JPS6218069A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6218069A JPS6218069A JP15651185A JP15651185A JPS6218069A JP S6218069 A JPS6218069 A JP S6218069A JP 15651185 A JP15651185 A JP 15651185A JP 15651185 A JP15651185 A JP 15651185A JP S6218069 A JPS6218069 A JP S6218069A
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- JP
- Japan
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- wiring
- wirings
- insulating film
- insulation film
- semiconductor substrate
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- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
伜→ J7 」 −二 【 二 1ノ 、ラ フ
カ竺話、r 也 7 半導体装置は、所定の能動領域を
設けた半導体基板上に能動領域の所定部分に接続する第
1層配線を形成し、第1層配線の相互を絶縁膜で分離す
ると共に、第1層配線を覆う層間絶縁膜を前記絶縁膜上
に形成し、更に眉間絶縁膜上にコンタクトホールを介し
て第1層配線に接続する第2層配線を設けた構造を有し
ている。
カ竺話、r 也 7 半導体装置は、所定の能動領域を
設けた半導体基板上に能動領域の所定部分に接続する第
1層配線を形成し、第1層配線の相互を絶縁膜で分離す
ると共に、第1層配線を覆う層間絶縁膜を前記絶縁膜上
に形成し、更に眉間絶縁膜上にコンタクトホールを介し
て第1層配線に接続する第2層配線を設けた構造を有し
ている。
然るに1第1、第2配線はアルミニウムで形成されてお
シ、層間絶縁膜はプラズマCVD膜、常圧CVD膜等で
形成されていた。このため、配線がアルミニウムで形成
されていることから、層間絶縁膜中に発生するヒロック
欠陥を除去するための熱処理を施すことができず、層間
ショート不良率が高くなる問題があった。また、層間絶
縁膜中にヒロック等の欠陥が発生し易すいことから、ト
ランジスタの電流増幅率が不安定になυ、素子の信頼性
を低下する問題があった。
シ、層間絶縁膜はプラズマCVD膜、常圧CVD膜等で
形成されていた。このため、配線がアルミニウムで形成
されていることから、層間絶縁膜中に発生するヒロック
欠陥を除去するための熱処理を施すことができず、層間
ショート不良率が高くなる問題があった。また、層間絶
縁膜中にヒロック等の欠陥が発生し易すいことから、ト
ランジスタの電流増幅率が不安定になυ、素子の信頼性
を低下する問題があった。
本発明は、配線相互間の眉間ショート不良の発生を防+
)−すると共に、電流増幅率の安定を図って素子の信頼
性の向上を達成した半導体装置を提供することをその目
的とするものである。
)−すると共に、電流増幅率の安定を図って素子の信頼
性の向上を達成した半導体装置を提供することをその目
的とするものである。
本発明は、配線を高融点金属またはその合金で形成し、
眉間絶縁膜を多結晶シリコンの酸化物で形成したことに
より、”配線相互間の眉間ショート不良の発生を防止す
ると共に、電流増幅率の安定によシ信頼性の向上を達成
した半導体装置である。
眉間絶縁膜を多結晶シリコンの酸化物で形成したことに
より、”配線相互間の眉間ショート不良の発生を防止す
ると共に、電流増幅率の安定によシ信頼性の向上を達成
した半導体装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中1は、高濃度の埋込領域2を有する半導体
基板である。半導体基板1の主面側には、所定の拡散深
さのPペース3が形成されている。Pペース3内には、
所定の拡散深さのNエミッタ4が形成されている。半導
体基板1の主面は、絶縁膜5が形成されている。絶縁膜
5には、Pペース3、Nエミッタ4の夫々に通じるコン
タクトホール6.7が開口されている。絶縁膜5上には
、フンタクトホールe 、 y ヲ介シーcp ヘース
3、Nエミッタ4に接続する第1配線8m、8bが形成
されている。また、絶縁膜5上には、コンタクトホール
9を介して半導体基板1に接続する第1配線8cが形成
されている。これらの第1配線8g、8b、8cは、W
、Mo等の高融点金属或はこれらの合金で形成されて
いる。絶縁膜5上には、第1配線8m、8b、Beを覆
うように層間絶縁膜10が形成されている。眉間絶縁膜
10は、多結晶シリコンの酸化物で形成されている。層
間絶縁膜10上には、コンタクトホール11を介して第
1配線8cに接続する第2配線12が形成されている。
。第1図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中1は、高濃度の埋込領域2を有する半導体
基板である。半導体基板1の主面側には、所定の拡散深
さのPペース3が形成されている。Pペース3内には、
所定の拡散深さのNエミッタ4が形成されている。半導
体基板1の主面は、絶縁膜5が形成されている。絶縁膜
5には、Pペース3、Nエミッタ4の夫々に通じるコン
タクトホール6.7が開口されている。絶縁膜5上には
、フンタクトホールe 、 y ヲ介シーcp ヘース
3、Nエミッタ4に接続する第1配線8m、8bが形成
されている。また、絶縁膜5上には、コンタクトホール
9を介して半導体基板1に接続する第1配線8cが形成
されている。これらの第1配線8g、8b、8cは、W
、Mo等の高融点金属或はこれらの合金で形成されて
いる。絶縁膜5上には、第1配線8m、8b、Beを覆
うように層間絶縁膜10が形成されている。眉間絶縁膜
10は、多結晶シリコンの酸化物で形成されている。層
間絶縁膜10上には、コンタクトホール11を介して第
1配線8cに接続する第2配線12が形成されている。
層間絶縁膜10上には、第2配線12を覆うパッジペー
ジlン膜13が形成されている。
ジlン膜13が形成されている。
ここで、第1配線IJ*、8b、Beの形成は、高融点
金属或はその合金をス・臂ツタ法や化学気相反応で堆積
した後、周知の写真蝕刻法によってパターニングするこ
とにより容易に行われる。
金属或はその合金をス・臂ツタ法や化学気相反応で堆積
した後、周知の写真蝕刻法によってパターニングするこ
とにより容易に行われる。
眉間絶縁膜10の形成は、例えば減圧化学気相反応によ
って81H4ガスを熱分解して多結晶シリコンを所定量
だけ堆積し、これにH2O+ H2の雰囲気下で500
℃以上の熱処理を施すことによシ、容易に行われる。層
間絶縁膜10の形成に際しては、その内部にリン、?ロ
ン、ヒ素等の不純物元素を含有させるようにしても良い
。
って81H4ガスを熱分解して多結晶シリコンを所定量
だけ堆積し、これにH2O+ H2の雰囲気下で500
℃以上の熱処理を施すことによシ、容易に行われる。層
間絶縁膜10の形成に際しては、その内部にリン、?ロ
ン、ヒ素等の不純物元素を含有させるようにしても良い
。
このように構成された半導体装置20によれば、第1配
98 m 、 8 b 、 8 cが高融点金属或はそ
の合金で形成されているので、例えば500℃以上の高
温熱処理によりて、層間絶縁膜10中のヒロック等の欠
陥を除去するための処理を施すことができる。このため
所謂配線相互間での層間シ1−ト不良の発生を防止する
ことができる。因みに実施例の半導体装置20では、イ
ニシャル不良率及び熱シ嘗ツクテスト(TCT。
98 m 、 8 b 、 8 cが高融点金属或はそ
の合金で形成されているので、例えば500℃以上の高
温熱処理によりて、層間絶縁膜10中のヒロック等の欠
陥を除去するための処理を施すことができる。このため
所謂配線相互間での層間シ1−ト不良の発生を防止する
ことができる。因みに実施例の半導体装置20では、イ
ニシャル不良率及び熱シ嘗ツクテスト(TCT。
at−60〜175℃)不良率ともに約0%であったが
、従来の半導体装置では前者が3〜5%、後者が1〜2
%であった。
、従来の半導体装置では前者が3〜5%、後者が1〜2
%であった。
*+raM錦套あ胛11n売lrゐλn)体Lノ1!−
−督^多結晶シリコンの酸化物の状態で形成されている
ので、そのノ等ツシペーシ四ノ効果によって電流増幅率
を安定にして素子の信頼性及び歩留シを著しく向上させ
ることができる。因みに、実施例の半導体装置20では
、168時間の通電−の前後での電流増幅率の変動は、
第2図に示す如く極めて少ないが、従来の半導体装置で
は同図に併記する通電、通電の前後で電流増幅率が大き
く変化し、不安定であることが確認された。
−督^多結晶シリコンの酸化物の状態で形成されている
ので、そのノ等ツシペーシ四ノ効果によって電流増幅率
を安定にして素子の信頼性及び歩留シを著しく向上させ
ることができる。因みに、実施例の半導体装置20では
、168時間の通電−の前後での電流増幅率の変動は、
第2図に示す如く極めて少ないが、従来の半導体装置で
は同図に併記する通電、通電の前後で電流増幅率が大き
く変化し、不安定であることが確認された。
また、実施例の学導体装置では、歩留シを従来のものに
比べて約1.2倍向上できることが実験的に確認された
。
比べて約1.2倍向上できることが実験的に確認された
。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置によれば、
配線相互間の層間シ日−ト不良の発生を防止すると共に
、電流増幅率の安定を図って素子の信頼性を向上できる
ものである。
配線相互間の層間シ日−ト不良の発生を防止すると共に
、電流増幅率の安定を図って素子の信頼性を向上できる
ものである。
第1図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、
第2図は、通電後の電流増幅率と通電前の電流増幅率と
の関係を示す特性図である。 1・・・半導体基板、2・・・埋込領域、3・・・Pベ
ース、4・・・Nエミッタ、5・・・絶縁膜、6,7,
9゜11・・・コンタクトホール、8g、8b、8c・
・・第1配線、10・・・層間絶縁膜、12・・・第2
配線、13・・・ノ4ツシペーション膜、20・・・半
導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図
第2図は、通電後の電流増幅率と通電前の電流増幅率と
の関係を示す特性図である。 1・・・半導体基板、2・・・埋込領域、3・・・Pベ
ース、4・・・Nエミッタ、5・・・絶縁膜、6,7,
9゜11・・・コンタクトホール、8g、8b、8c・
・・第1配線、10・・・層間絶縁膜、12・・・第2
配線、13・・・ノ4ツシペーション膜、20・・・半
導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図
Claims (1)
- 所定の素子を構成する能動領域を有する半導体基板と
、前記能動領域に接続して該半導体基板上に設けられ、
高融点金属またはその合金からなる第1配線と、該第1
配線の周囲を囲むようにして前記半導体基板上に設けら
れた絶縁膜と、前記第1配線を覆うように該絶縁膜上に
設けられ、多結晶シリコンの酸化物からなる層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜のコンタクトホールを介して前記第1
配線に接続し、該層間絶縁膜上に設けられた第2配線と
を具備することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15651185A JPS6218069A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15651185A JPS6218069A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6218069A true JPS6218069A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15629368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15651185A Pending JPS6218069A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6218069A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5026256A (en) * | 1987-12-18 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Variable speed pumping-up system |
US5240380A (en) * | 1991-05-21 | 1993-08-31 | Sundstrand Corporation | Variable speed control for centrifugal pumps |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53142196A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Hitachi Ltd | Bipolar type semiconductor device |
JPS547864A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-20 | Toshiba Corp | Manufacture for semiconductor device |
JPS55134964A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
JPS5637666A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-11 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS56129342A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit device |
JPS56146254A (en) * | 1980-04-14 | 1981-11-13 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS58164241A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP15651185A patent/JPS6218069A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS547864A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-20 | Toshiba Corp | Manufacture for semiconductor device |
JPS55134964A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
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---|---|---|---|---|
US5026256A (en) * | 1987-12-18 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Variable speed pumping-up system |
US5240380A (en) * | 1991-05-21 | 1993-08-31 | Sundstrand Corporation | Variable speed control for centrifugal pumps |
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