JPS6227734B2 - - Google Patents
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- JPS6227734B2 JPS6227734B2 JP56044556A JP4455681A JPS6227734B2 JP S6227734 B2 JPS6227734 B2 JP S6227734B2 JP 56044556 A JP56044556 A JP 56044556A JP 4455681 A JP4455681 A JP 4455681A JP S6227734 B2 JPS6227734 B2 JP S6227734B2
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の構造、特にボンデイング
電極下がボンデイング工程に破壊されることのな
い半導体装置の構造に関するものである。
電極下がボンデイング工程に破壊されることのな
い半導体装置の構造に関するものである。
最近の高周波用バイポーラトランジスタの素子
パターンは、性能指数を上げる為にきわめて微細
化されている。これに伴ないエミツタ、ベースコ
ンタクト窓を覆う金属電極の幅が狭くなり、耐水
性が著しく悪くなり、直流増幅率及び雑音指数を
悪くしている。この耐水性の悪化を補償するた
め、陽極酸化法を用いてペレツト全面を窒化シリ
コン膜で覆う構造も採用されている。
パターンは、性能指数を上げる為にきわめて微細
化されている。これに伴ないエミツタ、ベースコ
ンタクト窓を覆う金属電極の幅が狭くなり、耐水
性が著しく悪くなり、直流増幅率及び雑音指数を
悪くしている。この耐水性の悪化を補償するた
め、陽極酸化法を用いてペレツト全面を窒化シリ
コン膜で覆う構造も採用されている。
しかし組立工程においては、省力化が進み、ボ
ンデイングは高速化されており、このペレツト構
造ではボンデイング中にボンデイング電極下のシ
リコンが衝撃力により剥離するというような不具
合が生じた。
ンデイングは高速化されており、このペレツト構
造ではボンデイング中にボンデイング電極下のシ
リコンが衝撃力により剥離するというような不具
合が生じた。
本発明の目的は高速ボンデイングに適した高周
波用トランジスタの構造を提供するものである。
波用トランジスタの構造を提供するものである。
本発明によれば、電極パツドと半導体基板との
間に比較的軟かい絶縁物からなる緩衝層を設けた
半導体装置を得る。
間に比較的軟かい絶縁物からなる緩衝層を設けた
半導体装置を得る。
以下に、図面を用いて、この発明をより詳細に
説明する。第1図a〜cは従来の半導体装置とそ
の欠点を説明するもので、第1図aは半導体素子
が不純物拡散により形成された半導体基板1の表
面酸化膜2上に陽極酸化法により全面に300Å程
度の厚さの窒化シリコン膜3を形成し、その後ボ
ンデイング電極4を形成した従来の半導体装置の
断面図である。第1図bはこのボンデイング電極
4に金線5を用いてボンデイングすることにより
ボンデイング電極4、窒化シリコン膜3、酸化シ
リコン膜2、半導体基板1にボンデイング衝撃力
6が加わり、歪み6′がこれらに入ることを表わ
した部分断面図である。このようなボンデイング
衝撃力6によつて、窒化シリコン膜3、酸化シリ
コン膜2、半導体基板1は第1図cに示すように
剥離し、穴7が形成される。このような剥離が起
こる原因としては、窒化シリコン膜3が非常にう
すい為にボンデイング衝撃力6を緩衝する力が非
常に弱く、ストレスが直接ボンデイング電極4の
下に集中するからであると推定される。
説明する。第1図a〜cは従来の半導体装置とそ
の欠点を説明するもので、第1図aは半導体素子
が不純物拡散により形成された半導体基板1の表
面酸化膜2上に陽極酸化法により全面に300Å程
度の厚さの窒化シリコン膜3を形成し、その後ボ
ンデイング電極4を形成した従来の半導体装置の
断面図である。第1図bはこのボンデイング電極
4に金線5を用いてボンデイングすることにより
ボンデイング電極4、窒化シリコン膜3、酸化シ
リコン膜2、半導体基板1にボンデイング衝撃力
6が加わり、歪み6′がこれらに入ることを表わ
した部分断面図である。このようなボンデイング
衝撃力6によつて、窒化シリコン膜3、酸化シリ
コン膜2、半導体基板1は第1図cに示すように
剥離し、穴7が形成される。このような剥離が起
こる原因としては、窒化シリコン膜3が非常にう
すい為にボンデイング衝撃力6を緩衝する力が非
常に弱く、ストレスが直接ボンデイング電極4の
下に集中するからであると推定される。
本発明の一実施例によれば、第2図に示すよう
に、不純物拡散によつて半導体素子が形成された
シリコン基板11上を酸化シリコン膜12でおお
い、拡散領域からの電極取出部には開孔を設け、
ここから金属の配線電極15を導出するととも
に、酸化シリコン膜12上でボンデイング電極1
4を設ける部分には厚さ1000〜1500Åの窒化シリ
コン膜18を設けさらにその上に全面に窒化シリ
コン膜13を設け、しかる後に例えば金やアルミ
ニウムのボンデイング電極14が設けられる。
に、不純物拡散によつて半導体素子が形成された
シリコン基板11上を酸化シリコン膜12でおお
い、拡散領域からの電極取出部には開孔を設け、
ここから金属の配線電極15を導出するととも
に、酸化シリコン膜12上でボンデイング電極1
4を設ける部分には厚さ1000〜1500Åの窒化シリ
コン膜18を設けさらにその上に全面に窒化シリ
コン膜13を設け、しかる後に例えば金やアルミ
ニウムのボンデイング電極14が設けられる。
このボンデイング電極14に金細線をボンデイ
ングすると、ボンデイング衝撃力は比較的軟かく
かつ厚い窒化シリコン膜18で緩衝されて下の酸
化シリコン膜12やシリコン基板11に加わるこ
とがない。このように、第2図に示す構造の半導
体装置によれば、緩衝層としての窒化シリコン膜
18によつて、剥離不良率が5%から0.1%迄に
改善することが出来る。したがつて、やむを得
ず、ボンデイング衝撃力を大きくしなければなら
ないような場合にも、緩衝層を設けることによつ
て安全で確実なボンデイング作業が行えることに
なる。
ングすると、ボンデイング衝撃力は比較的軟かく
かつ厚い窒化シリコン膜18で緩衝されて下の酸
化シリコン膜12やシリコン基板11に加わるこ
とがない。このように、第2図に示す構造の半導
体装置によれば、緩衝層としての窒化シリコン膜
18によつて、剥離不良率が5%から0.1%迄に
改善することが出来る。したがつて、やむを得
ず、ボンデイング衝撃力を大きくしなければなら
ないような場合にも、緩衝層を設けることによつ
て安全で確実なボンデイング作業が行えることに
なる。
なお、緩衝層としての窒化シリコン膜18は、
少なくともボンデイング電極14の下にあれば、
他の部分にあつても良いが、酸化シリコン膜12
の開口周辺にまで設けると、絶縁膜の全体の厚さ
が厚くなりすぎ、配線金属を断線なしに取り出す
ことが困難になる。又金属は比較的軟かいので緩
衝層としては適しているが、浮遊容量が大きくな
るので、使用に際しては注意を要する。
少なくともボンデイング電極14の下にあれば、
他の部分にあつても良いが、酸化シリコン膜12
の開口周辺にまで設けると、絶縁膜の全体の厚さ
が厚くなりすぎ、配線金属を断線なしに取り出す
ことが困難になる。又金属は比較的軟かいので緩
衝層としては適しているが、浮遊容量が大きくな
るので、使用に際しては注意を要する。
第1図a〜cは従来の半導体装置の構造および
剥離の様子を示した断面図である。第2図は緩衝
層をもうけた本発明の一実施例を示す断面図であ
る。 1,11……シリコン基板、2,12……酸化
シリコン膜、3,13……窒化シリコン膜、4,
14……ボンデイング電極、5……ボンデイング
ワイヤー、6……ボンデイング衝撃力、6′……
ボンデイング歪み、7……剥離した部分、15…
…配線電極、18……緩衝層(窒化シリコン
膜)。
剥離の様子を示した断面図である。第2図は緩衝
層をもうけた本発明の一実施例を示す断面図であ
る。 1,11……シリコン基板、2,12……酸化
シリコン膜、3,13……窒化シリコン膜、4,
14……ボンデイング電極、5……ボンデイング
ワイヤー、6……ボンデイング衝撃力、6′……
ボンデイング歪み、7……剥離した部分、15…
…配線電極、18……緩衝層(窒化シリコン
膜)。
Claims (1)
- 1 半導体基板上を覆いコンタクトホールを有す
る絶縁層と、この絶縁層上に選択的に形成され無
機絶縁材からなる緩衝層と、この緩衝層および前
記絶縁層の表面を覆い前記コンタクトホールまで
延在形成されたシリコン窒化膜と、前記緩衝層上
を覆うシリコン窒化膜上に形成されたボンデイン
グ電極と、前記コンタクトホールを介して前記半
導体基板の一部に接触し前記シリコン窒化膜上に
延在形成された電極配線層とを含む半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56044556A JPS57159035A (en) | 1981-03-26 | 1981-03-26 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56044556A JPS57159035A (en) | 1981-03-26 | 1981-03-26 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57159035A JPS57159035A (en) | 1982-10-01 |
JPS6227734B2 true JPS6227734B2 (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=12694768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56044556A Granted JPS57159035A (en) | 1981-03-26 | 1981-03-26 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57159035A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5886733A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS6237934U (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-06 | ||
JP2527457B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1996-08-21 | シャープ株式会社 | 半導体装置の電極構造 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5239378A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-26 | Seiko Epson Corp | Silicon-gated mos type semiconductor device |
JPS54107260A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-22 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS56105670A (en) * | 1980-01-28 | 1981-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-03-26 JP JP56044556A patent/JPS57159035A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5239378A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-26 | Seiko Epson Corp | Silicon-gated mos type semiconductor device |
JPS54107260A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-22 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS56105670A (en) * | 1980-01-28 | 1981-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57159035A (en) | 1982-10-01 |
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