切断した後、300℃で1時間加熱し、さらに、
1.33Paの真空下に減圧した状態で、360℃で加
熱し、ポリベンゾオキサゾール樹脂からなる膜を作製し
た。
【0098】得られた膜の断面のSEM観察を行なった
が、気泡は観察されなかった。また、誘電率は、3.0
(1MHz)であった。
【0099】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の感光性樹脂
組成物は、高い耐熱性、寸法安定性、絶縁性能を有し、
しかも、均一で微細な気泡を有し、低誘電率で微細なパ
ターンを形成しやすい多孔質樹脂を得ることができる。
そのため、得られた多孔質樹脂は、精細な回路パターン
を形成することができ、かつ、低誘電率であるため、回
路基板の絶縁層として用いれば、その回路基板の高周波
特性を向上させることができる。したがって、そのよう
な絶縁層を有する回路基板は、高周波電気信号を高速に
伝達することのできる回路基板として有効に用いること
ができる。
【0100】とりわけ、回路付サスペンション基板の絶
縁層として用いると、高周波特性が良好であるため、そ
のような絶縁層を有する回路付サスペンション基板は、
磁気ヘッドにより読み書きされる大量の情報を、高速に
伝達することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の感光性樹脂組成物を用いて、多孔質樹
脂からなる回路基板の絶縁層を形成する方法を示す一実
施形態の工程図であって、(a)は、基材を用意する工
程、(b)は、その基材の上に、感光性樹脂組成物の皮
膜を形成する工程、(c)は、その皮膜を、フォトマス
クを介して露光させて、現像することにより、所定のパ
ターンとする工程、(d)は、感光性樹脂組成物から分
散性化合物を除去することにより、ポリベンゾオキサゾ
ール前駆体を多孔化する工程、(e)は、多孔化した皮
膜を硬化させて、ベース層を形成する工程を示す。
【図2】ベース層の上に、導体層およびカバー層を形成
する工程を示す断面図であって、(a)は、ベース層の
上に導体層を形成する工程、(b)は、導体層上にカバ
ー層を形成する工程を示す。
【図3】本発明の多孔質樹脂が、絶縁層として用いられ
ている回路付サスペンション基板の、一実施形態の斜視
図である。
【図4】支持基板を用意して、その支持基板の上に、所
定のパターンでベース層を形成する工程を示す断面図で
あって、(a)は、支持基板を用意する工程、(b)
は、その支持基板の上に、感光性樹脂組成物の皮膜を形
成する工程、(c)は、その皮膜を、フォトマスクを介
して露光させて、現像することにより、所定のパターン
とする工程、(d)は、感光性樹脂組成物から分散性化
合物を除去することにより、ポリベンゾオキサゾール前
駆体を多孔化する工程、(e)は、多孔化した皮膜を硬
化させて、ベース層を形成する工程を示す。
【図5】ベース層の上に、所定の回路パターンで導体層
を形成する工程を示す断面図であって、(a)は、支持
基板およびベース層に、下地を形成する工程、(b)
は、下地の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめ
っきレジストを形成する工程、(c)は、ベース層にお
けるめっきレジストが形成されていない部分に、めっき
により、所定の回路パターンの導体層を形成する工程、
(d)は、めっきレジストを除去する工程、(e)は、
下地を除去する工程を示す。
【図6】導体層の表面を金属皮膜により保護した後、カ
バー層により被覆する工程を示す断面図であって、
(a)は、導体層の表面に、金属皮膜を形成する工程、
(b)は、ベース層および金属皮膜の上に、カバー層を
形成する工程、(c)は、支持基板の上に形成されてい
る金属皮膜を剥離する工程を示す。
【符号の説明】
1 基材 2 感光性樹脂組成物 3 分散性化合物 4 ポリベンゾオキサゾール前駆体 6 絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/022 G03F 7/022 H05K 1/03 610 H05K 1/03 610H 1/05 1/05 A 3/46 3/46 T // C08L 79:08 C08L 79:08 A (72)発明者 金城 直隆 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 近藤 隆 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA00 AA10 AA20 AB15 AC01 AD01 AD03 BE01 BH00 CC05 CC20 FA12 4F074 AA75 CB01 CB03 CB16 CB17 CC22 DA47 DA54 4J043 PA01 QB44 RA01 RA02 SA06 TA09 UA11 UA12 UA13 UB05 UB06 UB12 XA11 XA13 XA16 XA19 YA05 ZB22 5E315 AA02 AA03 BB01 BB14 CC01 DD29 GG22 5E346 AA02 AA03 AA12 AA15 BB01 CC08 CC31 DD03 DD31 GG01 GG02 HH06

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1)で示される繰り返し単
    位構造を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、感光
    剤と、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体に対して分散
    可能な分散性化合物と、溶剤とを含有することを特徴と
    する、感光性樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1は、エーテル結合、炭素−炭素間結合、置
    換されていてもよいメチレンのいずれかを示し、R2
    は、 【化2】 (aは、同一または相異なって、水素原子またはハロゲ
    ン原子を示す。)のいずれかを示す。)
  2. 【請求項2】 分散性化合物が、ポリアクレートオリゴ
    マー、ポリエーテルオリゴマー、ポリエステルオリゴマ
    ー、ポリウレタンオリゴマーからなる群から選ばれる少
    なくとも1種であることを特徴とする、請求項1に記載
    の感光性樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の感光性樹脂組
    成物から溶剤を除くことにより、前記ポリベンゾオキサ
    ゾール前駆体中に分散性化合物が分散した状態を形成す
    る工程、 分散性化合物を除去することにより、多孔化する工程、
    および感光性樹脂組成物を硬化させる工程を含む工程に
    よって得られることを特徴とする、多孔質樹脂。
  4. 【請求項4】 さらに、感光性樹脂組成物を、露光およ
    び現像することによりパターン化する工程を含んでいる
    ことを特徴とする、請求項3に記載の多孔質樹脂。
  5. 【請求項5】 回路基板の絶縁層として用いられること
    を特徴とする、請求項3または4に記載の多孔質樹脂。
  6. 【請求項6】 回路付サスペンション基板の絶縁層とし
    て用いられることを特徴とする、請求項3または4に記
    載の多孔質樹脂。
  7. 【請求項7】 請求項3または4に記載の多孔質樹脂
    を、絶縁層として有していることを特徴とする、回路基
    板。
  8. 【請求項8】 請求項3または4に記載の多孔質樹脂
    を、絶縁層として有していることを特徴とする、回路付
    サスペンション基板。
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