JPS62193743U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62193743U JPS62193743U JP8338586U JP8338586U JPS62193743U JP S62193743 U JPS62193743 U JP S62193743U JP 8338586 U JP8338586 U JP 8338586U JP 8338586 U JP8338586 U JP 8338586U JP S62193743 U JPS62193743 U JP S62193743U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- hole
- insulating film
- semiconductor substrate
- phosphorus concentration
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の半導体装置の部分断面図、第
２図、第３図は同装置の中間品の部分断面図、第
４図は従来装置の部分断面図である。 １０……半導体基板、１５……絶縁体膜、１６
……貫通孔、２２……配線、１７……第１絶縁体
膜、１８……第２絶縁体膜。
２図、第３図は同装置の中間品の部分断面図、第
４図は従来装置の部分断面図である。 １０……半導体基板、１５……絶縁体膜、１６
……貫通孔、２２……配線、１７……第１絶縁体
膜、１８……第２絶縁体膜。
Claims (1)
- 表面部に拡散層を有する半導体基板と、該半導
体基板上に前記拡散層を覆うように形成されかつ
前記拡散層の１部分を露出させる貫通孔を有する
絶縁体膜と、該絶縁体膜上に付設され前記貫通孔
を通じて前記拡散層に接続される配線とを備えて
なる半導体装置において、前記絶縁体膜は前記半
導体基板側に配置されているリン濃度の小さい第
１絶縁体膜と、前記配線側に配置されているリン
濃度の大きい第２絶縁体膜とを備えており、前記
貫通孔はその開口幅がこの貫通孔の深さ方向に向
けて傾向として徐々に小さく構成されていること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8338586U JPS62193743U (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8338586U JPS62193743U (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193743U true JPS62193743U (ja) | 1987-12-09 |
Family
ID=30936922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8338586U Pending JPS62193743U (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193743U (ja) |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP8338586U patent/JPS62193743U/ja active Pending