JPS614229A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS614229A JPS614229A JP12494284A JP12494284A JPS614229A JP S614229 A JPS614229 A JP S614229A JP 12494284 A JP12494284 A JP 12494284A JP 12494284 A JP12494284 A JP 12494284A JP S614229 A JPS614229 A JP S614229A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- gas
- peripheral portion
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレジスト塗布装置に関するもので、特に半導体
装置のウェーハプロセスに使用されるものである。
装置のウェーハプロセスに使用されるものである。
(発明の技術的背景)
半導体装置の製造においては所定のパターンを形成する
のに写真食刻技術が使用される。すなわち、半導体基板
(ウェーハ)上に感光材料であるレジストを均一厚さに
塗布し、これに所定パターンを有するマスクを使用して
露光し、露光により性質の変化したレジスト部分を除去
あるいは残留さゼ、残留部分をエツチングマスクとして
その下部の基板等をエツチングする工程をくり返す。こ
のため、ウェーハ全面で同一品質の集積回路チップを得
るためには、つ■−ハ全面で均一な厚さのレジスト塗布
が行われる必要がある。
のに写真食刻技術が使用される。すなわち、半導体基板
(ウェーハ)上に感光材料であるレジストを均一厚さに
塗布し、これに所定パターンを有するマスクを使用して
露光し、露光により性質の変化したレジスト部分を除去
あるいは残留さゼ、残留部分をエツチングマスクとして
その下部の基板等をエツチングする工程をくり返す。こ
のため、ウェーハ全面で同一品質の集積回路チップを得
るためには、つ■−ハ全面で均一な厚さのレジスト塗布
が行われる必要がある。
この目的で第2図に示すレジスト塗布装置が使用される
。
。
第2図は従来のレジスト塗布装置の構成を示す正面図で
あって、回転軸1により駆動される回転台2の上にはレ
ジストが塗布されるウェーハ10が例えば真空チャッキ
ングにより固着されており、回転台2の回転に伴って回
転する。これらの上方にはレジスト滴下用ノズル3がそ
の中心と回転中心とを一致させて設けられ、さらに上方
にはつ工−ハ10の周辺部に対してシンナを噴射するた
めのノズル4が設けられている。
あって、回転軸1により駆動される回転台2の上にはレ
ジストが塗布されるウェーハ10が例えば真空チャッキ
ングにより固着されており、回転台2の回転に伴って回
転する。これらの上方にはレジスト滴下用ノズル3がそ
の中心と回転中心とを一致させて設けられ、さらに上方
にはつ工−ハ10の周辺部に対してシンナを噴射するた
めのノズル4が設けられている。
このようなレジスト塗布装「ノの作用は次のとおりであ
る。まず、回転台2上にレジス1〜を塗布゛するウェー
ハ10を中心を一致させてヒツトシ、真空チャッキング
装置(図示せず)の駆動により強固に固定する。次にレ
ジスト滴下用ノズル3からレジストを少醋滴下し、回転
台2を回転軸1を介して高速回転させると、レジストは
遠心力によってウェーハ全面に拡散し、ウェーハ10の
表面に薄いレジスト膜11が形成される。また、レジス
トが過剰に供給されると過剰レジメ1〜は遠心力により
ウェーハ10の周辺部に蓄積J°る。この結果、ウェー
ハ周辺部のレジスト厚は中心部J:りも厚く−なり、ウ
ェーハ内でのレジスト玲の均一性が損われる。また、ウ
ェーハ周辺部は各種のハンドリングに用いられるため、
レジストが付着していない方が望ましく、さらに寸法的
にも周辺部では完全なチップを取り山号ことができない
ためレジストが塗布されている必要はない。
る。まず、回転台2上にレジス1〜を塗布゛するウェー
ハ10を中心を一致させてヒツトシ、真空チャッキング
装置(図示せず)の駆動により強固に固定する。次にレ
ジスト滴下用ノズル3からレジストを少醋滴下し、回転
台2を回転軸1を介して高速回転させると、レジストは
遠心力によってウェーハ全面に拡散し、ウェーハ10の
表面に薄いレジスト膜11が形成される。また、レジス
トが過剰に供給されると過剰レジメ1〜は遠心力により
ウェーハ10の周辺部に蓄積J°る。この結果、ウェー
ハ周辺部のレジスト厚は中心部J:りも厚く−なり、ウ
ェーハ内でのレジスト玲の均一性が損われる。また、ウ
ェーハ周辺部は各種のハンドリングに用いられるため、
レジストが付着していない方が望ましく、さらに寸法的
にも周辺部では完全なチップを取り山号ことができない
ためレジストが塗布されている必要はない。
このため、レジストを塗布したウェーハ10の周辺部に
シンナ噴射ノズル4からシンナを噴射し、周辺部に伺着
しlこレジストを溶解して除去する。
シンナ噴射ノズル4からシンナを噴射し、周辺部に伺着
しlこレジストを溶解して除去する。
除去されたレジストはウェーハ周囲に形成されたカバー
、ダクト等より成る回収装置(図示せず)により回収さ
れる。
、ダクト等より成る回収装置(図示せず)により回収さ
れる。
しかしながら、このようなレジスト塗布装置ではウェー
ハ周辺部のレジストをシンナによって溶解除去するよう
にしているので、シンナが飛散してウェーハ中央部にも
付着することがあり、この結果飛散したシンナがレジス
トを溶解し、レジスト塗布厚の均−竹を損うという問題
がある。またシンナは人体に有害であるから、その回収
および管理を十分に行わなければならず、さらに換気や
回収のための設備を必要とする。また、高価なシンナが
大量に使用されるため、間接材料費が多くなり製品のコ
ストアップを招いている。ざらに、シンナによる溶解除
去では第2図にJ3tJるレジスト除去幅fJ1の制御
が困難であり、レジメ1−の必要な部分で除去されてし
まう欠点がある。
ハ周辺部のレジストをシンナによって溶解除去するよう
にしているので、シンナが飛散してウェーハ中央部にも
付着することがあり、この結果飛散したシンナがレジス
トを溶解し、レジスト塗布厚の均−竹を損うという問題
がある。またシンナは人体に有害であるから、その回収
および管理を十分に行わなければならず、さらに換気や
回収のための設備を必要とする。また、高価なシンナが
大量に使用されるため、間接材料費が多くなり製品のコ
ストアップを招いている。ざらに、シンナによる溶解除
去では第2図にJ3tJるレジスト除去幅fJ1の制御
が困難であり、レジメ1−の必要な部分で除去されてし
まう欠点がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされ1=もので、周辺部を
除くウェーハ面でレジスト塗布厚の均一性を達成するこ
とができ、煩9ft ’ニア管理等が不要でしかもコス
トアップを招くことのないレジスト塗布装置を提供する
ことを目的どする。
除くウェーハ面でレジスト塗布厚の均一性を達成するこ
とができ、煩9ft ’ニア管理等が不要でしかもコス
トアップを招くことのないレジスト塗布装置を提供する
ことを目的どする。
上記目的達成のため、本発明においては、レジストを塗
布すべきウェーハを固着jノで回転さぼる回転台と、前
記ウェーハの回転中心にレジストを滴下するレジスト滴
下ノズルと、前記つJ−ハの周辺部に対し、ウェーハ外
方へ向かうガス流を与えるガス噴射ノズルとを備えてお
り、ウェーハ周辺部に蓄積したレジストをガスで飛散さ
けるため、低順なコストでつI−ハ周辺部のレジストを
除去し、他の部分は均一な塗布厚を得ることができるも
のぐある。
布すべきウェーハを固着jノで回転さぼる回転台と、前
記ウェーハの回転中心にレジストを滴下するレジスト滴
下ノズルと、前記つJ−ハの周辺部に対し、ウェーハ外
方へ向かうガス流を与えるガス噴射ノズルとを備えてお
り、ウェーハ周辺部に蓄積したレジストをガスで飛散さ
けるため、低順なコストでつI−ハ周辺部のレジストを
除去し、他の部分は均一な塗布厚を得ることができるも
のぐある。
以下、第1図を参照しながら本発明の一実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第1図(a)tよ本発明にかかるレジスト塗布装置の構
成を示す正面図であって、回転軸1により駆動される回
転台2の上にレジストが塗布されるウェーハが真空チャ
ッキングにより固定される。
成を示す正面図であって、回転軸1により駆動される回
転台2の上にレジストが塗布されるウェーハが真空チャ
ッキングにより固定される。
ウェーハ中心の上方にはレジスト滴下用ノズル3が設け
られ、さらにその上方に2つのガス噴射ノズル5が設け
られている。このガス噴射ノズル5の先端はウェーハ1
0の周辺部に対し、中心部から外方に向う細く絞ったガ
ス流を与えるように設置される。このガス流の延長方向
には飛散したレジストを吸引するダクト6が設りられて
いる。
られ、さらにその上方に2つのガス噴射ノズル5が設け
られている。このガス噴射ノズル5の先端はウェーハ1
0の周辺部に対し、中心部から外方に向う細く絞ったガ
ス流を与えるように設置される。このガス流の延長方向
には飛散したレジストを吸引するダクト6が設りられて
いる。
このレジスト塗布装置を使用する際にはますウェーハ1
0を回転台2に固着し、レジスト滴下用ノズル3よりレ
ジストを滴下した後回転台2を回転軸1を介して高速回
転させると、レジストはつ工−ハ10全面に拡散してレ
ジスト膜11が形成される。ここでガス噴射ノズル5J
、リウェーハの中心から外方へ向うガス流をつ1−ハ1
0の周辺部に噴射させると、ウェーハ10の周辺部に蓄
積されたレジスト膜は飛散し、吸引状態にあるレジスト
回収ダクト6の中に吸引される。これにJ:す、ウェー
ハ10の周辺部のレジストは除去される。
0を回転台2に固着し、レジスト滴下用ノズル3よりレ
ジストを滴下した後回転台2を回転軸1を介して高速回
転させると、レジストはつ工−ハ10全面に拡散してレ
ジスト膜11が形成される。ここでガス噴射ノズル5J
、リウェーハの中心から外方へ向うガス流をつ1−ハ1
0の周辺部に噴射させると、ウェーハ10の周辺部に蓄
積されたレジスト膜は飛散し、吸引状態にあるレジスト
回収ダクト6の中に吸引される。これにJ:す、ウェー
ハ10の周辺部のレジストは除去される。
このガスとしてはあらゆる気体を使用できるがレジスト
と反応するおそれの少ない不活性ガスの使用が望ましく
、特に安価な窒素ガスは好適Cある。
と反応するおそれの少ない不活性ガスの使用が望ましく
、特に安価な窒素ガスは好適Cある。
また〃ス流量および圧力についてはレジストを除去すべ
き面積おにびレジストの粘性等の物理的r1質を勘案し
て適宜室めることができる。
き面積おにびレジストの粘性等の物理的r1質を勘案し
て適宜室めることができる。
このようなガス噴射ノズルを使用1ノにレジメ1−除去
においてはガスが吹き付けられたレジストのみに機械的
圧力を与えるため、つI−ハ中央部に塗布されたレジス
トには何ら悪影響を及ぼさず、また、除去部分を精密に
制御することが可能であるため除去幅、Q 2は従来の
シンナを使用するレジスト塗布装置の場合と比較して必
要最小限の大きさに正確に合わせることができる。
においてはガスが吹き付けられたレジストのみに機械的
圧力を与えるため、つI−ハ中央部に塗布されたレジス
トには何ら悪影響を及ぼさず、また、除去部分を精密に
制御することが可能であるため除去幅、Q 2は従来の
シンナを使用するレジスト塗布装置の場合と比較して必
要最小限の大きさに正確に合わせることができる。
以上の実施例においては除去したレジストを回収するダ
クトをガス噴射ノズル延長方向に設(プているが、除去
レジストを有効に回収できるものであればその構造を問
うものではない。
クトをガス噴射ノズル延長方向に設(プているが、除去
レジストを有効に回収できるものであればその構造を問
うものではない。
また、ガス噴射ノズルはレジストを除去すべきウェーハ
の大ぎさやレジストの性質に応じて自由に噴射方向を変
更できるように設計されていることが望ましいが、特定
の大きさのウェーハに対する専用機では固定型であって
もよい。
の大ぎさやレジストの性質に応じて自由に噴射方向を変
更できるように設計されていることが望ましいが、特定
の大きさのウェーハに対する専用機では固定型であって
もよい。
以上のように、本発明にかかるレジスト塗布装置におい
てはウェーハ周辺部のレジストをウェーハ外方へ向うガ
ス流により飛散させるためのガス噴射ノズルを備えてい
るので、ウェーハ周辺部のみ正確かつ完全に除去され、
それ以外の部分では均一かつ欠陥のないレジスト塗布を
達成することができる。
てはウェーハ周辺部のレジストをウェーハ外方へ向うガ
ス流により飛散させるためのガス噴射ノズルを備えてい
るので、ウェーハ周辺部のみ正確かつ完全に除去され、
それ以外の部分では均一かつ欠陥のないレジスト塗布を
達成することができる。
また、シンナを用いないため、取扱いおよび管理が容易
となり、しかもランニングコストが低価格となって製品
価格を低下−させることができる。
となり、しかもランニングコストが低価格となって製品
価格を低下−させることができる。
第1図(a)は本発明にかかるレジスト塗布装置の構成
を示す正面図、第1図(b)は塗布すべきつ■−ハ上方
から第1図(−a)の装置を見た様子を示す平面図、第
2図は従来のレジスト塗布装置の構成を示す正面図であ
る。 1・・・回転軸、2・・・回転台、3・・・レジスト滴
下用ノズル、4・・・シンナ噴射ノズル、5・・・ガス
噴射ノズル、6・・・レジスト回収ダクト、1o・・・
ウェーハ、11・・・レジスト膜。 出願人代理人 猪 股 清51 図 52 図
を示す正面図、第1図(b)は塗布すべきつ■−ハ上方
から第1図(−a)の装置を見た様子を示す平面図、第
2図は従来のレジスト塗布装置の構成を示す正面図であ
る。 1・・・回転軸、2・・・回転台、3・・・レジスト滴
下用ノズル、4・・・シンナ噴射ノズル、5・・・ガス
噴射ノズル、6・・・レジスト回収ダクト、1o・・・
ウェーハ、11・・・レジスト膜。 出願人代理人 猪 股 清51 図 52 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レジストを塗布すべきウェーハを固着して回転させ
る回転台と、前記ウェーハの回転中心にレジストを滴下
するレジスト滴下ノズルと、前記ウェーハの周辺部に対
し、ウェーハ外方へ向かうガス流を与えるガス噴射ノズ
ルとを備えたレジスト塗布装置。 2、ガスが不活性ガスである特許請求の範囲第1項記載
のレジスト塗布装置。 3、不活性ガスが窒素ガスである特許請求の範囲第2項
記載のレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12494284A JPS614229A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12494284A JPS614229A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS614229A true JPS614229A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14898004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12494284A Pending JPS614229A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS614229A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026520A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2015179854A (ja) * | 2015-05-07 | 2015-10-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP12494284A patent/JPS614229A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026520A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2015179854A (ja) * | 2015-05-07 | 2015-10-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
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