CN102659086B - 一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法 - Google Patents

一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法 Download PDF

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一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其包括以下步骤:(1)选取石墨基板,清洗干燥;(2)将含Si-C键的聚合物和石墨基板放入反应炉;(3)将反应炉内压力抽至100Pa以下;(4)向反应炉中通氮气或氨气;(5)向反应炉中通NH3或NH3与惰性气氛的混合气,升温至500~1400℃时,保温0.4~3小时;(6)停止通入NH3或NH3与惰性气氛的混合气,再改通氮气或密闭炉体,随炉冷却;(7)当反应炉温度降到100℃以下时,取出石墨基板,即成。本发明原料易得,工艺简单易于控制,合成温度低,成本低,产量高,容易实现规模化生产。

Description

一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法
技术领域
本发明涉及一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法。
背景技术
氮化硅(Si3N4)纳米纤维是优良的半导体材料,是制备高温纳米装置和高性能复合材料的理想材料,具有非常好的应用前景。
目前,已经发展了多种氮化硅纳米纤维制备方法,包括二氧化硅碳热还原法、硅粉直接氮化法、燃烧合成法、有机硅化合物氨解法、化学气相沉积法、含硅聚合物的热分解法等。 
氮化硅纳米纤维虽然具有优异的物理化学性能,但是其容易团聚、难以进行编织,制约了其实际应用。基于多向纳米纤维排布而成的氮化硅纤维毡,可以为复合材料提供关键的增强材料。
CN101838886A于2010年09月22日公开了一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法,该方法使用溶胶凝胶法制备非晶态Si-B-O-C复合粉体前驱体,进而在高温气氛烧结炉中氮化制备氮化硅纳米无纺布,但其工艺路线长,成本高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,克服现有技术的不足,提供一种无需催化剂,工艺设备简单,成本低,适宜复杂形状和规模化生产的氮化硅纳米纤维毡的制备方法。
本发明解决其技术问题采用的技术方案是,一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法,包括以下步骤:
(1)选取所需形状的石墨板、石墨片或石墨纸为基板,用去离子水清洗,晾干或烘干,备用;
(2)将含Si-C键的聚合物和经步骤(1)处理的石墨基板放入反应炉内;
所述含Si-C键的聚合物可以是聚硅烷、聚碳硅烷或聚硅碳烷,其中优选聚碳硅烷;
(3)使用真空泵将反应炉内压力抽至100Pa以下(优选20Pa以下);
(4)向反应炉中通氮气或氨气,至压力0.1-0.5MPa;
(5)向反应炉中通NH3或NH3与惰性气氛的混合气,控制流量在30L/h-400L/h(优选150/h-250L/h),升温至500-1400℃时(优选1000-1300℃),保温0.4-3小时(优选0.5-1小时);
升温速度为100-350℃/h(优选180-300℃/h); 
所述惰性气氛可为N2、Ar或He(优选N2);
所述NH3与惰性气氛的混合气中,优选NH3体积浓度≥50%的混合气氛;
(6)停止通入NH3或NH3与惰性气氛的混合气,再改通氮气或密闭炉体,随炉冷却;
(7)当反应炉温度降到100℃以下时,取出石墨基板,即成。
本发明以聚硅烷、聚碳硅烷或聚硅碳烷以及掺杂这类含Si-C键的聚合物为原料,以NH3或NH3与N2、Ar或He等的混合气为氮化气氛,NH3与含Si-C键的聚合物分解释放的含硅小分子发生气相化学反应,生成硅氮烷,并生成小分子烷烃以消除游离碳,硅氮烷在石墨基板上沉积生长形成纳米氮化硅纤维,纳米氮化硅纤维自行铺展在石墨基板上,即形成氮化硅纳米纤维毡。所得纤维毡厚度一般为0.2-5mm,其中氮化硅纳米纤维的直径一般为50-200nm。
本发明通过控制NH3的浓度、流量以及聚合物裂解温度程序、裂解反应时间等因素,可以获得大面积、复杂异形结构的纳米氮化硅纤维。
通过SEM、EDX、XRD分析表明,产物为氮化硅纳米纤维毡。
本发明采用成熟的工业产品为原料,普通的气氛保护烧结炉,不需要催化剂,不需要复杂昂贵的设备,工艺简单,易于控制,成本低,产量高,容易实现规模化生产。
附图说明
图1为实施例1所得纳米氮化硅纤维毡的典型的外观图;
图2为实施例1所得纳米氮化硅纤维的典型的SEM图;
图3为实施例1所得纳米氮化硅纤维的典型的EDX图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1
本实施例包括以下步骤:
(1)选取石墨纸为基板,用去离子水清洗,晾干,待用;
(2)将50克聚碳硅烷和经步骤(1)处理的石墨纸放入反应炉内;
(3)使用真空泵将反应炉内压力抽至50Pa;
(4)向反应炉中通氮气至压力0.2MPa;
(5)向反应炉中改通NH3,控制流量在300L/h,开始按5℃/min升温,当反应炉温度达到1300℃时,保温2小时;
(6)停止通入NH3,密闭炉体,随炉冷却;
(7)当反应炉温度降到50℃时,取出石墨纸,即成27克产品。
本实施例所得纳米氮化硅纤维毡,其外观形貌如图1所示;其微观形貌如图2所示;用EDX测其元素组成,结果如图3所示,由图3可知,纳米氮化硅纤维主要由Si、N组成。
实施例2
本实施例包括以下步骤:
(1)选取石墨纸为基板,用去离子水清洗,烘干,待用;
(2)将50克聚硅烷和经步骤(1)处理的石墨纸放入反应炉内;
(3)使用真空泵将反应炉内压力抽至20Pa;
(4)向反应炉中通氨气至压力0.1MPa;
(5)向反应炉中改通90%体积氨气和10%体积氮气的混合气,控制流量在200L/h,开始按3℃/min升温,当反应炉温度升至1300℃时,保温2小时;
(6)停止通入90%体积氨气和10%体积氮气的混合气,密闭炉体,随炉冷却;
(7)当反应炉温度降到60℃时,取出石墨纸,即得23克纳米纤维毡。
 实施例3
本实施例包括以下步骤:
(1)选取石墨纸为基板,用去离子水清洗,晾干,待用;
(2)将50克聚碳硅烷和经步骤(1)处理的石墨纸放入反应炉内;
(3)使用真空泵将反应炉内压力抽至15Pa;
(4)向反应炉中通氨气至压力0.15MPa;
(5)向反应炉中继续通入NH3,控制流量在200L/h,开始按3℃/min升温,当反应炉温度达到1200℃时,保温3小时;
(6)停止通入NH3,密闭炉体,随炉冷却;
(7)当反应炉温度降到50℃时,取出石墨纸,即得24克产品。
实施例4
本实施例包括以下步骤:
(1)选取石墨板为基板,用去离子水清洗,晾干,待用;
(2)将50克聚碳硅烷和经步骤(1)处理的石墨板放入反应炉内;
(3)使用真空泵将反应炉内压力抽至10Pa;
(4)向反应炉中通氨气至压力0.1MPa;
(5)向反应炉中继续通NH3,控制流量在200L/h,开始按3℃/min升温,当反应炉温度达到1250℃时,保温3小时;
(6)停止通入NH3,密闭炉体,随炉冷却;
(7)当反应炉温度降到80℃时,取出石墨板,即得26克产品。
实施例5
本实施例包括以下步骤:
(1)选取石墨板为基板,用去离子水清洗,烘干,待用;
(2)将50克聚碳硅烷和经步骤(1)处理的石墨板放入反应炉内;
(3)使用真空泵将反应炉内压力抽至50Pa;
(4)向反应炉中通氮气至压力0.1MPa;
(5)向反应炉中改通60%体积氨气和40%体积氩气的混合气,控制流量在300L/h,开始按3℃/min升温,当反应炉温度达到1250℃时,保温3小时;
(6)停止通入60%体积氨气和40%体积氩气的混合气,密闭炉体,随炉冷却;
(7)当反应炉温度降到100℃时,取出石墨板,即得21克产品。
实施例6
本实施例包括以下步骤:
(1)选取石墨片为基板,用去离子水清洗,晾干,待用;
(2)将50克聚碳硅烷和经步骤(1)处理的石墨片放入反应炉内;
(3)使用真空泵将反应炉内压力抽至20Pa;
(4)向反应炉中通氮气至压力0.1MPa;
(5)向反应炉中通70%体积氨气和30%体积氩气的混合气,控制流量在350L/h,开始按5℃/min升温,当反应炉温度达到1250℃时,保温1小时;
(6)停止通入70%体积氨气和30%体积氩气的混合气,密闭炉体,随炉冷却;
(7)当反应炉温度降到80℃时,取出石墨片,即得22克产品。

Claims (8)

1.一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)选取所需形状的石墨板、石墨片或石墨纸为基板,用去离子水清洗,晾干或烘干,备用;
(2)将含Si-C键的聚合物和经步骤(1)处理的石墨基板放入反应炉内;
(3)使用真空泵将反应炉内压力抽至100Pa以下;
(4)向反应炉中通氮气或氨气,至压力0.1-0.5MPa;
(5)向反应炉中通NH3或NH3与惰性气氛的混合气,控制流量在30L/h-400L/h,升温至500-1400℃时,保温0.4-3小时;升温速度为100-350℃/h; 
(6)停止通入NH3或NH3与惰性气氛的混合气,再改通氮气或密闭炉体,随炉冷却;
(7)当反应炉温度降到100℃以下时,取出石墨基板,即成。
2.根据权利要求1所述的氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述含Si-C键的聚合物是聚硅烷或聚硅碳烷。
3.根据权利要求1所述的氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述含Si-C键的聚合物是聚碳硅烷。
4.根据权利要求1或2或3所述的氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,使用真空泵将炉内压力抽至20Pa以下。
5.根据权利要求1或2或3所述的氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,所述惰性气氛为氩气或氦气。
6.根据权利要求1或2或3所述的氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,所述惰性气氛为N2
7.根据权利要求1或2或3所述的氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,所述NH3与惰性气氛的混合气为NH3体积浓度≥50%的混合气氛。
8.根据权利要求1或2或3所述的氮化硅纳米纤维毡的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,向反应炉中通NH3或NH3与惰性气氛的混合气,控制流量在150/h-250L/h,升温至1000-1300℃,保温0.5-1小时;升温速度为180-300℃/h。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5093096A (en) * 1987-03-20 1992-03-03 Japan Atomic Energy Research Institute High purity and high strength inorganic silicon nitride continuous fiber and a method of producing the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61295298A (ja) * 1985-06-21 1986-12-26 Nippon Carbon Co Ltd 窒化ケイ素の製造方法
ES2006119A6 (es) * 1988-03-24 1989-04-01 Union Explosivos Rio Tinto Procedimiento de obtencion de nitruro de silicio.
JP2006066884A (ja) * 2004-07-27 2006-03-09 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5093096A (en) * 1987-03-20 1992-03-03 Japan Atomic Energy Research Institute High purity and high strength inorganic silicon nitride continuous fiber and a method of producing the same

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