JPS614229A - レジスト塗布装置 - Google Patents

レジスト塗布装置

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Publication number
JPS614229A
JPS614229A JP12494284A JP12494284A JPS614229A JP S614229 A JPS614229 A JP S614229A JP 12494284 A JP12494284 A JP 12494284A JP 12494284 A JP12494284 A JP 12494284A JP S614229 A JPS614229 A JP S614229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
wafer
gas
peripheral portion
coated
Prior art date
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Pending
Application number
JP12494284A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Goto
祐二 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12494284A priority Critical patent/JPS614229A/ja
Publication of JPS614229A publication Critical patent/JPS614229A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はレジスト塗布装置に関するもので、特に半導体
装置のウェーハプロセスに使用されるものである。
(発明の技術的背景) 半導体装置の製造においては所定のパターンを形成する
のに写真食刻技術が使用される。すなわち、半導体基板
(ウェーハ)上に感光材料であるレジストを均一厚さに
塗布し、これに所定パターンを有するマスクを使用して
露光し、露光により性質の変化したレジスト部分を除去
あるいは残留さゼ、残留部分をエツチングマスクとして
その下部の基板等をエツチングする工程をくり返す。こ
のため、ウェーハ全面で同一品質の集積回路チップを得
るためには、つ■−ハ全面で均一な厚さのレジスト塗布
が行われる必要がある。
この目的で第2図に示すレジスト塗布装置が使用される
第2図は従来のレジスト塗布装置の構成を示す正面図で
あって、回転軸1により駆動される回転台2の上にはレ
ジストが塗布されるウェーハ10が例えば真空チャッキ
ングにより固着されており、回転台2の回転に伴って回
転する。これらの上方にはレジスト滴下用ノズル3がそ
の中心と回転中心とを一致させて設けられ、さらに上方
にはつ工−ハ10の周辺部に対してシンナを噴射するた
めのノズル4が設けられている。
このようなレジスト塗布装「ノの作用は次のとおりであ
る。まず、回転台2上にレジス1〜を塗布゛するウェー
ハ10を中心を一致させてヒツトシ、真空チャッキング
装置(図示せず)の駆動により強固に固定する。次にレ
ジスト滴下用ノズル3からレジストを少醋滴下し、回転
台2を回転軸1を介して高速回転させると、レジストは
遠心力によってウェーハ全面に拡散し、ウェーハ10の
表面に薄いレジスト膜11が形成される。また、レジス
トが過剰に供給されると過剰レジメ1〜は遠心力により
ウェーハ10の周辺部に蓄積J°る。この結果、ウェー
ハ周辺部のレジスト厚は中心部J:りも厚く−なり、ウ
ェーハ内でのレジスト玲の均一性が損われる。また、ウ
ェーハ周辺部は各種のハンドリングに用いられるため、
レジストが付着していない方が望ましく、さらに寸法的
にも周辺部では完全なチップを取り山号ことができない
ためレジストが塗布されている必要はない。
このため、レジストを塗布したウェーハ10の周辺部に
シンナ噴射ノズル4からシンナを噴射し、周辺部に伺着
しlこレジストを溶解して除去する。
除去されたレジストはウェーハ周囲に形成されたカバー
、ダクト等より成る回収装置(図示せず)により回収さ
れる。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、このようなレジスト塗布装置ではウェー
ハ周辺部のレジストをシンナによって溶解除去するよう
にしているので、シンナが飛散してウェーハ中央部にも
付着することがあり、この結果飛散したシンナがレジス
トを溶解し、レジスト塗布厚の均−竹を損うという問題
がある。またシンナは人体に有害であるから、その回収
および管理を十分に行わなければならず、さらに換気や
回収のための設備を必要とする。また、高価なシンナが
大量に使用されるため、間接材料費が多くなり製品のコ
ストアップを招いている。ざらに、シンナによる溶解除
去では第2図にJ3tJるレジスト除去幅fJ1の制御
が困難であり、レジメ1−の必要な部分で除去されてし
まう欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされ1=もので、周辺部を
除くウェーハ面でレジスト塗布厚の均一性を達成するこ
とができ、煩9ft ’ニア管理等が不要でしかもコス
トアップを招くことのないレジスト塗布装置を提供する
ことを目的どする。
〔発明の概要〕
上記目的達成のため、本発明においては、レジストを塗
布すべきウェーハを固着jノで回転さぼる回転台と、前
記ウェーハの回転中心にレジストを滴下するレジスト滴
下ノズルと、前記つJ−ハの周辺部に対し、ウェーハ外
方へ向かうガス流を与えるガス噴射ノズルとを備えてお
り、ウェーハ周辺部に蓄積したレジストをガスで飛散さ
けるため、低順なコストでつI−ハ周辺部のレジストを
除去し、他の部分は均一な塗布厚を得ることができるも
のぐある。
〔発明の実施例〕
以下、第1図を参照しながら本発明の一実施例を詳細に
説明する。
第1図(a)tよ本発明にかかるレジスト塗布装置の構
成を示す正面図であって、回転軸1により駆動される回
転台2の上にレジストが塗布されるウェーハが真空チャ
ッキングにより固定される。
ウェーハ中心の上方にはレジスト滴下用ノズル3が設け
られ、さらにその上方に2つのガス噴射ノズル5が設け
られている。このガス噴射ノズル5の先端はウェーハ1
0の周辺部に対し、中心部から外方に向う細く絞ったガ
ス流を与えるように設置される。このガス流の延長方向
には飛散したレジストを吸引するダクト6が設りられて
いる。
このレジスト塗布装置を使用する際にはますウェーハ1
0を回転台2に固着し、レジスト滴下用ノズル3よりレ
ジストを滴下した後回転台2を回転軸1を介して高速回
転させると、レジストはつ工−ハ10全面に拡散してレ
ジスト膜11が形成される。ここでガス噴射ノズル5J
、リウェーハの中心から外方へ向うガス流をつ1−ハ1
0の周辺部に噴射させると、ウェーハ10の周辺部に蓄
積されたレジスト膜は飛散し、吸引状態にあるレジスト
回収ダクト6の中に吸引される。これにJ:す、ウェー
ハ10の周辺部のレジストは除去される。
このガスとしてはあらゆる気体を使用できるがレジスト
と反応するおそれの少ない不活性ガスの使用が望ましく
、特に安価な窒素ガスは好適Cある。
また〃ス流量および圧力についてはレジストを除去すべ
き面積おにびレジストの粘性等の物理的r1質を勘案し
て適宜室めることができる。
このようなガス噴射ノズルを使用1ノにレジメ1−除去
においてはガスが吹き付けられたレジストのみに機械的
圧力を与えるため、つI−ハ中央部に塗布されたレジス
トには何ら悪影響を及ぼさず、また、除去部分を精密に
制御することが可能であるため除去幅、Q 2は従来の
シンナを使用するレジスト塗布装置の場合と比較して必
要最小限の大きさに正確に合わせることができる。
以上の実施例においては除去したレジストを回収するダ
クトをガス噴射ノズル延長方向に設(プているが、除去
レジストを有効に回収できるものであればその構造を問
うものではない。
また、ガス噴射ノズルはレジストを除去すべきウェーハ
の大ぎさやレジストの性質に応じて自由に噴射方向を変
更できるように設計されていることが望ましいが、特定
の大きさのウェーハに対する専用機では固定型であって
もよい。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明にかかるレジスト塗布装置におい
てはウェーハ周辺部のレジストをウェーハ外方へ向うガ
ス流により飛散させるためのガス噴射ノズルを備えてい
るので、ウェーハ周辺部のみ正確かつ完全に除去され、
それ以外の部分では均一かつ欠陥のないレジスト塗布を
達成することができる。
また、シンナを用いないため、取扱いおよび管理が容易
となり、しかもランニングコストが低価格となって製品
価格を低下−させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明にかかるレジスト塗布装置の構成
を示す正面図、第1図(b)は塗布すべきつ■−ハ上方
から第1図(−a)の装置を見た様子を示す平面図、第
2図は従来のレジスト塗布装置の構成を示す正面図であ
る。 1・・・回転軸、2・・・回転台、3・・・レジスト滴
下用ノズル、4・・・シンナ噴射ノズル、5・・・ガス
噴射ノズル、6・・・レジスト回収ダクト、1o・・・
ウェーハ、11・・・レジスト膜。 出願人代理人  猪  股     清51 図 52 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レジストを塗布すべきウェーハを固着して回転させ
    る回転台と、前記ウェーハの回転中心にレジストを滴下
    するレジスト滴下ノズルと、前記ウェーハの周辺部に対
    し、ウェーハ外方へ向かうガス流を与えるガス噴射ノズ
    ルとを備えたレジスト塗布装置。 2、ガスが不活性ガスである特許請求の範囲第1項記載
    のレジスト塗布装置。 3、不活性ガスが窒素ガスである特許請求の範囲第2項
    記載のレジスト塗布装置。
JP12494284A 1984-06-18 1984-06-18 レジスト塗布装置 Pending JPS614229A (ja)

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JP12494284A JPS614229A (ja) 1984-06-18 1984-06-18 レジスト塗布装置

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JP12494284A JPS614229A (ja) 1984-06-18 1984-06-18 レジスト塗布装置

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Publication Number Publication Date
JPS614229A true JPS614229A (ja) 1986-01-10

Family

ID=14898004

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JP12494284A Pending JPS614229A (ja) 1984-06-18 1984-06-18 レジスト塗布装置

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JP (1) JPS614229A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013026520A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2015179854A (ja) * 2015-05-07 2015-10-08 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013026520A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2015179854A (ja) * 2015-05-07 2015-10-08 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

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