JPS62286225A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPS62286225A
JPS62286225A JP12994286A JP12994286A JPS62286225A JP S62286225 A JPS62286225 A JP S62286225A JP 12994286 A JP12994286 A JP 12994286A JP 12994286 A JP12994286 A JP 12994286A JP S62286225 A JPS62286225 A JP S62286225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
resist
pores
photoresist
dispenser sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12994286A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Tominaga
誠 富永
Harutaka Koshida
越田 治孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS62286225A publication Critical patent/JPS62286225A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 [産業上の利用分野] 本発明は半導体製造工程で用いられるフォトレジストの
塗布装置に関するものである。
[従来の技術] 従来の半導体製造工程で用いられるフォトレジストの塗
布方法は、通常、第4図、第5図に示すようにスピンチ
ャック5に吸着させたウェハー4表面にノズル1からフ
ォトレジストを滴下させ、該ウェハー4をカップ3内に
て矢印6方向に低速回転させて遠心力を作用させフォト
レジストをウェハー4の表面に飛散させ、次いで高速回
転の下に目的の膜厚にて74トレジストをウェハー表面
に塗布していた。
従来、遠心力を利用してウェハー表面にフォトレジスト
を塗布するものであるから、細径のノズル1を1木或い
は2本をウェハー中心の真上に設置している。
[発明が解決しようとする問題点] 上述した従来のフォトレジストの塗布方法ではウェハー
表面の凹凸が非常に大きい場合、おるいはウェハー表面
性状がレジストの濡れ性を極度に大きくしている場合、
もしくは、その両方が同時に存在しているような状況下
にてはレジストが周辺部へと広がりにくいために、ウェ
ハーを回転状態にしても、ウェハーの一部でレジストの
塗れていない領域をつくってしまうという欠点がおった
本発明の目的は上記欠点を解消して、ウェハーの全面に
レジスト塗布を容易に行う塗布装置を提供することにあ
る。
[問題点を解決するための手段] 本発明はウェハーの外形を象った塗布領域内に複数のレ
ジスト滴下口を配列したことを特徴とする半導体製造装
置である。
[実施例] 以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図に示すように実施例では、ろう斗状の外殻7に傘
状のレジスト分散板8を組み合せその内部を中空とし、
その下面7aの外形をウェハー4とほぼ同じ大きざとし
、レジスト分散板8の全面に亘って複数の小孔(滴下口
)9,9・・・を配列したものである。
第2図は本発明の他の実施例を示すもので、外縁2aの
外形がウェハー4とほぼ同じ大きざで必る枠型2により
細径のノズル1,1・・・を複数本束ねて設置したもの
でおる。
したがって、第2図の実施例では複数個のノズル1から
同時にレジストがウェハー表面に滴下され、第1図の実
施例ではレジストがレジスト分散板8で分散されて複数
の小孔9からウェハー上に滴下され、本発明によれば、
第3図に示すようにフォトレジスト10.10・・・が
ウェハー4表面の全面に亘って滴下されて低速及び高速
回転により所望の膜厚に塗布されることとなる。
[発明の効果コ 以上説明したように本発明はウェハー全面に同時にまん
べんなくフォトレジストを滴下することにより、ウェハ
ーパターンの激しい凹凸や表面性状のためにフォトレジ
ストが広がりにくい状況にある場合でも、容易にウェハ
ー全面をまんべんなくフォトレジストで覆うことができ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の半導体製造装置の縦断面図、
第3図はウェハー上のレジスト滴下位置を示す図、第4
図、第5図は従来の)tトレジスト塗布装置の縦断面図
でおる。 1・・・ノズル      2・・・枠型3・・・カッ
プ      4・・・ウェハー5・・・真空チャック
   6・・・回転7・・・ろう斗状外殻   8・・
・レジスト分散板9・・・小孔       10・・
・滴下したレジスト第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハーの外形を象った塗布領域内に複数のレジ
    スト滴下口を配列したことを特徴とする半導体製造装置
JP12994286A 1986-06-04 1986-06-04 半導体製造装置 Pending JPS62286225A (ja)

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JP12994286A JPS62286225A (ja) 1986-06-04 1986-06-04 半導体製造装置

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JPS62286225A true JPS62286225A (ja) 1987-12-12

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02295108A (ja) * 1989-05-09 1990-12-06 Fujitsu Ltd レジスト塗布装置
KR100272848B1 (ko) * 1996-08-13 2000-12-01 니시히라 순지 화학증착장치
WO2001066260A3 (en) * 2000-03-09 2002-03-21 Advanced Micro Devices Inc Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100272848B1 (ko) * 1996-08-13 2000-12-01 니시히라 순지 화학증착장치
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