JPS6143437A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6143437A
JPS6143437A JP59164963A JP16496384A JPS6143437A JP S6143437 A JPS6143437 A JP S6143437A JP 59164963 A JP59164963 A JP 59164963A JP 16496384 A JP16496384 A JP 16496384A JP S6143437 A JPS6143437 A JP S6143437A
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JP
Japan
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conductor wiring
group
conductor
wirings
wire
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JP59164963A
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Takeo Yamada
健雄 山田
Ken Okuya
謙 奥谷
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に、高密度にワイヤボン
ディングを行うパッケージにおいて、ワイヤの干渉など
がなく好適にワイヤボンディングすることができる実装
基板の導体配線部の構成に関する。
〔背景技術〕
半導体素子は、パッケージ外部と導通なとるために、実
装基板に形成された導体配線部と接続する必要がある。
１つの半導体素子（＃−導体チツブ）への回路素子の高
集積化あるいは高密度化に伴ない、半導体チップから外
部に引出される配線数が増加する。
すなわち、半導体チップに設けられた多くのポンディン
グパッドを介してワイヤによって半導体チップ内の配線
を、その外部へと多数引き出さなければならない。この
場合、半導体チップが実装されるリードフレーム、プリ
ント基板、セラミックパッケージ基板等の実装基板（＃
導体チップ実装基板）の配線を如何に高密度に形成する
かが課題となる。また、このような高密度化に伴ない、
ワイヤボンディングも増々困難性を増している。
配線数が多い場合、実装基板に配設された導体配線部（
リード）の先端は皆−線上に揃えられている。この場合
、リードの先端と半導体チップとの距離は高密度化に伴
ない引出する端子（ピン）数が増加すればする根太とな
る。これはリード先端部の密度に限界があり、また、製
品によってはパッケージの形状から上記距離が大である
ことを賛求されるからである。
したがって、ワイヤの長さも増々大となり、それに伴な
い、ワイヤの巻きぐせなどに原因して或いは又、製造後
、外力などに原因してワイヤがよれて隣接するワイヤ同
志の接触（干渉）が起こり易く、特に、コーナー部にお
いてかかる現象が顕著に起こり易くなることが本発明者
によって明らかにされた。
なお、角部の隣接するリード間でのワイヤのシュートを
防止した技術とし又は特開昭５７−１６４５５７号公報
に示される技術がある。
〔発明の目的〕 本発明は、ワイヤの干渉を防止し、好適にワイヤボンデ
ィングを行うことができ、導体配線部の高密度化を達成
することができる半導体装置を提供することを目的とし
たものである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、リードを１つおきに前後に配置するようにす
ることにより、隣接するワイヤ同志が干渉する機会を大
幅に低減し、上記目的を達成したものである。
〔実施例〕
第１図は本発明をワイヤの干渉の最も起き易いコーナー
部に適用した平面図、第２図は本発明を導体配線部全体
に適用した平面図、第３図はワイヤボンディングを説明
する断面図である。
これら図において、１は四角形の半導体素子（半導体チ
ップ）で、シリコン単結晶基板から成る。
周知の技術によって、この半導体チップ内には多数の回
路素子が形成され、１つの回路機能を与えている。回路
素子は、例えば、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（
ＭＯＳ）ランジスタ）から成り、これらの回路素子によ
って、例えば論理回路およびメモリの回路機能が形成さ
れている。
半導体チップの内側周辺部には、外部と電気的結合を与
えるための複数のポンプイングツくラド２が形成されて
いる。このポンディングパッドは、例えばアルミニウム
の金属から構成されている。
３は、四角形の実装基板で、例えばセラミックの基板か
ら構成されている。この基板は樹脂から構成されたプリ
ント基板であってもよい。
実装基板３は、その中央部に半導体チップ１を搭載し工
いる溝部４を有し、さらに、半導体チップｌの外周部に
多数の導体配線部５が配設されている。導体配線部５は
例えば金属より成り、例えばＣｕ　（箔）より成り、ま
た、ダンゲステン、モリブテンなどより成る。
金属層を印刷技術により形成してもよい。導体配線部５
には金メッキなどを施してもよい。
第１図および第２図に例示するように、導体配線部５を
２群に分け、一群の導体配線部５Ａの先端位置を揃え、
一方、他群の導体配線部５Ｂの先端位置を揃え、一群の
導体配線部５Ａを他群の導体配線部５Ｂの先端位置より
も離隔して配設する。
第１歯および第２図に示す例では、一群の導体配線部５
Ａを他群の導体配線部５Ｂよりも、半導体チップ１から
遠ざけて配設した例を示す。
これら導体配線部５は、第２図に示すように、一群の各
導体配線部５Ａ・・・を他群の各導体配線部５Ｂ・・・
の間Ｉ！＋ｉＶＣ配設して成る。
すなわち、各導体配線部（リード）を１つおきに前後に
配置して成る。
第２図は伴導体素子１０周辺部全体について上記のよう
にしたもので、第１図は特にコーナー部について適用し
たものである。
第２図および第３図に示すように、半導体チップ１のポ
ンディングパッド２と実装基板３の導体配線部５とをワ
イヤにより電気的に接続する。
このワイヤ６は、例えばアルミニウム線または金線より
成る。第３図は本発明によるワイヤボンディングを、説
明するもので、一群の導体配線部５Ａの一つと他群の導
体配線部５Ｂの一つと半導体チップ１の各ポンディング
パッドとをボンディングした場合、これら配線部５Ａ、
５Ｂの半導体チップｌからの距離が異なり、したがって
、各ワイ僕６の長さも異なり、また、図示のように、各
ワイヤ６間には段差が出来る。
ワイヤボンディング忙際しては、これらの配線部を交互
に端から順々にワイヤボンディングしていくが、内側の
列の導体配線部をボンディング後、後側の列の導体配線
部をボンディングしてもよい。
〔効　果〕
１１）本発明によれば、実装基板導体配線部を上記のよ
うに構成し、第３図に示すように、ワイヤが実装基板面
からの高さが異なるようにしたので、隣接するワイヤが
干渉する機会を大幅に低減することに成功した。
リードが高密度化し、リードが増加すると、半導体チッ
プからの当該リードの距離が長くなっても、一群のリー
ドの後方に他群のリードを作ることにより、ワイヤの干
渉が起こりにくくなるため、上記距離を従来の限界を越
えて太き（とることができた。又、ワイヤの全長が本発
明を利用しない場合に比べて短かくなり、ワイヤボンデ
ィングにかかる時間が短縮される。
１２３　　本発明によれば、ワイヤ長が長くなってしま
う、コーナー部に適用して特に有効である。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
〔利用分野〕
本発明はリードを有する半導体装置全般て適用できるが
、セラミックパッケージ忙特に有用である。
ビングリッドアレイタイプのパッケージに適用すること
もできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す平面図、第２図は本発明
の実施例を示す平面図、第３図は本発明の実施例を示す
断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・ポンディングパッド、
３・・・実装基板、４・・・溝部、５・・・導体配線、
５Ａ・・・一群の導体配線、５Ｂ・・・他群の導体配線
、６・・・コネクタワイヤ。 代理人　　弁理士　　高　橋　　明　失策　　　１　　
図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、実装基板に半導体素子を搭載し、該半導体素子と前
    記実装基板の当該半導体素子周辺部に形成された導体配
    線部とをワイヤボンディングして成る半導体装置におい
    て、前記導体配線部を少なくとも２群に分け、一群の導
    体配線部を他群の導体配線部の先端位置よりも離隔して
    配設し、かつ、一群の各導体配線部を他群の各導体配線
    部の間隙に配設して成ることを特徴とする半導体装置。 ２　半導体素子周辺部コーナー部のみに、一群の導体配
    線部を他群の導体配線部の先端位置よりも離隔して配設
    し、かつ、一群の各導体配線部を他群の導体配線部の間
    隙に配設して成る、特許請求の範囲第１項記載の半導体
    装置。
JP59164963A 1984-08-08 1984-08-08 半導体装置 Pending JPS6143437A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437475U (ja) * 1987-08-27 1989-03-07
JP2003060122A (ja) * 2001-08-21 2003-02-28 Texas Instr Japan Ltd 半導体チップ搭載用基板及びそれを用いた半導体装置

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