JPS6424844U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6424844U JPS6424844U JP12032787U JP12032787U JPS6424844U JP S6424844 U JPS6424844 U JP S6424844U JP 12032787 U JP12032787 U JP 12032787U JP 12032787 U JP12032787 U JP 12032787U JP S6424844 U JPS6424844 U JP S6424844U
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- JP
- Japan
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- insulating film
- metal wiring
- opening provided
- transistors
- diffusion layer
- Prior art date
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- Granted
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図ａ〜ｃは本考案の一実施例の平面図及び
断面図、第２図および第３図は従来の半導体装置
の斜視図および断面図である。 １……Ｐ＋型拡散領域、２……Ｎ＋型拡散領域
、３……第１の絶縁膜、４……第１の金属配線、
５……第２の絶縁膜、５Ａ……絶縁膜、６……第
２の金属配線、７……Ｎ型エピタキシヤル層、Ｑ
１，Ｑ２……トランジスタ。
断面図、第２図および第３図は従来の半導体装置
の斜視図および断面図である。 １……Ｐ＋型拡散領域、２……Ｎ＋型拡散領域
、３……第１の絶縁膜、４……第１の金属配線、
５……第２の絶縁膜、５Ａ……絶縁膜、６……第
２の金属配線、７……Ｎ型エピタキシヤル層、Ｑ
１，Ｑ２……トランジスタ。
Claims (1)
- 半導体基板表面の拡散層上に形成された第１の
絶縁膜と該第１の絶縁膜に設けられた開口部を介
して前記拡散層に接続する第１の金属配線と前記
第１の金属配線上に形成された第２の絶縁膜と前
記第２の絶縁膜に設けられた開口部を介し前記第
１の金属配線に接続する第２の金属配線とをそれ
ぞれ有する複数個のトランジスタからなる半導体
装置において、少くとも１個の前記トランジスタ
の前記第２の絶縁膜に設けられた開口部の中心部
には絶縁膜が形成されていることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987120327U JPH0723958Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987120327U JPH0723958Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424844U true JPS6424844U (ja) | 1989-02-10 |
| JPH0723958Y2 JPH0723958Y2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=31366334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987120327U Expired - Lifetime JPH0723958Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723958Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5025306A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-18 | ||
| JPS5165585A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS6059774A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-08-04 JP JP1987120327U patent/JPH0723958Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5025306A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-18 | ||
| JPS5165585A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS6059774A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0723958Y2 (ja) | 1995-05-31 |