JPS6144692A - レ−ザビ−ム記録部材 - Google Patents
レ−ザビ−ム記録部材Info
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- JPS6144692A JPS6144692A JP59167033A JP16703384A JPS6144692A JP S6144692 A JPS6144692 A JP S6144692A JP 59167033 A JP59167033 A JP 59167033A JP 16703384 A JP16703384 A JP 16703384A JP S6144692 A JPS6144692 A JP S6144692A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- layer
- laser beam
- layers
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザビーム記録部材に関する。更に詳しくい
えば、本発明はレーザビームを照射して、該照射部に光
学的変化を起こさせて、情報を記録するのに適したレー
ザビーム記録部材に関するものである。
えば、本発明はレーザビームを照射して、該照射部に光
学的変化を起こさせて、情報を記録するのに適したレー
ザビーム記録部材に関するものである。
従来の技術
近年、レーザに係る技術のめざましい進歩により、コヒ
ーレント光を用いた様々の応用の可能性の追求がなされ
てきており、その結果、光通信、光記録・再生、光計測
、各種物品の加工への応用、医療への応用、化学反応へ
の応用等各種の広範な分野において有用な技術として期
待され、急速な開発・研究がなされ、一部では既に実用
化が図られている。
ーレント光を用いた様々の応用の可能性の追求がなされ
てきており、その結果、光通信、光記録・再生、光計測
、各種物品の加工への応用、医療への応用、化学反応へ
の応用等各種の広範な分野において有用な技術として期
待され、急速な開発・研究がなされ、一部では既に実用
化が図られている。
中でも、最近特にレーザ光の集束性の良さを利用する光
記録媒体、例えばレーザディスク等が、高密度情報記録
用の媒体として注目されている。
記録媒体、例えばレーザディスク等が、高密度情報記録
用の媒体として注目されている。
このような光記録材料は、大きく分けて同一材料に何度
でも異った情報を書込むことのできる書替え可能な材料
と情報の書込みが一度しかできない固定記録材料とに分
類され、夫々前者では光磁気材料、ホトクロミック材料
、非晶質材料、サーモプラスチック材料、電気光学結晶
等が、また後者ではアブラティブ材料、ホトポリマー材
料、銀塩材料、ホトレジスト材料等が知られている。
でも異った情報を書込むことのできる書替え可能な材料
と情報の書込みが一度しかできない固定記録材料とに分
類され、夫々前者では光磁気材料、ホトクロミック材料
、非晶質材料、サーモプラスチック材料、電気光学結晶
等が、また後者ではアブラティブ材料、ホトポリマー材
料、銀塩材料、ホトレジスト材料等が知られている。
これら材料に情報を記録する態様としては、従来金属膜
、色素膜などに局部的に孔を形成するとか、変形を起こ
させることによって実現するものが知られている。しか
しながら、この態様では一旦記録した情報の消去は不可
能であり、いわゆる追記型光記録媒体として使用されて
いる。
、色素膜などに局部的に孔を形成するとか、変形を起こ
させることによって実現するものが知られている。しか
しながら、この態様では一旦記録した情報の消去は不可
能であり、いわゆる追記型光記録媒体として使用されて
いる。
一方、書替型光記録媒体としては、非晶質−結晶間の相
変化(相転移)を利用したTe系カルコゲナイドガラス
を、用いたもの、金属−半導体の相転移を利用する■0
2、SmS等が知られている。この中で、Te系カルコ
ゲナイドガラスを用いた光記録媒体としては、基板上に
40nm以上の膜厚のカル防止するための誘電体層を設
けたものが知られている。
変化(相転移)を利用したTe系カルコゲナイドガラス
を、用いたもの、金属−半導体の相転移を利用する■0
2、SmS等が知られている。この中で、Te系カルコ
ゲナイドガラスを用いた光記録媒体としては、基板上に
40nm以上の膜厚のカル防止するための誘電体層を設
けたものが知られている。
しかしながら、この光記録媒体では、多数回の繰返し記
録・消去を行なうと、即ち結晶−非晶質転移を繰返すと
、カルコゲナイドガラスが相分離を生じ、書替性が損わ
れることが知られている。
録・消去を行なうと、即ち結晶−非晶質転移を繰返すと
、カルコゲナイドガラスが相分離を生じ、書替性が損わ
れることが知られている。
尚、この相分離はカルコゲナイドガラス中のドープ量を
減らし、Te量を増大させることにより回避することが
できるが、ドープ量を減らした場合には、非晶質寿命が
短くなり、室温で短時間のうちに非晶質から結晶質に転
移してしまうという問題を生ずる。
減らし、Te量を増大させることにより回避することが
できるが、ドープ量を減らした場合には、非晶質寿命が
短くなり、室温で短時間のうちに非晶質から結晶質に転
移してしまうという問題を生ずる。
また、■0□、SmSを使用した光記録媒体では、転移
に伴なう体積変化が太き(、膜に変形や亀裂が生じ易い
ことおよび熱によるヒステリシス効果を利用して記録・
消去を繰返しているため、光記録媒体を室温以下に冷却
するなどの熱バイアスを加えなければならないという欠
点を有していた。
に伴なう体積変化が太き(、膜に変形や亀裂が生じ易い
ことおよび熱によるヒステリシス効果を利用して記録・
消去を繰返しているため、光記録媒体を室温以下に冷却
するなどの熱バイアスを加えなければならないという欠
点を有していた。
発明が解決しようとする問題点
上記の如く、最近のレーザに関するめざましい技術開発
に伴って、光記録材料も新たな局面を向えつつある。し
かしながら、従来の光記録材料では一旦記録された情報
の消去が不可能(固定記録型材料)であったり、また書
替え可能材料であっても繰返し情報の記録・消去を行な
うと相分離を生じてしまったり、余分な操作(例えば冷
却処理)が必要であるなど様々な改良すべき問題が残さ
れていた。
に伴って、光記録材料も新たな局面を向えつつある。し
かしながら、従来の光記録材料では一旦記録された情報
の消去が不可能(固定記録型材料)であったり、また書
替え可能材料であっても繰返し情報の記録・消去を行な
うと相分離を生じてしまったり、余分な操作(例えば冷
却処理)が必要であるなど様々な改良すべき問題が残さ
れていた。
そこで、本発明の目的は上記の如き従来の光記録材料の
有する死点を示さない、繰返し記録・消去が可能な光記
録媒体を提供することにある。
有する死点を示さない、繰返し記録・消去が可能な光記
録媒体を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明者等はレーザビーム記録部材の上記のような現状
に鑑みて、従来製品の呈する各種欠点を示さず、繰返し
記録・消去が可能な光記録媒体を得るべく種々検討、研
究した結果、前記目的を達成するためには比較的薄いT
e層を2層以上設けることが極めて有利であることを見
出し、本発明を完成した。
に鑑みて、従来製品の呈する各種欠点を示さず、繰返し
記録・消去が可能な光記録媒体を得るべく種々検討、研
究した結果、前記目的を達成するためには比較的薄いT
e層を2層以上設けることが極めて有利であることを見
出し、本発明を完成した。
即ち、本発明のレーザビーム記録部材は基板と、該基板
上に設けられた少なくとも2層の誘電体層および少なく
とも2層のTe層とを有し、該Te層の各々が該誘電体
層ではさまれ、該基板上で該誘電体層と交互に配置され
た構成を有することを特徴とする。
上に設けられた少なくとも2層の誘電体層および少なく
とも2層のTe層とを有し、該Te層の各々が該誘電体
層ではさまれ、該基板上で該誘電体層と交互に配置され
た構成を有することを特徴とする。
ここで、基板としてはポリカーボネート、アクリル樹脂
などのプラスチック、AIなどの金属、あるいはガラス
などを使用することができる。しかし、これらに制限さ
れるものではなく、公知の材料をすべて使用できる。
などのプラスチック、AIなどの金属、あるいはガラス
などを使用することができる。しかし、これらに制限さ
れるものではなく、公知の材料をすべて使用できる。
また、誘電体層(絶縁体層)としてはSiO□、5iO
1八1203、 Y2O3、WO3、TazOs、Cr
2Q3、CeO2、TeO2、MoO2、In、O,、
GeCL、TiO2などの無機酸化物材料、Mg F
2、PbFz、Ce F sなどの金属フッ化物、Al
N5SisN4などの無機窒化物、ZnSなどの金属硫
化物あるいはまた、(A) ポリエチレン、ポリフッ
化ビニリデン、ポリフェニレンスルフィドなどの高分子
材料、Cuフタロシアニン、フルオレセインなどの低分
子材料、(B)ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ
化ビニリチン、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド
などを使用することができ、これらは蒸着法、スパッタ
法等により基板上、もしくはTe層上に適用することが
できる。尚、上記(A)群の有機物は蒸着法により、ま
たCB)群はスパッタ法で適用される。
1八1203、 Y2O3、WO3、TazOs、Cr
2Q3、CeO2、TeO2、MoO2、In、O,、
GeCL、TiO2などの無機酸化物材料、Mg F
2、PbFz、Ce F sなどの金属フッ化物、Al
N5SisN4などの無機窒化物、ZnSなどの金属硫
化物あるいはまた、(A) ポリエチレン、ポリフッ
化ビニリデン、ポリフェニレンスルフィドなどの高分子
材料、Cuフタロシアニン、フルオレセインなどの低分
子材料、(B)ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ
化ビニリチン、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド
などを使用することができ、これらは蒸着法、スパッタ
法等により基板上、もしくはTe層上に適用することが
できる。尚、上記(A)群の有機物は蒸着法により、ま
たCB)群はスパッタ法で適用される。
更に誘電体層としてはプラズマ重合膜を使用することも
でき、エチレン等のオレフィン系化合物、スチレンなど
の芳香族化合物、6フツ化プロピレンなどの含フツ氷化
合物、アクリロニトリルなどの含窒−素化合物、ヘキサ
メチルジシロキサンなどのSi含有化合物、テトラメチ
ルスズなどの有機金属化合物等の各種有機化合物から得
られる重合膜を使用できる。
でき、エチレン等のオレフィン系化合物、スチレンなど
の芳香族化合物、6フツ化プロピレンなどの含フツ氷化
合物、アクリロニトリルなどの含窒−素化合物、ヘキサ
メチルジシロキサンなどのSi含有化合物、テトラメチ
ルスズなどの有機金属化合物等の各種有機化合物から得
られる重合膜を使用できる。
Te層はTeの他、Teを90原子%以上含有するカル
コゲナイドガラスを使用することができ、これらは蒸着
あるいはスパッタ法等により形成することができる。
コゲナイドガラスを使用することができ、これらは蒸着
あるいはスパッタ法等により形成することができる。
が有利であることがわかった。即ち、結晶化温度はTe
膜々厚を薄くする程高くなり、従ってTe膜厚を薄くす
る程、Teの非晶質状態の室温での寿命は長くなる。一
方、結晶化による記録・消去の感度はTe膜々厚が薄く
なる程低くなる。結局、室温での非晶質寿命を十分に長
くし、しかも配録・消去の感度を十分な値に維持するた
めには、Te層を上記範囲内の厚さとすることが好まし
い。
膜々厚を薄くする程高くなり、従ってTe膜厚を薄くす
る程、Teの非晶質状態の室温での寿命は長くなる。一
方、結晶化による記録・消去の感度はTe膜々厚が薄く
なる程低くなる。結局、室温での非晶質寿命を十分に長
くし、しかも配録・消去の感度を十分な値に維持するた
めには、Te層を上記範囲内の厚さとすることが好まし
い。
また、Teの代りにカルコゲナイドガラスを用いる場合
には、もともと結晶化温度がTe単体よりも高いので、
30nm以下の膜厚にすることにより十分長い非晶質寿
命を得ることができ、更に記録・消去の感度を考慮すれ
ば、膜厚としては5〜30nmの範囲内とすることが好
ましい。
には、もともと結晶化温度がTe単体よりも高いので、
30nm以下の膜厚にすることにより十分長い非晶質寿
命を得ることができ、更に記録・消去の感度を考慮すれ
ば、膜厚としては5〜30nmの範囲内とすることが好
ましい。
Te単体の代りに使用されるカルコゲナイドガラスとし
ては相分離を起こさないような組成、即ちTe90原子
%以上とすることが好ましく、Te以外の成分としては
S b SAs SSe N Ge % B r SS
ISSなどの元素が使用され、これらは単独でもしく
は2種以上の組合せとして10原子%以下の量でTe中
にドープされる。
ては相分離を起こさないような組成、即ちTe90原子
%以上とすることが好ましく、Te以外の成分としては
S b SAs SSe N Ge % B r SS
ISSなどの元素が使用され、これらは単独でもしく
は2種以上の組合せとして10原子%以下の量でTe中
にドープされる。
罫月
以下、添付図面を参照しつつ本発明のレーザビーム記録
部材を更に詳しく説明する。
部材を更に詳しく説明する。
第1図および第2図に、本発明のレーザビーム記録部材
の2つの異る態様を模式的に断面図で示した。第1図の
態様では基板1と、その上に順次交互に設けられた誘電
体層2.4.6およびTe層またはTe系カルコゲナイ
ドガラス層3.4とから構成されるレーザビーム記録媒
体を示した。
の2つの異る態様を模式的に断面図で示した。第1図の
態様では基板1と、その上に順次交互に設けられた誘電
体層2.4.6およびTe層またはTe系カルコゲナイ
ドガラス層3.4とから構成されるレーザビーム記録媒
体を示した。
本発明に従って、Te層もしくはカルコゲナイドガラス
層を基板上に2層以上積層し、多層化したことに基き、
TeあるいはTe系カルコゲナイドガラス層の膜厚を薄
くして、非晶質状態の寿命を長くすると共に、膜厚を薄
くしたことに基いて生ずるコントラストの低下を防止で
きる。即ち、20nmのTe膜単層の場合には、室温で
の非晶質寿命が数秒であるのに対して、5層mのTe膜
の場合には40℃で1ケ月以上非晶質状態を安定に維持
することができる。また、5層mのTe膜単層の場合に
は、結晶−非晶質転移に伴って反射率が15%から10
%に変化するのに対して、5層mのTe層を2層設ける
ことにより反射率は25%から15%と大きな変化を示
すようになる。従って、Te層を多層化することにより
、非晶質状態が安定化され、しかもコントラストが高め
られることになる。
層を基板上に2層以上積層し、多層化したことに基き、
TeあるいはTe系カルコゲナイドガラス層の膜厚を薄
くして、非晶質状態の寿命を長くすると共に、膜厚を薄
くしたことに基いて生ずるコントラストの低下を防止で
きる。即ち、20nmのTe膜単層の場合には、室温で
の非晶質寿命が数秒であるのに対して、5層mのTe膜
の場合には40℃で1ケ月以上非晶質状態を安定に維持
することができる。また、5層mのTe膜単層の場合に
は、結晶−非晶質転移に伴って反射率が15%から10
%に変化するのに対して、5層mのTe層を2層設ける
ことにより反射率は25%から15%と大きな変化を示
すようになる。従って、Te層を多層化することにより
、非晶質状態が安定化され、しかもコントラストが高め
られることになる。
Te層は誘電体層と交互にサンドイッチ型にはさむよう
に設けられるが、基板と接する誘電体層は基板への熱流
出を防止し、断熱層としての機能を果す(この場合膜厚
を約50nm以上とする)。また、最上層の誘電体層は
媒体の変化を抑制するために約50nm以上とすること
が有利である。これら以外の誘電体層は各Te層もしく
はTe系カルコゲナイド層を分離できればよく、従って
約5nm程度もしくはそれ以上の膜厚であればよい。
に設けられるが、基板と接する誘電体層は基板への熱流
出を防止し、断熱層としての機能を果す(この場合膜厚
を約50nm以上とする)。また、最上層の誘電体層は
媒体の変化を抑制するために約50nm以上とすること
が有利である。これら以外の誘電体層は各Te層もしく
はTe系カルコゲナイド層を分離できればよく、従って
約5nm程度もしくはそれ以上の膜厚であればよい。
誘電体層は上記のTe層等の分離を達成する機能の他に
、Te層等の変形を防止する機能をも併せ持ち、その結
果、記録・消去サイクルの多数回に亘る繰返し中に生じ
る可能性のある、記録媒体粒子間の凝集・融合等を防止
し寸、該粒子の粒径を微細な状態に維持する。
、Te層等の変形を防止する機能をも併せ持ち、その結
果、記録・消去サイクルの多数回に亘る繰返し中に生じ
る可能性のある、記録媒体粒子間の凝集・融合等を防止
し寸、該粒子の粒径を微細な状態に維持する。
また、第2図をみると、ここには誘電体層上に光反射層
を設けた態様が示されている。光反射層7以外は第1図
に示した例と同じであり、従って参照番号も同じにしで
ある。
を設けた態様が示されている。光反射層7以外は第1図
に示した例と同じであり、従って参照番号も同じにしで
ある。
この態様によれば、最上層の誘電体層6上に光反射層7
を設け、また記録波長での反射光強度を最小とするよう
に誘電体層の膜厚を制御することにより、記録レーザ光
の吸収効率を高めると共に、感度を向上させることがで
きる。この場合、光反射層としてはAI、AnSAgな
どの金属膜の他、Te膜自体を光反射層として用いるこ
ともできる。また、一般に以上述べた例では記録は基板
側からのレーザ照射により行われるが、基板1と誘電体
層2との間に光反射層を設けて、媒体側からレーザ光の
照射を行なうようにすることもできる。
を設け、また記録波長での反射光強度を最小とするよう
に誘電体層の膜厚を制御することにより、記録レーザ光
の吸収効率を高めると共に、感度を向上させることがで
きる。この場合、光反射層としてはAI、AnSAgな
どの金属膜の他、Te膜自体を光反射層として用いるこ
ともできる。また、一般に以上述べた例では記録は基板
側からのレーザ照射により行われるが、基板1と誘電体
層2との間に光反射層を設けて、媒体側からレーザ光の
照射を行なうようにすることもできる。
以下、このような媒体へのレーザ記録・消去の方法につ
いて詳しく説明する。まず、Te層は一般に付着後は結
晶状態にある。これにパルス巾の短い強いレーザ光を照
射することにより、Teの融点以上に加熱し、次いで急
冷することによりTeは結晶質から非晶質に相転移を起
こす。この非晶質化により光学的反射率の減少および透
過率の増加を生ずるので、このような非晶質化により情
報の記録を行うことが可能となる。
いて詳しく説明する。まず、Te層は一般に付着後は結
晶状態にある。これにパルス巾の短い強いレーザ光を照
射することにより、Teの融点以上に加熱し、次いで急
冷することによりTeは結晶質から非晶質に相転移を起
こす。この非晶質化により光学的反射率の減少および透
過率の増加を生ずるので、このような非晶質化により情
報の記録を行うことが可能となる。
一方、このようにして強力なレーザの照射による結晶質
Teの非晶質化により記録された情報は、非晶質化を起
こさない程度に弱いレーザ光を照射し、その反射光強度
あるいは透過光強度を検出することにより取り出し、再
生することができる。
Teの非晶質化により記録された情報は、非晶質化を起
こさない程度に弱いレーザ光を照射し、その反射光強度
あるいは透過光強度を検出することにより取り出し、再
生することができる。
また、一旦記録した情報の消去は、前記の非晶質化した
部分に、情報の記録に用いたレーザ光よりも弱く、かつ
再生光よりも強力なパワーのレーザ光を比較的長時間照
射することにより、非晶質から結晶質に相転移を起こさ
せることにより行われる。
部分に、情報の記録に用いたレーザ光よりも弱く、かつ
再生光よりも強力なパワーのレーザ光を比較的長時間照
射することにより、非晶質から結晶質に相転移を起こさ
せることにより行われる。
一方、記録媒体層としてTe系カルコゲナイドガラス層
を用いた場合には、該層の付着後は非晶質状態にあり、
従って結晶化によって情報を記録し、非晶質化によって
消去するか、あるいは予め熱処理などにより結晶化させ
ておき、これを非晶質化することによって情報を記録し
、結晶化によって消去するともできる。
を用いた場合には、該層の付着後は非晶質状態にあり、
従って結晶化によって情報を記録し、非晶質化によって
消去するか、あるいは予め熱処理などにより結晶化させ
ておき、これを非晶質化することによって情報を記録し
、結晶化によって消去するともできる。
実施例
以下、実施例に従って本発明のレーザビーム記録部材を
更に具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は以下の
実施例により何隻制限されない。
更に具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は以下の
実施例により何隻制限されない。
実施例1
基板としてはポリメチルメタクリレートを用い、この上
にS 102を電子ビーム蒸着により膜厚20nmで誘
電体層を、またTeを抵抗加熱蒸着により膜厚5nmで
記録媒体層を順次積層し、更にこれらの操作を繰返して
Te層を4層含む媒体を作製した。ここで最上層のSi
O□の膜厚は1100nとした。
にS 102を電子ビーム蒸着により膜厚20nmで誘
電体層を、またTeを抵抗加熱蒸着により膜厚5nmで
記録媒体層を順次積層し、更にこれらの操作を繰返して
Te層を4層含む媒体を作製した。ここで最上層のSi
O□の膜厚は1100nとした。
このようにして作製した媒体について、波長850nm
の半導体レーザを用いて記録・消去実験を行なった。即
ち、レーザビーム径1.6μmで基板を通してレーザ照
射を行なうと、媒体上でのレーザパワー3mW、パルス
巾100nsでは非晶゛質化が生じ、レーザパワー5m
W、パルス巾5QOnsでは結晶化が生じた。かくして
記録された情報を、レーザパワー1mW、パルス巾50
0nsで再生したところ、記録状態に変化はみられなか
った。上記の本発明に従って得た記録媒体はこのように
して、104回以上の記録・再生実験を繰返した後にお
いても、初期値と同じ信号出力を維持していることがわ
かった。また、非晶質化したTeは40℃で1ケ月以上
保存しても結晶化を起こすことなく、非晶質状態が安定
に維持されることがわかった。
の半導体レーザを用いて記録・消去実験を行なった。即
ち、レーザビーム径1.6μmで基板を通してレーザ照
射を行なうと、媒体上でのレーザパワー3mW、パルス
巾100nsでは非晶゛質化が生じ、レーザパワー5m
W、パルス巾5QOnsでは結晶化が生じた。かくして
記録された情報を、レーザパワー1mW、パルス巾50
0nsで再生したところ、記録状態に変化はみられなか
った。上記の本発明に従って得た記録媒体はこのように
して、104回以上の記録・再生実験を繰返した後にお
いても、初期値と同じ信号出力を維持していることがわ
かった。また、非晶質化したTeは40℃で1ケ月以上
保存しても結晶化を起こすことなく、非晶質状態が安定
に維持されることがわかった。
実施例2
実施例1の操作を繰返した。ただし、SiO□の電子ビ
ーム蒸着膜の代わりにY2O3、Ta、05、八120
0.5iO1CeF、およびCr2O5の電子ビーム蒸
着膜を用いた記録媒体を夫々作製したところ、いずれも
記録・消去特性としては実施例1と同様の値を示した。
ーム蒸着膜の代わりにY2O3、Ta、05、八120
0.5iO1CeF、およびCr2O5の電子ビーム蒸
着膜を用いた記録媒体を夫々作製したところ、いずれも
記録・消去特性としては実施例1と同様の値を示した。
また、5in2の代わりに夫々Pb F 2、GaO2
、MOO3、MgF2およびTeO7の抵抗加熱蒸着膜
を用いて作製した記録媒体についても、同様に優れた結
果が得られた。
、MOO3、MgF2およびTeO7の抵抗加熱蒸着膜
を用いて作製した記録媒体についても、同様に優れた結
果が得られた。
実施例3
SiO□の電子ビーム蒸着膜の代わりに、テトラメチル
スズのプラズマ重合膜を用いた以外は実施例1と同様に
操作して記録媒体を作製した。また、この場合の最上層
の重合膜厚は200nmとした。この媒体ではレーザパ
ワー8mW、パルス巾60nsで非晶質化が生じ、し′
−ザパヮー3mW、パルス巾500nsで結晶化が生じ
た。かくして情報を記録した媒体につき、レーザパワー
1mW、パルス巾500n’sで再生を行なったが、記
録状態に変化はみられなかった。また、104回以上の
記録・再生実験後も初期値と同じ信号出力を維持してい
ることがわかった。
スズのプラズマ重合膜を用いた以外は実施例1と同様に
操作して記録媒体を作製した。また、この場合の最上層
の重合膜厚は200nmとした。この媒体ではレーザパ
ワー8mW、パルス巾60nsで非晶質化が生じ、し′
−ザパヮー3mW、パルス巾500nsで結晶化が生じ
た。かくして情報を記録した媒体につき、レーザパワー
1mW、パルス巾500n’sで再生を行なったが、記
録状態に変化はみられなかった。また、104回以上の
記録・再生実験後も初期値と同じ信号出力を維持してい
ることがわかった。
実施例4
実施例3のテトラメチルスズ・プラズマ重合膜の代わり
に、アセチレン・プラズマ重合膜、スチレン・プラズマ
重合膜、ヘキサメチルジシロキサン・プラズマ重合膜お
よび6フツ化プロピレン・プラズマ重合膜を夫々用い、
実施例3と同様に操作して媒体を作製した。これら媒体
の記録・消去特性は実施例3のものと同様であった。た
だし、アセチレン・プラズマ重合膜および6フツ化プロ
ピレン・プラズマ重合膜を用いた場合には、103回の
記録・再生実験後、媒体に不可逆的変化が生じた。
に、アセチレン・プラズマ重合膜、スチレン・プラズマ
重合膜、ヘキサメチルジシロキサン・プラズマ重合膜お
よび6フツ化プロピレン・プラズマ重合膜を夫々用い、
実施例3と同様に操作して媒体を作製した。これら媒体
の記録・消去特性は実施例3のものと同様であった。た
だし、アセチレン・プラズマ重合膜および6フツ化プロ
ピレン・プラズマ重合膜を用いた場合には、103回の
記録・再生実験後、媒体に不可逆的変化が生じた。
実施例5
実施例3のテトラメチルスズ・プラズマ重合膜の代わり
に、ポリイミド・スパッタ膜およヒCU −フタロシア
ニン蒸着膜を夫々用い、同様に操作して媒体を作製した
。このようにして作製した媒体の記録・消去特性は実施
例3のものと同様であったが、103回の記録・消去実
験後、媒体には不可逆的変化が生じた。
に、ポリイミド・スパッタ膜およヒCU −フタロシア
ニン蒸着膜を夫々用い、同様に操作して媒体を作製した
。このようにして作製した媒体の記録・消去特性は実施
例3のものと同様であったが、103回の記録・消去実
験後、媒体には不可逆的変化が生じた。
実施例6
実施例1のTe膜の代わりに、10nmのTe5sSe
sの蒸着膜を用い、このTe5sSes蒸着膜を3層設
けた媒体を実施例1と同様な操作に従って作製した。
sの蒸着膜を用い、このTe5sSes蒸着膜を3層設
けた媒体を実施例1と同様な操作に従って作製した。
得られた製品の記録・消去特性は実施例1の場合と同様
であった。尚、この媒体は105回以上の記録・消去実
験後においても初期値と同じ信号出力を維持していた。
であった。尚、この媒体は105回以上の記録・消去実
験後においても初期値と同じ信号出力を維持していた。
実施例7
実施例6のTe5sSesの蒸着膜の代わりに、夫々T
e5oASsGes、Te5s’Ass、Te5sSt
lsの蒸着膜を用いた場合にも、実施例6と同様の特性
を示す媒体が得られた。
e5oASsGes、Te5s’Ass、Te5sSt
lsの蒸着膜を用いた場合にも、実施例6と同様の特性
を示す媒体が得られた。
実施例8
実施例1に従ってTe層を2層含む媒体を作製し、また
最上層の5i02膜の膜厚を150nmとし、この上に
50nmのAI蒸着膜(光反射層)を設けた。この媒体
ではレーザパワー8mW、パルス巾70nsで非晶質化
が生じ、レーザパワー4+y+I8、パルス巾500n
sで結晶化が生じた。この媒体も、同様な記録・消去特
性を有していた。
最上層の5i02膜の膜厚を150nmとし、この上に
50nmのAI蒸着膜(光反射層)を設けた。この媒体
ではレーザパワー8mW、パルス巾70nsで非晶質化
が生じ、レーザパワー4+y+I8、パルス巾500n
sで結晶化が生じた。この媒体も、同様な記録・消去特
性を有していた。
発明の効果
以上詳しく述べたように、本発明のレーザビーム記録部
材によれば、Te層またはTe系カルコゲナイドガラス
層を少なくとも2層有し、誘電体層と交互に配置された
積層構造としたこと、並びに、該Te層またはTe系カ
ルコゲナイドガラス層の膜厚を制御したことに基き、記
録媒体の各種特性を大巾に改善できる。即ち、本発明の
記録媒体は繰返し記録・消去を行なった後も相分離を起
こすことがなく、非晶質状態の寿命が長い。また誘電体
層により記録媒体の変形が防止され、更にTeおよびT
e系カルコゲナイドガラス粒子の粒径が微細のまま維持
されるので、繰返し記録・消去を行なうことのできるレ
ーザビーム記録部材として極めて優れたものである。
材によれば、Te層またはTe系カルコゲナイドガラス
層を少なくとも2層有し、誘電体層と交互に配置された
積層構造としたこと、並びに、該Te層またはTe系カ
ルコゲナイドガラス層の膜厚を制御したことに基き、記
録媒体の各種特性を大巾に改善できる。即ち、本発明の
記録媒体は繰返し記録・消去を行なった後も相分離を起
こすことがなく、非晶質状態の寿命が長い。また誘電体
層により記録媒体の変形が防止され、更にTeおよびT
e系カルコゲナイドガラス粒子の粒径が微細のまま維持
されるので、繰返し記録・消去を行なうことのできるレ
ーザビーム記録部材として極めて優れたものである。
また、本発明の記録媒体は、TeもしくはTeを90重
量%以上含むTe系カルコゲナイドガラスを用いるため
、感度が高く、コントラストにおいても優れている。
量%以上含むTe系カルコゲナイドガラスを用いるため
、感度が高く、コントラストにおいても優れている。
第1図は本発明の記録媒体の模式的な断面図であり、
第2図は本発明の別の記録媒体の構造を示す模式的な断
面図である。 (主な参照番号〉 1 基板、 2.4.6・・誘電体層、3゛、5”・T
eあるいはTeを90原子%以上含むTe系カルコゲナ
イド層、 7 °光反射層。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 新居正彦 1 :墓販
面図である。 (主な参照番号〉 1 基板、 2.4.6・・誘電体層、3゛、5”・T
eあるいはTeを90原子%以上含むTe系カルコゲナ
イド層、 7 °光反射層。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 新居正彦 1 :墓販
Claims (3)
- (1)基板と、該基板上に設けられた少なくとも2層の
誘電体層および記録媒体としてのTe層とを有し、該T
e層の各々が該誘電体層にはさまれ、該基板上で該誘電
体層と交互に設けられた構成とされていることを特徴と
するレーザビーム記録部材。 - (2)前記Te層の代りに、Teを90原子%以上含有
するTe系カルコゲナイドガラス層を用いることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のレーザビーム記録部
材。 - (3)前記記録媒体上または前記基板と記録媒体との界
面に光反射層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲
第1項、または第2項記載のレーザビーム記録部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59167033A JPS6144692A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | レ−ザビ−ム記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59167033A JPS6144692A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | レ−ザビ−ム記録部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6144692A true JPS6144692A (ja) | 1986-03-04 |
Family
ID=15842139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59167033A Pending JPS6144692A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | レ−ザビ−ム記録部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6144692A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222443A (ja) * | 1986-03-22 | 1987-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
JPS62222442A (ja) * | 1986-03-22 | 1987-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
JPH03295040A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録方法、再生方法及び消去方法 |
JP4808376B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2011-11-02 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 反射誘電体ミラーの形成方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59127245A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-23 | Nec Corp | 高密度光記録媒体構造 |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP59167033A patent/JPS6144692A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59127245A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-23 | Nec Corp | 高密度光記録媒体構造 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222443A (ja) * | 1986-03-22 | 1987-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
JPS62222442A (ja) * | 1986-03-22 | 1987-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
JPH03295040A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録方法、再生方法及び消去方法 |
JP4808376B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2011-11-02 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 反射誘電体ミラーの形成方法 |
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