JPS61295298A - 窒化ケイ素の製造方法 - Google Patents

窒化ケイ素の製造方法

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JPS61295298A
JPS61295298A JP60134350A JP13435085A JPS61295298A JP S61295298 A JPS61295298 A JP S61295298A JP 60134350 A JP60134350 A JP 60134350A JP 13435085 A JP13435085 A JP 13435085A JP S61295298 A JPS61295298 A JP S61295298A
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silicon nitride
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寺西 春夫
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宏 市川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の利用分野〉 本発明は窒化ケイ素のウィスカーの製造法、さらに詳し
くは繊維強化金属を製造するさい金属となじみ易い窒化
ケイ素のウィスカーを製造する方法に関する。
〈従来の技術〉 従来窒化ケイ素を製造するには、下記化学方程式に示す
ように種々の方法が行なわれている。即ち、高純度ケイ
石をコークスで(1)の化学反応式に従って、高温度で
還元するケイ石を還元する方法、また四塩化ケイ素とア
ンモニアとを気相で反応式(2)により反応する方法、
また、イミドケイ素を気相で分解する方法、かつ、金属
ケイ素を直接窒化する方法が示される。
3SxOx + 6C+ 2N−→Si、 N4+ 6
CO・・・・・・・・・(1)3SiCI□+4NH,
→Si、H,+ 12HC1・・・・・・・・・(2)
3Si(NH)、→Si、 N4+ 2NH3・・・・
・・・・・(3)3Si + 2N2→Si、l(4・
・・・・・・・・(4)(発明が解決しようとする問題
点〉 従来法で得られた窒化ケイ素は使用した原料と製品との
分離が完全に行なわれにくいので、高純のものが得られ
ず、これを繊維強化金属(以下FRMと略す)の強化材
として用いるさい、窒化ケイ素と金属がなじまず、諸特
性がすぐれたFRMが得られなかった。
〈問題点を解決する手段〉 本発明者らは繊維状窒化ケイ素についてさらに研究した
結果、ポリカルボシランをアンモニア雰囲気で1300
℃以上で焼成すれば、窒化ケイ素のウィスカーが得られ
、かつ、ウィスカーは繊維強化金属(FRMという)の
製造に用いれば特性がすぐれたFRMが得られるとの知
見を得て本発明を完成した。
〈構成〉 本発明の要旨はポリカルボシランをアンモニアガス雰囲
気で、かつ、1300℃以上で焼成して窒化ケイ素ウィ
スカーを得るものである。
ポリカルボシランは下記の式で示される。
モSi −CH2チ。
■ R2但しRLR2は炭素数1〜5のアルキル基、フェニ
ル基のいずれかでもよく、両者は同一であってもよい。
nは1〜5整数である。このさいの反応は R1 つぎに図面により慣用の窒化ケイ素合成装置を説明する
第3図において、1は高純度窒素ガスのボンベ、2は高
純度アンモニアガスのボンベ、3,4はそれぞれ流量計
、5,6はそれぞれストップバルブである。7はアンモ
ニアガスと窒素ガスとのガス混合器で、ガス混合器7へ
のそれぞれのアンモニア及び窒素ガスの供給管には逆止
弁8,9が設けられている。混合された窒素ガスとアン
モニアガスはドライカラム10で乾燥されて焼成炉11
に流入される。
焼成炉11で焼成するにあたっては焼成炉11の中に入
れたボートの中にポリカルボシランを装入し、真空ポン
プ12により、焼成炉内を減圧にし、減圧後焼成炉内に
アンモニアガスと窒素ガスとの混合物を流しながら焼成
炉11を加熱すれば焼成炉内のポリカルボシランは窒化
ケイ素に転化する。なお、図中13はマノメーター、1
4は逆流防止器である。
く本発明の効果〉 本発明により得られる窒化ケイ素はウィスカーであり、
かつ、不純物が少ないので、FRMに用いた場合、金属
とのなじみがよく1強度が大きいFRMが得られる。ま
た本発明の窒化ケイ素製造方法は従来法に比し簡単であ
る。すなわち、ポリカルボシランをアンモニア雰囲気中
で1300℃以上で処理すれば得ることができる。
本発明のウィスカーFRMは、従来のアルミニウムの加
工技術を適用でき、押出成形、ロール成形、鍛造にて丸
棒、板材、異形品、パイフプの製造ができ、力1つ、そ
の弾性率、引張り強度及び繊維容積は大である。
〈実施例〉 ポリカルボシラン(平均分子量約2,000゜融点22
0〜230℃)の粉末100gをアルミナボードに入れ
、これを小型管状炉(シリコニット発熱体)に装入し、
ついでその小型管状炉に高純度アンモニア及び高純度窒
素ガスをそれぞれ0゜59/minで流しながら140
0℃でlhr焼成した。
得られた焼成体はX線回析の結果第1図に示すように2
0で43.4″’ 、38.9°、35.3’ 。
34.8’ 、31.0″’ 、22.9@、及び20
.60にピークが認められ、α−Si、 N、であるこ
とが確認された。また、得られた生成物を3000倍の
顕微鏡写真を撮影したところ第2図に示すように繊維径
が0.1〜2.2μmで、長さが0.2mm以上のウィ
スカー状であることが認められた。
使用例1(ウィスカーFRM) JIS規格マトリックスA−6061で高圧鍛造法によ
り窒化ケイ素ウィスカーFRMを製造した。得られた製
品の繊維容積(vf)を測定したところ30%であった
。内部観察したところ、ボイドもなく繊維とマトリック
スの接着も良好で複合化も充分であった。常温293に
で機械特性を測定したところ、引張強さは80kg/m
m”で弾性率は15 t o n /mm”であった。
これに対して従来品のvfは15%、引張強さは20k
g/mm”であった。
使用例2 使用例1で作成したFRMビレットをロール成形により
板状の窒化ケイ素ウィスカーFRMを製造した。得られ
た製品のvfを測定したところ30%であった。内部I
f察をしたところ、ボイドもなく繊維とマトリックスの
接着も良好で複合化も・充分であった。常温293にで
機械特性を測定したところ、引張強さは80kg/mm
”であり弾性率は15ton/mm”であった。
使用例3 使用例1で作成したFRMビレットを押出成形により棒
状の窒化ケイ素ウィスカーFRMを製造した。得られた
製品のvfを測定したところ、30%であった。繊維の
破断も殆んどなく良好な複合材で押出方向に繊維が配向
しているのが認められた。常温293にで機械特性を測
定したところ、引張強度は100kg/mm”であり、
弾性率は18 t o n/mm”であった。
尚高温特性を調べた結果、300℃で80kg/mm2
と従来のアルミ合金に比べきわめて高い強度を有するの
が認められた。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例で得た窒化ケイ素のX線回折図、第2図
は第1図の窒化ケイ素の顕微鏡写真図(倍率3000倍
)及び第3図は窒化ケイ素の製造装置の配置図である。 1  :高純度窒素ボンベ 2  :高純度アンモニアボンベ 3.4:流量計  5,6:ストップバルブ7  :ガ
ス混合器 8.9:逆止弁  10 : ドライカラム11 :焼
成炉  12 :真空ポンプ13 :マノメーター 14 :逆流防止器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ポリカルボシランの粉末又は紡糸体をアンモニア
    ガス雰囲気で1300℃以上で焼成することを特徴とす
    る窒化ケイ素の製造方法
  2. (2)特許請求の範囲第1項においてアンモニアガス雰
    囲気が、窒素ガスとアンモニアガスの混合気流である窒
    化ケイ素の製造方法
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CA000512074A CA1247326A (en) 1985-06-21 1986-06-20 Process for production of silicon nitride
FR868608925A FR2583734B1 (fr) 1985-06-21 1986-06-20 Procede pour la production de nitrure de silicium a partir de polycarbosilane.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3707225A1 (de) * 1987-03-06 1988-09-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von siliciumcarbidfaser
US5814290A (en) * 1995-07-24 1998-09-29 Hyperion Catalysis International Silicon nitride nanowhiskers and method of making same
CN102659086B (zh) * 2012-05-04 2014-08-20 中国人民解放军国防科学技术大学 一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3399979A (en) * 1963-11-01 1968-09-03 Union Carbide Corp Process for producing metal nitride fibers, textiles and shapes
US4097294A (en) * 1976-08-23 1978-06-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Preparation of ceramics
US4761389A (en) * 1985-04-01 1988-08-02 Dow Corning Corporation Process for preparing ceramic materials with reduced carbon levels

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GB2178417B (en) 1988-10-26
FR2583734A1 (fr) 1986-12-26
GB8613939D0 (en) 1986-07-16
JPH0477719B2 (ja) 1992-12-09
CA1247326A (en) 1988-12-28
GB2178417A (en) 1987-02-11
FR2583734B1 (fr) 1990-08-31

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