JPS6166696A - レ−ザ−記録媒体 - Google Patents
レ−ザ−記録媒体Info
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- JPS6166696A JPS6166696A JP59188920A JP18892084A JPS6166696A JP S6166696 A JPS6166696 A JP S6166696A JP 59188920 A JP59188920 A JP 59188920A JP 18892084 A JP18892084 A JP 18892084A JP S6166696 A JPS6166696 A JP S6166696A
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- Japan
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- recording medium
- recording
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Duplication Or Marking (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザー記録媒体に関する。更に詳しくいえば
、レーザービームを照射して、その照射部に光学的変化
を起こさせて情報を記録するに適したレーザー記録媒体
に関するものである。
、レーザービームを照射して、その照射部に光学的変化
を起こさせて情報を記録するに適したレーザー記録媒体
に関するものである。
従来の技術
近年、レーザーに係る技術のめざましい進歩により、コ
ヒーレント光を用いた様々の応用の可能性の追求がなさ
れてきており、その結果、光通信、光記録・再生、光計
測、各種物品の加工への応用、医療への応用、化学反応
への応用等各種の広範な分野において有用な技術として
期待され、急速な開発・研究がなされ、一部では既に実
用化が図られている。
ヒーレント光を用いた様々の応用の可能性の追求がなさ
れてきており、その結果、光通信、光記録・再生、光計
測、各種物品の加工への応用、医療への応用、化学反応
への応用等各種の広範な分野において有用な技術として
期待され、急速な開発・研究がなされ、一部では既に実
用化が図られている。
中でも、最近特にレーザー光の集束性の良さを利用する
光記録媒体、例えばレーザーディスク等が、高密度情報
記録用の媒体として注目されている。このような光記録
媒体は、大きく分けて同一媒体に何度でも異った情報を
書込むことのできる書換え可能な媒体と情報の書込みが
一度しかできない固定記録媒体とに分類され、夫々前者
では光磁気材料、ホトクロミック材料、非晶質材料、サ
ーモプラスチック材料、電気光学結晶等が、また後者で
はアブラティブ材料、ホトポリマー材料、銀塩材料、ホ
トレジスト材料等が知られている。
光記録媒体、例えばレーザーディスク等が、高密度情報
記録用の媒体として注目されている。このような光記録
媒体は、大きく分けて同一媒体に何度でも異った情報を
書込むことのできる書換え可能な媒体と情報の書込みが
一度しかできない固定記録媒体とに分類され、夫々前者
では光磁気材料、ホトクロミック材料、非晶質材料、サ
ーモプラスチック材料、電気光学結晶等が、また後者で
はアブラティブ材料、ホトポリマー材料、銀塩材料、ホ
トレジスト材料等が知られている。
従来、レーザービームを利用してこれら材料に情報を記
録する態様としては、金属膜、色素膜などに局部的に孔
または変形を起こさせて、情報を記録するものが知られ
ている。しかし、このような態様では、一旦記録した情
報の消去は不可能であり、いわゆる追記型光記録媒体と
して用いられている。
録する態様としては、金属膜、色素膜などに局部的に孔
または変形を起こさせて、情報を記録するものが知られ
ている。しかし、このような態様では、一旦記録した情
報の消去は不可能であり、いわゆる追記型光記録媒体と
して用いられている。
一方、書換型光記録媒体としては、結晶−非晶質間の相
転移を利用するTeまたは、TeとBi、 Sb等との
合金を用いたもの、金属−半導体の相転移を利用する■
0□、SmS等が知られている。
転移を利用するTeまたは、TeとBi、 Sb等との
合金を用いたもの、金属−半導体の相転移を利用する■
0□、SmS等が知られている。
このうちTe系およびTeとB1、Sb等との合金を用
いた記録媒体では、繰返し記録・消去を行なうと、つま
り結晶−非晶質問相転移を繰返すと、相分離を起こし書
換性が損われることが知られている。
いた記録媒体では、繰返し記録・消去を行なうと、つま
り結晶−非晶質問相転移を繰返すと、相分離を起こし書
換性が損われることが知られている。
この相分離は、合金中のドープ量を減らし、Teまたは
、8i、 Sbの量を増加させることにより防ぐことが
できる。しかし、ドープ量を減らした場合には、非晶質
寿命が短くなり室温で短時間のうちに非晶質に転移して
しまうという問題が生ずる。
、8i、 Sbの量を増加させることにより防ぐことが
できる。しかし、ドープ量を減らした場合には、非晶質
寿命が短くなり室温で短時間のうちに非晶質に転移して
しまうという問題が生ずる。
他方、■0□、SmSを用いた媒体では、転移にともな
う体積変化が大きく、膜に変形、キ裂が生じやすいこと
、および記録・消去を繰返すには熱によるヒステリシス
効果を利用するため、媒体を室温以下に冷却するなどの
熱バイアスを加えねばならないという欠点を有している
。
う体積変化が大きく、膜に変形、キ裂が生じやすいこと
、および記録・消去を繰返すには熱によるヒステリシス
効果を利用するため、媒体を室温以下に冷却するなどの
熱バイアスを加えねばならないという欠点を有している
。
発明が解決しようとする問題点
上記の如く、最近のレーザーに関するめざましい技術開
発に伴って、光記録媒体も新たな局面を向えつつある。
発に伴って、光記録媒体も新たな局面を向えつつある。
しかしながら、従来の光記録媒体では一旦記録された情
報の消去が不可能(固定記録型材料)であったり、また
書換え可能な媒体であっても繰返し情報の記録・消去を
行なうと相分離を生じてしまったり、余分な操作(例え
ば冷却処理)が必要であるなど様々な改良すべき問題が
残されていた。
報の消去が不可能(固定記録型材料)であったり、また
書換え可能な媒体であっても繰返し情報の記録・消去を
行なうと相分離を生じてしまったり、余分な操作(例え
ば冷却処理)が必要であるなど様々な改良すべき問題が
残されていた。
従って、これらの諸欠点を示さない新規な記録媒体を開
発することは、該記録媒体の信頼性を高め、需要の拡大
を図る上で極めて重要である。
発することは、該記録媒体の信頼性を高め、需要の拡大
を図る上で極めて重要である。
そこで、本発明の目的は上記の如き従来の光記録媒体の
有する欠点を示さない、繰返し記録・消去が可能な光記
録媒体を提供することにある。
有する欠点を示さない、繰返し記録・消去が可能な光記
録媒体を提供することにある。
澗1メを解決するための手段
本発明者等はレーザービーム記録媒体の上記のような現
状に鑑みて、従来製品の呈する各種欠点を示さず、繰返
し記録・消去が可能な光記録媒体を得るべく種々検討、
研究した結果、前記目的を達成するためには比較的薄い
Bi層またはSb層を2層以上設けることが極めて有利
であることを見出し、本発明を完成した。
状に鑑みて、従来製品の呈する各種欠点を示さず、繰返
し記録・消去が可能な光記録媒体を得るべく種々検討、
研究した結果、前記目的を達成するためには比較的薄い
Bi層またはSb層を2層以上設けることが極めて有利
であることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明のレーザービーム記録媒体は基板と、該基
板上に設けられた記録媒体層としての少なくとも2層の
誘電体層および少なくとも2層のBi層またはSb層と
を有し、該Bi層またはSb層の各々が該誘電体層では
さまれ、該基板上で該誘電体層と交互に配置された構成
を有することを特徴とする。
板上に設けられた記録媒体層としての少なくとも2層の
誘電体層および少なくとも2層のBi層またはSb層と
を有し、該Bi層またはSb層の各々が該誘電体層では
さまれ、該基板上で該誘電体層と交互に配置された構成
を有することを特徴とする。
Bi層はBiの他、Biを90原子%以上含有するBi
金合金使用することができ、またSb層はSbの他、S
bを90原子%以上含有するSb金合金使用することが
でき、同様な効果を期待することができる。これらは蒸
着あるいはスパッタ法等により形成することができる。
金合金使用することができ、またSb層はSbの他、S
bを90原子%以上含有するSb金合金使用することが
でき、同様な効果を期待することができる。これらは蒸
着あるいはスパッタ法等により形成することができる。
ここで、基板としては、ポリカーボネイトあるいはアク
リル樹脂などのプラスチック、AIなどの金属あるいは
ガラスが用いられる。
リル樹脂などのプラスチック、AIなどの金属あるいは
ガラスが用いられる。
また、誘電体層としては、無機蒸着膜、無機スパッタ膜
、有機蒸着膜、有機スパッタ膜あるいは、プラズマ重合
膜を用いることができる。このうち、無機蒸着膜および
無機スパッタ膜としてはS 102.5iO1AI20
3、Y2O3、WO3、Ta205、Cr、03、Ce
O2、Tea、、M2O3、In2O3、GaO2、T
iO2などの酸化物膜、MgF2、PbFz、CeF3
などのフッ化物膜、AIN、 Si、N、などの窒化物
膜、ZnSなどの硫化物膜などを適用することができる
。
、有機蒸着膜、有機スパッタ膜あるいは、プラズマ重合
膜を用いることができる。このうち、無機蒸着膜および
無機スパッタ膜としてはS 102.5iO1AI20
3、Y2O3、WO3、Ta205、Cr、03、Ce
O2、Tea、、M2O3、In2O3、GaO2、T
iO2などの酸化物膜、MgF2、PbFz、CeF3
などのフッ化物膜、AIN、 Si、N、などの窒化物
膜、ZnSなどの硫化物膜などを適用することができる
。
有機蒸着膜としては、ポリエチレン、ポリフッ化ビニリ
デン、ポリフェニレンスルファイドなどの高分子Mtr
膜、Cuフタロシアニン、フルオレセインなどの低分子
蒸着膜を適用することができる。
デン、ポリフェニレンスルファイドなどの高分子Mtr
膜、Cuフタロシアニン、フルオレセインなどの低分子
蒸着膜を適用することができる。
プラズマ重合膜としては、エチレンなどのオレフィン化
合物、スチレンなどの芳香族化合物、6フツ化プロピレ
ンなどの含フツ素化合物、アクリロニトリルなどの含窒
素化合物、ヘキサメチルジシロキサンなどの含Si化合
物、テトラメチルスズなどの有機金属化合物など各種有
機化合物から得れる重合膜を適用することができる。
合物、スチレンなどの芳香族化合物、6フツ化プロピレ
ンなどの含フツ素化合物、アクリロニトリルなどの含窒
素化合物、ヘキサメチルジシロキサンなどの含Si化合
物、テトラメチルスズなどの有機金属化合物など各種有
機化合物から得れる重合膜を適用することができる。
本発明のレーザー記録媒体においては、また該記録媒体
層上に、あるいは基板と記録媒体層との界面に、即ち例
えば基板と誘電体層との間に光反射層を設けることもで
きる。
層上に、あるいは基板と記録媒体層との界面に、即ち例
えば基板と誘電体層との間に光反射層を設けることもで
きる。
本発明のレーザー記録媒体は例えば第1図および第2図
に示すような構成をとることができる。
に示すような構成をとることができる。
例えば、第1図の媒体は、基板1と、その上に形成され
た誘電体層2と、該誘電体層上に設けられたB1または
Sb層もしくはBiまたはSbを90原子%以上含有す
る合金層3(以下簡単化のために記録層という)と、更
にこの上に誘電体層、記録層をこの順序で順次形成する
ことにより設けられた誘電体層4および6並びに記録層
5とから構成されている。−また、第2図の態様は記録
媒体上に光反射層7を設けた例である。この光反射層と
しては従来公知の材料並びに形成方法がそのまま利用で
き、特に制限されない。
た誘電体層2と、該誘電体層上に設けられたB1または
Sb層もしくはBiまたはSbを90原子%以上含有す
る合金層3(以下簡単化のために記録層という)と、更
にこの上に誘電体層、記録層をこの順序で順次形成する
ことにより設けられた誘電体層4および6並びに記録層
5とから構成されている。−また、第2図の態様は記録
媒体上に光反射層7を設けた例である。この光反射層と
しては従来公知の材料並びに形成方法がそのまま利用で
き、特に制限されない。
作用
本発明のレーザー記録媒体は、BiまたはBi金合金し
くはSbまたはSb金合金記録層を使用し、これと誘電
体層とを交互にサンドイッチ型で多層構造としたことを
特徴とするものであり、このような構成としたことによ
り、積層しない一層構造をもつ従来のものと比較して、
非晶質寿命が著しく延長されるので相分離を起こすこと
のない、かつ非晶質寿命の長い安定な記録媒体が提供さ
れることになる。
くはSbまたはSb金合金記録層を使用し、これと誘電
体層とを交互にサンドイッチ型で多層構造としたことを
特徴とするものであり、このような構成としたことによ
り、積層しない一層構造をもつ従来のものと比較して、
非晶質寿命が著しく延長されるので相分離を起こすこと
のない、かつ非晶質寿命の長い安定な記録媒体が提供さ
れることになる。
一般に、基板1と接する誘電体層2に、基板1への熱流
出を防ぐ断熱層としての機能を与えたい場合には、50
nm程度以上の膜厚とすることが望ましく、また最上層
の誘電体層は、媒体の変形を抑制するためには、やはり
50nm程度以上の膜厚にして用いることが好ましい。
出を防ぐ断熱層としての機能を与えたい場合には、50
nm程度以上の膜厚とすることが望ましく、また最上層
の誘電体層は、媒体の変形を抑制するためには、やはり
50nm程度以上の膜厚にして用いることが好ましい。
これ以外の誘電体層は、記録層3.5を分離できればよ
く、従って5nm程度以上の膜厚であれば十分である。
く、従って5nm程度以上の膜厚であれば十分である。
誘電体層は上記のBi層等の分離を達成する機能の他に
、これ等の変形を防止する機能をも併せ持ち、その結果
、記録・消去サイクルの多数回に亘る繰返し中に生じる
可能性のある、記録媒体粒子間の凝集・融合等を防止し
て、該粒子の粒径を微細な状態に維持する。
、これ等の変形を防止する機能をも併せ持ち、その結果
、記録・消去サイクルの多数回に亘る繰返し中に生じる
可能性のある、記録媒体粒子間の凝集・融合等を防止し
て、該粒子の粒径を微細な状態に維持する。
一方、記録層3.5は蒸着あるいは、スパッタ法により
形成されるが、その膜厚は、10nm以下であることが
好ましい。このような比較的薄い膜厚とすることにより
81またはSbの非晶質寿命は室温で充分長くなること
を見出した。つまり結晶化温度1t、BiおよびSbの
膜厚を薄くするほど高くなる。
形成されるが、その膜厚は、10nm以下であることが
好ましい。このような比較的薄い膜厚とすることにより
81またはSbの非晶質寿命は室温で充分長くなること
を見出した。つまり結晶化温度1t、BiおよびSbの
膜厚を薄くするほど高くなる。
従って、BiおよびSbの膜厚を薄くする程、室温にお
けるBiおよびSbの非晶質状態の室温での寿命は長く
なるが、結晶化による記録・消去の感度が低下するため
BiおよびSbの膜厚としては、3〜10nmが適して
いる。
けるBiおよびSbの非晶質状態の室温での寿命は長く
なるが、結晶化による記録・消去の感度が低下するため
BiおよびSbの膜厚としては、3〜10nmが適して
いる。
一方、BiおよびSbの代わりにBi金合金るいはSb
金合金用いた場合には、もともと結晶化温度がBiおよ
びSb単体より高いため、30nm以下の膜厚にするこ
とにより充分長い非晶質寿命が得られ、また下限は上記
と同様な理由から5nm以上であることが必要とされる
ので膜厚としては、5〜30nmの範囲内とすることが
適している。
金合金用いた場合には、もともと結晶化温度がBiおよ
びSb単体より高いため、30nm以下の膜厚にするこ
とにより充分長い非晶質寿命が得られ、また下限は上記
と同様な理由から5nm以上であることが必要とされる
ので膜厚としては、5〜30nmの範囲内とすることが
適している。
尚、この81およびSb化合物は、相分離を起こさない
ような組成、つまりBiおよびSb原子が90原子%以
上含まれ、Pb、 Sn、 In、 As、 5eSG
e、、Si、 S。
ような組成、つまりBiおよびSb原子が90原子%以
上含まれ、Pb、 Sn、 In、 As、 5eSG
e、、Si、 S。
Sb (Biをベースとする場合)からなる群から選ば
れる少なくとも1種の元素を10原子%以下ドープした
ものを例示できる。
れる少なくとも1種の元素を10原子%以下ドープした
ものを例示できる。
上記合金成分のいくつかの元素、例えばSnとGe。
InとSeなどを使用することにより、その他のものと
同様に、優れた記録・消去特性を示す他、消去速度の速
い記録媒体を得ることも可能である。従って、記録・消
去の高速化を図ることが可能となる。
同様に、優れた記録・消去特性を示す他、消去速度の速
い記録媒体を得ることも可能である。従って、記録・消
去の高速化を図ることが可能となる。
第1図および第2図の例では、記録層を2層だけ設けた
記録媒体を示したが、記録層が1層でもレーザー記録媒
体を構成することは可能である。
記録媒体を示したが、記録層が1層でもレーザー記録媒
体を構成することは可能である。
しかしながら、1層では、充分なコントラストを得るこ
とが困難であり、2層・以上の記録層を含むサンドイッ
チ型構造とすることが適している。
とが困難であり、2層・以上の記録層を含むサンドイッ
チ型構造とすることが適している。
更に、第2図に示すように誘電体層6の上に光反射層7
を設け、また誘電体層の膜厚を制御し、記録波長での反
射強度を極小となるようにすることにより、記録レーザ
ー光の吸収率を高め、感度を向上させることができる。
を設け、また誘電体層の膜厚を制御し、記録波長での反
射強度を極小となるようにすることにより、記録レーザ
ー光の吸収率を高め、感度を向上させることができる。
この場合の光反射層としては、AI、Au、 Agなど
の金属膜のはかBiあるいはSb膜膜体体光反射層とし
て用いることもできる。
の金属膜のはかBiあるいはSb膜膜体体光反射層とし
て用いることもできる。
次に、このような本発明の記録媒体に、レーザービーム
を照射することにより情報を記録・消去する方法につい
て述べる。
を照射することにより情報を記録・消去する方法につい
て述べる。
まず、81またはSb層は、付着後は、結晶状態である
ので、パルス巾の短かい強いレーザー光を照射して、B
iあるいはSbの融点以上に加熱、急冷することにより
、B1あるいはSbを結晶質から非晶質に相転移させ、
この非晶質化により情報が記録される。
ので、パルス巾の短かい強いレーザー光を照射して、B
iあるいはSbの融点以上に加熱、急冷することにより
、B1あるいはSbを結晶質から非晶質に相転移させ、
この非晶質化により情報が記録される。
一方、非晶質化および結晶化を起こさないほどに弱いレ
ーザー光を照射し、その反射強度あるいは、透過強度を
検出することにより上記の如くして記録した情報を再生
することができる。
ーザー光を照射し、その反射強度あるいは、透過強度を
検出することにより上記の如くして記録した情報を再生
することができる。
また、この非晶化した部分に記録に用いたレーザー光よ
り弱く、かつ再生光よりは強いパワーのレーザー光を比
較的長時間照射することにより非晶質から結晶質に相転
移を起こさせ、情報の消去を行なうことができる。
り弱く、かつ再生光よりは強いパワーのレーザー光を比
較的長時間照射することにより非晶質から結晶質に相転
移を起こさせ、情報の消去を行なうことができる。
Bi系合金または、Sbb合金層を用いた場合は、付着
後は非晶質状態である。従って、結晶化によって記録し
、非晶質化によって消去するか、あるいはあらかじめ熱
処理などにより結晶化させておき、非晶質化によって記
録し、結晶化によって消去することもできる。
後は非晶質状態である。従って、結晶化によって記録し
、非晶質化によって消去するか、あるいはあらかじめ熱
処理などにより結晶化させておき、非晶質化によって記
録し、結晶化によって消去することもできる。
また、一般に以上述べた例では記録は基板側からのレー
ザー照射により行われるが、基板1と誘電体層2との間
に光反射層を設けて、記録媒体側からレーザ光の照射を
行なうようにすることもできる。
ザー照射により行われるが、基板1と誘電体層2との間
に光反射層を設けて、記録媒体側からレーザ光の照射を
行なうようにすることもできる。
実施例
次に、本発明の記録媒体を実施例1どよって更に具体的
にのべる。
にのべる。
実施例1
基板としてポリメチルメタクリレートを用い、この上に
SiC2を電子ビーム蒸着法により厚さ20nmで堆積
し、B1を抵抗加熱蒸着法で厚さ5層mに堆積するとい
ったように順次積層し、B1層を4層設けた本発明の記
録媒体を作製した。ただし、最上層の8102誘電体層
の膜厚は1100nとした。この記録媒体に対して、波
長850nmの半導体レーザーを用いて、記録・消去実
験を行った。レーザービーム径1,6μmで基板をとお
してレーザー照射を行ない、記録媒体上でのレーザーパ
ワー5mW、パルス巾80nsで非晶質化が生じ、レー
ザーパワー4mW。
SiC2を電子ビーム蒸着法により厚さ20nmで堆積
し、B1を抵抗加熱蒸着法で厚さ5層mに堆積するとい
ったように順次積層し、B1層を4層設けた本発明の記
録媒体を作製した。ただし、最上層の8102誘電体層
の膜厚は1100nとした。この記録媒体に対して、波
長850nmの半導体レーザーを用いて、記録・消去実
験を行った。レーザービーム径1,6μmで基板をとお
してレーザー照射を行ない、記録媒体上でのレーザーパ
ワー5mW、パルス巾80nsで非晶質化が生じ、レー
ザーパワー4mW。
パルス巾400nsで結晶化が生じた。再生は、レーザ
ーパワー1m□、パルス巾500nsで行なったところ
記録媒体に変化はみられなかった。しかも、104回以
上の記録・再生実験後も初期値と同じ信号出力を維持し
ていることが確認された。また、非晶質化したBiは4
0℃で1力月以上保存しても結晶化がみられず安定であ
ることがわかった。
ーパワー1m□、パルス巾500nsで行なったところ
記録媒体に変化はみられなかった。しかも、104回以
上の記録・再生実験後も初期値と同じ信号出力を維持し
ていることが確認された。また、非晶質化したBiは4
0℃で1力月以上保存しても結晶化がみられず安定であ
ることがわかった。
実施例2
実施例1の操作を繰返し、B1膜のかわりにSbb着膜
を用いて同様な記録媒体を作製したところ、このものは
レーザ°−パワー15mW、パルス巾100nsで非晶
質化を生じ、レーザーパワー[3mW、パルス巾500
nsで結晶化を生じた。再生を、レーザーパワー1mW
、パルス巾500nsで行なったところ、記録状態に変
化はみられなかった。しかも104回以上の記録・再生
実験後も初期値と同じ信号出力を維持していることが確
認された。
を用いて同様な記録媒体を作製したところ、このものは
レーザ°−パワー15mW、パルス巾100nsで非晶
質化を生じ、レーザーパワー[3mW、パルス巾500
nsで結晶化を生じた。再生を、レーザーパワー1mW
、パルス巾500nsで行なったところ、記録状態に変
化はみられなかった。しかも104回以上の記録・再生
実験後も初期値と同じ信号出力を維持していることが確
認された。
実施例3
実施例1の操作を繰返し、B1のかわりにB15aSn
sGes、B15oln5Ses、81 gaPbsA
ssを夫々用いた本発明の記録媒体を作製した。このも
のの記録・消去特性は、実施例1の記録媒体とほぼ同様
であったが、消去において、レーザーパワー4mW、パ
ルス巾300nsで結晶化が生ずるなど、消去速度の速
まる傾向がみられた。また、安定性についても40℃で
2力月以上保存しても結晶化がみられず、実施例1のも
のよりも更に一層安定であることがわかった。
sGes、B15oln5Ses、81 gaPbsA
ssを夫々用いた本発明の記録媒体を作製した。このも
のの記録・消去特性は、実施例1の記録媒体とほぼ同様
であったが、消去において、レーザーパワー4mW、パ
ルス巾300nsで結晶化が生ずるなど、消去速度の速
まる傾向がみられた。また、安定性についても40℃で
2力月以上保存しても結晶化がみられず、実施例1のも
のよりも更に一層安定であることがわかった。
実施例4
実施例2の操作を繰返して同様な構成の記録媒体を得た
。ただし、Sbのかわりに5bsoSnsGes、5b
sornsSes、5klsoPbsASsを用いたも
のを作製した。
。ただし、Sbのかわりに5bsoSnsGes、5b
sornsSes、5klsoPbsASsを用いたも
のを作製した。
このものの記録・消去特性は、実施例2の製品とほぼ同
様であったが、レーザーパワー5mW、パルス巾400
nsで結晶化が生ずるなど、消去速度の速まる傾向がみ
られた。また、非晶質状態で40℃で2力月保存しても
結晶化がみられず、従って、常温では、非晶質として極
めて安定であることが確認された。
様であったが、レーザーパワー5mW、パルス巾400
nsで結晶化が生ずるなど、消去速度の速まる傾向がみ
られた。また、非晶質状態で40℃で2力月保存しても
結晶化がみられず、従って、常温では、非晶質として極
めて安定であることが確認された。
実施例5
実施例1の操作を繰返した。ただし、SiC2の代わり
にY2O3、TazOs、Al2O3、S10、CeF
3およびCr2O3の電子ビーム蒸着膜を誘電体層とし
て用いた記録媒体を作製したところ、この製品は記録・
消去特性としては実施例1のものと同様の値を示した。
にY2O3、TazOs、Al2O3、S10、CeF
3およびCr2O3の電子ビーム蒸着膜を誘電体層とし
て用いた記録媒体を作製したところ、この製品は記録・
消去特性としては実施例1のものと同様の値を示した。
また、SiC2の代わりにPbF2、GeO□、MOO
3、MgF2およびTeO□の蒸着膜を誘電体層として
用いた場合にも同様であった。
3、MgF2およびTeO□の蒸着膜を誘電体層として
用いた場合にも同様であった。
実施例6
誘電体膜としてのSiC2のかわりにテトラメチルスズ
のプラズマ重合膜を用いた他は実施例1と同様に操作し
て本発明の記録媒体を作製した。この場合、最上層の重
合膜厚は200nmとした。この記録媒体では、レーザ
ーパワー5mLパルス巾60nsで非晶質化が生じレー
ザーパワー3mW、パルス巾400nsで結晶化が生じ
た。再生はレーザーパワー1mW、パルス巾500ns
で行なったが記録状態に変化はみられなかった。尚、こ
のものは104回以上の記録・再生実験後も初期値と同
じ信号出力を維持していることが確認された。
のプラズマ重合膜を用いた他は実施例1と同様に操作し
て本発明の記録媒体を作製した。この場合、最上層の重
合膜厚は200nmとした。この記録媒体では、レーザ
ーパワー5mLパルス巾60nsで非晶質化が生じレー
ザーパワー3mW、パルス巾400nsで結晶化が生じ
た。再生はレーザーパワー1mW、パルス巾500ns
で行なったが記録状態に変化はみられなかった。尚、こ
のものは104回以上の記録・再生実験後も初期値と同
じ信号出力を維持していることが確認された。
実施例7
実施例6において、誘電体層としてのテトラメチルスズ
・プラズマ重合膜の代わりにポリイミドスパッタ膜およ
びCuフタロシアニン蒸着膜を用いた他は同様に操作し
て2種の記録媒体を夫々作製した。これらは記録・消去
特性については、実施例3と同様の結果を与えたが、1
03回の記録・消去実験後において、これらの媒体には
不可逆的変化が生じた。
・プラズマ重合膜の代わりにポリイミドスパッタ膜およ
びCuフタロシアニン蒸着膜を用いた他は同様に操作し
て2種の記録媒体を夫々作製した。これらは記録・消去
特性については、実施例3と同様の結果を与えたが、1
03回の記録・消去実験後において、これらの媒体には
不可逆的変化が生じた。
実施例8
実施例1においてBi層を2層設け、また最上層のSi
O2膜厚を150nmとし、この上に光反射膜としマ厚
さ50nmのA、1蒸着膜を設けた記録媒体を作製シフ
こ。この媒体ではレーザーパワー6mW、パルス巾70
nsで非晶質化が生じ、レーザーパワー3m1ll。
O2膜厚を150nmとし、この上に光反射膜としマ厚
さ50nmのA、1蒸着膜を設けた記録媒体を作製シフ
こ。この媒体ではレーザーパワー6mW、パルス巾70
nsで非晶質化が生じ、レーザーパワー3m1ll。
パルス巾400nsで結晶化が生じた。
発明の効果
以上詳しく説明したように、本発明の積層構造のレーザ
ービーム記録媒体では、B1またはSbもしくは81合
金またはSb合金層の膜厚を制御することにより媒体の
特性を制御することができ、媒体特性の再現性が良いと
いう利点を有している。更にB1、Sbあるいは、B1
またはSbを90原子%以上含む、81合金またはSb
金合金用いているため感度が高くコントラストも優れた
媒体を与える。また本発明の記録媒体は、相分離を起こ
さず、非晶質状態の寿命が長いことと、誘電体層が媒体
の変形を防止し、またB15SbSBi化合物、Sb化
合物の粒径を微細のまま変化しないように保つため、繰
返し記録・消去が可能なレーザー記録媒体として利用す
ることができる。
ービーム記録媒体では、B1またはSbもしくは81合
金またはSb合金層の膜厚を制御することにより媒体の
特性を制御することができ、媒体特性の再現性が良いと
いう利点を有している。更にB1、Sbあるいは、B1
またはSbを90原子%以上含む、81合金またはSb
金合金用いているため感度が高くコントラストも優れた
媒体を与える。また本発明の記録媒体は、相分離を起こ
さず、非晶質状態の寿命が長いことと、誘電体層が媒体
の変形を防止し、またB15SbSBi化合物、Sb化
合物の粒径を微細のまま変化しないように保つため、繰
返し記録・消去が可能なレーザー記録媒体として利用す
ることができる。
第1図は、本発明の記録媒体の構造を示す模式的断面図
であり、 第2図は、本発明の別の態様に係る記録媒体の構造を示
す模式的断面図である。 (主な参照番号) 1 基板、 2.4.6 誘電体層、3.5 B1ま
たはSb層あるいはBlまたはSbを90原子%以上含
む8i合金またはSb合金層、7 光反射層 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 新居正彦 第1図
であり、 第2図は、本発明の別の態様に係る記録媒体の構造を示
す模式的断面図である。 (主な参照番号) 1 基板、 2.4.6 誘電体層、3.5 B1ま
たはSb層あるいはBlまたはSbを90原子%以上含
む8i合金またはSb合金層、7 光反射層 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 新居正彦 第1図
Claims (3)
- (1)基板と、該基板上に設けられた記録媒体層として
の少なくとも2層の誘電体層と少なくとも2層のBi層
またはSb層とを有し、該Bi層またはSb層の各々が
該誘電体層にはさまれ、該基板上で該誘電体層と交互に
設けられた構成とされていることを特徴とするレーザー
記録媒体。 - (2)前記Bi層のかわりにBiを90原子%以上含有
するBi合金層を用いるか、あるいは前記Sb層のかわ
りにSbを90原子%以上含有するSb合金層を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレーザー
記録媒体。 - (3)前記記録媒体層上あるいは基板と記録媒体層との
界面に光反射層を設けることを特徴とする特許請求の範
囲第1項または第2項に記載のレーザー記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59188920A JPS6166696A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | レ−ザ−記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59188920A JPS6166696A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | レ−ザ−記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6166696A true JPS6166696A (ja) | 1986-04-05 |
JPH0522592B2 JPH0522592B2 (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=16232194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59188920A Granted JPS6166696A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | レ−ザ−記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6166696A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63225934A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
JPH01277336A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生消去部材と光ディスク |
JPH025237A (ja) * | 1988-06-22 | 1990-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
JPH0376684A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-02 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 書換え型光情報記録媒体 |
JPH03259437A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
JPH03295040A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録方法、再生方法及び消去方法 |
JPH04134645A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
JPH04134642A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
JPH04134644A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
JPH04146188A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP59188920A patent/JPS6166696A/ja active Granted
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63225934A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
JPH0845074A (ja) * | 1986-09-22 | 1996-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的可逆記録方法 |
JPH01277336A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生消去部材と光ディスク |
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JPH03259437A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
JPH03295040A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録方法、再生方法及び消去方法 |
JPH04134645A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
JPH04134642A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
JPH04134644A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
JPH04146188A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0522592B2 (ja) | 1993-03-30 |
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