JPS62173808A - バツフアアンプ - Google Patents

バツフアアンプ

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JPS62173808A
JPS62173808A JP61015499A JP1549986A JPS62173808A JP S62173808 A JPS62173808 A JP S62173808A JP 61015499 A JP61015499 A JP 61015499A JP 1549986 A JP1549986 A JP 1549986A JP S62173808 A JPS62173808 A JP S62173808A
Authority
JP
Japan
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current
transistor
base
output
collector
Prior art date
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Pending
Application number
JP61015499A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsugio Yamaguchi
山口 二男
Tokuya Fukuda
福田 督也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS62173808A publication Critical patent/JPS62173808A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばIC内の電圧安定化回路の出力電圧を
取出すためのバッファアンプに関する。
〔発明の概要〕
本発明はバッファアンプに関し、出力電流を■ −にして検出し、この検出電流に基づいてベ−スミ流を
形成し、このベース電流をN倍にして帰還することによ
り、バッファアンプの入出力電圧間のオフセットがキャ
ンセルされるようにするものである。
〔従来の技術〕
第4図は基本的なバッファアンプの接続を示す。
図において、入力端子+11がトランジスタ(2)のベ
ースに接続され、このトランジスタ(2)のエミッタと
トランジスタ(3)のエミッタとが互いに接続され、こ
のエミッタの接続中点が定電流源(4)を通じて接地さ
れる。このトランジスタ(2)のコレクタがカレントミ
ラーのダイオード側を構成するトランジスタ(5)を通
じてVccの電源端子(6)に接続されると共に、トラ
ンジスタ(3)のコレクタが上述のカレントミラーのト
ランジスタ側を構成するトランジスタ(7)を通じて電
源端子(6)に接続される。さらにトランジスタ(3)
のコレクタがトランジスタ(8)のベースに接続される
。そしてトランジスタ(8)のコレクタが電源端子(6
)に接続され、エミッタが定電流源(9)を通じて接地
されると共に、このエミッタがトランジスタ(3)のベ
ースに接続され、さらにこのエミッタから出力端子(1
0)が導出される。
この回路において、トランジスタ(21(31にて差動
アンプが形成され、この出力がトランジスタ(8)のエ
ミッタホロアを通じて取出されると共に、トランジスタ
(3)のベースに帰還されて、バンファアンプが形成さ
れる。
ところがこの回路において、定電流源(4)を流れる本
体の電流2■1と、定電流源(9)を流れる出力電流I
oとの間に、1折以上の差があると、入力端子VINと
出力電圧Voとの間のオフセット電圧ΔV (= l 
VIN  VOl )が大きくなってしまう。
すなわち上述の回路で、カレントミラーの2つのトラン
ジスタT5+ (7)を流れる電流を共にIよとすると
、トランジスタ(2)に流れるコレクタ電流は11であ
るのに対し、トランジスタ(3)に流れるコレクタ電流
は、上述の!1からトランジスタ(8)に流れるベース
電流IB4c差し引いた値(11−18)になる。この
ため ■1 のオフセットが生じ、ここで211−80(μA)、I
o =2 (mA) 、トランジスタ(8)のh FE
 = 100とすると、 11=40(μA) となって、オフセット電圧Δ■は ΔV =  26  i n  −=  18  (m
V)にもなってしまう。
そこで従来から、このようなオフセット電圧を除くため
、種々の方法が提案されている。まず第1には上述の回
路において定電流源(4)の電流値をIoと同程度まで
増加することが考えられる。しかしながらこの方法では
、消費電力が極めて増大すると共に、カレントミラーを
構成するトランジスタ(51(?)はPNP形であるた
めに電流容量が小さく、これに大電流を流すためにはt
C内でのトランジスタ(51(71の占を面積が極めて
大きくなってしまう問題点があった。
また第5図に示すように、トランジスタ(2)のコレク
タにもトランジスタ(51)及び定電流源(52)から
なるダミーのエミッタホロア回路を設け、このベース電
流[Bをトランジスタ(2)のコレクタ電流から差し引
いて、トランジスタ(21(31のコレクタ電流を等し
くし、オフセット電圧Δ■をキャンセルする回路も提案
されたが、これでは定電流源(52□を流れる電流■0
が全く無駄に消費されてしまい、消費電流が極めて大き
くなってしまう。
これに対して第6図の回路では、トランジスタ(8)に
直列にトランジスタ(61)が接続され、このトランジ
スタ(61)に出力電流IOが流されることによって、
このトランジスタ(61)のベースにはトランジスタ(
8)と等しいベース電流IBが形成され、このベース電
流IBをトランジスタ(62)(63)のカレントミラ
ーで折り返してトランジスタ(3)のコレクタ電流に補
給するものである。これによればトランジスタ(8)に
引かれる分のベース電流Isがトランジスタ(63)か
ら補給されるので、トランジスタ(2) (31のコレ
クタ電流が等しくなる。
しかしながらこの回路では、トランジスタ(61)〜(
63)の回路を便」かせるためには、トランジスタ(6
1)  (62)等のベースエミッタ間降下電圧VBE
が必要であり、このため出力電圧VOのダイナミックレ
ンジは、 V、) <  Vcc −2VBE   Vci(sl
但しVctfS)はトランジスタ(8)のコレクタエミ
ッタ間のサチュレーション電圧 となる。これに対してバッファアンプ本来のダイナミッ
クレンジは、トランジスタ(7)のVCl2(Il+及
びトランジスタ(8)のVBIEからVo<  Vcc
 −Vcs(sl  −Vsiであり、これによってダ
イナミックレンジが78区(約0.7V )低下されて
しまっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述したように従来の技術では、オフセット電圧を除去
するために消費電流及び占有面積の増加、またはダイナ
ミックレンジの低下などの問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、差動接続された第1及び第2の能動素子(2
+ (31が設けられ、この第1の能動素子のベースに
入力端子を印加(入力端子(1)) L、上記第2の能
動素子のコレクタからエミッタホロアの第3の能動素子
(8)を介して出力電圧を取出す(出力端子(10))
と共に、この出力電圧を上記第2の能動素子のベースに
帰還するようにしたバッファアンプにおいて、上記第3
の能動素子の出力電流を□にして検出(定電流源(91
(11) ) L、この検出電流を第4の能動素子(1
2)のコレクタエミッタに供給してベース電流を形成し
、このベース電流をN倍(トランジスタ(13)  (
14) ’) して上記第1及び第2の能動素子のいず
れかに帰還するようにしたバッファアンプである。
〔作用〕
これによれば、ベース電流が帰還されて入出力電圧間の
オフセットがキャンセルされると共に、キャンセル回路
の消費電流が少なく、かつIC内での占有面積も小さく
、さらにダイナミックレンジも低下させることがない。
〔実施例〕
第1図において、定電流源(9)に関連して定電流源(
11)が設けられ、この定電流源(11)には定n ′電流源(9)の電流値1oに対して□の電流が流れる
ように構成される。さらにコレクタが電源端子(6)に
接続されたトランジスタ(12)のエミッタが定電流源
(11)に接続され、このトランジスタ(12)のベー
スがカレントミラーのダイオード側を構成するトランジ
スタ(13)を通じて電源端子(6)に接続される。そ
してこのカレントミラーのトランジスタ側を構成するト
ランジスタ(14)が、トランジスタ(I3)に対して
N倍の電流を流すように構成され、このトランジスタ(
14)のエミッタがトランジスタ(3)のコレクタに接
続される。
従ってこの回路において、定電流源(9)に出力電流1
oが流されることによって定電流源(■1)に□の電流
が流され、さらにこの電流がトランジスタ(12)に流
されるごとによってトランジス(14)でN倍にされ、
形成されたraの電流がトランジスタ(3)のコレクタ
に帰還されることにょってトランジスタ(8)のベース
電流1Bによるトランジスタ(21(31のコレクタ電
流のアンバランスが補正され、入出力電圧間のオフセッ
ト電圧Δ■がキャンセルされる。
そしてこの回路において、定電流源(11)〜トランジ
スタ(14)のキャンセル回路が出力端子(10)に接
続されないので、この回路によって出力電圧Voのダイ
ナミックレンジが影響されることがなく、本来のバッフ
ァアンプのダイナミックレンジを有効に利用することが
できる。
O また消費電流の増加は−のみであって、従来の技術に比
べて大幅に小さい。
こうして入出力電圧間のオフセットがキャンセルされる
わけであるが、上述の回路によればそれによってダイナ
ミックレンジが低下されることもなく、また消費電流の
増加も少い。
さらに第2図はキャンセル回路のlC内での占有面積も
考慮した場合である。すなわち上述の例ではP形のトラ
ンジスタ(13)  (14)で電流をN倍にするため
、特にトランジスタ(14)の占有面積が非常に大きく
なるおそれがある。そこでこの例では、P形のトランジ
スタ(13)  (14)は1:1とし、さらにこの電
流をN形のトランジスタ(21)(22)に供給して、
ここでN倍にするものである。
これによればN形のトランジスタは元々占有面積が小さ
いので、これをN倍にしても回路全体の占有面積は余り
大きくならない。
なおこの例では、電流IBをトランジスタ(21)で取
り出す方向で動作が行われるので、このトランジスタ(
21)をトランジスタ(2)のコレクタに接続して、ベ
ース電流1Bを差し引いてアンバランスを解消するよう
にする。
またこの例では、トランジスタ(13)  (14)の
ペア特性を補正するため、トランジスタ(13)のベー
スコレクタ間にトランジスタ(21)のペースエミッタ
間を接続すると共に、各トランジスタ(13)  (1
4)  (23)のエミッタに抵抗器(24)〜(26
)を設けている。
またトランジスタ(21)  (22)で電流をN倍に
する回路は、トランジスタ(22)をN倍にしなくても
、それぞれのエミッタ抵抗(27)  (28)をR:
□にしてもよい。
さらに第3図は電圧安定化回路の出力バッファアンプに
通用した場合の具体回路を示す。この図において、電圧
安定化回路(31)の出力が抵抗器(32) 、4個の
ダイオード(33)〜(36)及び抵抗器(37)の分
圧回路を介して、この抵抗器(32)とダイオード(3
3)の接続中点からトランジスタ(2)のベースに供給
されると共に、トランジスタ(8)からの出力が抵抗器
(9a)を介してトランジスタ(9b)  (9c)か
らなるカレントミラーのダイオード側に供給され、この
カレントミラーのトランジスタ側を電流源(4)及び(
11)を構成するトランジスタ(4a)  (lla 
)とする。
従ってこの回路において、トランジスタ(4a)のエミ
ッタ抵抗(4b)をトランジスタ(9c)のエミッタ抵
抗(9d)に比して大きくすることにより、21+<<
Ioの動作電流をトランジスタ(4a)を通じてトラン
ジスタ(21F31等に供給できると共に、1−ランジ
スタ(lla)のエミッタ抵抗(llb )をO 抵抗(9d)のN倍とすることにより、□の電流をトラ
ンジスタ(12)に流すことができる。
またこの回路で、バッファアンプの出力はIC内の各所
に分割して供給することが考えられ、その場合にN分割
したとすれば、1つの電流源の電1 。
流値を□にすることができる。そこでこの場I。
合には、ごの□の電流源の電流を1:1で折り返してト
ランジスタ(12)に供給するようにすればよい。
〔発明の効果〕
ごの発明によれば、ベース電流が帰還されて人出力電圧
間のオフセラ1−がキャンセルされると共に、キャンセ
ル回路の消費電流が少く、かつIC内での占有面積も小
さく、さらにダイナミックレンジも低下させることがな
いようにできる。
図面の簡単な説明 第1図は本発明の一例の構成図、第2図、第3図はその
説明のための図、第4図〜第6図は従来の技術の説明の
ための図である。
(11は入力端子、(2) (31(5) (71f8
1 (12)〜(14)はトランジスタ、(4)(91
(11)は定電流源、(6)は電源端子、(10)は出
力端子である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 差動接続された第1及び第2の能動素子が設けられ、 この第1の能動素子のベースに入力電圧を印加し、 上記第2の能動素子のコレクタからエミッタホロアの第
    3の能動素子を介して出力電圧を取出すと共に、 この出力電圧を上記第2の能動素子のベースに帰還する
    ようにしたバッファアンプにおいて、上記第3の能動素
    子の出力電流を1/Nにして検出し、 この検出電流を第4の能動素子のコレクタエミッタに供
    給してベース電流を形成し、 このベース電流をN倍して上記第1及び第2の能動素子
    のいずれかに帰還するようにしたバッファアンプ。
JP61015499A 1986-01-27 1986-01-27 バツフアアンプ Pending JPS62173808A (ja)

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JP61015499A JPS62173808A (ja) 1986-01-27 1986-01-27 バツフアアンプ

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JP61015499A JPS62173808A (ja) 1986-01-27 1986-01-27 バツフアアンプ

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JPS62173808A true JPS62173808A (ja) 1987-07-30

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JP61015499A Pending JPS62173808A (ja) 1986-01-27 1986-01-27 バツフアアンプ

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JP (1) JPS62173808A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04369112A (ja) * 1991-06-14 1992-12-21 Samsung Electron Co Ltd 主信号通路とハイパスフィルター特性の補助的な信号通路を有するノイズ減衰回路
JPH04369113A (ja) * 1991-06-14 1992-12-21 Samsung Electron Co Ltd 主信号通路とハイパスフィルター特性の補助的な信号通路を有するノイズ減衰回路
JP2008301083A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Mitsubishi Electric Corp 差動信号生成回路

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