JPS5992588A - 単一軸モ−ド半導体レ−ザ - Google Patents
単一軸モ−ド半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS5992588A JPS5992588A JP57202670A JP20267082A JPS5992588A JP S5992588 A JPS5992588 A JP S5992588A JP 57202670 A JP57202670 A JP 57202670A JP 20267082 A JP20267082 A JP 20267082A JP S5992588 A JPS5992588 A JP S5992588A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- oscillation
- reflectance
- light guide
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信用等に用いられる単一軸モード発振をす
る単一軸モード発振半導体レーザに関する。
る単一軸モード発振半導体レーザに関する。
通常、臂開面を反射面とする７アプリペロ一共振器半導
体レーザは１発振軸モードが複数本あって安定せずまた
その波長の温度変化が大きいという欠点があり友、この
欠点は臂開面の代りに半導体レーザ内部に周期構造を形
成し分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザあるいは分布ブ
ラッグ反射器型（ＤＢＲ）半導体レーザとすることで解
決しうる。その代りにこれらＤＦＢ半導体レーザやＤＢ
Ｒ半導体レーザでは発振可能温度が高くない９発振閾値
電流が大きい、微分童子効率が小さいなどの問題点があ
った。
体レーザは１発振軸モードが複数本あって安定せずまた
その波長の温度変化が大きいという欠点があり友、この
欠点は臂開面の代りに半導体レーザ内部に周期構造を形
成し分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザあるいは分布ブ
ラッグ反射器型（ＤＢＲ）半導体レーザとすることで解
決しうる。その代りにこれらＤＦＢ半導体レーザやＤＢ
Ｒ半導体レーザでは発振可能温度が高くない９発振閾値
電流が大きい、微分童子効率が小さいなどの問題点があ
った。
従来のＤＢＲ半導体レーザにおける対向する２つの分布
ブラッグ反射器もしくは対向する１つの臂開面と分布ブ
ラッグ反射器との光共振器の構成において、この分布ブ
ラッグ反射器の実効反射率Ｒは１分布ブラッグ反射器の
設けられている光ガイドの結合係数にとその長さＬを用
いて１次式で与えられることが知られている。
ブラッグ反射器もしくは対向する１つの臂開面と分布ブ
ラッグ反射器との光共振器の構成において、この分布ブ
ラッグ反射器の実効反射率Ｒは１分布ブラッグ反射器の
設けられている光ガイドの結合係数にとその長さＬを用
いて１次式で与えられることが知られている。
Ｒ＝ ｔａｎｈ” （ｋＬ ） −・−
・（１）この式によれば、実効反射率１ｔはｋＬが十分
太きければ１に十分近くなるので、ＤＢ几半導体レーザ
はファプリペロー共振器型半導体レーザと同等ないしそ
れ以上の効率を有することが期待されていた。しかし１
発明者の実験的検討によれば１分布ブラッグ反射器の反
射率はＬｉ太キくシてもある程度以上大きくできないこ
とが判明した（結合係数にの方はあまり大きくできない
）、これは分布ブラッグ反射器の不均一性等による散乱
損失や結合係数にのゆらぎの友めと考られ、現状の技術
レベルでは克服困難と考えられる。
・（１）この式によれば、実効反射率１ｔはｋＬが十分
太きければ１に十分近くなるので、ＤＢ几半導体レーザ
はファプリペロー共振器型半導体レーザと同等ないしそ
れ以上の効率を有することが期待されていた。しかし１
発明者の実験的検討によれば１分布ブラッグ反射器の反
射率はＬｉ太キくシてもある程度以上大きくできないこ
とが判明した（結合係数にの方はあまり大きくできない
）、これは分布ブラッグ反射器の不均一性等による散乱
損失や結合係数にのゆらぎの友めと考られ、現状の技術
レベルでは克服困難と考えられる。
本発明の目的は、これらの問題点を解決し５発振可能部
度が高く１発振閾値電流が比較的小さく。
度が高く１発振閾値電流が比較的小さく。
微分量子効率が通常の７アブリペロ一共振器半導体レー
ザ並に大きい単一軸モードレーザを提供することにある
。
ザ並に大きい単一軸モードレーザを提供することにある
。
本発明の単一軸モード半導体レーザけ、半導体ウェーハ
上に成長され少なくとも活性層を含む光増幅複合ガイド
と、この光増幅複合ガイドと光学的に結合されその内部
に導波される光の波長の１の整数倍の周期を有する凹凸
の周期構造を含む分布反射型光ガイドと、前記光増幅複
合ガイドの軸方向にほぼ垂直な境界面に形成され九反射
膜とを含んで構成され、前記分布反射型光ガイドの前記
周期構造の結合係数にと長さＬで定められる実効反射率
Ｔｈ１（ｌから５（ｌの間に定めたことを特徴とする。
上に成長され少なくとも活性層を含む光増幅複合ガイド
と、この光増幅複合ガイドと光学的に結合されその内部
に導波される光の波長の１の整数倍の周期を有する凹凸
の周期構造を含む分布反射型光ガイドと、前記光増幅複
合ガイドの軸方向にほぼ垂直な境界面に形成され九反射
膜とを含んで構成され、前記分布反射型光ガイドの前記
周期構造の結合係数にと長さＬで定められる実効反射率
Ｔｈ１（ｌから５（ｌの間に定めたことを特徴とする。
本発明の発明者は１分布ブラッグ反射器の反射率を小さ
くして使用し代りに対向する１つの伸開面の反射率を上
げることが、ＤＢＲ半導体レーザの効率化に最も有効で
あることを見出した。例えば１分布ブラッグ反射器の反
射率を設計上３０チ。
くして使用し代りに対向する１つの伸開面の反射率を上
げることが、ＤＢＲ半導体レーザの効率化に最も有効で
あることを見出した。例えば１分布ブラッグ反射器の反
射率を設計上３０チ。
対向する伸開面の反射率を１００チとしたＤＢＲ半導体
レーザは１分布ブラッグ反射器の反射率を設計上１００
チ、伸開面の反射率を３０チとした場合よりはるかに良
い特性を示した。本発明の単一軸モード発振半導体レー
ザにおいては、発振可能温度が高く２発振閾値電流が比
較的小さく、微分量子効率が通常のファプリペロー共振
器半導体し−ザ並に大さいという特徴がある。
レーザは１分布ブラッグ反射器の反射率を設計上１００
チ、伸開面の反射率を３０チとした場合よりはるかに良
い特性を示した。本発明の単一軸モード発振半導体レー
ザにおいては、発振可能温度が高く２発振閾値電流が比
較的小さく、微分量子効率が通常のファプリペロー共振
器半導体し−ザ並に大さいという特徴がある。
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例の単一軸モード半導体レーザの
横断面図、第２図は第１図のウエーノ飄高位部分の縦断
面図、第３図は第１図のウエーノ・低位部分の縦断面図
である。（１００）面方位のｎ −ＩｎＰ ウェーハ
５０には高部５１と低部５２とがあり、その上にそれぞ
れ第１の光ガイド層１．第１のクラ゛ツド層２．第２の
光ガイド層３．活性層４、第２のクラッド層５．埋め込
み層６．キャップ層７が順次エピタキシャル成長されて
いる。第１の元ガイド層１は禁止帯波長１．１５μｍの
ｎ −１ｎ Ｏ，８２Ｇ ａ ６．１Ｂ Ａ Ｓ （，
４０Ｐ ６．６０の４元混晶、第１のクラッド層２はｎ
−ＩｎＰ、第２の光ガイド層３は禁止帯波長１．１Ｂ、
ａｍの”−１ｎ ｏ、Ｂ２ Ｇ ｎ ｏ、ｔａ人’ ０
，４０ＰＯ，６０の４元混晶、活性層４は発振波長１．
３０μｍの” ０．７２ ＧａＯ，２１８”０．１１１
ＰＯ，ａｌｌの４元混晶・第２のクラッド層５はｐ−
ＩｎＰ、埋め込み層６はｐ −１ｎ Ｐ。
横断面図、第２図は第１図のウエーノ飄高位部分の縦断
面図、第３図は第１図のウエーノ・低位部分の縦断面図
である。（１００）面方位のｎ −ＩｎＰ ウェーハ
５０には高部５１と低部５２とがあり、その上にそれぞ
れ第１の光ガイド層１．第１のクラ゛ツド層２．第２の
光ガイド層３．活性層４、第２のクラッド層５．埋め込
み層６．キャップ層７が順次エピタキシャル成長されて
いる。第１の元ガイド層１は禁止帯波長１．１５μｍの
ｎ −１ｎ Ｏ，８２Ｇ ａ ６．１Ｂ Ａ Ｓ （，
４０Ｐ ６．６０の４元混晶、第１のクラッド層２はｎ
−ＩｎＰ、第２の光ガイド層３は禁止帯波長１．１Ｂ、
ａｍの”−１ｎ ｏ、Ｂ２ Ｇ ｎ ｏ、ｔａ人’ ０
，４０ＰＯ，６０の４元混晶、活性層４は発振波長１．
３０μｍの” ０．７２ ＧａＯ，２１８”０．１１１
ＰＯ，ａｌｌの４元混晶・第２のクラッド層５はｐ−
ＩｎＰ、埋め込み層６はｐ −１ｎ Ｐ。
キャップ層７は禁止帯波長１゜２０μｍのｐ−１ｎ ｏ
、ｙｓ”０，２２ ＡＳＯ，４８ＰＯ１５２の４元混晶
である。第２の光ガイド層３と活性層４け光増幅複合ガ
イド８を構５− 成する。
、ｙｓ”０，２２ ＡＳＯ，４８ＰＯ１５２の４元混晶
である。第２の光ガイド層３と活性層４け光増幅複合ガ
イド８を構５− 成する。
このウェーハ５０の高部５１には、各層１〜７をエピタ
キシャル成長させる前に、第１の光ガイド層１の内部を
伝搬する光の波長（第１の光ガイド層１０等価屈折率を
”督１ 自由空間の光の波長をλ０としたときλＯ／
ｎ＠ｑ、）の１／２である周期１８６０Ｘ、深さ８００
人の周期構造９０が（ｏＴｘ）方向に形成されている。
キシャル成長させる前に、第１の光ガイド層１の内部を
伝搬する光の波長（第１の光ガイド層１０等価屈折率を
”督１ 自由空間の光の波長をλ０としたときλＯ／
ｎ＠ｑ、）の１／２である周期１８６０Ｘ、深さ８００
人の周期構造９０が（ｏＴｘ）方向に形成されている。
第１の光ガイド層１と第１のクラッド層２０合計の厚み
は高部５１と低部５２との高低差にほぼ等しくしである
ので、第２の光ガイド層３の高さは第１の光ガイド層１
の高さとほぼ等しく、まｔ高部５１から低部５２に変わ
る領域の成長層はう丁いので、第１の光ガイド層１と第
２の光ガイド層３は光学的に高い効率で結合されている
。
は高部５１と低部５２との高低差にほぼ等しくしである
ので、第２の光ガイド層３の高さは第１の光ガイド層１
の高さとほぼ等しく、まｔ高部５１から低部５２に変わ
る領域の成長層はう丁いので、第１の光ガイド層１と第
２の光ガイド層３は光学的に高い効率で結合されている
。
レーザ発振を行うメサストライプ部６０の両脇にはｐ−
ＩｎＰの第１のブロック層９とｎ−ＩｎＰの第２のブロ
ック層１０とが成長されている。キャップ層６の上には
、低部５２の上のメサストライプ部６０の上を除いて絶
縁用の５ｉｓＮａ膜１１が６一 形成され、さらに全面にＴｉ−Ｐｔの正電極１２が形成
されている。このため正電極１２より電流が注入される
と低部５２の上のメサストライプ部６０の活性層４のみ
が励起される。
ＩｎＰの第１のブロック層９とｎ−ＩｎＰの第２のブロ
ック層１０とが成長されている。キャップ層６の上には
、低部５２の上のメサストライプ部６０の上を除いて絶
縁用の５ｉｓＮａ膜１１が６一 形成され、さらに全面にＴｉ−Ｐｔの正電極１２が形成
されている。このため正電極１２より電流が注入される
と低部５２の上のメサストライプ部６０の活性層４のみ
が励起される。
第１．第２の襞間面７０．８０けメサストライプ部６０
と直交する（０１１） 面であり、第１の襞間面７０
には反射率１チ以下の反射防止膜７１゜第２の襞間面８
０には反射率約１００’％の反射膜８１が形成されてい
る。この反射膜８１けＴｉ０ｚと５ｉＯｚとを１／４波
長の厚嘔で交互に多層形成（例えば、１９層）シ友もの
であ凱反射防止膜７１けＳｉＯ’！ｒｌ／４波長の厚さ
で１層形成したものである。周期構造９０の結合係数に
は１３ｃｍｍ”であり、その長さＬが１５０μｍであっ
て、実効反射率は約２０チであった。また、ウェーハ５
０の下側にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉの負電極１３が形成され
ている。
と直交する（０１１） 面であり、第１の襞間面７０
には反射率１チ以下の反射防止膜７１゜第２の襞間面８
０には反射率約１００’％の反射膜８１が形成されてい
る。この反射膜８１けＴｉ０ｚと５ｉＯｚとを１／４波
長の厚嘔で交互に多層形成（例えば、１９層）シ友もの
であ凱反射防止膜７１けＳｉＯ’！ｒｌ／４波長の厚さ
で１層形成したものである。周期構造９０の結合係数に
は１３ｃｍｍ”であり、その長さＬが１５０μｍであっ
て、実効反射率は約２０チであった。また、ウェーハ５
０の下側にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉの負電極１３が形成され
ている。
以上の構成の実施例の動作を説明する。
波長１．３００μｍの光は光増幅複合ガイド８とそれに
結合した第１の光ガイド層１の内會伝搬するが２反射面
８１と周期構造９０とにより共振器が構成されているの
で、電流の注入を増加させると発振を開始する。この周
期構造９０による分布ブラッグ反射器は反射率２０チで
あるので約８０％の光が反射防止膜７１を通って出射す
る。この反射防止膜７１の残留反射率け１チ以下と小さ
いので７アプリペローモードが発振することはシい。
結合した第１の光ガイド層１の内會伝搬するが２反射面
８１と周期構造９０とにより共振器が構成されているの
で、電流の注入を増加させると発振を開始する。この周
期構造９０による分布ブラッグ反射器は反射率２０チで
あるので約８０％の光が反射防止膜７１を通って出射す
る。この反射防止膜７１の残留反射率け１チ以下と小さ
いので７アプリペローモードが発振することはシい。
次にこの実施例の単一軸モード半導体レーザの作製工程
を説明する。まず、ｎ−ＩｎＰウェーハ５０にポジ型ホ
トレジストを塗布し＆Ｈｅ−Ｃｄレーザのａ２５ｏＸの
発振光を約６１°の角度で干渉させる三光束干渉露光法
により＜ｏＴｘ＞方向に沿った周期１８６０Ｘのホトレ
ジストパターンヲ形成し。
を説明する。まず、ｎ−ＩｎＰウェーハ５０にポジ型ホ
トレジストを塗布し＆Ｈｅ−Ｃｄレーザのａ２５ｏＸの
発振光を約６１°の角度で干渉させる三光束干渉露光法
により＜ｏＴｘ＞方向に沿った周期１８６０Ｘのホトレ
ジストパターンヲ形成し。
ついでＨＣＱ、とＨ２Ｏの混合エッチャントによりウェ
ーハ５０に周期構造９０を転写する。次に、ホトリソグ
ラフィーとエツチングにより周期構造９０の格子方向に
そって幅３００ ｆｉｍの溝を２００μｍ間隔で形成し
て低部ｆｓ２ｔ−作る。
ーハ５０に周期構造９０を転写する。次に、ホトリソグ
ラフィーとエツチングにより周期構造９０の格子方向に
そって幅３００ ｆｉｍの溝を２００μｍ間隔で形成し
て低部ｆｓ２ｔ−作る。
次に、第１のガイド層１から第２のクラッド層５までを
成長させ、その後＜０１１＞方向にホトリソグラフィー
とエツチングにより幅約２μｍのメサストライプ６０を
作るように２本の溝をほろ。
成長させ、その後＜０１１＞方向にホトリソグラフィー
とエツチングにより幅約２μｍのメサストライプ６０を
作るように２本の溝をほろ。
次に、再びエピタキシャル成長法により第１．第２のブ
ロック層９．１０．埋め込み層６．中キヤツプ７金成長
させる。正電極１２と負電極１３ｆ：形成した後高部５
１の中央及び低部５２の中央を襞間してバーを作製する
。次にそのバーの高部５１側に反射防止膜７１．低部５
２側に反射膜８１を形−成しｔ後、レーザを１つづつ切
り出して作製が完了する。
ロック層９．１０．埋め込み層６．中キヤツプ７金成長
させる。正電極１２と負電極１３ｆ：形成した後高部５
１の中央及び低部５２の中央を襞間してバーを作製する
。次にそのバーの高部５１側に反射防止膜７１．低部５
２側に反射膜８１を形−成しｔ後、レーザを１つづつ切
り出して作製が完了する。
以上の作製工程において、２本の溝を第１．第２のブロ
ック層で埋め込む工程は電流狭窄と光閉じ込めを達成す
るための手段であり、北村らの特許出願特願昭５６−１
６６６６６号と同一の工程である。
ック層で埋め込む工程は電流狭窄と光閉じ込めを達成す
るための手段であり、北村らの特許出願特願昭５６−１
６６６６６号と同一の工程である。
本発明の単一軸モード発振半導体レーザにおいては、レ
ーザ発振を生じさせる光共振器として。
ーザ発振を生じさせる光共振器として。
１に近い反射率を有する反射膜８１と結合係数にと長さ
Ｌで定められる実効反射率が１０チから５０チの間に定
めた分布ブラッグ反射器である周期構造９０を用いてい
るので、現状の不十分な作９− 裏技術による不完全な周期構造を使用しても７アブリベ
ロ一共振器半導体レーザと同等以上の効率を実現するこ
とができる。この実施例においては、１次の周期構造を
用いたが、２次の周期構造を用い友試作でも室温連続発
振が可能であっｔ。
Ｌで定められる実効反射率が１０チから５０チの間に定
めた分布ブラッグ反射器である周期構造９０を用いてい
るので、現状の不十分な作９− 裏技術による不完全な周期構造を使用しても７アブリベ
ロ一共振器半導体レーザと同等以上の効率を実現するこ
とができる。この実施例においては、１次の周期構造を
用いたが、２次の周期構造を用い友試作でも室温連続発
振が可能であっｔ。
第４図、第５図はこの実施例の単一軸モード半導体レー
ザの分布ブラッグ反射器の反射率と閾値電流及び微分量
子効率の特性図を示す。この図の反射率は測定した結合
係数にと長さＬから式（１）に基いて求めｔ値である２
反射率が１０％以下では閾値電流が非常に大きくなり実
用的ではない。また１反射率が５０ｔｓ以上の領域では
閾値電流の低減にはあまりきかず逆に微分量子効率の低
減が著しい。したがって、実用的な反射率は１０チから
５０ｔｓの範囲にあることが明らかとなる。
ザの分布ブラッグ反射器の反射率と閾値電流及び微分量
子効率の特性図を示す。この図の反射率は測定した結合
係数にと長さＬから式（１）に基いて求めｔ値である２
反射率が１０％以下では閾値電流が非常に大きくなり実
用的ではない。また１反射率が５０ｔｓ以上の領域では
閾値電流の低減にはあまりきかず逆に微分量子効率の低
減が著しい。したがって、実用的な反射率は１０チから
５０ｔｓの範囲にあることが明らかとなる。
以上５本発明の実施例について説明したが、ｎ −１ｎ
Ｐウエーハ５１はｐ型のものであってもよいが。
Ｐウエーハ５１はｐ型のものであってもよいが。
この場合各層の導電型は実施例の導電型と全て逆にする
ことが必要である。ｔｔ、実施例の結晶構成はＩｎＰ及
びＩｎＧａＡｓＰ以外のものであってもよ−１〇− く、その発振波長も１．３０μｍに限定されることなく
他の波長でもよいことは当然である。さらに。
ことが必要である。ｔｔ、実施例の結晶構成はＩｎＰ及
びＩｎＧａＡｓＰ以外のものであってもよ−１〇− く、その発振波長も１．３０μｍに限定されることなく
他の波長でもよいことは当然である。さらに。
反射膜８１の形成されている第１の襞間面８０はエツチ
ングによりて形成してもよい。また反射防止膜７１の代
りに実効的な反射率がＯとなるように傾けられた面をエ
ツチング法等で形成してもよい。ただし、その場合はそ
の傾き面の反射率が０でないので光出力はこの実施例の
場合より当然域することになる。
ングによりて形成してもよい。また反射防止膜７１の代
りに実効的な反射率がＯとなるように傾けられた面をエ
ツチング法等で形成してもよい。ただし、その場合はそ
の傾き面の反射率が０でないので光出力はこの実施例の
場合より当然域することになる。
第１図、第２図、第３図は本発明の一実施例の縦断面図
、高位部分の横断面図、低位部分の横面図、第４図、第
５図はこの実施例の分布ブラッグ反射器の反射率と閾値
電流および微分量子効率の関係を示す特性図である。図
において １・・・・・・光ガイド層、２・・・・・・クラッド層
、３・・・・・・光ガイド層、４・・・・・！活性層、
訃・・・・・クラッド層。 ６・・・・・・埋め込み層、７・・・・・・キャップ層
、８・・・・・・光増幅複合ガイド層、９．１０・・・
・・・電流ブロック層。 １１・・・・・・絶縁層、１２・・・・・・正電極、１
３・・・・・・負電極、５Ｑ・・・・・・ウェーハ、５
１・・・・・・高部、５２・旧・・低部、６０・・・・
・・メサストライプ部、７０．８０・・・・・・襞間面
、７１・・・・・・反射防止膜％ ８１・・・・・・反
射膜。 ９０・・・・・・周期構造 である。
、高位部分の横断面図、低位部分の横面図、第４図、第
５図はこの実施例の分布ブラッグ反射器の反射率と閾値
電流および微分量子効率の関係を示す特性図である。図
において １・・・・・・光ガイド層、２・・・・・・クラッド層
、３・・・・・・光ガイド層、４・・・・・！活性層、
訃・・・・・クラッド層。 ６・・・・・・埋め込み層、７・・・・・・キャップ層
、８・・・・・・光増幅複合ガイド層、９．１０・・・
・・・電流ブロック層。 １１・・・・・・絶縁層、１２・・・・・・正電極、１
３・・・・・・負電極、５Ｑ・・・・・・ウェーハ、５
１・・・・・・高部、５２・旧・・低部、６０・・・・
・・メサストライプ部、７０．８０・・・・・・襞間面
、７１・・・・・・反射防止膜％ ８１・・・・・・反
射膜。 ９０・・・・・・周期構造 である。
Claims (1)
- 半導体ウェーハ上に成長され少なくとも活性層全台む光
増幅複合ガイドと、この光増幅複合ガイドと光学的に結
合されその内部に導波される光の波長の１／２の整数倍
の周期を有する凹凸の周期構造を含む分布反射型光ガイ
ドと、前記光増幅複合ガイドの軸方向に＃１は垂直な境
界面に形成された反射膜とを含み、前記分布反射型光ガ
イドの前−記周期構造の結合係数と長さで定められる実
効反射率１に１０％から５０チの間に定めたことを特徴
とする単一軸モード半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202670A JPS5992588A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202670A JPS5992588A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992588A true JPS5992588A (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=16461201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57202670A Pending JPS5992588A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992588A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61229385A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体装置 |
| JPS6316692A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Nec Corp | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| US5111475A (en) * | 1990-01-02 | 1992-05-05 | At&T Bell Laboratories | Analog optical fiber communication system, and laser adapted for use in such a system |
| US5285468A (en) * | 1992-07-17 | 1994-02-08 | At&T Bell Laboratories | Analog optical fiber communication system, and laser adapted for use in such a system |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP57202670A patent/JPS5992588A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61229385A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体装置 |
| JPS6316692A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Nec Corp | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| US5111475A (en) * | 1990-01-02 | 1992-05-05 | At&T Bell Laboratories | Analog optical fiber communication system, and laser adapted for use in such a system |
| US5285468A (en) * | 1992-07-17 | 1994-02-08 | At&T Bell Laboratories | Analog optical fiber communication system, and laser adapted for use in such a system |
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