JPH022611A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPH022611A JPH022611A JP14935088A JP14935088A JPH022611A JP H022611 A JPH022611 A JP H022611A JP 14935088 A JP14935088 A JP 14935088A JP 14935088 A JP14935088 A JP 14935088A JP H022611 A JPH022611 A JP H022611A
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、LSIデバイス製造に用いられるレジスト塗
布装置に関する。
布装置に関する。
「従来の技術」
LSIデバイスのバタン形成はウェハ面上に蒸着された
彼バタン形成膜にレジスト塗布装置でレジストを塗布し
、描画装置でバタン形状に対応して露光した後、現像を
行う。これによって形成されたレジストバタンをマスク
に被バタン形成膜をエツチングする。従って、レノスト
塗布装置はLSIデバイス製造にとって不可欠な手段と
なっている。
彼バタン形成膜にレジスト塗布装置でレジストを塗布し
、描画装置でバタン形状に対応して露光した後、現像を
行う。これによって形成されたレジストバタンをマスク
に被バタン形成膜をエツチングする。従って、レノスト
塗布装置はLSIデバイス製造にとって不可欠な手段と
なっている。
第3図は従来用いられてきたレジスト塗布装置の一般的
な構成図である。同図において、1はつ、rハ、2は試
料台、3はモータ、4はA/Dコンバータ、5と7は回
転軸、6は軸受け、8はモータ3とA/Dコンバータ4
を結ぶ信号線、9はA/l〕コンバータ4にAC信号を
人力する信号線、IOは真空ポンプ、+1は真空ポンプ
10のホース、12はレジストキャニスタ、13はノズ
ル、l11は仕切弁、+5と16及び18はパイプ、+
7は減圧弁、19はカバー 20は架台である。
な構成図である。同図において、1はつ、rハ、2は試
料台、3はモータ、4はA/Dコンバータ、5と7は回
転軸、6は軸受け、8はモータ3とA/Dコンバータ4
を結ぶ信号線、9はA/l〕コンバータ4にAC信号を
人力する信号線、IOは真空ポンプ、+1は真空ポンプ
10のホース、12はレジストキャニスタ、13はノズ
ル、l11は仕切弁、+5と16及び18はパイプ、+
7は減圧弁、19はカバー 20は架台である。
以下、図を用いてレノスト塗布装置の動作を説明する。
まず、ウェハ中心と試料台中心が一致するようにウェハ
1を試料台2にセットする。次いで、試料台2の上面の
溝、回転軸5と軸受け6内の中空路及びバイブ1.1を
介して真空ポンプlOによりウェハlを試料台に真空チ
ャックする。さらに、予め減圧弁17でパイプ18で送
出されるN2の圧力を調整して、レジストキャニスタ1
2内に蓄積されたレジストをバイブ15に送出できる様
にする。これと併行して、信号線9に印加されたAC信
号の振幅に比例するDC信号をΔ/Dコンバータ4で発
生させ、これを信号線8を介してモータ3に印加して該
モータを駆動させることにより、回転軸5.7を介して
試料台2即ちウェハ!を一定の角速度で回転させる。こ
れと同時に、仕切弁4を開きノズル13で回転している
ウェハ1上にレノストを散布する。このとき、ウェハ1
の回転数と回転時間を適当に設定すれば、ウェハ1に塗
布されるレジストの膜厚を制御できる。
1を試料台2にセットする。次いで、試料台2の上面の
溝、回転軸5と軸受け6内の中空路及びバイブ1.1を
介して真空ポンプlOによりウェハlを試料台に真空チ
ャックする。さらに、予め減圧弁17でパイプ18で送
出されるN2の圧力を調整して、レジストキャニスタ1
2内に蓄積されたレジストをバイブ15に送出できる様
にする。これと併行して、信号線9に印加されたAC信
号の振幅に比例するDC信号をΔ/Dコンバータ4で発
生させ、これを信号線8を介してモータ3に印加して該
モータを駆動させることにより、回転軸5.7を介して
試料台2即ちウェハ!を一定の角速度で回転させる。こ
れと同時に、仕切弁4を開きノズル13で回転している
ウェハ1上にレノストを散布する。このとき、ウェハ1
の回転数と回転時間を適当に設定すれば、ウェハ1に塗
布されるレジストの膜厚を制御できる。
「発明が解決しようとする課題」
第4図から第6図は第3図に示す従来のレジスト塗布装
置の問題点を説明する図である。
置の問題点を説明する図である。
第4図において、41はオリフラ、42はウェハ中心を
通りオリフラ41と平行な直線(X方向)、43はウェ
ハ中心を通りオリフラ41と直角な直線(Y方向)、4
4から47は幅L1、長さL2(Lr <<L 2)の
電極配線パタンである。ウェハ中心を原点とした極座標
(「、θ)を考えたとき、パタン44と45はパタンの
長さ方向がr方向と直交し、パタン44はさらにパタン
の長さ方向がX方向と直交し、パタン45はさらにパタ
ンの長さ方向がY方向と直交する。これに対し、パタン
46と47はパタンの長さ方向がr方向と平行で、パタ
ン46はさらにパタンの長さ方向がX方向と平行で、パ
タン47はさらにパタンの長さ方向がY方向と平行の状
態にある。
通りオリフラ41と平行な直線(X方向)、43はウェ
ハ中心を通りオリフラ41と直角な直線(Y方向)、4
4から47は幅L1、長さL2(Lr <<L 2)の
電極配線パタンである。ウェハ中心を原点とした極座標
(「、θ)を考えたとき、パタン44と45はパタンの
長さ方向がr方向と直交し、パタン44はさらにパタン
の長さ方向がX方向と直交し、パタン45はさらにパタ
ンの長さ方向がY方向と直交する。これに対し、パタン
46と47はパタンの長さ方向がr方向と平行で、パタ
ン46はさらにパタンの長さ方向がX方向と平行で、パ
タン47はさらにパタンの長さ方向がY方向と平行の状
態にある。
さて、第4図に示す電極配線バタンを形成するには種々
な方法があるが、第5図と第6図はドライエッチ耐性の
高いレジストを用いたドライプロセスで形成する場合の
工程図である。第5図はパタン44またはパタン45を
直線42または直線43の方向で切った断面図であり、
第6図はパタン46またはパタン47を直線42または
直線43の方向で切った断面図である。両図において、
51は基板、52は電極配線用メタル、53はポルシス
ト、54はドライエッチ耐性の高いレノストである。(
a)はポジレジスト53の描画・現像した後、レジスト
54を塗布した工程を、(b)は工程(a)のレジスト
54をエッチバックした工程を、(c)は工程(b)に
おいてポジレノスト53をレジスト54をマスクにエツ
チングした工程を、(d)はさらに工程(c)における
メタル52をレジスト54をマスクにエツチングした工
程を示す。
な方法があるが、第5図と第6図はドライエッチ耐性の
高いレジストを用いたドライプロセスで形成する場合の
工程図である。第5図はパタン44またはパタン45を
直線42または直線43の方向で切った断面図であり、
第6図はパタン46またはパタン47を直線42または
直線43の方向で切った断面図である。両図において、
51は基板、52は電極配線用メタル、53はポルシス
ト、54はドライエッチ耐性の高いレノストである。(
a)はポジレジスト53の描画・現像した後、レジスト
54を塗布した工程を、(b)は工程(a)のレジスト
54をエッチバックした工程を、(c)は工程(b)に
おいてポジレノスト53をレジスト54をマスクにエツ
チングした工程を、(d)はさらに工程(c)における
メタル52をレジスト54をマスクにエツチングした工
程を示す。
さて、第3図に示す従来のレジスト塗布装置でウェハl
を回転させながらその上面にレジストを塗布すると、ウ
ェハ上に塗布されたレジストは萌記r方向に加速されな
がら放射状に流動し、ウェハ周辺部に到達すると塗布溶
媒と共にウェハ外部に放出される。この時、ウェハ表面
との結合力と差によりレジストより塗布溶媒の方が放出
される割合が大きい他、ウェハ表面からの蒸発用が相加
されるため、時間と共に塗布溶媒が選択的に除去される
。即ち、回転数と回転時間を適当に選定することにより
ウェハ上に一定膜厚のレジストを塗布することができる
。
を回転させながらその上面にレジストを塗布すると、ウ
ェハ上に塗布されたレジストは萌記r方向に加速されな
がら放射状に流動し、ウェハ周辺部に到達すると塗布溶
媒と共にウェハ外部に放出される。この時、ウェハ表面
との結合力と差によりレジストより塗布溶媒の方が放出
される割合が大きい他、ウェハ表面からの蒸発用が相加
されるため、時間と共に塗布溶媒が選択的に除去される
。即ち、回転数と回転時間を適当に選定することにより
ウェハ上に一定膜厚のレジストを塗布することができる
。
第4図において、電極配線バタンを形成するために、第
5図に示す様にポジレジスト53で反転パタン形成後、
レジスト54をレノスト塗布装置で塗布する場合、パタ
ン44またはパタン45では、第5図工程(a)に示す
様にレジスト54は下地レジスト53の凹凸に殆ど影響
されることなくほぼ平坦に塗布できる。これに対し、パ
タン46部またはパタン47部では、第6図工程(a)
に示す様にレジスト54は下地レジスト53の凹凸に強
く影響され平坦に塗布できない。
5図に示す様にポジレジスト53で反転パタン形成後、
レジスト54をレノスト塗布装置で塗布する場合、パタ
ン44またはパタン45では、第5図工程(a)に示す
様にレジスト54は下地レジスト53の凹凸に殆ど影響
されることなくほぼ平坦に塗布できる。これに対し、パ
タン46部またはパタン47部では、第6図工程(a)
に示す様にレジスト54は下地レジスト53の凹凸に強
く影響され平坦に塗布できない。
これは、ウェハ面上のレジスト流動は放射状である即ち
レジストの流線はr方向のみであり、塗布後のレジスト
表面形状は、下地に凹凸があると流線にO方向成分が発
生するもののr方向成分が支配的であるため、θ方向の
寸法形状よりr方向の寸法形状に依存するためである。
レジストの流線はr方向のみであり、塗布後のレジスト
表面形状は、下地に凹凸があると流線にO方向成分が発
生するもののr方向成分が支配的であるため、θ方向の
寸法形状よりr方向の寸法形状に依存するためである。
さて、第6図工程(a)に示すレジスト54に凹凸があ
ると、これをマスクにレノスト53をエツチングした工
程(b)では、前工程(a)におけるレジスト54の凹
形表面形状がほぼ継承される。従って、これをマスクに
レジスト53をエツチングした工程(c)では、上記凹
形表面形状の他、レジスト54自体の膜減りが相加され
るため、(+)レジスト54の初期膜厚、(2)バタン
の長さL2、(3)レジスト53とレジスト54のエツ
チング・レイト比に応じてその中央部aでレジスト54
が除去される場合がある。このままレジスト54をマス
クにメタル52をエツチングすると工程(c)に示す様
にバタン中央部a部分ではメタル52は完全にエツチン
グされ、更にレジスト54自体の膜減りによって5部分
でもメタル52は侵食される。即ち、第4図におけるバ
タン46またはバタン47は正常に形成されず断線バタ
ンになる。
ると、これをマスクにレノスト53をエツチングした工
程(b)では、前工程(a)におけるレジスト54の凹
形表面形状がほぼ継承される。従って、これをマスクに
レジスト53をエツチングした工程(c)では、上記凹
形表面形状の他、レジスト54自体の膜減りが相加され
るため、(+)レジスト54の初期膜厚、(2)バタン
の長さL2、(3)レジスト53とレジスト54のエツ
チング・レイト比に応じてその中央部aでレジスト54
が除去される場合がある。このままレジスト54をマス
クにメタル52をエツチングすると工程(c)に示す様
にバタン中央部a部分ではメタル52は完全にエツチン
グされ、更にレジスト54自体の膜減りによって5部分
でもメタル52は侵食される。即ち、第4図におけるバ
タン46またはバタン47は正常に形成されず断線バタ
ンになる。
「課題を解決するための手段」
上記課題を解決するには、レジストをウェハ面上に塗布
する場合に、レジストをr方向のみならずθ方向にも流
動させる手段があれば良い。本発明によるレジスト塗布
装置は、レノスト塗布時のウェハの回転数を一定にする
代わりに、一定の周期で増減させることによってウェハ
面上のレジストをr方向とθ方向に向は交互に流動させ
るものである。
する場合に、レジストをr方向のみならずθ方向にも流
動させる手段があれば良い。本発明によるレジスト塗布
装置は、レノスト塗布時のウェハの回転数を一定にする
代わりに、一定の周期で増減させることによってウェハ
面上のレジストをr方向とθ方向に向は交互に流動させ
るものである。
本発明によるレジスト塗布装置を適用するためには、ウ
ェハを固定する手段と、ウェハの中心を通りかつウェハ
面と直交する直線を回転軸としてウェハを回転させる手
段と、ウェハの回転数を一定の周期で増減させる手段及
びウェハ表面にレジスト液を滴下する手段を備えれば良
い。
ェハを固定する手段と、ウェハの中心を通りかつウェハ
面と直交する直線を回転軸としてウェハを回転させる手
段と、ウェハの回転数を一定の周期で増減させる手段及
びウェハ表面にレジスト液を滴下する手段を備えれば良
い。
「作用」
本発明により、凹凸のあるLSIデバイスの表面でのレ
ジスト液を平坦に塗布できる。
ジスト液を平坦に塗布できる。
「実施例」
第1図は本発明による実施例を、第2図は動作原理図を
示す。以下、これらの図を用いて本発明による実施例を
説明する。
示す。以下、これらの図を用いて本発明による実施例を
説明する。
第1図において、1〜20は第3図と同じらのを示す。
21は信号源、22はミキサー 23は信号源21とミ
キサー22を結ぶ信号線、24はミキサー22とΔ/D
コンバータ4を結ぶ信号線である。
キサー22を結ぶ信号線、24はミキサー22とΔ/D
コンバータ4を結ぶ信号線である。
第1図において、試料台2、回転軸5、袖受け6、ホー
スII及び真空ポンプlOでウェハを固定する手段を、
試料台2、回転軸5、軸受け6、回転軸7及びモータ3
でウェハの中心を通りかつウェハ面と直交する直線を回
転軸としてウェハを回転させる手段を、信号線8、ミキ
サー22、信号線24、A/Dコンバータ4、信号線9
、信号線23及び信号源21でウェハの回転数を一定の
周期で増減させる手段を、ノズル13、仕切弁14、バ
イブ15、レジストキャニスタ12、バイブ16、減圧
弁17及びバイブ18でウェハ表面にレノストを塗布す
る手段を構成する。
スII及び真空ポンプlOでウェハを固定する手段を、
試料台2、回転軸5、軸受け6、回転軸7及びモータ3
でウェハの中心を通りかつウェハ面と直交する直線を回
転軸としてウェハを回転させる手段を、信号線8、ミキ
サー22、信号線24、A/Dコンバータ4、信号線9
、信号線23及び信号源21でウェハの回転数を一定の
周期で増減させる手段を、ノズル13、仕切弁14、バ
イブ15、レジストキャニスタ12、バイブ16、減圧
弁17及びバイブ18でウェハ表面にレノストを塗布す
る手段を構成する。
第1図において、ミキサー22はA/Dコンバータ4の
出力信号と信号源21の出力信号を相加し、その和信号
を信号線8を介してモータ3に印加するらのである。従
って、信号線2!の出力信号が0と時、モータ3でウェ
ハlを回転させながら、その表面にレジストを塗布する
動作は第3図と同様である。この場合、モータ3の回転
数の時間特性を第2図(a)に示す。モータ3がDCモ
ータであれば、その回転数ωは信号線8に印加される信
号電圧に比例する。A/Dコンバータ4により立ち上か
り時間T I (see)、電圧A(V)でモータ3を
駆動するとT1以降ではω。(oL:A )なる−定の
角速度で回転する。
出力信号と信号源21の出力信号を相加し、その和信号
を信号線8を介してモータ3に印加するらのである。従
って、信号線2!の出力信号が0と時、モータ3でウェ
ハlを回転させながら、その表面にレジストを塗布する
動作は第3図と同様である。この場合、モータ3の回転
数の時間特性を第2図(a)に示す。モータ3がDCモ
ータであれば、その回転数ωは信号線8に印加される信
号電圧に比例する。A/Dコンバータ4により立ち上か
り時間T I (see)、電圧A(V)でモータ3を
駆動するとT1以降ではω。(oL:A )なる−定の
角速度で回転する。
次に、信号源21でB−sinclJc−Tなる信号を
時刻T2で発生させるとモータ3の回転数は第2図(b
)の時間特性を示す。即ち、モータ3の回転数はミキサ
ー22の出力に比例するから、ω=ω。+△ω争sin
ωc拳T (+ )ここで、△ωは上記信号振
幅已に比例する回転数である。同図(b)のa=bでは
ωは時間と共に増大するため、第1図のウェハIはr方
向と共に正のθ方向に加速される。これに対し、b=c
ではωは時間と共に減少し、「方向と共に負のθ方向に
加速される。
時刻T2で発生させるとモータ3の回転数は第2図(b
)の時間特性を示す。即ち、モータ3の回転数はミキサ
ー22の出力に比例するから、ω=ω。+△ω争sin
ωc拳T (+ )ここで、△ωは上記信号振
幅已に比例する回転数である。同図(b)のa=bでは
ωは時間と共に増大するため、第1図のウェハIはr方
向と共に正のθ方向に加速される。これに対し、b=c
ではωは時間と共に減少し、「方向と共に負のθ方向に
加速される。
従って、上記方法でウェハ1を回転させると同時に仕切
り弁14を開いてノズル13でレノストを塗布すればウ
ェハl上のレノストはr方向と共に0方向にも流動し、
第4図のバタン46またはバタン47も正常に形成でき
る。
り弁14を開いてノズル13でレノストを塗布すればウ
ェハl上のレノストはr方向と共に0方向にも流動し、
第4図のバタン46またはバタン47も正常に形成でき
る。
なお、本発明は上記実施例の他、レノストの平坦化が要
求される多層レジスト工程やエッチバック工程等にも適
用できることはいうまでもない。
求される多層レジスト工程やエッチバック工程等にも適
用できることはいうまでもない。
「発明の効果」
以上説明したように本発明を用いれば、バタン表面形状
に依存することなくウェハ上にレジストを平坦に塗布で
きるため高精度なバタン形成が実現できるとJ(にLS
I製造における歩留りの向上に寄与できる。
に依存することなくウェハ上にレジストを平坦に塗布で
きるため高精度なバタン形成が実現できるとJ(にLS
I製造における歩留りの向上に寄与できる。
第1図は本発明の一実施例として示したレジスト塗布装
置の概略構成図、第2図(a) 、 (b)は第1図に
示すレジスト塗布装置の動作原理を示す説明図、第3図
は従来のレジスト塗布装置の概略構成図、第4図、第5
図(a)〜(d)、第6図(a)〜(d)はいずれら第
3図に示すレジスト塗布装置の問題点を説明するための
説明図である。 ・・軸受け、8.9 ・・・真空パイプ、 トキャニスタ、 15.16,18 1・・・・・・信号源、 23.24・・・・・・信号線、10・・・11・・・
・・・ホース、12・・・・・・レジス13・・・・・
・ノズル、14・・・・・・仕切弁、・・・・・パイプ
、17・・・・・減圧弁、222・・・・・ミキサー
置の概略構成図、第2図(a) 、 (b)は第1図に
示すレジスト塗布装置の動作原理を示す説明図、第3図
は従来のレジスト塗布装置の概略構成図、第4図、第5
図(a)〜(d)、第6図(a)〜(d)はいずれら第
3図に示すレジスト塗布装置の問題点を説明するための
説明図である。 ・・軸受け、8.9 ・・・真空パイプ、 トキャニスタ、 15.16,18 1・・・・・・信号源、 23.24・・・・・・信号線、10・・・11・・・
・・・ホース、12・・・・・・レジス13・・・・・
・ノズル、14・・・・・・仕切弁、・・・・・パイプ
、17・・・・・減圧弁、222・・・・・ミキサー
Claims (1)
- ウェハを固定する手段と、ウェハの中心を通りかつウェ
ハ面と直交する直線を回転軸としてウェハを回転させる
手段と、ウェハの回転数を一定の周期で増減させる手段
及びウェハ表面にレジスト溶液を滴下する手段を有する
ことを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14935088A JPH022611A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14935088A JPH022611A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH022611A true JPH022611A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15473202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14935088A Pending JPH022611A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH022611A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5134781A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-04 | Baker Stephen H | Geometric simulator for coordinate measuring machine |
US5685944A (en) * | 1994-04-28 | 1997-11-11 | Fujicopian Co., Ltd. | Film transfer apparatus and a film transfer roller used therein |
JP2008251810A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP14935088A patent/JPH022611A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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