JPS58225681A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS58225681A JPS58225681A JP10870682A JP10870682A JPS58225681A JP S58225681 A JPS58225681 A JP S58225681A JP 10870682 A JP10870682 A JP 10870682A JP 10870682 A JP10870682 A JP 10870682A JP S58225681 A JPS58225681 A JP S58225681A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- region
- oscillation
- active layer
- laser oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光の吸収の少ない窓領域を有する半導体
レーザ素子の新しい構造に関するものである。
レーザ素子の新しい構造に関するものである。
半導体レーザの寿命を制御する要因の１つに、光出射面
となる共振器端面の劣化があることはよく知られている
。また、半導体レーザ素子を高出力動作させた場合にこ
の共振器端面は破壊される／ Ｃａ程度であった。レー
ザ光を安定に高出力発振させるためにｐｍａｘｋ増大さ
せ、また端面劣化を防止するために端面でのレーザ光の
吸収を少なくした端面態形半導体レーザ素子として例え
ば、ＷＳレーザ（Ａｐｐｌ−Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、Ｉ
５ Ｍａｙ １９７９ Ｐ、６３７）が提唱されている
。あるいは端面近傍を活性層よりもバンドギャップの広
い物質で埋め込んだ構造のものも知られている。
となる共振器端面の劣化があることはよく知られている
。また、半導体レーザ素子を高出力動作させた場合にこ
の共振器端面は破壊される／ Ｃａ程度であった。レー
ザ光を安定に高出力発振させるためにｐｍａｘｋ増大さ
せ、また端面劣化を防止するために端面でのレーザ光の
吸収を少なくした端面態形半導体レーザ素子として例え
ば、ＷＳレーザ（Ａｐｐｌ−Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、Ｉ
５ Ｍａｙ １９７９ Ｐ、６３７）が提唱されている
。あるいは端面近傍を活性層よりもバンドギャップの広
い物質で埋め込んだ構造のものも知られている。
しかしながらこれらの態形半導体レーザは、その窓領域
では接合に平行な方向に光導波路が形成されていない。
では接合に平行な方向に光導波路が形成されていない。
従って、窓値域ではレーザ光が拡がって伝播するため、
共振器反射面で反射してレーザ発振領域に戻る光の量が
少なくなり、このため発振の効率が低下して発振閾値電
流が高くなるといった欠点を有する。従来の態形半導体
レーザ素子内で光の伝播する様子をレーザ素子上面方向
より描くと第１図に示す如くとなる。即ち、ストライプ
状のレーザ発振動作領域ｌの両共振端方向に窓領域２，
２′が形成され、共振器端面３，３′よ発振領域端面５
，５′は共振器端面３，３′の内方に位置し、この位置
よりレーザ光は伝播波面６で示すように進行する。
共振器反射面で反射してレーザ発振領域に戻る光の量が
少なくなり、このため発振の効率が低下して発振閾値電
流が高くなるといった欠点を有する。従来の態形半導体
レーザ素子内で光の伝播する様子をレーザ素子上面方向
より描くと第１図に示す如くとなる。即ち、ストライプ
状のレーザ発振動作領域ｌの両共振端方向に窓領域２，
２′が形成され、共振器端面３，３′よ発振領域端面５
，５′は共振器端面３，３′の内方に位置し、この位置
よりレーザ光は伝播波面６で示すように進行する。
レーザビームの焦点（ビームウェイスト）は接合に平行
な方向ではレーザ発振領域端面６，５′に存在し、接合
に垂直な方向では共振器端面３，３′に存在する。この
非点収差はレンズ等により光学的結合を行なう場合に不
都合となる。
な方向ではレーザ発振領域端面６，５′に存在し、接合
に垂直な方向では共振器端面３，３′に存在する。この
非点収差はレンズ等により光学的結合を行なう場合に不
都合となる。
本発明は上記従来の態形半導体レーザの欠点を克服した
新規な構造を有する半導体レーザ素子を提供することを
目的とするものである。
新規な構造を有する半導体レーザ素子を提供することを
目的とするものである。
即ち、窓領域にも光導波路を形成することにより、ビー
ムウェイストは接合に水平、垂直方向共に共振器端面に
存在することとなる。更に、半導体レーザの窓領域かレ
ーザ発振領域で発生する高次横モードを抑制して基本横
モードのみを導波させる作用をさせることも可能であり
、これは従来の態形半導体レーザにない非常に進歩した
効果である。
ムウェイストは接合に水平、垂直方向共に共振器端面に
存在することとなる。更に、半導体レーザの窓領域かレ
ーザ発振領域で発生する高次横モードを抑制して基本横
モードのみを導波させる作用をさせることも可能であり
、これは従来の態形半導体レーザにない非常に進歩した
効果である。
罫下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第２図は本発明の一実施例を説明する半導体レーザ素子
の素子内で光伝播する様子をレーザ素子上面より描いた
ものである。
の素子内で光伝播する様子をレーザ素子上面より描いた
ものである。
導波路幅Ｗｇ４及び長さＬ８を有するレーザ発振動作領
域２１の両端位置に導波路幅Ｗｇ２及び各々の長さＬｗ
、ＬｗＩを有する窓領域２２．２２’が配設され、共振
器端面２８，２３’よりレーザビーム２４．２４’が放
射される０レ一ザ発振動作領域２１はレーザ発振領域端
面２５，２５’でその長さが限定されている。レーザ光
はその伝播波面２６が図示の如くとなる。
域２１の両端位置に導波路幅Ｗｇ２及び各々の長さＬｗ
、ＬｗＩを有する窓領域２２．２２’が配設され、共振
器端面２８，２３’よりレーザビーム２４．２４’が放
射される０レ一ザ発振動作領域２１はレーザ発振領域端
面２５，２５’でその長さが限定されている。レーザ光
はその伝播波面２６が図示の如くとなる。
第３図（Ａ）（Ｂ）は第２図に於けるｘ−ｘ、及びＹ−
Ｙ断面図である。即ち第３図（Ａ）はレーザ発振動作領
域２１の断面図であり、第３図（Ｂ）は窓領域２２゜２
２′の断面図である。
Ｙ断面図である。即ち第３図（Ａ）はレーザ発振動作領
域２１の断面図であり、第３図（Ｂ）は窓領域２２゜２
２′の断面図である。
ｐ−ＧａＡｓ基板３１上に電流を遮断するだめのＨ−Ｇ
ａＡｓ電流ブロッキング層３２が堆積されるが、この電
流ブロッキング層３２は窓領域２２゜２２′の方がレー
ザ発振領域２１より厚くなるように形成されている。ま
た電流ブロッキング層３２とＧａＡｓ基板３１にはスト
ライプ状の溝が加工されている。この上にｐ−ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層３３゜ＧａＡｓ又はＧａＡｌＡｓ活性層
８４ 、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層８５ 、ｎ−Ｇａ
Ａｓキャップ層３６が順次積層されている。
ａＡｓ電流ブロッキング層３２が堆積されるが、この電
流ブロッキング層３２は窓領域２２゜２２′の方がレー
ザ発振領域２１より厚くなるように形成されている。ま
た電流ブロッキング層３２とＧａＡｓ基板３１にはスト
ライプ状の溝が加工されている。この上にｐ−ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層３３゜ＧａＡｓ又はＧａＡｌＡｓ活性層
８４ 、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層８５ 、ｎ−Ｇａ
Ａｓキャップ層３６が順次積層されている。
第３図（Ａ）の構造はいわゆる活性層湾曲型ＶＳＩＳレ
ーザ、第３図（Ｂ）は同じく活性層平坦型ＶＳＩＳレー
ザである。ＶＳ Ｉ Ｓ （Ｖ −ｃｈａｎｎｅｌｅｄ
５ｕｂｓｔｒａｔｅＩｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ）
レーザについては電気通信学会技術報告（ＥＤ８１−４
２ 、１９８１年、Ｐ、８１）及びＡｐｐｌ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｌｅｔｔ、 （Ｉ Ｍａｒｃｈ ＋９８２． Ｐ
Ｊ７２）等に詳述されているが、基板に溝加工して電流
通路を形成した光及びキャリア閉じ込め構造を有する内
部ストライプ型レーザである。即ち、レーザ発振のため
の電流はｎ−ＧａＡｓ層３２によって阻止され、それぞ
れ幅ｗｃ１．ｗｃ２のチャネル部のみに流れる。これら
のチャネル幅はＷ。Ｉ＞Ｗｅ２となるように形成されて
おり、同一成長条件で前者では活性層を湾曲させ、後者
では活性層を平坦にすることかできる。活性層か湾曲す
ると、屈折率光導波路が形成され、その幅ｗｇ、はチャ
ネル幅Ｗｃよりも狭くなる。また活性層３４が平坦な場
合は、チャネル両端での１ｌ−ＧａＡｓ層３２への光吸
収により実効屈折率か下がる原理を利用した光導波路が
形成され、その幅Ｗｇ２はチャネル幅Ｗｃ２にほぼ等し
い。
ーザ、第３図（Ｂ）は同じく活性層平坦型ＶＳＩＳレー
ザである。ＶＳ Ｉ Ｓ （Ｖ −ｃｈａｎｎｅｌｅｄ
５ｕｂｓｔｒａｔｅＩｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ）
レーザについては電気通信学会技術報告（ＥＤ８１−４
２ 、１９８１年、Ｐ、８１）及びＡｐｐｌ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｌｅｔｔ、 （Ｉ Ｍａｒｃｈ ＋９８２． Ｐ
Ｊ７２）等に詳述されているが、基板に溝加工して電流
通路を形成した光及びキャリア閉じ込め構造を有する内
部ストライプ型レーザである。即ち、レーザ発振のため
の電流はｎ−ＧａＡｓ層３２によって阻止され、それぞ
れ幅ｗｃ１．ｗｃ２のチャネル部のみに流れる。これら
のチャネル幅はＷ。Ｉ＞Ｗｅ２となるように形成されて
おり、同一成長条件で前者では活性層を湾曲させ、後者
では活性層を平坦にすることかできる。活性層か湾曲す
ると、屈折率光導波路が形成され、その幅ｗｇ、はチャ
ネル幅Ｗｃよりも狭くなる。また活性層３４が平坦な場
合は、チャネル両端での１ｌ−ＧａＡｓ層３２への光吸
収により実効屈折率か下がる原理を利用した光導波路が
形成され、その幅Ｗｇ２はチャネル幅Ｗｃ２にほぼ等し
い。
本発明を創出するに到った重要な事象は、同一成長条件
でそれぞれ活性層湾曲型ＶＳＩＳレーザと活性層平坦型
ＶＳＩＳレーザを個別に作製した場合、常に前者の方か
１００〜２００Ａだけ長波長で発振するということ、即
ち２１〜４２ ｍｅＶだけバンドギャップが狭くなると
いうことである。さらに、活性層を湾曲させると発振閾
値電流は小さくなるが横モードが不安定になり易く、活
性層を平坦にすると発振閾値電流はやや増大するが、横
モードが非常に安定になるという性質がある。従って、
これら２種類の活性層をもつ光導波路を同時に形成すれ
ば、レーザ発振は湾曲部分で起り、平坦部では単にレー
ザ光が通過するだけとなる。従って、両端面近傍に活性
層平坦部が位置するように配置すれば、発振閾値電流ｉ
ｔｈは小さくできるし、横モードも安定化させることが
できる。しかも、端面劣化の少ないあるいは端面破壊耐
用出力Ｆ’ｍａｘの大きい半導体レーザを作製すること
かできる。換言すれば、上述した２種類のＶＳＩＳレー
ザの利点のみを利用し、欠点を補ない合うことができ、
しかも態形レーザを容易に製作することができる。
でそれぞれ活性層湾曲型ＶＳＩＳレーザと活性層平坦型
ＶＳＩＳレーザを個別に作製した場合、常に前者の方か
１００〜２００Ａだけ長波長で発振するということ、即
ち２１〜４２ ｍｅＶだけバンドギャップが狭くなると
いうことである。さらに、活性層を湾曲させると発振閾
値電流は小さくなるが横モードが不安定になり易く、活
性層を平坦にすると発振閾値電流はやや増大するが、横
モードが非常に安定になるという性質がある。従って、
これら２種類の活性層をもつ光導波路を同時に形成すれ
ば、レーザ発振は湾曲部分で起り、平坦部では単にレー
ザ光が通過するだけとなる。従って、両端面近傍に活性
層平坦部が位置するように配置すれば、発振閾値電流ｉ
ｔｈは小さくできるし、横モードも安定化させることが
できる。しかも、端面劣化の少ないあるいは端面破壊耐
用出力Ｆ’ｍａｘの大きい半導体レーザを作製すること
かできる。換言すれば、上述した２種類のＶＳＩＳレー
ザの利点のみを利用し、欠点を補ない合うことができ、
しかも態形レーザを容易に製作することができる。
しかし、窓領域２２．２２’にもレーザ発振領域２５と
同＝電流が流れるようにすると、レーザ出力２０ｍＷ程
度で窓領域２２．２２’でもレーザ発振条件を満足する
ようになり、横モードが乱れ易くなる欠点を生ずる。本
発明の態形レーザは窓領域２２゜２２′のチャネル中央
部でも電流ブロッキング層３２が存在する為レーザ発振
することはなく、活性層はレーザ光に対する窓としての
み働く。従って、１００ｍＷ程度まで横モードが乱れる
ことはなく安定である。
同＝電流が流れるようにすると、レーザ出力２０ｍＷ程
度で窓領域２２．２２’でもレーザ発振条件を満足する
ようになり、横モードが乱れ易くなる欠点を生ずる。本
発明の態形レーザは窓領域２２゜２２′のチャネル中央
部でも電流ブロッキング層３２が存在する為レーザ発振
することはなく、活性層はレーザ光に対する窓としての
み働く。従って、１００ｍＷ程度まで横モードが乱れる
ことはなく安定である。
以下、本発明の製造方法の一実施例について説明する。
第、４図（Ａ）（Ｂ）（ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は製造方法の
一実施例を説明する製造工程図である。
一実施例を説明する製造工程図である。
まず、ｐ型ＧａＡｓ基板（Ｚｎドープ、 Ｉ Ｘ Ｉ
ＱＩ９ｚ−８）４１上に、第４図（Ａ）に示すような幅
ＷｃＱ ＝ １０μｍ。
ＱＩ９ｚ−８）４１上に、第４図（Ａ）に示すような幅
ＷｃＱ ＝ １０μｍ。
長さｔ２＝＋ｏｏμｍ 、深さ１μｍの矩形溝４０をＬ
ｌ−１５０μｍの間隔でホトリソグラフィ技術により形
成する。使用したレジストはシップレイ社のＡＺ １３
５０であり、この窓を通して硫酸系エツチング液でＧａ
ＡＳ基板４１をエツチングする。
ｌ−１５０μｍの間隔でホトリソグラフィ技術により形
成する。使用したレジストはシップレイ社のＡＺ １３
５０であり、この窓を通して硫酸系エツチング液でＧａ
ＡＳ基板４１をエツチングする。
次に、その基板４１上にｎ型ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ、
６ＸＩＯ１８ｍ ” ） ４２を約０．８ ｐｍの厚
さに液相エピタキシャル成長させる。この時、矩形溝４
０は完全に埋まり、ｎＷＧａＡｓ層４２は１８μｍの厚
さになる。
６ＸＩＯ１８ｍ ” ） ４２を約０．８ ｐｍの厚
さに液相エピタキシャル成長させる。この時、矩形溝４
０は完全に埋まり、ｎＷＧａＡｓ層４２は１８μｍの厚
さになる。
その後、ｎ型ＧａＡｓ層表面に第４図（Ｂ）で示す様な
幅が変化するストライプ状のパターンを再びホトリソグ
ラフィ技術により形成する。各部の寸法はＬ１＝１５０
μｍ、Ｌ２＝１００μｍ、Ｗｃ＋”６μｍ、Ｗ。２．１ ＝３μｍである。
幅が変化するストライプ状のパターンを再びホトリソグ
ラフィ技術により形成する。各部の寸法はＬ１＝１５０
μｍ、Ｌ２＝１００μｍ、Ｗｃ＋”６μｍ、Ｗ。２．１ ＝３μｍである。
この窓を通して、硫酸系エツチング液でＧａＡｓ層ト、
″を観テ′グする・Ｚｌ−ｚｌ・ｚ２−ｚ２方方向面形
状をそれぞれ第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）に示す。
″を観テ′グする・Ｚｌ−ｚｌ・ｚ２−ｚ２方方向面形
状をそれぞれ第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）に示す。
その後、再び液相エピタキシャル技術により、第３図で
示すようなｐ−Ｇａｏ５Ａ １０，５ Ａｓクラッド層
８ Ｂ 、 ｐ−Ｇａ０．Ｂ５Ａ１０４５Ａｓ活性層８
４．ｎ−Ｇａ０．５ ＡｌＯ，５Ａｓクラッド層８４
、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３６をそれぞれ平坦部で０．
１５μｍ、０．１μｍ。
示すようなｐ−Ｇａｏ５Ａ １０，５ Ａｓクラッド層
８ Ｂ 、 ｐ−Ｇａ０．Ｂ５Ａ１０４５Ａｓ活性層８
４．ｎ−Ｇａ０．５ ＡｌＯ，５Ａｓクラッド層８４
、ｎ−ＧａＡｓキャップ層３６をそれぞれ平坦部で０．
１５μｍ、０．１μｍ。
１０μｍ、２μｍ成長させた。ただし、活性層湾曲部の
中央での活性層厚は０２μｍとなった。基板裏面をラッ
ピングすることによりウェノ・−の厚さを約１００μｍ
とした後、ｎ−ＧａＡｓキｆｆ７プ層３６層面６表面
ｕ −Ｇ ｅ −Ｎ ｉを、又ｐ−ＧａＡｓ基板３１裏
面にはＡｕ−Ｚｎ’に蒸着し、４５０℃に加熱して合金
化することにより電極層とする。次にｐ−ＧａＡｓ基板
３１の裏面にＡｌを蒸着した後、内部のチャネルのピッ
チに合致したパターンを形成して第４図（Ｅ）の如くと
する。その後、長さＬ＋ ｌｃもつ窓領域の中央で襞間
し、共振器を形成する。従って、窓領域は素子の両端で
各々５０μｍの長さを有することになる。この態形レー
ザは■ｔｈ ”” ８０ｍＡでレーｆ：１振し、その時
の波長は７８００Ａ、であった。
中央での活性層厚は０２μｍとなった。基板裏面をラッ
ピングすることによりウェノ・−の厚さを約１００μｍ
とした後、ｎ−ＧａＡｓキｆｆ７プ層３６層面６表面
ｕ −Ｇ ｅ −Ｎ ｉを、又ｐ−ＧａＡｓ基板３１裏
面にはＡｕ−Ｚｎ’に蒸着し、４５０℃に加熱して合金
化することにより電極層とする。次にｐ−ＧａＡｓ基板
３１の裏面にＡｌを蒸着した後、内部のチャネルのピッ
チに合致したパターンを形成して第４図（Ｅ）の如くと
する。その後、長さＬ＋ ｌｃもつ窓領域の中央で襞間
し、共振器を形成する。従って、窓領域は素子の両端で
各々５０μｍの長さを有することになる。この態形レー
ザは■ｔｈ ”” ８０ｍＡでレーｆ：１振し、その時
の波長は７８００Ａ、であった。
また端面破壊出力Ｐｍａｘは約１００ｍＷであった。
しかも、１００ｍＷまで安定な横基本モードで発振した
。次に、活性層の湾曲したレーザ発振領域で襞間し、共
振器とした所、高次横モードで発振し、約１０ｍＷで端
面破壊した。従って、本発明の態形レーザによって、Ｐ
ｍａｘは約１０倍に向上したことになる。
。次に、活性層の湾曲したレーザ発振領域で襞間し、共
振器とした所、高次横モードで発振し、約１０ｍＷで端
面破壊した。従って、本発明の態形レーザによって、Ｐ
ｍａｘは約１０倍に向上したことになる。
更に、端面をＡｌ２Ｏ３でコートした所、ＰｍａＸは約
２０ ｏｍｗに向上した。
２０ ｏｍｗに向上した。
〜
また、発振波長８３００Ａの態形レーザを製作した所、
端面コートなしでＰｍａｘ＝２００ｍＷ、端面コート付
でＰｍａＸ二４００ｍＷであった。
端面コートなしでＰｍａｘ＝２００ｍＷ、端面コート付
でＰｍａＸ二４００ｍＷであった。
上記７８００Ａ及び８８００Ａの発振波長をもつ態形レ
ーザを出力３０ｍＷ、５０℃で連続動作させた所、現在
２５００時間でいずれも無劣化である。
ーザを出力３０ｍＷ、５０℃で連続動作させた所、現在
２５００時間でいずれも無劣化である。
本発明の半導体レーザは上記実施例で述べたＧａＡｌＡ
ｓ系だけでなく、Ｉ ＨＰ−１ｎＧａＡｓＰ系その他す
べてのへテロ接合レーザに適用できることは明らかであ
る。
ｓ系だけでなく、Ｉ ＨＰ−１ｎＧａＡｓＰ系その他す
べてのへテロ接合レーザに適用できることは明らかであ
る。
第１図は従来の態形レーザに於ける光の伝播を説明する
平面図である。 第２図は本発明の一実施例を示す態形レーザの元伝播を
説明する平面図である。 第３図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ第２図のｘ−ｘ、ｙ−ｙ
断面図である。 第４図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は本発明の製造
方法の一実施例を説明する製作工程図である。 ２１・・レーザ発振動作領域、２２．２２’・・・窓領
域、２８．２８’・・・共振器端面、２５．２５’・・
・レーザ発振領域端面、３１−・−ｐ−ＧａＡｓ基板、
３２ ・＝ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング層、８３・
・・ｐ−クラッド層、３４・・・活性層、３５・・・ｎ
−クラッド層、３６・・・ｎ−キャップ層。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）３６６−
平面図である。 第２図は本発明の一実施例を示す態形レーザの元伝播を
説明する平面図である。 第３図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ第２図のｘ−ｘ、ｙ−ｙ
断面図である。 第４図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は本発明の製造
方法の一実施例を説明する製作工程図である。 ２１・・レーザ発振動作領域、２２．２２’・・・窓領
域、２８．２８’・・・共振器端面、２５．２５’・・
・レーザ発振領域端面、３１−・−ｐ−ＧａＡｓ基板、
３２ ・＝ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロッキング層、８３・
・・ｐ−クラッド層、３４・・・活性層、３５・・・ｎ
−クラッド層、３６・・・ｎ−キャップ層。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）３６６−
Claims (1)
- １、基板上に形成したストライプ状溝に対応して湾曲し
た活性層を有するレーザ発振領域と共振端近値に光導波
路として働く平坦な活性層を有するレーザ光の窓領域と
を形成し、該窓領域を電流遮断領域としたことを特徴と
する半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10870682A JPS58225681A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 半導体レ−ザ素子 |
| US06/476,844 US4546481A (en) | 1982-05-28 | 1983-03-18 | Window structure semiconductor laser |
| EP83301600A EP0095826B1 (en) | 1982-05-28 | 1983-03-22 | Semiconductor laser |
| DE8383301600T DE3376936D1 (en) | 1982-05-28 | 1983-03-22 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10870682A JPS58225681A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58225681A true JPS58225681A (ja) | 1983-12-27 |
| JPH0474876B2 JPH0474876B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14491540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10870682A Granted JPS58225681A (ja) | 1982-05-28 | 1982-06-23 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58225681A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289689A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| JPH02148786A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH02224288A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-09-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0330490A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-02-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積型光学的デバイスの製造方法 |
| US7733935B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and method of producing the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS55150288A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-22 | Sony Corp | Semiconductor laser |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10870682A patent/JPS58225681A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS55150288A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-22 | Sony Corp | Semiconductor laser |
Cited By (5)
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| US7733935B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and method of producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474876B2 (ja) | 1992-11-27 |
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