JPH03295040A - 光学的情報記録方法、再生方法及び消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は　光・熱等を用いて高速かつ高密度に情報を記
録再生する光学的情報記録媒体に関するものであム 従来の技術 レーザー光をレンズ系によって収束させると直径がその
光の波長のオーダーの小さな光スポットを作ることがで
きも　したがって小さい出力の光源からでも単位面積あ
たりのエネルギー密度の高い光スポットを作ることが可
能であａ　したがって物質の微少な領域を変化させるこ
とが可能であり、またその微少領域の変化を読みだすこ
とも可能であも　これを情報の記録・再生に利用したも
のが光学的情報記録媒体であム　以下、　「光記録媒体
」あるいは単に「媒体」と記述すａ光記録媒体の基本的
な構造は表面が平坦な基材上にレーザースポット光照射
によって何らかの状態が変化する記録薄膜層を設けたも
のである。信号の記録・再生は以下のような方法を用い
る。すなわ板　平板状の媒体を例えばモーター等による
回転手段や並進手段により移動させ、この媒体の記録薄
膜面上にレーザー光を収束し照射すも　記録薄膜はレー
ザー光を吸収し昇温すも　レーザー光の出力をある閾値
以上に大きくすると記録薄膜の状態が変化して情報が記
録されも　この閾値は記録薄膜自体の特性の他に基材の
熱的な特性・媒体の光スポットに対する相対速度等に依
存する量であも　記録された情報は記録部に前記閾値よ
りも十分低い出力のレーザー光スポットを照射しその透
過光強胆　反射光強度あるいはそれらの偏光方向等何ら
かの光学的特性が記録部と未記録部で異なることを検出
して再生すム したがって、小さいレーザーパワーで状態が変化し　大
きな光学的変化を示す材料および構造が望まれも 記録薄膜としてはＢ１、Ｔｅあるいはこれらを主成分と
する金属薄罠　Ｔｅを含む化合物薄膜が知られていも　
これらはレーザー光照射により薄膜が溶融あるいは蒸発
し小孔を形成するいわゆる穴開は型の記録を行（＼　こ
の記録部とその周辺部からの反射光あるいは透過光の位
相が異なるため干渉で打ち消しあって、あるいは回折さ
れて検出系に至る反射光量あるいは透過光量が変化する
ことを検出して再生を行う。また　他に相変化型と呼ば
れ数　形状の変化を伴わずに記録薄膜材料の結晶構造の
変化により光学的な変化をする記録媒体がある。材料と
してはアモルファスカルコゲン化物薄罠　テルルおよび
酸化テルルからなるＴｅ−Ｔ　ｅ　０２を主成分とする
酸化物系薄膜がある（特公昭、５４−３７２５号公報）
。まｔ＝Ｔｅ−ＴｅＯ２−Ｐｄを主成分とする薄膜も知
られている（特開昭６１−６８２９６号公報）。これら
はレーザー光照射により薄膜の消衰係数あるいは屈折率
のうち少なくともいずれか１つが変化して記録を行しＸ
、この部分で透過光あるいは反射光の振幅が変化し　そ
の結果検出系に至る透過光量あるいは反射光量が変化す
ることを検出して信号を再生すム　相変化型の媒体は形
状の変化を伴わないため可逆的に状態変化が可能であれ
ば　記録した信号を消去・書き換えが可能であ４　この
ように可逆的に相変化が可能な材料としてＧｅ−Ｔｅ−
３ｂ−ｓ系材料（特公昭４７−２６８９７号公報）、Ｔ
ｅ−０−Ｇｅ−８ｂ系材料（特開昭５９−１８５０４８
号公報）、Ｔｅ−〇−Ｇｅ−３ｂ−Ａｕ系材料（特開昭
６１−２５９４号公報）、Ｇｅ５ｂ−Ｔｅ系材料（特開
昭６２−２０９７４２号公報）などが知られていも　こ
れらはいずれも可逆的に変化する２つの状態としてアモ
ルファス状態（あるいはガラス状風　無定形状態）と結
晶状態が安定に存在すム　−船釣には記録・消去は次の
ような方法で実現すも　すなわちアモルファス化はレー
ザー光照射により薄膜を加熱昇温して熔融しレーザー光
照射終了時に冷却される過程において急冷されアモルフ
ァス状態となることにより実現する。結晶化は同様にレ
ーザー光照射による加熱により薄膜を融点以下で結晶化
に十分な温度に昇温し実現すも　また融点以上に昇温し
た場合でも冷却時に十分な急冷条件が得られず徐冷され
た場合にも結晶化が実現する。アモルファス状態と結晶
状態をそれぞれ情報の記録状態と消去状態として使用す
る力＼　逆にそれぞれを消去状態と記録状態として使用
するかは任意である力丈　アモルファス状態を記録状態
として使用するのが一般的であるので以下では代表とし
てそのような対応で説明をす４ 一般的に光ディスクにはレーザー光により記録および再
生を行なうた数　光学的な特性が要求されも　使用する
レーザー光の波長においてレーザー光の吸収が大きいこ
と、記録状態と消去状態Ｃ未記録状態）の間の光学的な
状態差すなわち変化量が大きいことが必要であ４ 書き換え型相変化記録媒体は上述のように記録薄膜を融
点以上に昇温するた八　記録消去時に記録薄膜および基
材の変形・破壊を防ぐために第２図のように記録薄膜を
無機誘電体等からなる透明な層ではさんで保護すること
が一般的であム　誘電体等の保護層（以下、透明層と記
述する）にはこの保護の機能の他に前記の光学的な特性
を制御する機能や薄膜の昇温冷却条件を制御する機能も
あわせて持たせることも行なわれていも　前者では透明
層の光学定数（屈折率）と厚さが後者では熱定数（比肱
　熱伝導風　密度）と厚さがパラメータとなって特性を
左右する。したがって透明層はこれらすべての特性をそ
の目的に応じて最適化されるように選ぶ必要があも さらに透明層ではさむだけでは十分な光学的特性が得ら
れない場合には第３図のように透明層の上に金属等の反
射層を設けて光学的特性を向上することも提案されてい
も また　第２図・第３図に示すように基材上に透明層　記
録薄膜層　反射層からなる薄膜構造の全体的な機械的保
護のための保護材を設けることも任意である。この保護
材は例えば樹脂板を接着剤で張り付けるあるいは溶剤に
とかした樹脂をスピンコード法により塗布したのち乾燥
することにより形成することができも 発明が解決しようとする課題 相変化型の光記録媒体は前述のようにアモルファス化の
ためには記録薄膜材料を融点以上に過熱昇温しで熔融し
たのち急冷することにより得られる。

したがって、媒体を構成する各層　なかでも記録薄膜層
・透明層は記録・消去のためのレーザー光照射時に高温
になり熱サイクルによる劣化を生ずへ　その結果媒体特
性の劣化すなわち変化量の減退　繰り返し性の劣イし　
またはノイズ原因の増加などが発生する。この劣化の原
因は複数のメカニズムが介在していて完全に解明されて
いるとはいえないが　考えられる主なものを次に示す。

ひとつはレーサー光照射により昇温しで記録薄膜か熔融
した場合に温度分布により組成の偏析・相分離にが生じ
可逆的な相変化の特性が失われる現象がある。また記録
薄膜自身の熱膨張や蒸気圧の上昇による変形・ピンホー
ルの生成などの物理的な破壊現象もある。さらに透明層
を構成する誘電体材料の熱的な劣化　例えば結晶構造の
変化による変形や光学定数の変４’ｌ　　記録薄膜層の
変形に追随しておきる変形等の物理的破壊などかあムこ
のような現象を抑える対策として構成する材料組成を選
択するこ七はもちろんであるが媒体の構造面での対策も
考えられる。記録薄膜材料の偏析・相分離を抑えるため
には記録薄膜の膜厚を小さくすることが有効である。記
録膜厚かレーサー照射により熔融する面積に比べて十分
小さければ偏析・相分離は少なし見　これは透明層の界
面が物質の移動を抑える効果があり膜厚が小さいと記録
薄膜材料の熔融体積に比べて界面の面積が大きくなるた
めその効果が大きくなるからと考えられる。

また　膜厚が小さいと熔融部の冷却速度が大きくなるこ
とや膜厚方向の温度勾配が小さくなることなどか収　偏
析・相分離が抑えられることも考えられも しかしながら記録薄膜層厚を小さくすると光学的な特性
が十分得られないという課題があ４　第２図のような記
録薄膜層を透明層ではさんだ構成の場合、記録薄膜層を
小さくするとひとつはレーザー光の吸収量が減少し感度
が悪くなム　また光学的な変化量が得られなくなり再生
信号が小さくなるという弊害がある。

また第３図のような反射層を用いた構造では記録薄膜層
の膜厚を小さくした場合２つの透明層の膜厚を選ぶこと
によってかなりの程度まで光学的な特性を維持すること
は可能であるが透明層の膜厚の余裕度が小さく高精度な
膜厚制御を要し製造コストが増大するという課題があム
　また反射層を必要とするため製造工程が増えコスト高
であり、信頼性の面からも異質の材料を積層させること
は問題が多ｔ、Ｘｏ　　さらにこの反射層を有する構造
では反射層側からレーザー光で記録再生はできないとい
う課題もあも 本発明は上記課題を解決する光学的情報記録媒体を提供
することを目的とす４ 課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために基材上に　レーザー光照射
によって光学的に検知し得る変化を生じる記録薄膜層を
設けた光学的情報記録媒体として、基材上に第１の透明
層　第１の記録薄膜層　第２の透明層　第２の記録薄膜
層および第３の透明層をそれぞれ順次設置す、第１およ
び第２の記録薄膜層がレーザー光照射による相変化によ
って光学的に検知し得る変化を生じる材料からなる構成
を用いも 作用 上記のような構成を用いると記録薄膜層の厚さが十分小
さい場合でも透明層の厚さを選ぶことによって光学的な
特性を維持することができる。

つぎに　詳細な作用を具体的な実施例を使って説明をす
る。

実施例 記録媒体の構成としては第１図に示すように基材１上に
透明な誘電体等の透明層２、記録薄膜層３、第２の透明
な誘電体等の透明層４、第２の記録薄膜層５、第３の透
明な誘電体等の透明層６を順次膜けも　さらにその上に
透明な密着した保護材７を設ける。この他に図には示さ
ないが保護材を施さない構成でもよ１．％　　この場合
は保護林７のかわりに空気（屈折率１．０）を考えると
光学的には同等であり同じ効果が得られも これらの記録薄膜の厚さｔ２、　ｔ４、透明層の厚さｔ
ｌ、　ｔ３およびｔ５を適当に選ぶことによって光学特
性をコントロールすることかできる。

この場合、透明層２には基材１と屈折率の異なる材質を
用いることが望ましｌ、Ｘｏ　　透明層２の屈折率が基
材ｌの屈折率と等しいと光学的には基材ｌ上にに直接記
録薄膜層３を設けた場合と等価になり透明層２は光学特
性のコントロールに寄与しなくなム 基材１としてはガラス・樹脂等の透明で平滑な平板を用
いも　また基材表面にトラッキングガイド用の溝状の凹
凸があってもよｔ、％ 保護材７としては樹脂を溶剤に溶かして塗布・乾燥した
ものや樹脂板を接着剤で接着したもの等が使えも 記録薄膜層３、５に用いる記録薄膜材料としてはアモル
ファス・結晶間の相変化をする材料、例えば５ｂＴｅＫ
　　ＩｎＴｅ＆　　ＧｅＴｅＳｎ＆５ｂＳｅＸ、Ｔｅ５
ｅＳｂＫ　　５ｎＴｅＳｅｉＩｎＳｅＫ　　ＴｅＧｅ５
ｎＯＫ　　ＴｅＧｅ５ｎＡｕＫ　　ＴｅＧｅ５ｎＳｂｉ
　　ＴｅＧｅＳｂ等のカルコゲン化合物を用いる。また
　結晶・結晶間の相転移をするＡｇＺｎＸ　　ＩｎＳｂ
系等の金属、化合物も使える。

透明層２、４、６としては５１０２、Ｓ１０、ＴｌＯ２
、ＭｇＯ１Ｇｅ○２等の酸化塩　５ｉａＮ４、ＢＮ、Ａ
ＩＮ等の窒化￥ＩＪ、ＺｎＳ、　　Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅ
、ＰｂＳ等の硫化物あるいはこれらの混合物が使える。

これらの薄膜層を作る方法としては多元蒸着源を用いた
真空蒸着法やモザイク状の複合ターゲットを用いたスパ
ッタリング法その他が使える。

実施例１ 記録薄膜として相変化材料であるＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ６の
組成を持つゲルマニラへ　アンチモンおよびテルルの３
元化合物を用いる。形成法としてＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３
つの蒸発源を用いた電子ビーム蒸着法を用いも　記録薄
膜はアモルファス状態で形成されも　ガラス板上に上記
組成のＧｅ２ＳｂａＴｅｓだけを蒸着したアモルファス
状態の光学定数を測定したとこへ　波長８３０ｎｍにお
いて複素屈折率ｎ＋ｋ　ｉが４．　８＋１．　３ｉであ
ったこれを不活性雰囲気中で３００℃で５分間熱処理し
て結晶状態にすると５．　８＋３．　６ｉに変化すも 本発明の１実施例として第１図に示すように基材１とし
てポリカーボネート樹脂板（Ｐα　屈折率１．５８（波
長８３０ｎｍＦ、　　以下同様））上に透明層２として
硫化亜鉛（ＺｎＳ、屈折率２゜２０）をエレクトロンビ
ーム蒸着法で厚さｔ１蒸着したうえに記録薄膜層３とし
て前述のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ６を実施例１と前述の方法で
厚さｔ２形成しさらに透明層４としてＺｎＳを厚さｔ３
同様に蒸着し　さらに記録薄膜層５として同様に前述の
Ｇｅ２Ｓｂ２’Ｉ’ｅｓを厚さｔ４蒸着しさらに透明層
６としてＺｎＳを厚さｔ５蒸着すム　さらに保護材７と
して基材と同じ屈折率の材質の樹脂をコーティングすも このような構成の場合の熱処理前後すなわちアモルファ
ス状態と結晶状態での反射率（振幅反射率）をそれぞれ
Ｒｗ、Ｒｄとしその差△Ｒ（＝Ｒｗ−Ｒｄ）、それぞれ
の状態での記録薄膜層２の吸収率Ａｗ２、Ａｄ２、記録
薄膜層４の吸収率Ａｗ４、Ａｄ４を各層の膜厚ｔ１、　
ｔ２、　ｔ３、　ｔ４、　ｔ５を変化させて計算した 反射率および吸収の計算には各層の複素屈折率と膜厚か
らマトリックス法で計算しｆ−（たとえば　久保田広著
「波動光学」岩波書忠　１９７１年　第３章参照）また
　基材１と密着保護材７は無限大の膜厚をもつものとし
て（基材−空気界匣密着保護材一空気界面の効果を無視
）、反射率Ｒは基材から入射した光の基材中に出射して
くる比率としてもとめ九 その条件と計算結果を第１表に示す。第１表には代表的
なものとして２つの記録薄膜層の厚さが等しい条件（ｔ
２＝ｔ４）で５ｎｍ刻みで計算した結果のうち各記録薄
膜層の膜厚で最も反射率変化△Ｒか大きい透明層厚ｔ１
、　ｔ３、　ｔ４の組み合わせの計算結果を示してあム 第１表 第１表に示すように膜厚ｔ２、　ｔ４が１５ｎｍ以上で
は２つ、の記録薄膜層の吸収が異なるが１０ｎｍ以下で
はほぼ等しいことがわかも　各記録薄膜層の吸収は多層
構造全体の多重反射の結果である力丈　記録薄膜層とく
にレーサー光入射側の記録薄膜層の厚さが大きいと他の
配縁薄膜層に到達するレーザー光量の絶対値か小さくな
り２つの記録薄膜層の吸収を等しくすることが不可能に
なる。

前述の相変化記録薄膜に用いられる他の材料の場合でも
その光学定数からみておおむね１５ないし２０ｎｍ以下
の膜厚であることが必要である。この吸収が異なると記
録に際して２つの層の記録状態の大きさが異なり所望の
再生信号が得られなくなる。したがって両者は略々等し
いことが望ましくｔ さらに　各透明層厚が光学長でλ／３２、この場合は約
１２ｎｍ程度変化しても特性に大きな変化はなく膜厚の
余裕がおおきいことも計算の結果わかっな　例えば記録
薄膜層厚ｔ２＝ｔ４＝５ｎｍのとき透明層厚ｔｌは１６
５〜１８９ｎｍ、　　ｔ３は１６５〜１８９ｎｒｒＫ　
ｔ５は１ｌ３０−１６５ｎの範囲でも反射率変化△Ｒは
１７％以上あり、記録薄膜層厚ｔ２＝ｔ４＝１０ｎｍの
とき透明層厚ｔｌは１４１〜１６５ｎｍ、、ｔ３は１６
５〜１８９ｎ瓜　ｔ５は１３０〜１５３ｎｍの範囲でも
反射率変化△Ｒは２２％以上とれることがわかった これらの膜厚範囲のなかで透明層２と透明層６の膜厚ｔ
１とｔ５が等しい組み合わせが可能であも　その場合は
　記録薄膜層３と５の材質が等しく膜厚も等しくｔ２＝
ｔ４であり透明層２、４．６の材質が尋しくかつ基材と
保護材の屈折率が等しいた八　全体の膜厚構成が膜厚方
向に対称となも　したがって基材側から見ても保護材側
から見ても光学特性は等しくなム　この場合前述のよう
に記録薄膜層　透明層の厚さは光学長で約λ／３２の余
裕が有るのでそれぞれの厚さはその範囲内で略々等しけ
ればよしち　また記録薄膜層厚が５ｎｍと１０％ｍの場
合で透明層厚の最適値は大きくは変わらないことから記
録薄膜層厚の余裕もこの膜厚領域では大きく記録薄膜層
厚ｔ２、　ｔ４も略々等しければよしも　さらに基材と
保護材の光学的な厚さが等しければ基材側から記録ある
いは再生をしても保護材側から記録あるいは再生をして
も同等な特性が得られも 以上の結果から各層の厚さを適当に選ぶことによって記
録薄膜層が２０％ｍ以下の十分薄い場合でも反射率変化
の大きい構成を得ることがわかもこの計算をもとに以下
の実験を行った 基材にあらかじめ幅０．　６μｍ・深さ６５％ｍの溝ト
ラツクを形成した厚さ１．　２ｍｍ・直径２００ｍｍの
ＰＣ樹脂円板を用いこれを真空中で回転させながら上記
の方法でＺｎＳ薄膜を１７７％ｍ蒸着し　さらに記録薄
膜Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅｓを同様に５ｎｍの膜厚でアモルフ
ァス状態で蒸着しさらにＺｎＳ薄膜を厚さ１７７％ｍ蒸
着し　さらに記録薄膜としてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅａを同様
に５ｎｍの膜厚でアモルファス状態で形成し　さらにＺ
ｎＳ薄膜を厚さ１５３％ｍ蒸着した　また同じ構成の多
層薄膜を１８ｘ１８ｍｍ厚さ０．２ｍｍのガラス基材上
にも形成し丸　さらに樹脂円盤上に成膜したものは同じ
ＰＣ樹脂円盤を紫外線硬化性の接着材で張り付けて密着
した保護材を設け光記録媒体を形成した ガラス基材上に形成したサンプルを３００℃で５分間ア
ルゴン雰囲気中で加熱して全面を結晶化し結晶化前後で
基材側からの反射率を測定したところ熱処理前は８瓢　
熱処理後は２６％で反射率変化１８％が得られた この媒体を回転させ線速度１０ｍ／ｓｅｃの線速度で波
長８３０　ｎｍの半導体レーザー光を開口数０．５のレ
ンズ系で絞って基材側から記録薄膜上に公知の焦点制御
手段で焦点をあわせ、溝トラツクに公知のトラッキング
制御手段でトラッキングしながら照射し九　記録薄膜面
上で８ｍＷの出力で連続的に照射したところ照射部の記
録薄膜が結晶化し丸　さらに同様に１６の出力で単一周
波数５ＭＨｚデユーティ−５０％で変調した光を照射し
て記録薄膜を部分的にアモルファス化させて記録を行１
．Ｘ、　１ｍＷの連続出力を照射してその反射光をフォ
トディテクターで検出して再生を行ったとこへ　再生信
号振幅が観測さｈ　　ＣＮ比５３ｄＢ（帯域分解能３０
ｋＨ２）が得られ丸　さらニレーサー光出力を８ｍＷと
１６ｍＷの２つのレベルの間で変調して単一周波数５Ｍ
Ｈｚと２ＭＨ２（ともにデユーティ５０％）の２つの波
長で交互に同一トラック上に照射し信号の重ね書きを行
なったところ１０４回記録後にも再生信号のＣＮ比５０
ｄＢが得られ良好な記録が行なわれていることが確Ｓ忍
されｔも 実施例２ 基材にあらかじめ幅０．　６μｍ・深さ６５％ｍの溝ト
ラツクを形成した厚さ１゜　２ｍｍ・直径２００ｍｍの
ＰＣ樹脂円板を用いこれを真空中で回転させながら実施
例１と同様の方法でＺｎＳ薄膜を１５３ｎｒｎ蒸着し　
さらに記録薄膜としてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅａを実施例１と
同様に１０％ｍの膜厚でアモルファス状態で蒸着し　さ
らにＺｎＳ薄膜を厚さ１７　？　ｎｍ蒸着し　さらに記
録薄膜としてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅａを同様に１０％ｍの膜
厚でアモルファス状態で形成し　さらにＺｎＳ薄膜を厚
さ１４１％ｍ蒸着し九　また同じ構成の多層薄膜を１８
ｘ１８ｍｍ厚さ０．２ｍｍのガラス基材上にも形成しん
　さらに樹脂円盤上に成膜したものは同じＰＣ樹脂円盤
を紫外線硬化性の接着材で張り付けて密着した保護材を
設け光記録媒体を形成し九 ガラス基材上に形成したサンプルを３００℃で５分間ア
ルゴン雰囲気中で加熱して全面を結晶化し結晶化前後で
基材側からの反射率を測定したところ熱処理前は１８％
　熱処理後は４２％で反射率変化２４％が得られ九 この媒体を回転させ線速度１０ｍ／ｓｅｅの線速度で波
長８３０　ｎｍの半導体レーザー光を開口数０．５のレ
ンズ系で絞って実施例１と同様に基材側から照射した　
記録薄膜面上で７ｍＷの出力で連続的に照射したところ
照射部の記録薄膜が結晶化した　さらに同様に１５の出
力で単一周波数５ＭＨｚデユーティ−５０％で変調した
光を照射して記録薄膜を部分的にアモルファス化させて
記録を行１．ｋ１ｍＷの連続出力を照射してその反射光
をフォトディテクターで検出して再生を行ったとこへ　
再生信号振幅が観測さｈ　　ＣＮ比５６ｄＢが得られた
　さらにレーザー光出力を７ｍＷと１５ｍＷの２つのレ
ベルの間で変調して単一周波数５ＭＨｚと２ＭＨ２（と
もにデユーティ５０％）の２つの波長で交互に同一トラ
ック上に照射し信号の重ね書きを行なったところ１０５
回記録後にも再生信号のＣＮ比５１ｄＢが得られ良好な
記録が行なわれていることが確認され九 実施例３ 基材にあらかじめ幅０．　６μｍ・深さ６５ｎｍの溝ト
ラツクを形成した厚さ１．　２ｍｍ・直径２００ｍｍの
ＰＣ樹脂円板を用いこれを真空中で回転させながら実施
例１、２と同様の方法でＺｎＳ薄膜を１５３ｎｍ蒸着し
　さらに記録薄膜としてＧｅａＳｂａＴｅｓを実施例１
、２と同様にＩｏｎｍの膜厚でアモルファス状態で蒸着
し　さらにＺｎＳ薄膜を厚さ１６５ｎｍ蒸着し　さらに
記録薄膜としてＧｅ２ｓ　ｂｐＴｅｓを同様に１（ｌｎ
ｍの膜厚でアモルファス状態で形成し　さらにＺｎＳ薄
膜を厚さ１５３ｎｍ蒸着した　また同じ構成の多層薄膜
を１８Ｘ１８ｍｍ厚さ０．２ｍｍのガラス基材上にも形
成した　さらに樹脂円盤上に成膜したものはＰＣ樹脂製
円盤を紫外線硬化性の接着材で張り付けて密着した保護
材を総厚１．２ｍｍになるように設け光記録媒体を形成
し九 ガラス基村上に形成したサンプルを３００℃で５分間ア
ルゴン雰囲気中で加熱して全面を結晶化し結晶化前後で
基材側からの反射率を測定したところ熱処理前は１６％
、熱処理後は３９％で反射率変化２３％が得られ九 この媒体を回転させ線速度１０ｍ／ｓｅｃの線速度で波
長８３０　ｎｍの半導体レーザー光を開口数０．５のレ
ンズ系で絞って実施例１、２と同様に基材側から照射し
九　記録薄膜面上で６．５ｍＷの出力で連続的に照射し
たところ照射部の記録薄膜が結晶化しｔも　　さらに同
様に１５の出力で単一周波数５ＭＨｚデユーティ−５０
％で変調した光を照射して記録薄膜を部分的にアモルフ
ァス化させて記録を行（＼　１ｍＷの連続出力を照射し
てその反射光をフォトディテクターで検出して再生を行
ったとこへ　再生信号振幅が観測さｈ　　ＣＮ比５５ｄ
Ｂが得られｋ　また同様に保護材側から記録・再生を行
なったところ同等の特性を得ることができた 発明の効果 本発明によれば記録薄膜層が薄いため繰り返し記録を行
なっても劣化しにくく、かつ光学的な特性の良好な書き
換え可能な相変化型の光記録媒体得ることができる。

また各層の膜厚値の余裕が大きく製造が容易で低コスト
な光記録媒体を得ることができる。

また金属反射層を用いないため信頼性が高く、製造工程
か簡単で低コストの光記録媒体を得ることかできる。

さらに記録薄膜層に対して基材側と保護材側のどちら側
からも同等な光学特性をも敷　どちら側からも記録再生
できる書き換え可能な相変化型の光記録媒体を得ること
ができも

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例の構成を示す断面模式＠　第
２図および第３図は比較のための従来例の構成を示す断
面模式図であム １・・・・・・・・・基材 ２．４．６・・・・・透明層 ３、５・・・・・・・記録薄膜層 ７・　・・・・・・・反射層 ８・　・・・・・・・保護材

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基材上にレーザー光照射によって光学的に検知し
   得る変化を生じる記録薄膜層を設けた光学的情報記録媒
   体であって、 前記基材上に第１の透明層、第１の記録薄膜層、第２の
   透明層、第２の記録薄膜層および第３の透明層をそれぞ
   れ順次設け、 前記第１および第２の記録薄膜層がレーザー光照射によ
   る相変化によって光学的に検知し得る変化を生じる材料
   からなることを特徴とする光学的情報記録媒体。
2. （２）第１および第２の記録薄膜層の厚さがそれぞれ２
   ０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光学
   的情報記録媒体。
3. （３）第１の記録薄膜層と第２の記録薄膜層のレーザー
   光の吸収が略々等しいことを特徴とする請求項１記載の
   光学的情報記録媒体。
4. （４）基材上にレーザー光照射によって光学的に検知し
   得る変化を生じる記録薄膜層を設けた光学的情報記録媒
   体であって、 前記基材上に第１の透明層、第１の記録薄膜層、第２の
   透明層、第２の記録薄膜層、第３の透明層および保護材
   をそれぞれ順次設け、 前記第１および第２の記録薄膜層が同一の材質からなり
   、かつ前記第１、第２および第３の透明層が同一の材質
   からなり、 前記第１の記録薄膜層厚と前記第２の記録薄膜層厚が略
   々等しく、かつ前記第１の透明層の光学的厚さと前記第
   ３の透明層の光学的厚さが略々等しいことを特徴とする
   光学的情報記録媒体。
5. （５）基材上にレーザー光照射によって光学的に検知し
   得る変化を生じる記録薄膜層を設けた光学的情報記録媒
   体であって、 前記記録薄膜層の基材とは反対側に透明な保護材を設け
   保護材の光学的な厚さが前記基材の光学的な厚さと略々
   等しいことを特徴とする光学的情報記録媒体。