JPS62202582A - 集積型半導体レ−ザ - Google Patents
集積型半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS62202582A JPS62202582A JP20065085A JP20065085A JPS62202582A JP S62202582 A JPS62202582 A JP S62202582A JP 20065085 A JP20065085 A JP 20065085A JP 20065085 A JP20065085 A JP 20065085A JP S62202582 A JPS62202582 A JP S62202582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mode
- active layer
- waveguide
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4037—Edge-emitting structures with active layers in more than one orientation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は集積型半導体レーザ（以下単に集積型レーザ
と記す）に関し、その横モード制御に関するものである
。
と記す）に関し、その横モード制御に関するものである
。
第４図（ａ）は従来の集積型レーザの一例を示したもの
で、これはいわゆる内部ストライプレーザを５個並列配
置した構造となっている。この第４図と類似のレーザは
、電流阻止層が無く導波層を持つ点は異なるが、例えば
文献＾ρｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ。
で、これはいわゆる内部ストライプレーザを５個並列配
置した構造となっている。この第４図と類似のレーザは
、電流阻止層が無く導波層を持つ点は異なるが、例えば
文献＾ρｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ。
４３ ｐｐ、 １０９６−１０９８”に示されている。
図において、１はｐ−ＧａＡｓ基板、２はｎ −ＧａＡ
ｓ電流阻止層、３はｐ −Ａ ｆｆ１ＧａＡｓ下クラッ
ド層、４はｐ−Ａｊ！Ｇａ八Ｓ活性へ、５はｎ−Ａ／！
ＧａＡｓ上クラッド層、６はｎ側電極、７はｐ側電極、
８は電流阻止層２を貫通するストライプ状の溝である。
ｓ電流阻止層、３はｐ −Ａ ｆｆ１ＧａＡｓ下クラッ
ド層、４はｐ−Ａｊ！Ｇａ八Ｓ活性へ、５はｎ−Ａ／！
ＧａＡｓ上クラッド層、６はｎ側電極、７はｐ側電極、
８は電流阻止層２を貫通するストライプ状の溝である。
次に動作について説明する。ｐ電極７に正、ｎ電極６に
負の電圧をかけると、電流はストライプ状の溝８を通っ
て流れ、該溝上の活性層４に注入される。注入を増加す
ると活性層４のうちの溝上部の部分にキャリアの反転分
布が生じ（活性領域）誘導放出による発光が起きる。こ
のようにして生じた光は上記ストライプに沿って導波さ
れ、通常の半導体レーザの場合と同様の増幅・帰還作用
により発振に至る。第４図（ｂｌ、 （Ｃ１は、各々横
方向の等価的屈折率Ｎｅ及び導波光に対する伝搬損失α
を示したもので、これらの分布により５つの溝８上の活
性層４に同等で平行な導波路が形成されている。
負の電圧をかけると、電流はストライプ状の溝８を通っ
て流れ、該溝上の活性層４に注入される。注入を増加す
ると活性層４のうちの溝上部の部分にキャリアの反転分
布が生じ（活性領域）誘導放出による発光が起きる。こ
のようにして生じた光は上記ストライプに沿って導波さ
れ、通常の半導体レーザの場合と同様の増幅・帰還作用
により発振に至る。第４図（ｂｌ、 （Ｃ１は、各々横
方向の等価的屈折率Ｎｅ及び導波光に対する伝搬損失α
を示したもので、これらの分布により５つの溝８上の活
性層４に同等で平行な導波路が形成されている。
ここで問題にしている集積型レーザは、上記の複数の導
波路の導波光の相互作用により、各エレメントが同じ波
長で一定の位相関係を保って発振する位相同期レーザで
ある。このために、各エレメント（ストライプ）の間隔
は数μｍ程度に狭くして光学的結合を図っている。この
種のレーザでは、光のコヒーレンスを保ちつつ、発光郡
全体の面積が増える分だけ高出力化できるという利点が
ある。
波路の導波光の相互作用により、各エレメントが同じ波
長で一定の位相関係を保って発振する位相同期レーザで
ある。このために、各エレメント（ストライプ）の間隔
は数μｍ程度に狭くして光学的結合を図っている。この
種のレーザでは、光のコヒーレンスを保ちつつ、発光郡
全体の面積が増える分だけ高出力化できるという利点が
ある。
従来の集積型レーザは５個のエレメント（導波、路）が
等価に構成されているので、５個存在する集積型レーザ
全体としての固有モード（アレイモード）の伝搬定数の
差が小さく、また全ての導波路が同位相となる基本モー
ドに対するモード利得が必ずしも高くない。このため、
横モードが基本モードに制御されず、出射ビームが双峰
形又は複雑な形となるという欠点があつた。さらに、従
来の構造で高次モードを遮断するには、ストライプの幅
や間隔を１μｍ以下に作る微細加工を必要とするという
問題点があった。
等価に構成されているので、５個存在する集積型レーザ
全体としての固有モード（アレイモード）の伝搬定数の
差が小さく、また全ての導波路が同位相となる基本モー
ドに対するモード利得が必ずしも高くない。このため、
横モードが基本モードに制御されず、出射ビームが双峰
形又は複雑な形となるという欠点があつた。さらに、従
来の構造で高次モードを遮断するには、ストライプの幅
や間隔を１μｍ以下に作る微細加工を必要とするという
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、集積型レーザのアレイモードを基本モードに
制御することによって、出射ビームを水平方向半値幅の
狭い単峰形に制御するとともに、高い光出力の得られる
集積型レーザを得ることを目的とする。
たもので、集積型レーザのアレイモードを基本モードに
制御することによって、出射ビームを水平方向半値幅の
狭い単峰形に制御するとともに、高い光出力の得られる
集積型レーザを得ることを目的とする。
この発明に係る集積型レーザは、導波光に対して吸収・
反射体として働く層と活性層との間隔を、並置されたス
トライプ毎に漸次変化させることにより、各導波路の等
価屈折率Ｎｅ、即ち伝搬定数を変えると共に、等価屈折
率が大きい導波路ほど伝搬損失αが小さくなるようにし
たものである。
反射体として働く層と活性層との間隔を、並置されたス
トライプ毎に漸次変化させることにより、各導波路の等
価屈折率Ｎｅ、即ち伝搬定数を変えると共に、等価屈折
率が大きい導波路ほど伝搬損失αが小さくなるようにし
たものである。
この発明においては、各導波路の単体としての伝搬定数
が異なるため、集積化した場合のアレイモードの各伝搬
定数の差が大きくなり、高次モードが遮断されるストラ
イプ間隔が大きくなる。また、基本モードに対する伝搬
損失が最も小さくなるため、注入電流に差がない場合で
も、基本モードのモード利得が最も大きくなり、発振の
横モードは基本モードに制御される。
が異なるため、集積化した場合のアレイモードの各伝搬
定数の差が大きくなり、高次モードが遮断されるストラ
イプ間隔が大きくなる。また、基本モードに対する伝搬
損失が最も小さくなるため、注入電流に差がない場合で
も、基本モードのモード利得が最も大きくなり、発振の
横モードは基本モードに制御される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、第４図と同一符号は同−又は相当部分を示
す。１１は（１００）面からストライプと直角方向に傾
いた面方位を持ちｐ −ＧａＡｓから成る（ｌ ＯＯ）
オフ基板、１４は５連のストライプ部で電流阻止層２に
対して傾斜して形成され、各導波路における活性領域と
吸収領域（電流阻止層）との間隔が異なるようにした傾
斜活性層である。
図において、第４図と同一符号は同−又は相当部分を示
す。１１は（１００）面からストライプと直角方向に傾
いた面方位を持ちｐ −ＧａＡｓから成る（ｌ ＯＯ）
オフ基板、１４は５連のストライプ部で電流阻止層２に
対して傾斜して形成され、各導波路における活性領域と
吸収領域（電流阻止層）との間隔が異なるようにした傾
斜活性層である。
この構造の具体的実現方法は次の通りである。
第２図（ａ）は（１００）オフ基板１１とストライプ８
の方位関係を示す斜視図である。ｐ −ＧａＡｓ基板１
１と電流阻止層２は、＜１００＞方向からく０１１〉方
向側へ微小角度θ（く５°）だけずれた面を持ち、スト
ライプ８は＜０１１＞方向と直角の＜０１１＞方向に並
行である。同図（ｂｌは、下クラッド層３と傾斜活性層
１４を上記基板■１と電流阻止層２上に液相成長した後
の（０１１）面断面構式図である。特異面である、（１
００）面からずれた面の上にはミクロな段差が存在し、
この段差が＜Ｏｌ １＞方向に移動することによって成
長が起きる。このため、成長層が薄い間はストライプ部
の両側で比較的大きな層厚の差が生じ、結果的に、スト
ライプ部の活性層が傾斜して形成される。なお第２図中
の２１は基板１１の法線を示す。
の方位関係を示す斜視図である。ｐ −ＧａＡｓ基板１
１と電流阻止層２は、＜１００＞方向からく０１１〉方
向側へ微小角度θ（く５°）だけずれた面を持ち、スト
ライプ８は＜０１１＞方向と直角の＜０１１＞方向に並
行である。同図（ｂｌは、下クラッド層３と傾斜活性層
１４を上記基板■１と電流阻止層２上に液相成長した後
の（０１１）面断面構式図である。特異面である、（１
００）面からずれた面の上にはミクロな段差が存在し、
この段差が＜Ｏｌ １＞方向に移動することによって成
長が起きる。このため、成長層が薄い間はストライプ部
の両側で比較的大きな層厚の差が生じ、結果的に、スト
ライプ部の活性層が傾斜して形成される。なお第２図中
の２１は基板１１の法線を示す。
次に作用効果について説明する。電流注入により、スト
ライプ状の溝８上に位置する活性層が活性領域となって
、５個のエレメントが互いに結合しつつ発振する点は、
第４図の従来例の場合と同じである。相違点は各エレメ
ントの等価的屈折率Ｎｅと伝搬損失αであり、第１図（
ｂ）、 （Ｃ）に、第４図に対応して横方向のＮｅ及び
αの分布を示している。ｐ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層
りがある程度薄い（〈１μｍ）範囲では、傾斜活性層１
４が電流阻止層２から遠い程、該層２による吸収・反射
の影響が少ないために、等価的屈折率Ｎｅは大きく伝搬
損失αは小さくなる。第１図（ｂ）、 （Ｃ）の分布の
非対称性はこのような作用に基づいている。従来例のよ
うに各導波路が等価の場合の基本アレイモードは、中央
が最大で左右対称形の光分布となるが、等価的屈折率Ｎ
ｅが高い部分に光が集中する作用により、この実施例の
基本アレイモードは光分布が左側に片寄った形状となり
、かつ同図ｔｃ＋に見るように、左側程伝搬損失αは小
さい。即ち、基本アレイモードに対するモニド利得が、
高次モードに対する利得より大きくなって、集積型レー
ザの横モードは基本モードに制御できる。
ライプ状の溝８上に位置する活性層が活性領域となって
、５個のエレメントが互いに結合しつつ発振する点は、
第４図の従来例の場合と同じである。相違点は各エレメ
ントの等価的屈折率Ｎｅと伝搬損失αであり、第１図（
ｂ）、 （Ｃ）に、第４図に対応して横方向のＮｅ及び
αの分布を示している。ｐ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層
りがある程度薄い（〈１μｍ）範囲では、傾斜活性層１
４が電流阻止層２から遠い程、該層２による吸収・反射
の影響が少ないために、等価的屈折率Ｎｅは大きく伝搬
損失αは小さくなる。第１図（ｂ）、 （Ｃ）の分布の
非対称性はこのような作用に基づいている。従来例のよ
うに各導波路が等価の場合の基本アレイモードは、中央
が最大で左右対称形の光分布となるが、等価的屈折率Ｎ
ｅが高い部分に光が集中する作用により、この実施例の
基本アレイモードは光分布が左側に片寄った形状となり
、かつ同図ｔｃ＋に見るように、左側程伝搬損失αは小
さい。即ち、基本アレイモードに対するモニド利得が、
高次モードに対する利得より大きくなって、集積型レー
ザの横モードは基本モードに制御できる。
従って本実施例では、従来のようにストライプの幅や間
隔を微細加工することなしに、容易に高次モードを遮断
することができる。また基本モード発振が選択されるの
で、水平方向の出射角が非常に狭く、かつ高出力の光ビ
ームが得られる。
隔を微細加工することなしに、容易に高次モードを遮断
することができる。また基本モード発振が選択されるの
で、水平方向の出射角が非常に狭く、かつ高出力の光ビ
ームが得られる。
なお、上記実施例ではｐ−ＧａＡｓ基板として、（１０
０）からずれた面方位のウェハを利用したものを示した
が、第３図で示すように多連ストライプ部の片側が厚い
電流阻止層３２を用いてもよい。この場合も、上記実施
例の場合と同様に、上記構造の上へ液相成長によって下
クラッド層３、活性層１４及び上クラッド層５を順次成
長すれば、ストライプ部上で傾斜した活性層１４を形成
することができ、上記実施例と同様の作用効果を奏する
。
０）からずれた面方位のウェハを利用したものを示した
が、第３図で示すように多連ストライプ部の片側が厚い
電流阻止層３２を用いてもよい。この場合も、上記実施
例の場合と同様に、上記構造の上へ液相成長によって下
クラッド層３、活性層１４及び上クラッド層５を順次成
長すれば、ストライプ部上で傾斜した活性層１４を形成
することができ、上記実施例と同様の作用効果を奏する
。
また、上記各実施例では吸収体として作用する層が電流
阻止層を兼ねている内部ストライプ型レーザの場合につ
いて説明したが、電流阻止の機能を持たないＣＳ Ｐ
（Ｃｈａｎｎｅｌｅｄ−Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ−Ｐｌａｎ
ａｒ）型レーザであってもよく、上記実施例と同様の効
果を奏する。
阻止層を兼ねている内部ストライプ型レーザの場合につ
いて説明したが、電流阻止の機能を持たないＣＳ Ｐ
（Ｃｈａｎｎｅｌｅｄ−Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ−Ｐｌａｎ
ａｒ）型レーザであってもよく、上記実施例と同様の効
果を奏する。
以上のように、この発明に係る集積型半導体レーザによ
れば、各エレメントの等価的屈折率、即ち伝搬定数と、
伝搬損失が相異なるように構成したので、高次の固有モ
ードを遮断しやすく、また、基本モード発振が選択され
るので、水平方向の出射角が非常に狭く、かつ高出力の
光ビームが得られる効果がある。
れば、各エレメントの等価的屈折率、即ち伝搬定数と、
伝搬損失が相異なるように構成したので、高次の固有モ
ードを遮断しやすく、また、基本モード発振が選択され
るので、水平方向の出射角が非常に狭く、かつ高出力の
光ビームが得られる効果がある。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による集積型半導体
レーザの断面正面図、第１図（ｂ）、 （Ｃ）はそれぞ
実施例による集積型半導体レーザの製造法を示す斜視図
、断面正面図、第３図は他の製造法を説明するための断
面正面図、第４図（ａ）は従来例の集積型半導体レーザ
の断面正面図、第４図（ｂ）、 （Ｃ）はそれぞれ該レ
ーザの等価的屈折率分布、伝搬損失の分布を示す図であ
る。 １１・・・（１００）オフ基板、１４・・・傾斜活性層
、２．３２・・・電流阻止層（吸収層）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 等々力 達第１図 （Ｃ） 第２図 （ｂ） 第３図 ３２：πノ、茫ＭＪＩ：看 第４図 手続補正書（自発） 昭和／／年／−２−月ノユ日
レーザの断面正面図、第１図（ｂ）、 （Ｃ）はそれぞ
実施例による集積型半導体レーザの製造法を示す斜視図
、断面正面図、第３図は他の製造法を説明するための断
面正面図、第４図（ａ）は従来例の集積型半導体レーザ
の断面正面図、第４図（ｂ）、 （Ｃ）はそれぞれ該レ
ーザの等価的屈折率分布、伝搬損失の分布を示す図であ
る。 １１・・・（１００）オフ基板、１４・・・傾斜活性層
、２．３２・・・電流阻止層（吸収層）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 等々力 達第１図 （Ｃ） 第２図 （ｂ） 第３図 ３２：πノ、茫ＭＪＩ：看 第４図 手続補正書（自発） 昭和／／年／−２−月ノユ日
Claims (4)
- （１）２つ以上の導波路を隣接して設けた位相同期集積
型半導体レーザにおいて、各導波路は相互に異なる単体
としてみた場合の基本モードに対応する伝搬定数を有し
、かつ伝搬定数が高い導波路ほど低い伝搬損失を持つこ
とを特徴とする集積型半導体レーザ。 - （２）各導波路における活性領域と吸収領域との間隔が
それぞれ異なるよう、活性層が吸収層に対して傾斜して
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の集積型半導体レーザ。 - （３）上記傾斜した活性層は、上記導波路方向を軸とす
る回転方向に、微小角度だけ｛１００｝からずれた面方
位を持つ｛１００｝オフ基板上に液相成長してなるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の集
積型半導体レーザ。 - （４）上記傾斜した活性層は、上記複数の導波路の両側
で層厚差を有する吸収層上に液相成長してなるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の集積型
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60200650A JPH0821749B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 集積型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60200650A JPH0821749B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 集積型半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202582A true JPS62202582A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH0821749B2 JPH0821749B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16427927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60200650A Expired - Lifetime JPH0821749B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 集積型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821749B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11398715B2 (en) * | 2018-02-26 | 2022-07-26 | Panasonic Holdings Corporation | Semiconductor light emitting device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611076A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP60200650A patent/JPH0821749B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611076A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821749B2 (ja) | 1996-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2142665C1 (ru) | Инжекционный лазер | |
| JPS63318188A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| US4792962A (en) | A ring-shaped resonator type semiconductor laser device | |
| JPH0211024B2 (ja) | ||
| JPS62202582A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JP2532449B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2846668B2 (ja) | ブロードエリアレーザ | |
| JPS6257275A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS58225681A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS6362292A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPS5992588A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ | |
| JPH01238082A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH02305487A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6230391A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS6194387A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS60227490A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05206567A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS58207691A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS63300586A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH01282883A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS62213289A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS581556B2 (ja) | モ−ドセイギヨハンドウタイレ−ザ | |
| JPS62159489A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS6261384A (ja) | 高出力半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6130090A (ja) | 半導体レ−ザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |