JPS62286225A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS62286225A JPS62286225A JP12994286A JP12994286A JPS62286225A JP S62286225 A JPS62286225 A JP S62286225A JP 12994286 A JP12994286 A JP 12994286A JP 12994286 A JP12994286 A JP 12994286A JP S62286225 A JPS62286225 A JP S62286225A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- pores
- photoresist
- dispenser sheet
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明は半導体製造工程で用いられるフォトレジストの
塗布装置に関するものである。
塗布装置に関するものである。
[従来の技術]
従来の半導体製造工程で用いられるフォトレジストの塗
布方法は、通常、第4図、第5図に示すようにスピンチ
ャック5に吸着させたウェハー4表面にノズル1からフ
ォトレジストを滴下させ、該ウェハー4をカップ3内に
て矢印6方向に低速回転させて遠心力を作用させフォト
レジストをウェハー4の表面に飛散させ、次いで高速回
転の下に目的の膜厚にて74トレジストをウェハー表面
に塗布していた。
布方法は、通常、第4図、第5図に示すようにスピンチ
ャック5に吸着させたウェハー4表面にノズル1からフ
ォトレジストを滴下させ、該ウェハー4をカップ3内に
て矢印6方向に低速回転させて遠心力を作用させフォト
レジストをウェハー4の表面に飛散させ、次いで高速回
転の下に目的の膜厚にて74トレジストをウェハー表面
に塗布していた。
従来、遠心力を利用してウェハー表面にフォトレジスト
を塗布するものであるから、細径のノズル1を1木或い
は2本をウェハー中心の真上に設置している。
を塗布するものであるから、細径のノズル1を1木或い
は2本をウェハー中心の真上に設置している。
[発明が解決しようとする問題点]
上述した従来のフォトレジストの塗布方法ではウェハー
表面の凹凸が非常に大きい場合、おるいはウェハー表面
性状がレジストの濡れ性を極度に大きくしている場合、
もしくは、その両方が同時に存在しているような状況下
にてはレジストが周辺部へと広がりにくいために、ウェ
ハーを回転状態にしても、ウェハーの一部でレジストの
塗れていない領域をつくってしまうという欠点がおった
。
表面の凹凸が非常に大きい場合、おるいはウェハー表面
性状がレジストの濡れ性を極度に大きくしている場合、
もしくは、その両方が同時に存在しているような状況下
にてはレジストが周辺部へと広がりにくいために、ウェ
ハーを回転状態にしても、ウェハーの一部でレジストの
塗れていない領域をつくってしまうという欠点がおった
。
本発明の目的は上記欠点を解消して、ウェハーの全面に
レジスト塗布を容易に行う塗布装置を提供することにあ
る。
レジスト塗布を容易に行う塗布装置を提供することにあ
る。
[問題点を解決するための手段]
本発明はウェハーの外形を象った塗布領域内に複数のレ
ジスト滴下口を配列したことを特徴とする半導体製造装
置である。
ジスト滴下口を配列したことを特徴とする半導体製造装
置である。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図に示すように実施例では、ろう斗状の外殻7に傘
状のレジスト分散板8を組み合せその内部を中空とし、
その下面7aの外形をウェハー4とほぼ同じ大きざとし
、レジスト分散板8の全面に亘って複数の小孔(滴下口
)9,9・・・を配列したものである。
状のレジスト分散板8を組み合せその内部を中空とし、
その下面7aの外形をウェハー4とほぼ同じ大きざとし
、レジスト分散板8の全面に亘って複数の小孔(滴下口
)9,9・・・を配列したものである。
第2図は本発明の他の実施例を示すもので、外縁2aの
外形がウェハー4とほぼ同じ大きざで必る枠型2により
細径のノズル1,1・・・を複数本束ねて設置したもの
でおる。
外形がウェハー4とほぼ同じ大きざで必る枠型2により
細径のノズル1,1・・・を複数本束ねて設置したもの
でおる。
したがって、第2図の実施例では複数個のノズル1から
同時にレジストがウェハー表面に滴下され、第1図の実
施例ではレジストがレジスト分散板8で分散されて複数
の小孔9からウェハー上に滴下され、本発明によれば、
第3図に示すようにフォトレジスト10.10・・・が
ウェハー4表面の全面に亘って滴下されて低速及び高速
回転により所望の膜厚に塗布されることとなる。
同時にレジストがウェハー表面に滴下され、第1図の実
施例ではレジストがレジスト分散板8で分散されて複数
の小孔9からウェハー上に滴下され、本発明によれば、
第3図に示すようにフォトレジスト10.10・・・が
ウェハー4表面の全面に亘って滴下されて低速及び高速
回転により所望の膜厚に塗布されることとなる。
[発明の効果コ
以上説明したように本発明はウェハー全面に同時にまん
べんなくフォトレジストを滴下することにより、ウェハ
ーパターンの激しい凹凸や表面性状のためにフォトレジ
ストが広がりにくい状況にある場合でも、容易にウェハ
ー全面をまんべんなくフォトレジストで覆うことができ
る効果がある。
べんなくフォトレジストを滴下することにより、ウェハ
ーパターンの激しい凹凸や表面性状のためにフォトレジ
ストが広がりにくい状況にある場合でも、容易にウェハ
ー全面をまんべんなくフォトレジストで覆うことができ
る効果がある。
第1図、第2図は本発明の半導体製造装置の縦断面図、
第3図はウェハー上のレジスト滴下位置を示す図、第4
図、第5図は従来の)tトレジスト塗布装置の縦断面図
でおる。 1・・・ノズル 2・・・枠型3・・・カッ
プ 4・・・ウェハー5・・・真空チャック
6・・・回転7・・・ろう斗状外殻 8・・
・レジスト分散板9・・・小孔 10・・
・滴下したレジスト第2図 第3図
第3図はウェハー上のレジスト滴下位置を示す図、第4
図、第5図は従来の)tトレジスト塗布装置の縦断面図
でおる。 1・・・ノズル 2・・・枠型3・・・カッ
プ 4・・・ウェハー5・・・真空チャック
6・・・回転7・・・ろう斗状外殻 8・・
・レジスト分散板9・・・小孔 10・・
・滴下したレジスト第2図 第3図
Claims (1)
- (1)ウェハーの外形を象った塗布領域内に複数のレジ
スト滴下口を配列したことを特徴とする半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12994286A JPS62286225A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12994286A JPS62286225A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62286225A true JPS62286225A (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15022243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12994286A Pending JPS62286225A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62286225A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02295108A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
KR100272848B1 (ko) * | 1996-08-13 | 2000-12-01 | 니시히라 순지 | 화학증착장치 |
WO2001066260A3 (en) * | 2000-03-09 | 2002-03-21 | Advanced Micro Devices Inc | Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP12994286A patent/JPS62286225A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02295108A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
KR100272848B1 (ko) * | 1996-08-13 | 2000-12-01 | 니시히라 순지 | 화학증착장치 |
WO2001066260A3 (en) * | 2000-03-09 | 2002-03-21 | Advanced Micro Devices Inc | Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer |
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