JPS6218069A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6218069A JPS6218069A JP15651185A JP15651185A JPS6218069A JP S6218069 A JPS6218069 A JP S6218069A JP 15651185 A JP15651185 A JP 15651185A JP 15651185 A JP15651185 A JP 15651185A JP S6218069 A JPS6218069 A JP S6218069A
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- JP
- Japan
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- wiring
- wirings
- insulating film
- insulation film
- semiconductor substrate
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- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
伜→ Ｊ７ 」 −二 【 二 １ノ 、ラ フ
カ竺話、ｒ 也 ７ 半導体装置は、所定の能動領域を
設けた半導体基板上に能動領域の所定部分に接続する第
１層配線を形成し、第１層配線の相互を絶縁膜で分離す
ると共に、第１層配線を覆う層間絶縁膜を前記絶縁膜上
に形成し、更に眉間絶縁膜上にコンタクトホールを介し
て第１層配線に接続する第２層配線を設けた構造を有し
ている。
カ竺話、ｒ 也 ７ 半導体装置は、所定の能動領域を
設けた半導体基板上に能動領域の所定部分に接続する第
１層配線を形成し、第１層配線の相互を絶縁膜で分離す
ると共に、第１層配線を覆う層間絶縁膜を前記絶縁膜上
に形成し、更に眉間絶縁膜上にコンタクトホールを介し
て第１層配線に接続する第２層配線を設けた構造を有し
ている。
然るに１第１、第２配線はアルミニウムで形成されてお
シ、層間絶縁膜はプラズマＣＶＤ膜、常圧ＣＶＤ膜等で
形成されていた。このため、配線がアルミニウムで形成
されていることから、層間絶縁膜中に発生するヒロック
欠陥を除去するための熱処理を施すことができず、層間
ショート不良率が高くなる問題があった。また、層間絶
縁膜中にヒロック等の欠陥が発生し易すいことから、ト
ランジスタの電流増幅率が不安定になυ、素子の信頼性
を低下する問題があった。
シ、層間絶縁膜はプラズマＣＶＤ膜、常圧ＣＶＤ膜等で
形成されていた。このため、配線がアルミニウムで形成
されていることから、層間絶縁膜中に発生するヒロック
欠陥を除去するための熱処理を施すことができず、層間
ショート不良率が高くなる問題があった。また、層間絶
縁膜中にヒロック等の欠陥が発生し易すいことから、ト
ランジスタの電流増幅率が不安定になυ、素子の信頼性
を低下する問題があった。
本発明は、配線相互間の眉間ショート不良の発生を防＋
）−すると共に、電流増幅率の安定を図って素子の信頼
性の向上を達成した半導体装置を提供することをその目
的とするものである。
）−すると共に、電流増幅率の安定を図って素子の信頼
性の向上を達成した半導体装置を提供することをその目
的とするものである。
本発明は、配線を高融点金属またはその合金で形成し、
眉間絶縁膜を多結晶シリコンの酸化物で形成したことに
より、”配線相互間の眉間ショート不良の発生を防止す
ると共に、電流増幅率の安定によシ信頼性の向上を達成
した半導体装置である。
眉間絶縁膜を多結晶シリコンの酸化物で形成したことに
より、”配線相互間の眉間ショート不良の発生を防止す
ると共に、電流増幅率の安定によシ信頼性の向上を達成
した半導体装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１は、高濃度の埋込領域２を有する半導体
基板である。半導体基板１の主面側には、所定の拡散深
さのＰペース３が形成されている。Ｐペース３内には、
所定の拡散深さのＮエミッタ４が形成されている。半導
体基板１の主面は、絶縁膜５が形成されている。絶縁膜
５には、Ｐペース３、Ｎエミッタ４の夫々に通じるコン
タクトホール６．７が開口されている。絶縁膜５上には
、フンタクトホールｅ 、 ｙ ヲ介シーｃｐ ヘース
３、Ｎエミッタ４に接続する第１配線８ｍ、８ｂが形成
されている。また、絶縁膜５上には、コンタクトホール
９を介して半導体基板１に接続する第１配線８ｃが形成
されている。これらの第１配線８ｇ、８ｂ、８ｃは、Ｗ
、Ｍｏ等の高融点金属或はこれらの合金で形成されて
いる。絶縁膜５上には、第１配線８ｍ、８ｂ、Ｂｅを覆
うように層間絶縁膜１０が形成されている。眉間絶縁膜
１０は、多結晶シリコンの酸化物で形成されている。層
間絶縁膜１０上には、コンタクトホール１１を介して第
１配線８ｃに接続する第２配線１２が形成されている。
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１は、高濃度の埋込領域２を有する半導体
基板である。半導体基板１の主面側には、所定の拡散深
さのＰペース３が形成されている。Ｐペース３内には、
所定の拡散深さのＮエミッタ４が形成されている。半導
体基板１の主面は、絶縁膜５が形成されている。絶縁膜
５には、Ｐペース３、Ｎエミッタ４の夫々に通じるコン
タクトホール６．７が開口されている。絶縁膜５上には
、フンタクトホールｅ 、 ｙ ヲ介シーｃｐ ヘース
３、Ｎエミッタ４に接続する第１配線８ｍ、８ｂが形成
されている。また、絶縁膜５上には、コンタクトホール
９を介して半導体基板１に接続する第１配線８ｃが形成
されている。これらの第１配線８ｇ、８ｂ、８ｃは、Ｗ
、Ｍｏ等の高融点金属或はこれらの合金で形成されて
いる。絶縁膜５上には、第１配線８ｍ、８ｂ、Ｂｅを覆
うように層間絶縁膜１０が形成されている。眉間絶縁膜
１０は、多結晶シリコンの酸化物で形成されている。層
間絶縁膜１０上には、コンタクトホール１１を介して第
１配線８ｃに接続する第２配線１２が形成されている。
層間絶縁膜１０上には、第２配線１２を覆うパッジペー
ジｌン膜１３が形成されている。
ジｌン膜１３が形成されている。
ここで、第１配線ＩＪ＊、８ｂ、Ｂｅの形成は、高融点
金属或はその合金をス・臂ツタ法や化学気相反応で堆積
した後、周知の写真蝕刻法によってパターニングするこ
とにより容易に行われる。
金属或はその合金をス・臂ツタ法や化学気相反応で堆積
した後、周知の写真蝕刻法によってパターニングするこ
とにより容易に行われる。
眉間絶縁膜１０の形成は、例えば減圧化学気相反応によ
って８１Ｈ４ガスを熱分解して多結晶シリコンを所定量
だけ堆積し、これにＨ２Ｏ＋ Ｈ２の雰囲気下で５００
℃以上の熱処理を施すことによシ、容易に行われる。層
間絶縁膜１０の形成に際しては、その内部にリン、？ロ
ン、ヒ素等の不純物元素を含有させるようにしても良い
。
って８１Ｈ４ガスを熱分解して多結晶シリコンを所定量
だけ堆積し、これにＨ２Ｏ＋ Ｈ２の雰囲気下で５００
℃以上の熱処理を施すことによシ、容易に行われる。層
間絶縁膜１０の形成に際しては、その内部にリン、？ロ
ン、ヒ素等の不純物元素を含有させるようにしても良い
。
このように構成された半導体装置２０によれば、第１配
９８ ｍ 、 ８ ｂ 、 ８ ｃが高融点金属或はそ
の合金で形成されているので、例えば５００℃以上の高
温熱処理によりて、層間絶縁膜１０中のヒロック等の欠
陥を除去するための処理を施すことができる。このため
所謂配線相互間での層間シ１−ト不良の発生を防止する
ことができる。因みに実施例の半導体装置２０では、イ
ニシャル不良率及び熱シ嘗ツクテスト（ＴＣＴ。
９８ ｍ 、 ８ ｂ 、 ８ ｃが高融点金属或はそ
の合金で形成されているので、例えば５００℃以上の高
温熱処理によりて、層間絶縁膜１０中のヒロック等の欠
陥を除去するための処理を施すことができる。このため
所謂配線相互間での層間シ１−ト不良の発生を防止する
ことができる。因みに実施例の半導体装置２０では、イ
ニシャル不良率及び熱シ嘗ツクテスト（ＴＣＴ。
ａｔ−６０〜１７５℃）不良率ともに約０％であったが
、従来の半導体装置では前者が３〜５％、後者が１〜２
％であった。
、従来の半導体装置では前者が３〜５％、後者が１〜２
％であった。
＊＋ｒａＭ錦套あ胛１１ｎ売ｌｒゐλｎ）体Ｌノ１！−
−督＾多結晶シリコンの酸化物の状態で形成されている
ので、そのノ等ツシペーシ四ノ効果によって電流増幅率
を安定にして素子の信頼性及び歩留シを著しく向上させ
ることができる。因みに、実施例の半導体装置２０では
、１６８時間の通電−の前後での電流増幅率の変動は、
第２図に示す如く極めて少ないが、従来の半導体装置で
は同図に併記する通電、通電の前後で電流増幅率が大き
く変化し、不安定であることが確認された。
−督＾多結晶シリコンの酸化物の状態で形成されている
ので、そのノ等ツシペーシ四ノ効果によって電流増幅率
を安定にして素子の信頼性及び歩留シを著しく向上させ
ることができる。因みに、実施例の半導体装置２０では
、１６８時間の通電−の前後での電流増幅率の変動は、
第２図に示す如く極めて少ないが、従来の半導体装置で
は同図に併記する通電、通電の前後で電流増幅率が大き
く変化し、不安定であることが確認された。
また、実施例の学導体装置では、歩留シを従来のものに
比べて約１．２倍向上できることが実験的に確認された
。
比べて約１．２倍向上できることが実験的に確認された
。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置によれば、
配線相互間の層間シ日−ト不良の発生を防止すると共に
、電流増幅率の安定を図って素子の信頼性を向上できる
ものである。
配線相互間の層間シ日−ト不良の発生を防止すると共に
、電流増幅率の安定を図って素子の信頼性を向上できる
ものである。
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、
第２図は、通電後の電流増幅率と通電前の電流増幅率と
の関係を示す特性図である。 １・・・半導体基板、２・・・埋込領域、３・・・Ｐベ
ース、４・・・Ｎエミッタ、５・・・絶縁膜、６，７，
９゜１１・・・コンタクトホール、８ｇ、８ｂ、８ｃ・
・・第１配線、１０・・・層間絶縁膜、１２・・・第２
配線、１３・・・ノ４ツシペーション膜、２０・・・半
導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
第２図は、通電後の電流増幅率と通電前の電流増幅率と
の関係を示す特性図である。 １・・・半導体基板、２・・・埋込領域、３・・・Ｐベ
ース、４・・・Ｎエミッタ、５・・・絶縁膜、６，７，
９゜１１・・・コンタクトホール、８ｇ、８ｂ、８ｃ・
・・第１配線、１０・・・層間絶縁膜、１２・・・第２
配線、１３・・・ノ４ツシペーション膜、２０・・・半
導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (1)
- 所定の素子を構成する能動領域を有する半導体基板と
、前記能動領域に接続して該半導体基板上に設けられ、
高融点金属またはその合金からなる第１配線と、該第１
配線の周囲を囲むようにして前記半導体基板上に設けら
れた絶縁膜と、前記第１配線を覆うように該絶縁膜上に
設けられ、多結晶シリコンの酸化物からなる層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜のコンタクトホールを介して前記第１
配線に接続し、該層間絶縁膜上に設けられた第２配線と
を具備することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15651185A JPS6218069A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15651185A JPS6218069A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218069A true JPS6218069A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15629368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15651185A Pending JPS6218069A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218069A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5026256A (en) * | 1987-12-18 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Variable speed pumping-up system |
| US5240380A (en) * | 1991-05-21 | 1993-08-31 | Sundstrand Corporation | Variable speed control for centrifugal pumps |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53142196A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Hitachi Ltd | Bipolar type semiconductor device |
| JPS547864A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-20 | Toshiba Corp | Manufacture for semiconductor device |
| JPS55134964A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
| JPS5637666A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-11 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
| JPS56129342A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS56146254A (en) * | 1980-04-14 | 1981-11-13 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS58164241A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP15651185A patent/JPS6218069A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53142196A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Hitachi Ltd | Bipolar type semiconductor device |
| JPS547864A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-20 | Toshiba Corp | Manufacture for semiconductor device |
| JPS55134964A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
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| JPS58164241A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US5026256A (en) * | 1987-12-18 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Variable speed pumping-up system |
| US5240380A (en) * | 1991-05-21 | 1993-08-31 | Sundstrand Corporation | Variable speed control for centrifugal pumps |
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