JPS61152487A - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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Publication number
JPS61152487A
JPS61152487A JP59279088A JP27908884A JPS61152487A JP S61152487 A JPS61152487 A JP S61152487A JP 59279088 A JP59279088 A JP 59279088A JP 27908884 A JP27908884 A JP 27908884A JP S61152487 A JPS61152487 A JP S61152487A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
gete
thin film
lasers
recording medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP59279088A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoichi Kawai
正一 川井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Columbia Co Ltd
Original Assignee
Nippon Columbia Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Columbia Co Ltd filed Critical Nippon Columbia Co Ltd
Priority to JP59279088A priority Critical patent/JPS61152487A/ja
Publication of JPS61152487A publication Critical patent/JPS61152487A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ元の熱エネルギーによこ熱変態によっ
て光学的特性を変化させ、情報を記録する記録膜を基板
に被着させた光情報記録媒体に関すとものであ４゜ 〔従来の技術〕 本Ｉｔｈ！願人は特願昭５９−１３７４５号「光情報記
録媒体」としてＧｅＴｅ　Ｗｔ膜を提案した。これは熱
変態によって光学的特性を変化させて記録すふ記録１１
にで、単層膜で大きなコントラストが得られ４等優れた
性質をもっている。
〔発明が解決しようとす石間頑点〕
しかしながら記録された部分は、結晶相転移によＬ体積
収縮、基板と記録膜の熱膨張係数の違いによシフラック
がへ４場合があえ欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は、ＧｅＴｅ薄膜の記録され九部分の結晶相転移
によるり２ツク管防止す石ためＫなさｎたものであｚＯ 〔問題点全解決すえための手段〕 この様な目的を達成すと為、不発明は、ＧｅＴｅに■■
ｖ族のうち原子番号が３１以上の物質全添加させ記録薄
膜にするもので１６ 〔実施列〕 以下、図によって不発明の一実施例でＧｅＴｅ　Ｋｓｂ
ｔ−添加させた薄膜上説明すえ。
第１図は不発明の一実施例で、基板２としてガラス板、
ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリ塩化ビニール膚脂
、ポリカーボネート樹脂等を用い２０これにＧｅＴｅと
Ｓｂ　（ＧｅＴｅ　：　８０〜９９　’４、Ｓｂ：２０
〜１チ）を真空蒸着、あ２いはスパッタリングによって
被着させてＧｅＴｅ５ｂｚによと記録膜１′ｆ：形成す
４０なおＧｅＴｅ５ｂｚ薄膜を形成すえ場合、必ずしも
ｓｂそのものを用いなくても、ＧｅＴｅとｓｂ尤Ｔｅａ
を混合させたもの（ＧｅＴｅ　：　７０〜９９％、　Ｓ
ｂ、ｘＴｅ＋ｖ　：３０〜１チ）を真空蒸着、あえいは
スパッタリングによって被着させ２様にしてもよい。
こうして出来た元情報記録媒体で記録再生を行うには、
第１図の様に基板２ｇ４からレーザ３ｔ−照射す４ｏこ
の場合強力なレーザ光を照射す２と記録が行われ、露光
部分はレーザ光照射の熱によシ、反射率力ｈ′ダ大すえ
。杏生け、反射率の差で信号を読み取と。この物質の薄
膜は８００　’　Ａ〜１２００　’　Ａの膜厚の間で反
射率が低くな２ので、この範囲の膜厚において最も大き
なコント、ラストが得られ４゜第２図はＧｅｎ５Ｔｅ＊
ａＳｂａ　ｆ　１０００°Ａの膜厚でガラス基板に被着
させ、元の波長８３０　ｎｍでの基側の反１￥Ｉ率と透
過率の熱処理温度依存性を示す。熱処理時間は約１０分
であ２゜この図を見ると熱処理後に１７％から４９チま
で反射率が変化すと。又薄膜の加熱処理前の反射率及び
透過率はそれぞれ１７％及び８チでろ疋から、吸収率は
約７５　％となシ、又Ｔｅ化合物であＡので比較的熱伝
導率が低いことから、半導体レーザ光の吸熱が効率よく
行われ芝。また反射率変化温度が１４ト１６０°Ｃの間
にあＦ）　、ＧｅＴｅ薄膜の反射率変化温度１６０〜１
７０°Ｃと比べ芝と低いため、記録感度が高くなえ。次
に記録再生実験を行った結果、ＧｅＴｅ薄膜より記録感
度が高く、線速２ｍ／ｓｅｅで盤面レーザパワー７．５
　ｍｗ　２５０　ＫＨｚまではピットの中のクラックも
な（５０ｄＢ以上のＣ／＃４ルが得られた。
以上の実施列に限らず、ＧｅＴ・にＢｉ　、　Ｉｎのう
ち１つ全添加させるか、ＧｅＴｅにＢｉｔＴｅ＊　ＸＩ
ｎＴｅの中の１つを混合させ、薄膜にしたものも同様の
結果が得られ九。又、ｍｒｖｖ族のうち原子番号が３１
以上の物質についてはいずれも、熱伝導率が低←６′ 融点が低く、薄膜にし易（、ＧｅＴｅと混合し易い等の
理由で上記と同様にＧｅＴｅと共に被着させることによ
シ良好な結果が得られた。
以上の様に本発明によｚ元情報記録媒体は、Ｇｅｔｌｂ
にＴＩＩＩＶＶ族のうち原子番号が３１以上の物質上添
加させて記録薄膜を得るので、記録された部分の結晶相
転襲によこクラックを防止でき、Ｃ／Ｎが高く記録でき
石効来があ４０
【図面の簡単な説明】
第１図は不発明によと記録媒体の一実施例を示すｉｌ’
ｒ面図、第２図は本発明によゐ記録媒体の特性ｔ−説明
すゐ＃ｉ寵であゐ。 １・・・基板　　２・・・記録膜 ３・・・レーザ Ｌ−９″Ｌ 第１０ 第１乙日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に薄膜を形成し、光、熱等のエネルギーによつて
    上記薄膜に光学特性の変化部分を形成して情報を記録す
    る光情報記録媒体において、上記薄膜の主成分をＧｅＴ
    ｅにIIIIVＶ族のうちの原子番号が３１以上の物質を１
    ％以上２０％以下添加したことを特徴とする光情報記録
    媒体。
JP59279088A 1984-12-25 1984-12-25 光情報記録媒体 Pending JPS61152487A (ja)

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