JPS5864027A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS5864027A JPS5864027A JP16308581A JP16308581A JPS5864027A JP S5864027 A JPS5864027 A JP S5864027A JP 16308581 A JP16308581 A JP 16308581A JP 16308581 A JP16308581 A JP 16308581A JP S5864027 A JPS5864027 A JP S5864027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- semiconductor substrate
- coating device
- solvent
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体製造におけるフォトレジスト工程の塗
布工程に使用される半導体製造装置に関するものである
。
布工程に使用される半導体製造装置に関するものである
。
従来、フォトレジスト工程の半導体基板表面に均一なフ
ォトレジスト薄膜を“形成する塗布工程で使用される装
置は、半導体基板を回転軸の中央に固定しその上に７オ
トレジストを滴下口より適量滴下し、その後高速回転を
行って半導体基板上に均一なフォトレジスト薄膜を形成
し、高速回転により飛ばされた余分なフォトレジストは
回転軸より下方部に設けられた排出口よシダクトで吸引
する事により排出してい九が、フォトレジストの粘度が
高いため、完全に社排出口に接続されている排出タンク
までは到達ぜず、排出口ホースの途中に蓄積し排出口を
ふさぎダクトが弱くなシ、半導体基板表面に７オトレジ
スト膜のムラ、ゴ々ナトの悪影響を与え歩留低下の一因
となっていた。
ォトレジスト薄膜を“形成する塗布工程で使用される装
置は、半導体基板を回転軸の中央に固定しその上に７オ
トレジストを滴下口より適量滴下し、その後高速回転を
行って半導体基板上に均一なフォトレジスト薄膜を形成
し、高速回転により飛ばされた余分なフォトレジストは
回転軸より下方部に設けられた排出口よシダクトで吸引
する事により排出してい九が、フォトレジストの粘度が
高いため、完全に社排出口に接続されている排出タンク
までは到達ぜず、排出口ホースの途中に蓄積し排出口を
ふさぎダクトが弱くなシ、半導体基板表面に７オトレジ
スト膜のムラ、ゴ々ナトの悪影響を与え歩留低下の一因
となっていた。
この発明の目的は、塗布工程においてフォトレジストの
排出口への蓄積を防止し半導体基板上直に悪影響を与え
ない半導体製造装置を提供する事にある。
排出口への蓄積を防止し半導体基板上直に悪影響を与え
ない半導体製造装置を提供する事にある。
この発明の半導体製造装置は例えば半導体基板表面に７
オトレジストを滴下口より一量滴下し、当該基板を高速
回転し均一なフォトレジスト膜を形成する半導体製造工
程の塗布工程において、塗布装置内部にフォトレジスト
を溶解する溶剤を外部よりポンプあるいは他の装置を介
して塗布装置内部に設けられたノズルより断続的に噴出
させる構造を有する事である。
オトレジストを滴下口より一量滴下し、当該基板を高速
回転し均一なフォトレジスト膜を形成する半導体製造工
程の塗布工程において、塗布装置内部にフォトレジスト
を溶解する溶剤を外部よりポンプあるいは他の装置を介
して塗布装置内部に設けられたノズルより断続的に噴出
させる構造を有する事である。
次にこの発明の実施例につき図面を用いて説明する。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための半導体製
造装置の断面図である。この実施例の塗布工程に使用さ
れる半導体製造装置は、半導体基板ｌを固定する回転軸
２と半導体基板１の表面にフォトレジストを適量滴下す
る滴下口３ｔ−有し、フォトレジストを半導体基板１表
面に適量滴下した後、回転軸２を高速回転することによ
り半導体基板１の表面に均一なフォトレジスト薄膜を形
成した後、高速回転時に飛ばされた余分なフォトレジス
トを排出する部分４と該排出口に７オトレジストが蓄積
しない様に７オトレジストを溶解する溶剤を装置外部よ
りポンプあるいは他の装置８ｔ−介して断続的に噴出す
るノズル７′ｆｔＮする装置である０即ち、位置決めさ
れた半導体基板１が塗布装置内に入ると回転軸２があが
り半導体基板１を固定し塗布装置の上カップ５又は下カ
ップ６が一移動して密閉した空間を作り塗布装置の上部
に設けられたフォトレジスト滴下口５よｐ半導体基板１
の表面へ適量滴下しその後高速回転によって所望の７オ
トレジスト膜を形成する。この際、半導体基板ｌの表面
に滴下され九７オトレジストは所望の膜厚分以外は高速
回転によって塗布ｉ置内部に飛ばされ７声トレジスト排
出口４より、ダクトにより吸引され排液タンクへと運ば
れる。しかし、レジストが高粘度の場合排液タンクまで
到達せず、塗布装置内部に付着したり排出口６の途中に
付着しダクトの吸引量を弱くシ、高速回転時に飛ばされ
たフォトレジストが半導体基板１の表面に付着したりし
フォトレジスト膜厚ムラ、ゴオなどの悪影響を与えてい
たすするが、この実施例によれば装置外部より７オトレ
ジストを溶解する溶剤全ポンプ又は他の装置８を介して
、塗布機内に設けられ九ノズルより断続的に噴出しフォ
トレジストを溶解し、その粘度を低くし排出口より、す
みやかに排出口のつｔ！ｌｌを防止し、常時安定したダ
クト吸引量を保ち、ダクト代引量低下による半導体基板
表面への悪影響がなくな９襄品の歩留向上に貢献できる
し、カップの洗浄頻度も１回７日より１回／週へ延長が
できる〇 上述の実施例において、溶剤を噴出するノズルが回転軸
の下部分に設けられているが、排出口の途中に設置した
としても、カップの洗浄頻度は従来と変わらないが、ダ
クト吸引量の低下を防止でき、同様の効果が得られるの
は言うまでもない。
造装置の断面図である。この実施例の塗布工程に使用さ
れる半導体製造装置は、半導体基板ｌを固定する回転軸
２と半導体基板１の表面にフォトレジストを適量滴下す
る滴下口３ｔ−有し、フォトレジストを半導体基板１表
面に適量滴下した後、回転軸２を高速回転することによ
り半導体基板１の表面に均一なフォトレジスト薄膜を形
成した後、高速回転時に飛ばされた余分なフォトレジス
トを排出する部分４と該排出口に７オトレジストが蓄積
しない様に７オトレジストを溶解する溶剤を装置外部よ
りポンプあるいは他の装置８ｔ−介して断続的に噴出す
るノズル７′ｆｔＮする装置である０即ち、位置決めさ
れた半導体基板１が塗布装置内に入ると回転軸２があが
り半導体基板１を固定し塗布装置の上カップ５又は下カ
ップ６が一移動して密閉した空間を作り塗布装置の上部
に設けられたフォトレジスト滴下口５よｐ半導体基板１
の表面へ適量滴下しその後高速回転によって所望の７オ
トレジスト膜を形成する。この際、半導体基板ｌの表面
に滴下され九７オトレジストは所望の膜厚分以外は高速
回転によって塗布ｉ置内部に飛ばされ７声トレジスト排
出口４より、ダクトにより吸引され排液タンクへと運ば
れる。しかし、レジストが高粘度の場合排液タンクまで
到達せず、塗布装置内部に付着したり排出口６の途中に
付着しダクトの吸引量を弱くシ、高速回転時に飛ばされ
たフォトレジストが半導体基板１の表面に付着したりし
フォトレジスト膜厚ムラ、ゴオなどの悪影響を与えてい
たすするが、この実施例によれば装置外部より７オトレ
ジストを溶解する溶剤全ポンプ又は他の装置８を介して
、塗布機内に設けられ九ノズルより断続的に噴出しフォ
トレジストを溶解し、その粘度を低くし排出口より、す
みやかに排出口のつｔ！ｌｌを防止し、常時安定したダ
クト吸引量を保ち、ダクト代引量低下による半導体基板
表面への悪影響がなくな９襄品の歩留向上に貢献できる
し、カップの洗浄頻度も１回７日より１回／週へ延長が
できる〇 上述の実施例において、溶剤を噴出するノズルが回転軸
の下部分に設けられているが、排出口の途中に設置した
としても、カップの洗浄頻度は従来と変わらないが、ダ
クト吸引量の低下を防止でき、同様の効果が得られるの
は言うまでもない。
第１図は本発明の実施例を示す半導体製造装置の断面図
である。 岡１図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・
・・・回転軸、３・・・・・・滴下口、４・・・・・・
フォトレジスト排出口、５・・・・・・上カップ、６・
・川・下カップ、７・・・・・ノズル、８・・・・・・
ポンプ又は他の装置、９・・・・・・溶剤入寮
である。 岡１図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・
・・・回転軸、３・・・・・・滴下口、４・・・・・・
フォトレジスト排出口、５・・・・・・上カップ、６・
・川・下カップ、７・・・・・ノズル、８・・・・・・
ポンプ又は他の装置、９・・・・・・溶剤入寮
Claims (1)
- 半導体基板表面に７オトレジストを適重滴下し、当該基
板を高速回転し均一な７オトレジスト膜を形成する半導
体製造工程の７オトレジストエ程における塗布工程に使
用される塗布装置において、塗布装置の内部にフォトレ
ジストを溶解する溶剤を外部より、ポンプあるいは他の
装置を介して装置内部に設けられたノズルより継続的に
積出させる構造を有する半導体製造装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16308581A JPS5864027A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16308581A JPS5864027A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864027A true JPS5864027A (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=15766893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16308581A Pending JPS5864027A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864027A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189937A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPS61283126A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-12-13 | マシン テクノロジ− インコ−ポレイテツド | 処理ステ−シヨン内壁の洗浄方法と装置 |
| JPS62221464A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 回転塗布用真空吸着台 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123172A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS52144277A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing device of semiconductor |
| JPS5654435A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photosensitive resin coating method |
-
1981
- 1981-10-13 JP JP16308581A patent/JPS5864027A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123172A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS52144277A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing device of semiconductor |
| JPS5654435A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photosensitive resin coating method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189937A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPS61283126A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-12-13 | マシン テクノロジ− インコ−ポレイテツド | 処理ステ−シヨン内壁の洗浄方法と装置 |
| JPS62221464A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 回転塗布用真空吸着台 |
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