JPS6151947A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6151947A JPS6151947A JP17608184A JP17608184A JPS6151947A JP S6151947 A JPS6151947 A JP S6151947A JP 17608184 A JP17608184 A JP 17608184A JP 17608184 A JP17608184 A JP 17608184A JP S6151947 A JPS6151947 A JP S6151947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- projection
- heat dissipating
- insulating substrate
- dielectric strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この分明は、半導体素子および放熱フィン等が装着さハ
る絶縁基板を有する半導体装置において、前記絶縁基板
の絶縁体の形状を改良することにより絶縁耐力の向上と
組立作業の面木化を図った半導体装置に関するものであ
る。
る絶縁基板を有する半導体装置において、前記絶縁基板
の絶縁体の形状を改良することにより絶縁耐力の向上と
組立作業の面木化を図った半導体装置に関するものであ
る。
第１図（ａ）、 （ｂ）は従来の半導体装置の絶縁基
板を示す平面図および断面図である。第１図において、
１は絶縁体、２ｍ、２４）は前記絶縁体１０両面に半導
体素子や放熱フィン等ｔはんだ等のろう材でろう付けで
きるようメッキを施したメタライズパターンである。こ
れにより絶縁基板が形成される。
板を示す平面図および断面図である。第１図において、
１は絶縁体、２ｍ、２４）は前記絶縁体１０両面に半導
体素子や放熱フィン等ｔはんだ等のろう材でろう付けで
きるようメッキを施したメタライズパターンである。こ
れにより絶縁基板が形成される。
上記絶縁基板は一般に平板状構造をなしており、その形
状はろう付けされる半導体素子や放熱フィン等に合わせ
種々の形状がある。これらの絶縁基板の絶縁耐力はメタ
ライズパターン２＆、２ｂ間の沿面距＊（Ａ−Ｂ）によ
り決まることが一般的であるＣ（Ｃ−Ｄ）の絶縁耐力＞
（Ａ−Ｂ）の絶縁耐力の場合〕。
状はろう付けされる半導体素子や放熱フィン等に合わせ
種々の形状がある。これらの絶縁基板の絶縁耐力はメタ
ライズパターン２＆、２ｂ間の沿面距＊（Ａ−Ｂ）によ
り決まることが一般的であるＣ（Ｃ−Ｄ）の絶縁耐力＞
（Ａ−Ｂ）の絶縁耐力の場合〕。
絶縁耐力を高めるためには沿面距離を長くすれば効果が
あるか、半導体素子や放熱フィン等の特性、形状に種々
の制約かあり、沿面距離を長（できない場合が多い。ま
た、放熱フィンへろう付けする場合、絶縁基板が平板状
構造であるため、そのままでは位置決めが困離であり、
位置決め治具等を必要としていた。
あるか、半導体素子や放熱フィン等の特性、形状に種々
の制約かあり、沿面距離を長（できない場合が多い。ま
た、放熱フィンへろう付けする場合、絶縁基板が平板状
構造であるため、そのままでは位置決めが困離であり、
位置決め治具等を必要としていた。
この発明は、これらの欠点’！１’解決するためＫなさ
れたもので、絶縁体周縁部に凸部を設けて絶縁耐カン向
上せしめたものである。以下この発明の実施例について
説明する。
れたもので、絶縁体周縁部に凸部を設けて絶縁耐カン向
上せしめたものである。以下この発明の実施例について
説明する。
第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示す絶縁
基板の平面図および断面図であり、１および２ｍ、２ｂ
は第１図と同じものである。３は前記絶縁体１０両面の
周縁部に設けた凸部である。
基板の平面図および断面図であり、１および２ｍ、２ｂ
は第１図と同じものである。３は前記絶縁体１０両面の
周縁部に設けた凸部である。
このように凸部３を形成した形状にすることによりメタ
ライズパターン２ａ、２ｂ間の沿面距離（Ａ’−Ｂ’）
は従来の絶縁基板に比し長（なることは明らかであり、
また、凸部３が上、下方向に形成されているため、外形
寸法を太き（せずＫ、従来以上の絶縁耐力を有すること
ができろ。
ライズパターン２ａ、２ｂ間の沿面距離（Ａ’−Ｂ’）
は従来の絶縁基板に比し長（なることは明らかであり、
また、凸部３が上、下方向に形成されているため、外形
寸法を太き（せずＫ、従来以上の絶縁耐力を有すること
ができろ。
さらに、この絶Ｍ＆基板を放熱フィンへろう付げする場
合、第３図に示すようＶＣ放熱フィン４にあらかじめ突
部３，３間Ｉ／ｃ欧合する大きさの凸部５を設げておけ
ば、絶縁基板の位置決めｙｆ：簡単に精度よく行うこと
かできる。
合、第３図に示すようＶＣ放熱フィン４にあらかじめ突
部３，３間Ｉ／ｃ欧合する大きさの凸部５を設げておけ
ば、絶縁基板の位置決めｙｆ：簡単に精度よく行うこと
かできる。
第４図（ａ）〜（ｃ）は絶縁体１に形成する凸部の形状
例を示す断面図で、第４図（ａ）は絶縁体１の一方の面
の端部周縁に凸部３を形成した例であり、第４図Ｃｂ）
は同じく両面の端部周縁に凸部３ｆｔ形成した例であり
、さらに第４図（Ｃ）は第２図℃説明した凸部３を絶縁
体１の一方の面に形成してそれぞれ絶縁基板を形成した
例である。
例を示す断面図で、第４図（ａ）は絶縁体１の一方の面
の端部周縁に凸部３を形成した例であり、第４図Ｃｂ）
は同じく両面の端部周縁に凸部３ｆｔ形成した例であり
、さらに第４図（Ｃ）は第２図℃説明した凸部３を絶縁
体１の一方の面に形成してそれぞれ絶縁基板を形成した
例である。
なお、上記の絶縁基板の使用に際しては、半導体素子、
放熱フィン等の加工、９性、形状あるいは組立作業上の
制約がある場合に上記形状の適宜なものを選択すればよ
い。
放熱フィン等の加工、９性、形状あるいは組立作業上の
制約がある場合に上記形状の適宜なものを選択すればよ
い。
以上説明したよう和、この分明は、絶縁体の少なくとも
一方の面の周縁部分に絶縁体の両面のメタライズパター
ン間の沿面距離を長（するための凸部を形成して絶縁基
板を形成したので、従来の絶縁基板とほぼ同じ外形寸法
でありなから、従来以上の絶縁耐力ｔもだせることかで
きるはかりでなく、この凸部を位置決めに使用すること
により半導体装置の組立作業を簡素化できろ利点が得ら
れるものである。
一方の面の周縁部分に絶縁体の両面のメタライズパター
ン間の沿面距離を長（するための凸部を形成して絶縁基
板を形成したので、従来の絶縁基板とほぼ同じ外形寸法
でありなから、従来以上の絶縁耐力ｔもだせることかで
きるはかりでなく、この凸部を位置決めに使用すること
により半導体装置の組立作業を簡素化できろ利点が得ら
れるものである。
第１図（ａ）、 （ｂ）は従来の絶縁基板の平面図お
よび１７１線の断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）はこ
の発明の一実施例を示す絶縁基板の平面図および江−■
線の断面図、第３図はこの分明の使用態様を示すもので
、絶縁基体を放熱フィンへろう付けした断面図、第４図
＜＆）〜＜ｃ＞はこの発明による絶縁基板の形状例をそ
れぞれ示す断面図である。 図中、１は絶縁体、２ｍ、２ｂはメタライズパターン、
３は凸部である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分ｌ示す。 代理人 大巻 増雄 （外２名） 第１図
よび１７１線の断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）はこ
の発明の一実施例を示す絶縁基板の平面図および江−■
線の断面図、第３図はこの分明の使用態様を示すもので
、絶縁基体を放熱フィンへろう付けした断面図、第４図
＜＆）〜＜ｃ＞はこの発明による絶縁基板の形状例をそ
れぞれ示す断面図である。 図中、１は絶縁体、２ｍ、２ｂはメタライズパターン、
３は凸部である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分ｌ示す。 代理人 大巻 増雄 （外２名） 第１図
Claims (1)
- 絶縁体の両面に半導体素子および放熱フィン等がろう
付けされるメタライズパターンが施された絶縁基板を有
する半導体装置において、前記絶縁体の少なくとも一方
の面の周縁部に前記絶縁体の両面のメタライズパターン
間の沿面距離を長くするための凸部を設けたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17608184A JPS6151947A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17608184A JPS6151947A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151947A true JPS6151947A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=16007384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17608184A Pending JPS6151947A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151947A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576578A (en) * | 1991-11-15 | 1996-11-19 | Siemens Aktiengesellschaft | High voltage insulating disk |
| EP1895584A1 (en) * | 2000-06-01 | 2008-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermally conductive substrate with leadframe and heat radiation plate and manufacturing method thereof |
| WO2018211751A1 (ja) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17608184A patent/JPS6151947A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576578A (en) * | 1991-11-15 | 1996-11-19 | Siemens Aktiengesellschaft | High voltage insulating disk |
| EP1895584A1 (en) * | 2000-06-01 | 2008-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermally conductive substrate with leadframe and heat radiation plate and manufacturing method thereof |
| WO2018211751A1 (ja) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
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