JP2003182237A - ライト・ワンスアプリケーション用の相変化記録素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】より高い記録密度を維持することができる改善
された相変化に基づくＷＯＲＭ記録素子を提供する。 【解決手段】基板１１及び相変化記録層１２を含むＷＯ
ＲＭ光記録素子１０であり、ここで、相変化記録層１２
は、Ｓｂ_ａＸ_ｂＳｎ_ｃＺｎ_ｄＳｉ_ｅＯ_ｆＳ_ｈによって表
示される組成を有し、ここで、Ｘは、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａ
ｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｎ
ｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ、Ｎｉ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔ
ｌ、Ａｓ、Ｐ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｈｆ、又はＶから選
択される元素であり、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ＞０、ｄ＞
０、ｅ＞０、ｆ＞０、ｈ＞０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｆ＋ｈ＝１００である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、追記型（ＷＯＲ
Ｍ）アプリケーションに特に適する相変化光記録素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】デジタル情報を公表し、分配し、蓄積
し、検索するために、光記録は、近年ますます使用され
てきている。これは、通常、回転するディスクの形態に
ある光記録素子に情報を書き込む、及び／又は光記録素
子における情報を読み取るために、レーザービームを集
束させることによって行われる。読み出し専用メモリ
（ＲＯＭ）形式において、情報は、素子上の符号化され
た小さな特徴の形態で、工場において予め作られ、レー
ザービームは、情報を読み返すために使用される。書き
込み可能な形式においては、レーザービームは、様々な
物理的な記録機構を通じて小さな符号化されたマークを
作成するために使用される。これは、ユーザがディスク
にユーザ等自身のデータを記録することを可能にする。
いくつかの記録の物理的な機構は、可逆的である。記録
されたマークを、繰り返し消去し再作成することができ
る。これらの機構を利用するディスクは、消去可能又は
再書き込み可能なディスクと呼ばれる。これらの物理的
な機構のいくつかは、一方向であり、一度マークが作ら
れると、それらを、検出することができる明白に識別確
認可能な跡を残すことなく逆転させること又は変更する
ことができない。これらの機構を利用するディスクは、
ＷＯＲＭ（追記型（Write-Once Read-Many times））デ
ィスクと呼ばれる。これらの形式の各々は、ある一定の
実際のアプリケーションに適する。

【０００３】ＷＯＲＭディスクである、記録可能なコン
パクトディスク（compact disk recordable）（ＣＤ−
Ｒ）の流行は、近年、ＷＯＲＭディスクに対する強い需
要を示唆する。ＷＯＲＭディスクは、多くのアプリケー
ションに適する。これらのアプリケーションのいくつか
においては、データを、容易に検出可能な跡を残すこと
なく、内容に対するどんな修正も可能ではないような形
態で、蓄積する必要がある。例えば、以前に記録された
エリアにわたって記録する試みは、読み返しデータのジ
ッタにおける増加に帰着する場合もある。５０％のデー
タのジッタにおける増加は、容易に検出可能であり、修
正されてきた記録素子を識別するために使用され得る。
修正の試みの検出を許容する特徴を所持する記録素子
は、ここでは真のＷＯＲＭ（true-ＷＯＲＭ）と呼ばれ
る。いくつかの他のアプリケーション、このような公
表、データ分配、において、再書込み可能性は、必ずし
も必要ではなく、ＷＯＲＭ記録素子のより低いコスト
は、それらを望ましくする。さらに、いくつかの他のア
プリケーションにおいて、より高い書き込み速度のよう
な、ＷＯＲＭ記録素子のいくつかの性能の利点は、再書
き込み可能な素子にＷＯＲＭを選ぶことにおいて、決定
する特徴になる。

【０００４】多くの物理的な機構が、ＷＯＲＭ記録のた
めに使用されてきた。最初の実際的なＷＯＲＭ光記録素
子は、記録層に物理的なピットを作成するためにパルス
化されたレーザービームを使用する、除去可能な記録を
利用した。この機構は、記録層の表面にピット形成工程
の間における任意の物理的障害がないようにしておくた
めに、記録素子に、空気が挟まれた構造にあることを要
求する。この要求は、コストを増加させるだけでなく、
記録素子の有用性をひどく制限する多くの望まれない特
性もまた導入する。別の機構は、異なる層の中にいくつ
かの層の融合する又は化学的な相互作用を引き起こすた
めに、レーザービームを使用することである。この機構
は、比較的高いレーザーパワーの要求を欠点として有す
る。

【０００５】さらに、別のアプローチは、記録層として
有機染料を使用することである。ＣＤ−Ｒディスクにお
いて成功のうちに使用されたが、この機構は、その強い
波長依存性を欠点として有する。６５０ｎｍで動作する
ＤＶＤデバイスに使用される光ヘッドは、例えば、７８
０ｎｍのＣＤ波長で作動するように設計されたＣＤ−Ｒ
ディスクを読み取ることができない。更に、染料を主材
料とした記録素子は、記録により多くのレーザーパワー
を要求する傾向があり、高速での記録を維持する困難を
有する場合もある。

【０００６】より望ましいアプローチは、無定形−結晶
の相変化機構に基づく。相変化材料は、市場におけるＤ
ＶＤ−ＲＡＭ及びＤＶＤ−ＲＷ製品として導入されてき
た再書き込み可能なＤＶＤディスクに関する基礎原料で
ある。なお、異なる組成を適切に選択することによっ
て、相変化材料を、ＷＯＲＭにすることができる。相変
化に基づくＤＶＤ−ＷＯＲＭディスクは、再書き込み可
能なＤＶＤディスクと特徴において最良の類似性を有す
ることになり、それは、再書き込み可能なディスクと同
じ製造設備を共同で使うことができる。これらの両方
は、大いに望ましい。ＷＯＲＭの特徴は、再度書き込む
ことができないディスクを要求するので、ＷＯＲＭに対
する相変化材料は、再書き込み可能なディスクに従来か
ら使用されるものとは異なる必要がある。ライト・ワン
ス相変化記録に使用することができる様々な合金は、同
一出願人による米国特許に教示されている（例えば、特
許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許
文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８、及び特
許文献１０参照。）。ＷＯＲＭ光記録素子を構築するた
めにこれらの合金を使用するとき、記録レーザービーム
を、無定形状態から結晶状態まで、記録する相変化材料
の原子構造を変化させるために使用する。従来の再書き
込み可能な相変化材料とこれらの合金を区別する唯一の
特徴は、結晶化の速度が融点よりちょうど下の高い温度
で非常に高く、一度それを結晶化すると、その材料を無
定形相に元に戻すことは実際には不可能である。従っ
て、これらの合金を主材料とした光学素子は、真のＷＯ
ＲＭの特性を所持する。一度データをこれらの素子に記
録すると、それらを、検出可能な跡を残すことなく変更
することはできない。これらの合金を主材料とした光記
録素子、特にＳｂ_{１００−ｍ− ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎを主材料と
した合金を使用するものは、他のＷＯＲＭ光記録素子よ
りもさらなる利点を有し、ここでＸは、同一出願人によ
る米国特許によって教示されるようなＩｎ、Ｇｅ、Ａ
ｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｎ
ｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ、Ｎｉ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔ
ｌ、Ａｓ、Ｐ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｈｆ、又はＶから選
択される元素であり、ｍ及びｎは、合金におけるＸ及び
Ｓｎの濃度を表す（例えば、特許文献１、特許文献２、
特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６、特
許文献７、特許文献８、及び特許文献１０参照。）。そ
れらは、安定であり、高い記録感度を有するので、大幅
に製造コストを減少させる単純な単層構造で使用され得
る。しかしながら、これらの合金を主材料とした記録素
子は、またいくつかの欠点を所持する。主要な欠点の一
つは、記録密度を増加させると、これらの素子の記録性
能が低下するという最近の発見である。

【０００７】デジタル時代への移行と共に、デジタルデ
ータは、毎日ますます発生し、これらの絶えず増加する
量のデータを蓄積する要求は、増加し続ける。従って、
記憶デバイスの密度を増加させ続ける強い要求がある。
光記録素子において、密度におけるこの増加は、主とし
て、情報を蓄積することに使用される特徴の大きさにお
ける減少を通じて達成される。特徴の大きさにおけるこ
の減少を成し遂げるために、読み取り／書き込みのレー
ザースポットの大きさを減少させるように、レーザー波
長を減少させていると共に集束レンズの開口数を増加さ
せている。しかしながら、記憶媒体が小さな特徴の大き
さを維持する能力は保証されない。除去可能なタイプの
媒体においては、しばしば、小さな特徴が作られること
を物理的に防止する除去可能なマークまわりの縁があ
る。上で教示したＳｂ_{１００−ｍ− ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ相変化
合金においては、記録される結晶のマークがより小さく
なるとき、雑音が増加する。この雑音の増加に関する機
構は、良く理解されてない。透過電子顕微鏡写真は、お
およそほんの少数の結晶粒子からなる、これらの合金に
おける記録されたマークを示し、これらの合金の膜にお
ける低い核形成部位の密度を示唆する。低い核形成密度
は、より低い密度の記録に対して問題を与えてこなかっ
た。しかしながら、記録密度が増加するとき、マーク
は、より小さくなり、書き込みレーザーの照射時間の間
における適切な核形成の可能性は、より小さくなる。結
果として、記録されたマークは、あまり均一でなくなる
場合もあり、読み返しのジッタは、増加する。同一出願
人による米国特許に開示するように、これらの合金に酸
素、水、窒素、又はメタンを加えることは、状況を多少
改善するが、小さなマークの記録は、まだ問題である
（例えば、特許文献９、特許文献１０、及び特許文献１
１参照。）。

【０００８】Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金の別の
欠点は、合金の高い光学濃度である。ある一定のアプリ
ケーションに対して、記録性能を高める又は記録された
信号の極性を変化させるために、多層構造を構築して光
学干渉を利用することは望ましい。例えば、相変化記録
層、誘電体層、及び反射層を含む三層構造、又は相変化
記録層の反対側に追加の誘電体層をもつ四層構造を使用
することができる。作用する光学干渉に関して、実質的
な量の光は、相変化層を通じて透過しなければならず、
従って相変化層の厚さは、小さくなければならない。要
求される厚さは、相変化層の光学濃度を増加させるとと
もに減少する。Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金は、
無定形相において３．０より大きい光学定数の虚部ｋを
もつ高い光吸収を有し、材料が結晶化するとき、それ
は、よりいっそう高い値まで増加する。Ｓｂ
_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金の薄膜が、三層又は四層
の記録素子に対する記録層として使用されるとき、その
厚さは、非常に小さくなければならないので、膜の化学
的安定性に関して懸念が生じる。６５０ｎｍの波長にお
ける動作に対して、例えば、相変化記録層の厚さは、１
０ｎｍより小さい必要がある。誘電体層の厚さは、相変
化層の光学濃度にも依存する。光学濃度が増加すると、
その厚さは、増加する。誘電体層に対する成膜速度は、
合金に対するものよりも小さいので、比較的厚い誘電体
層に対する必要性は、製造の処理量を減少させ、製品の
コストを増加させる。また誘電体層に対する成膜工程
は、合金に対するものよりも熱く、厚い誘電体層に対し
て使用される長い成膜時間は、基板の望まれない加熱を
引き起こす。なお、Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎの高
い光学濃度は、より厚い誘電体層の使用を必要とする。

【０００９】更に、いくつかのアプリケーションに関し
ては、トラッキングに位相差検出信号（ＤＰＤ）を使用
することが必要である。最近、Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍ
Ｓｎ _ｎ合金を使用する三層又は四層の記録素子が、信頼
性のあるトラッキングのための適切なＤＰＤ信号を有さ
ないことを見出してきた。

【００１０】なお、本発明は、Ｔｙａｎ等による“ライ
ト・ワンスアプリケーション用の相変化記録素子”と題
された２００１年８月９日に出願された同一出願人によ
る米国特許出願番号０９／９２５,７５１号を参照し、
その開示は、ここでは参照によって組み込まれる。

【００１１】

【特許文献１】米国特許第４，７７４，１７０号明細書

【特許文献２】米国特許第４，７９５，６９５号明細書

【特許文献３】米国特許第４，７９８，７８５号明細書

【特許文献４】米国特許第４，８１２，３８６号明細書

【特許文献５】米国特許第４，８６５，９５５号明細書

【特許文献６】米国特許第４，９０４，５７７号明細書

【特許文献７】米国特許第４，９６０，６８０号明細書

【特許文献８】米国特許第５，０７７，１８１号明細書

【特許文献９】米国特許第５，２３４，８０３号明細書

【特許文献１０】米国特許第５，２７１，９７８号明細
書

【特許文献１１】米国特許第５，３１２，６６４号明細
書

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、より高い記録密度を維持することができる改善され
た相変化に基づくＷＯＲＭ記録素子を提供することであ
る。

【００１２】本発明のさらなる目的は、より安定で製造
業者により容易である三層又は四層構造においてＷＯＲ
Ｍ記録素子の構築を可能とする、より低い光学濃度をも
つ改善された相変化材料を提供することである。

【００１３】本発明のさらに別の目的は、改善された相
変化に基づくＷＯＲＭ記録素子に改善された位相差検出
（ＤＰＤ）信号を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】これらの目的は、基板及
び相変化記録層を含むＷＯＲＭ光記録素子を使用するこ
とによって達成され、ここで、相変化記録層は、Ｓｂ_ａ
Ｘ_ｂＳｎ_ｃＺｎ_ｄＳｉ _ｅＯ_ｆＳ_ｈによって表示される組
成を有し、ここで、Ｘは、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ、Ｎｉ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔｌ、Ａｓ、Ｐ、
Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｈｆ、又はＶから選択される元素で
あり、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ＞０、ｄ＞０、ｅ＞０、ｆ＞
０、ｈ＞０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｈ＝１０
０である。最も好ましくは、相変化層は、Ｓｂ_ａＩｎ_ｂ
Ｓｎ_ｃＺｎ_ｄＳｉ_ｅＯ_ｆＳ_ｈによって表示される組成を
有し、ここで、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ＞０、ｄ＞０、ｅ＞
０、ｆ＞０、ｈ＞０、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｈ
＝１００である。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に従って作ること
ができるＷＯＲＭ光記録素子１０の断面図における概略
表示である。

【００１６】図１に示すように、この発明の光記録媒体
１０に関しては、相変化記録層１２は、基板１１の一つ
の側面に形成される。加えて、相変化記録層１２の表面
に形成された保護層１３があり得る。基板１１は、アル
ミニウムのような金属、ガラス、又はポリカーボネート
若しくはポリメタクリル酸メチルのような重合体で作る
ことができる。相変化記録層１２がコートされる面に、
読み取り／書き込みレーザービームが追跡するガイド溝
（guide groove）があり得る。保護層１３をＵＶ−硬化
性ラッカーで作ることができる。アルミニウムのような
不透明な基板を使用する場合には、読み取り／書き込み
レーザービームを記録層１２の表面に照射する。使用す
る基板１１が透明である場合には、読み取り／書き込み
レーザービームを、記録膜１２の表面にか基板１１を通
じてかどちらかで、照射することができる。

【００１７】図２は、本発明に従って作ることができる
代替のＷＯＲＭ光記録素子２０の断面図における概略表
示である。図２に示すように、基板２１、相変化記録層
２２、誘電体層２３、反射層２４、及び自由選択で保護
層２５がある。基板２１を、ガラス、又はポリカーボネ
ート若しくはポリメタクリル酸メチルのようなプラスチ
ックで作ることができる。相変化記録層２２が塗布され
る表面にガイド溝があり得る。誘電体層２３は、酸化ケ
イ素又は酸化アルミニウムのような酸化物、窒化ケイ素
又は窒化アルミニウムのような窒化物、硫化亜鉛のよう
な硫化物であり得る。また、誘電体層２３は、ＺｎＳ及
びＳｉＯ_２の混合物のような異なる材料の混合物であり
得る。反射層２４は、Ａｌ、Ａｇ、又はＴｉのような金
属層であり得る。保護層２５は、ＵＶ−硬化性ラッカー
層であり得る。相変化記録層２２及び誘電体層２３の厚
さは、記録性能及び記録コントラストを最適化するよう
に選択される。例えば、本発明による記録層を伴った６
５０ｎｍのレーザー波長のアプリケーションに対して、
相変化記録層２２は、約１５ｎｍの厚さを有することが
できる。誘電体層２３は、約４０ｎｍの厚さを有するこ
とができる。この場合には、記録されたマークは、記録
されてない領域よりも高い反射率を有する。また誘電体
層２３を約７０ｎｍであるように選択することもでき、
この場合には、記録されたマークは、記録されてない領
域のものよりも低い反射率を有する。

【００１８】図３は、本発明に従って作ることができる
別の代替のＷＯＲＭ光記録素子３０の断面図における概
略表示である。この場合には、反射層３２は、基板３１
の隣りに塗布され、誘電体層３３、相変化記録層３４、
及び自由選択で保護層３５が続く。この構築物におい
て、層の材料及び厚さは、図２におけるものと類似であ
り得るが、基板の材料が、不透明であり得ると共に、読
み取り／書き込みレーザービームは、保護層３５を通じ
て、又は保護層３５がないとすれば、直接、相変化記録
層３４に、照射される。

【００１９】図４は、本発明のさらに別の実施である。
この実施において、記録素子４０は、追加の誘電体層４
２を除いては、図２におけるものと類似して構築され
る。基板４１から始めると、誘電体層４２、相変化記録
層４３、第二の誘電体層４４、反射層４５、及び自由選
択で保護層４６がある。読み取り／書き込みの動作は、
透明な基板を通じてある。追加の誘電体層４２は、所望
の特性を達成するために記録素子の光学的及び熱的な特
性をさらに最適化するように使用される。

【００２０】他の記録素子を、本発明による記録材料を
使用して構築することができる。記録素子の詳細な構築
に依存して、レーザーで誘起される相変化は、反射率に
おける増加、反射率における減少、又は周囲の記録され
てないエリアからの反射されたビームの位相における変
化を引き起こすことができる。

【００２１】本発明に従って、これらの素子における相
変化記録層は、少なくとも、アンチモン（Ｓｂ）、スズ
（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、ケイ素（Ｓ
ｉ）、酸素（Ｏ）、及びＸで作られ、ここで、Ｘは、Ｉ
ｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｓ
ｉ、Ｔｅ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ、Ｎｉ、
Ｏ、Ｓｅ、Ｔｌ、Ａｓ、Ｐ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｈｆ、
又はＶから選択される元素である。例えば、同一出願人
による米国特許第４，９６０，６８０号は、Ｓｂ_{１００
−ｍ−ｎ}Ｉｎ_ｍＳｎ_ｎ合金を含有するＷＯＲＭ記録素子
の構築を教示し、ここで、ｍ及びｎは、それぞれ、原子
百分率で表示される合金中のＩｎ及びＳｎの濃度であ
る。ｍ及びｎの値は、同一出願人による米国特許第４，
９６０，６８０号によって教示されるような、本発明の
図５及び表１に示す、好適な範囲における合金の組成を
有するように選択される。Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｉｎ_ｍＳ
ｎ_ｎ合金は、多くの望ましい特性を有し、それは、いく
つかの商品で成功のうちに使用されてきた。Ｓｂ
_{１００−ｍ−ｎ}Ｉｎ_ｍＳｎ_ｎ合金中にＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、
及びＯを加えることが、記録性能における著しい改善に
帰着することは思いがけなく発見されてきた。その改善
は、三層及び四層の素子に対して、より高い密度の記
録、より低い光学濃度、及び、より高いＤＰＤトラッキ
ング信号を維持する能力を含む。

【００２２】従来のＳｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金
の薄膜は、調製されるような構造においては無定形であ
る。これらの薄膜が光記録に使用されるとき、書き込み
レーザービームは、無定形相を結晶のマークに変換する
ために使用される。これらの記録されたマークの透過電
子顕微鏡写真は、おおよそ、それらがほんの少数の結晶
粒子からなることを示す。これは、これらの合金の膜に
おける低い核形成部位の密度を示唆する。低い核形成密
度は、より低い密度記録に対しては問題を与えてこなか
った。しかしながら、記録密度が増加するとき、マーク
は、より小さくなり、書き込みレーザーの照射時間の間
における適切な核形成の可能性は、より小さくなる。結
果として、記録されたマークは、あまり均一ではなくな
り、読み返しのジッタは、増加する。Ｓｂ
_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金への酸素（同一出願人に
よる米国特許第５，２７１、９７８号）、水、窒素、又
はメタン（同一出願人による米国特許第５，３１２，６
６４号及び第５，２３４，８０３号）の添加は、状況を
多少改善するが、小さなマークの記録は、まだ問題であ
る。本発明者は、Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金中
にＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯを加えることが、小さなマー
クのジッタを改善することに最も有効であることを発見
した。

【００２３】Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金へのＺ
ｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯの添加を、多くの方法で遂し遂げ
ることができる。最も便利な方法の一つは、少なくとも
添加の効果を研究するためには、同時スパッタリング技
術を使用して、記録層を調製することである。記録層
は、一方はＳｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金を含有
し、他方はＺｎＳ：ＳｉＯ_２の混合物を含有する、二つ
のターゲットから同時にスパッタリングによって調製さ
れる。Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金は、同一出願
人による米国特許第４，９０４，５７７号、第４，７９
８，７８５号、第４，８１２，３８６号、第４，８６
５，９５５号、第４，９６０，６８０号、第４，７７
４，１７０号、第４，７９５，６９５号、第５，０７
７，１８１号、及び第５，２７１，９７８号によって教
示されるよう好適な範囲内の組成を有するように選択さ
れる。例えば、ＩｎをＸとして使用するとき、その組成
は、同一出願人による米国特許第４，９６０，６８０号
によって教示されるように、図５に示す多角形内にある
ように選択される。ＺｎＳ：ＳｉＯ_２は、相変化記録層
を製造することに通常使用される誘電体材料である。こ
の方法で調製される記録層の組成を、式（Ｓｂ
_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ）_{１００−ｘ}（（ＺｎＳ）
_{１００−ｙ}（ＳｉＯ_２）_ｙ）_ｘによって表示することが
でき、ここで、ｘは、最終的な合金への誘電体の混合の
量の尺度であり、ｙは、誘電体の組成を示す。最終的な
合金の組成を、開始のターゲットの組成を変化させるこ
とによっても、二つのターゲットからの相対的なスパッ
タリング速度を変化させることによっても、調節するこ
とができる。後に例によって証明するように、記録性能
における改善を、ｘ及びｙの値の大きな範囲にわたって
見出した。

【００２４】同時スパッタリングされた相変化膜は、二
つの基板からの全ての原子種の混合物を含有する構造に
おいて無定形である。もともとのＺｎＳ、ＳｉＯ_２、又
は（Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ）本体の存在に対す
る証拠はない。従って、本発明者は、Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、
及びＯを（Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ）中に混合す
る他の方法もまた可能であることになる、ということを
予想する。また、発明者は、Ｚｎ：Ｓ又はＳｉ：Ｏの他
の比率もまた有効であることになる、ということも予想
する。

【００２５】しかしながら、ＺｎＳ、ＳｉＯ_２、Ｚｎ、
Ｓｉ、又はＯのみを加えることが、記録性能における所
望の改善を生じなかったので、加えられた元素間の相乗
効果であるように見える。従って、所望の相変化記録層
は、式Ｓｂ_ａＸ_ｂＳｎ_ｃＺｎ _ｄＳｉ_ｅＯ_ｆＳ_ｈによって
表示され、ここで、Ｘは、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ、Ｎｉ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔｌ、Ａｓ、Ｐ、
Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｈｆ、又はＶから選択される元素で
あり、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ＞０、ｄ＞０、ｅ＞０、ｆ＞
０、ｈ＞０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｈ＝１０
０である。特に、最も望ましいのは、ＸとしてＩｎを使
用することを見出してきた。

【００２６】小さなマークの記録性能を改善することに
加えて、ＳｂＳｎＸ合金へのＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯの
添加は、光記録素子を構築することに有益に使用するこ
とができる他の変化に帰着する。添加の一つの有益な効
果は、相変化記録層の光学定数を変化させることであ
る。ＳｂＳｎＸ合金の薄膜は、３．０以上の吸光係数ｋ
で光学的に高密度である。Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯの添
加は、ｋにおける大幅な減少に帰着し、よって膜は、光
学的により透明である。ｋにおけるこの減少は、望まし
い。例えば、これらの膜を、図２における最適化された
三層の素子２０を構築するために使用するとき、より小
さなｋをもつ記録層を使用するときよりも、相変化記録
層２２の厚さは大きく、誘電体層２３の厚さは小さい。
非常に薄い相変化膜は、それらの容積又は厚い膜の対応
物とは異なって挙動する傾向があり、より薄い膜は、腐
食及び酸化をより被りがちである傾向があるので、より
厚い相変化膜が好ましい。他方では、誘電体膜は、一般
に、製造における低い製造の処理量を引き起こす低い成
膜速度を有するので、より薄い誘電体層は望ましい。加
えて、誘電体膜を製造するために使用されるＲＦ−スパ
ッタリング工程は、大量の熱を発生させる。厚い膜をＲ
Ｆ−スパッタリング工程によって製造するとすれば、基
板の加熱及び結果として生じる歪みは、過度であり得
る。これらの要因の両方は、望ましくない。

【００２７】また、ＳｂＳｎＸ合金へのＺｎ、Ｓ、Ｓ
ｉ、及びＯの添加は、低い反射率のマークを与えるよう
に構築された三層構造において位相差検出（ＤＰＤ）ト
ラッキング信号も改善する。ＤＰＤは、ＤＶＤ形式のデ
ィスクに対する標準的なトラッキングの方法である。Ｓ
ｂＳｎＸ合金で構築された記録素子は、一般に、非常に
小さなＤＰＤ信号の振幅を有するのでＤＶＤの仕様を満
たすことができない。その機構はあまりよく理解されて
ないが、ＳｂＳｎＸ合金へのＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯの
添加は、ＤＰＤの振幅を大幅に増加させ、記録素子がＤ
ＶＤの仕様を満たすことを可能とする。

【００２８】本発明の実際は、以下の例においてさらに
記載される。例は、Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯの添加に対
する基礎原料としてもっぱらＳｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５
の組成を使用したが、同一出願人による米国特許第４，
９６０，６８０号によって教示される範囲内の全ての組
成は、本発明を適用することに対して有用であることが
信じられることは、注意しなければならない。図５は、
Ｓｂ、Ｓｎ、Ｉｎ合金系内における組成の好適な範囲を
示す組成の図であり、表１は、頂点の組成を示す。更
に、全てのＳｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金の記録挙
動のために、ここでＸがＩｎでない、Ｓｂ
_{１００−ｍ−ｎ}Ｘ_ｍＳｎ_ｎ合金へのＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、及
びＯの添加は、類似の有益な効果を引き起こすことにな
る。

【００２９】表１

【００３０】

【表２】

【実施例】例１ 一系列の七つの記録層を、二つのスパッタリングターゲ
ットからの同時スパッタリングによって調製した。第一
のターゲットは、Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５の組成をも
つ合金であった。また第二のターゲットは、ＺｎＳ：２
０％ＳｉＯ_２の組成を有した。ＤＣスパッタリングを、
Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５ターゲットに使用した。また
ＲＦスパッタリングを、ＺｎＳ：２０％ＳｉＯ_２ターゲ
ットに使用した。ＺｎＳ：２０％ＳｉＯ_２ターゲットか
らのスパッタリング速度比Ｒ対Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ
_１５ターゲットからのものをゼロ乃至約１．３１の値の
間で変動させるように、スパッタリングのパワーを調節
した。スパッタリングを、約７ｍＴｏｒｒ（ミリトル）
のＡｒ中で実行した。また相変化層の厚さは、約２００
ｎｍであった。これらの膜を、誘導結合プラズマ（Indu
ctively Coupled Plasma）（ＩＣＰ）法を使用して化学
組成に関して分析した。結果を表２に要約する。ＩＣＰ
法は、膜における金属及び半導体の元素を検出すること
だけが可能であることに注意すること。表において報告
する値は、酸素及び硫黄を除外した金属及び半導体の元
素のみに基づいて計算された百分率を参照する。ターゲ
ット材料の組成に基づいて、膜における酸素の濃度は、
Ｓｉの約半分であると予想され、硫黄の濃度は、Ｚｎの
ものにおおよそ等しいと予想される。

【００３１】表２

【００３２】

【表３】 この例は、同時スパッタリングがＳｂＳｎＩｎ合金中に
Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯを添加するための、及び全ての
適切な元素を含有する記録層を生産するための、有効な
方法であることを証明する。またそれは、スパッタリン
グ速度比Ｒが、二つの決定した組成のターゲットから同
時スパッタリングによって調製された膜に対して組成の
有効な指標であることも証明する。

【００３３】例２ ＷＯＲＭ光記録素子１０を図１に従って構築した。ディ
スクの形態にある基板１１を、約０．６ｍｍの厚さをも
つ射出成型されたポリカーボネートで作った。ディスク
の一つの表面で、ディスクの内径からディスクの外径ま
で広がった連続的な螺旋状の溝を成型した。溝を、デー
タを記録すると共にデータの読み返しのためのレーザー
ビームをガイドするために使用した。溝は、ＤＶＤ形式
のディスクに使用されるものに類似して、約０．７４μ
ｍのトラック−ピッチを有した。この溝が造られた表面
に、相変化記録層１２を、二つのスパッタリングターゲ
ットからの同時スパッタリングによって成膜した。第一
のターゲットは、Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５の組成をも
つ合金であった。また第二のターゲットは、ＺｎＳ：２
０％ＳｉＯ_２の組成を有した。ＤＣスパッタリングを、
Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５に使用した。またＲＦスパッ
タリングを、ＺｎＳ：２０％ＳｉＯ_２ターゲットに使用
した。ＺｎＳ：２０％ＳｉＯ_２ターゲットからのスパッ
タリング速度比Ｒ対Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５ターゲッ
トからのものが、約０．６５であるように、スパッタリ
ングのパワーを調節した。スパッタリングを、約７ｍＴ
ｏｒｒのＡｒ中で実行した。また相変化層の厚さは、約
８４ｎｍであった。最後に、記録素子に機械的な保護を
提供するために、ＵＶ−硬化性ラッカー層１３を、相変
化層に塗布した。

【００３４】比較のために、別のＷＯＲＭ記録素子１
０’を図１に従って調製した。全ての成分及び手順は、
Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５ターゲットのみからのスパッ
タリングによって記録層を調製したことを除いて、上述
した素子と類似であった。従って、記録層は、ターゲッ
トにおけるものと類似したＳｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５の
組成を有した。またＲ＝０であった。

【００３５】記録素子１０及び１０’の記録性能を、６
３５ｎｍの波長のレーザー及び０．６のＮＡの対物を装
備した商業的に利用可能なＰｕｌｓｔｅｃ社のＤＤＵ−
１０００ＤＶＤ試験機を使用して評価した。ディスク
に、それが、標準的なＤＶＤディスクの読み取り速度の
約２．５倍である、８．８ｍ／ｓの線速度を与えるよう
に回転している間に、ランダムなＥＦＭ＋データパター
ンを、記録した。マルチパルス書き込み方式を記録に使
用した。最も短い３Ｔマークに対しては、単層パルスを
使用した。またより長いｎＴマークに対しては、追加の
（ｎ−３）個のパルスを加えた。パルスの継続時間を、
最小の読み返しジッタ値を与えるように最適化した。記
録パルスに対するクロック速度を、異なる大きさの記録
されるマークを与えるために変動させた。次に記録され
たデータを、６５０ｎｍの波長及び０．６のＮＡの対物
を装備した別のＰｕｌｓｔｅｃ社のＤＤＵ−１０００Ｄ
ＶＤ試験機に読み返した。この後者の試験機を、仕様に
対してＤＶＤ媒体を試験するための参照試験機に対して
較正しておいた。評価において使用する性能指数は、読
み返しデータ対クロックジッタである。データ対クロッ
クジッタの数は、記録されたデータを読み返す及び複号
することにおける不確定性の尺度である。この量は、ナ
ノ秒で表示され、ジッタの数が小さいほど、記録性能は
良好である。

【００３６】表３は、二つのタイプの記録素子に関する
３Ｔマークの大きさに対する、ナノ秒における読み返し
データ対クロックジッタの依存性を示す。Ｒ＝０をもつ
ものは、先行技術のＳｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５の組成を
使用した。またＲ＝０．６５をもつものは、本発明によ
る相変化記録層を使用した。Ｒ＝０．６５をもつ記録素
子１０に対する、測定されたデータ対クロックジッタ
が、Ｒ＝０をもつ記録素子１０’のものよりも一貫して
低かったことは、はっきりわかる。

【００３７】表３

【００３８】

【表４】 例３ ＷＯＲＭ光記録素子２０を図２に従って構築した。ディ
スクの形態にある基板２１を、約０．６ｍｍの厚さをも
つ射出成型されたポリカーボネートで作った。ディスク
の一つの表面で、ディスクの内径からディスクの外径ま
で広がった連続的な螺旋状の溝を成型した。溝を、デー
タの記録及び読み返しのためのレーザービームをガイド
するために使用した。溝は、ＤＶＤ形式のディスクに使
用されるものに類似して、約０．７４μｍのトラック−
ピッチを有した。この溝が造られた表面に、相変化記録
層２２を、二つのスパッタリングターゲットからの同時
スパッタリングによって成膜した。第一のターゲット
は、Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_{１ ５}の組成をもつ合金であっ
た。また第二のターゲットは、ＺｎＳ：２０％ＳｉＯ _２
の組成を有した。ＤＣスパッタリングを、Ｓｂ_７５Ｉｎ
_１５Ｓｎ_１５に使用した。またＲＦスパッタリングを、
ＺｎＳ：２０％ＳｉＯ_２ターゲットに使用した。Ｚｎ
Ｓ：２０％ＳｉＯ_２ターゲットからのスパッタリング速
度比Ｒ対Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５ターゲットからのも
のが、約０．６１であるように、スパッタリングのパワ
ーを調節した。スパッタリングを、約７ｍＴｏｒｒのＡ
ｒ中で実行した。また相変化層の厚さは、約１２ｎｍで
あった。相変化記録層２２に、誘電体層２３を、Ｚｎ
Ｓ：２０％ＳｉＯ_２ターゲットからＲＦスパッタリング
した。スパッタリングの圧力は、約７ｍＴｏｒｒであっ
た。またその層の厚さは、約７３ｎｍであった。誘電体
層２３に、反射層２４を、Ａｌ：１％Ｃｒターゲットか
らＤＣ−スパッタリングした。スパッタリングの圧力
は、約５ｍＴｏｒｒであった。また層の厚さは、約１０
０ｎｍであった。最後に、ＵＶ−硬化性ラッカー層２５
を、記録素子に機械的な保護を提供するために、反射層
２４に塗布した。

【００３９】比較のために、別のＷＯＲＭ記録素子２
０’を図２に従って調製した。全ての成分及び手順は、
Ｓｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５ターゲットのみからのスパッ
タリングによって記録層を調製したことを除いて、上述
した素子と類似であった。従って、記録層は、ターゲッ
トにおけるものと類似したＳｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５の
組成を有した。またＲ＝０であった。

【００４０】記録素子２０及び２０’の記録性能を、６
３５ｎｍの波長のレーザー及び０．６のＮＡの対物を装
備した商業的に利用可能なＰｕｌｓｔｅｃ社のＤＤＵ−
１０００ＤＶＤ試験機を使用して評価した。ディスク
に、それが、標準的なＤＶＤディスクの読み取り速度の
約２．５倍である、８．８ｍ／ｓの線速度を光記録素子
に与えるように回転している間に、ランダムなＥＦＭ＋
データパターンを、記録した。マルチパルス書き込み方
式を使用した。最も短い３Ｔマークに対しては、単層パ
ルスを使用した。またより長いｎＴマークに対しては、
追加の（ｎ−３）個のパルスを加えた。パルスの継続時
間を、最小の読み返しジッタ値を与えるように最適化し
た。記録パルスに対するクロック速度を、異なる大きさ
の記録されるマークを与えるために変動させた。次に記
録されたデータを、６５０ｎｍの波長及び０．６のＮＡ
の対物を装備した別のＰｕｌｓｔｅｃ社のＤＤＵ−１０
００ＤＶＤ試験機に読み返した。この後者の試験機を、
仕様に対してＤＶＤ媒体を試験するための参照試験機に
対して較正しておいた。評価において使用する性能指数
は、読み返しデータ対クロックジッタである。データ対
クロックジッタの数は、記録されたデータを読み返す及
び複号することにおける不確定性の尺度である。この量
は、ナノ秒で表示され、ジッタの数が小さいほど、記録
性能は良好である。

【００４１】表４は、二つのタイプの記録素子に関する
３Ｔマークの大きさに対する、ナノ秒における読み返し
データ対クロックジッタの依存性を示す。Ｒ＝０をもつ
素子２０’は、先行技術のＳｂ_７５Ｉｎ_１５Ｓｎ_１５の
組成を使用した。またＲ＝０．６１をもつ素子２０は、
本発明による相変化記録層を使用した。Ｒ＝０．６１の
記録素子に対する、測定されたデータ対クロックジッタ
が、Ｒ＝０の記録素子のものよりも一貫して低かったこ
とは、はっきりわかる。より小さいマークを作ったと
き、その差は、より著しかった。また、表４は、二つの
素子に対する搬送波電力対雑音電力比（Carrier-to-Noi
se Ratio）（ＣＮＲ）の比較を列挙する。ＣＮＲを、単
調な３Ｔの大きさのマークの記録で測定した。また、Ｒ
＝０．６１をもつ本発明を使用する素子２０は、先行技
術の技術を使用して、素子２０’よりもはるかに高いＣ
ＮＲを示した。両方の素子に関して、記録されたマーク
は、記録されてない領域よりも低い反射率を有した。

【００４２】表４

【００４３】

【表５】 例４ ＺｎＳ：ＳｉＯ_２（２０％）の添加の効果をさらに説明
するために、一系列の３３枚のディスクを、例３に記載
する構造及び条件を使用して作った。これらのディスク
を、各々が５又は６枚のディスクを含む六個のグループ
に分割した。各グループは、約０．２のインクリメント
で０から１．０までの範囲にわたる異なるスパッタリン
グ速度比Ｒを有した。各グループ内で、相変化記録層２
３の厚さＴを、約８ｎｍから約２０ｎｍまでディスクに
わたって変動させた。相変化記録層２３の光学定数が、
スパッタリング速度比Ｒに依存するので、誘電体層２２
の厚さを、各Ｒの値に対する最適な性能を達成するため
に調節した。誘電体層の厚さは、Ｒ＝０に対する約８６
ｎｍからＲ＝１．０に対する約５４ｎｍまで変動した。
これらの３３枚のディスクの記録性能を、例３に記載し
たのと同じ様式で試験した。結果を図６に要約する。

【００４４】全ての３３枚のディスクに対して、記録さ
れたマークは、記録されてない領域よりも低い反射率を
有した。図６は、スパッタリング速度比Ｒ及び相変化層
の厚さＴに対する読み返しデータ対クロックジッタの依
存性を示す。六本の曲線は、異なるスパッタリング速度
比をもつディスクの六個のグループを表し、曲線上の各
点は、異なる相変化層の厚さを表す。混合の無いＲ＝０
のディスクは、非常に高いジッタ値を有し、非常に高い
ので記憶デバイスとして有用であり得ない。Ｚｎ、Ｓ、
Ｓｉ、及びＯが、ＳｂＳｎＩｎ合金に加えられたとき、
ジッタ値における著しい改善が観察される。その改善
は、Ｒ＝０．２であるとき、明白であり、いくらかの改
善は、より小さなＲ値でさえ期待される。その改善は、
より高いＲ値で、より著しくなる。データ対クロックジ
ッタの値が、この例に使用される値の範囲内における相
変化記録層の厚さに比較的独立であることが見出され
る。しかしながら、他の特性は、相変化層の厚さに依存
する。

【００４５】図７は、相変化記録層の厚さにおける読み
返しコントラストの依存性を示す。コントラストに対す
る最適な相変化記録層の厚さは、Ｒ＝０に対して８ｎｍ
より小さいことが見出された。またそれは、Ｒを増加さ
せるにつれて増加した。Ｒ＝１．０に対しては、それ
は、１４ｎｍよりも大きかった。Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、及び
Ｏが、Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｉｎ_ｍＳｎ_ｎ合金に加えられ
るとき、最適な相変化層の厚さにおけるこの変化は、光
学濃度の減少の結果である。また、ＤＰＤトラッキング
信号が、読み返しコントラストと類似の相変化記録層の
厚さ依存性を有することも見出された。図８は、ディス
クの６個のグループの各々に対する最大のＤＰＤ信号対
これらのグループのＲ値を示す。ＳｂＩｎＳｎ合金への
Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ及びＯの添加が、ＤＰＤ信号強度を著し
く改善したことは、この図から明らかである。

【００４６】例５ 四系列の記録素子を、例３で使用されるものと類似の構
造及び手順を使用して構築した。しかしながら、Ｚｎ
Ｓ：ＳｉＯ_２ターゲットの組成は、ＺｎＳ：０％ＳｉＯ
_２からＺｎＳ：３０％ＳｉＯ_２までの範囲にわたって、
系列の各々に対して異なった。各系列内で、スパッタリ
ング速度比Ｒを変動させた。素子を、例３に使用される
ものに類似した様式で評価した。結果を図９に要約す
る。ＺｎＳと混合することさえ、データ対クロックジッ
タにおける改善を引き起こしたが、ＳｉＯ_２が第二のタ
ーゲットに存在したとき、より多くの改善が観察された
ことは、これらの結果からわかる。ＺｎＳ：７％ＳｉＯ
_２とＺｎＳ：３０％ＳｉＯ_２との間の性能における著し
い差は無かった。またこれらの結果は、ＺｎＳ：ＳｉＯ
_２におけるＳｉＯ_２の濃度の使用可能な範囲が、この例
で研究された範囲よりも広いことを示唆する。本発明に
よる好適な組成の範囲は、式（Ｓｂ_{１００−ｍ− ｎ}Ｉｎ
_ｍＳｎ_ｎ）_{１００−ｘ}（（ＺｎＳ）_{１００−ｙ}（ＳｉＯ
_２）_ｙ）_ｘによって表示されるように評価され、ここ
で、７０＞ｘ＞１０、４０＞ｙ＞１であり、ｍ及びｎ
は、Ｓｂ_{１００−ｍ−ｎ}Ｉｎ_ｍＳｎ_ｎ合金が図５におけ
る組成の範囲を満たすように選択される。

【００４７】これらの例は、記録性能を改善することに
おけるＳｂＳｎＩｎ合金へのＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯの
添加の有益な効果を明らかに証明する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従って作ることができるＷＯＲＭ光記
録素子の断面図における概略表示であり、ここでその素
子は、単層構造を有する。

【図２】本発明に従って作ることができる別のＷＯＲＭ
光記録素子の断面図における概略表示であり、ここでそ
の素子は、三層構造を有する。

【図３】本発明に従って作ることができる別のＷＯＲＭ
光記録素子の断面図における概略表示であり、ここで読
み取り／書き込みレーザービームは、その素子の前面か
ら照射される。

【図４】本発明に従って作ることができる別のＷＯＲＭ
光記録素子の断面図における概略表示であり、ここでそ
の素子は、四層構造を有する。

【図５】本発明と共に使用される好適な組成の範囲を示
すアンチモン、インジウム、及びスズの三元の組成図で
ある。

【図６】スパッタリング速度比Ｒ及び相変化層の厚さＴ
に対する読み返しデータ対クロックジッタの依存性を示
すプロットである。

【図７】スパッタリング速度比Ｒ及び相変化層の厚さＴ
に対する読み返しコントラストの依存性を示すプロット
である。

【図８】スパッタリング速度比Ｒ及び相変化層の厚さＴ
に対するＤＰＤトラッキング信号の依存性を示すプロッ
トである。

【図９】スパッタリング速度比Ｒ及びＺｎＳ：ＳｉＯ_２
ターゲットの組成に対する読み出しデータ対クロックジ
ッタの依存性を示すプロットである。

【符号の説明】

１０、２０、３０、４０ ＷＯＲＭ光記録素子 １１、２１、３１、４１ 基板 １２、２２、３４、４３ 相変化記録層 １３、２５、３５、４６ 保護層 ２３、３３、４２、４４ 誘電体層 ２４、３２、４５ 反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トマス リチャード クッシュマン アメリカ合衆国 ニューヨーク 14617 ロチェスター ジョン・ジェイ・ドライヴ 325 (72)発明者 ジュゼッペ ファルージア アメリカ合衆国 ニューヨーク 14580 ウェブスター ビショップズ・レーン 706 (72)発明者 ジョージ ラッセル オリン アメリカ合衆国 ニューヨーク 14580 ウェブスター ノースブルック・ウェイ 665 (72)発明者 ブルーノ プリメラノ アメリカ合衆国 ニューヨーク 14568 ワルウォース エディ・ロード 1867 (72)発明者 フリードリッヒ ヴァザン アメリカ合衆国 ニューヨーク 14534 ピッツフォード ヴァンテージ・ドライヴ ３ Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 FB04 FB05 FB06 FB08 FB09 FB12 FB15 FB16 FB17 FB19 FB20 FB21 FB23 FB25 FB27 FB28 FB29 FB30 5D029 JA01

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板及び相変化記録層を含むＷＯＲＭ光
   記録素子であって、前記相変化記録層は、 Ｓｂ_ａＸ_ｂＳｎ_ｃＺｎ_ｄＳｉ_ｅＯ_ｆＳ_ｈによって表示さ
   れる組成を有し、 Ｘは、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｔ
   ｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ、Ｎ
   ｉ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔｌ、Ａｓ、Ｐ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｈ
   ｆ、又はＶから選択される元素であり、 ａ＞０、ｂ＞０、ｃ＞０、ｄ＞０、ｅ＞０、ｆ＞０、ｈ
   ＞０、であり、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｈ＝１００であるＷＯＲＭ光
   記録素子。
2. 【請求項２】 前記Ｘは、Ｉｎであり、 前記Ｓｂ、Ｉｎ、及びＳｎ成分は、組成図 【化１】 を満たす比を有し、 頂点は、以下の 【表１】 に指定される請求項１記載のＷＯＲＭ光記録素子。
3. 【請求項３】 前記Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、及びＯ成分は、式
   （ＺｎＳ）_{１００− ｙ}（ＳｉＯ_２）_ｙ及び４０＞ｙ＞１
   を満たす請求項１記載のＷＯＲＭ光記録素子。