JPS6129124A - 半導体ウエハ−の処理方法 - Google Patents
半導体ウエハ−の処理方法Info
- Publication number
- JPS6129124A JPS6129124A JP59149359A JP14935984A JPS6129124A JP S6129124 A JPS6129124 A JP S6129124A JP 59149359 A JP59149359 A JP 59149359A JP 14935984 A JP14935984 A JP 14935984A JP S6129124 A JPS6129124 A JP S6129124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- heater
- semiconductor wafer
- positive resist
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
未発Ｆ！Ａは半導体ウェハーの処理方法に関するも一一
体の製造工ａにおいて、光化学蒸着法などによシ基竺上
忙酸化膜、窒化膜、金属膜などを形成したり、その予備
洗浄として表面に付着した有機つ―物を分解洗浄するた
めなどに紫外線照射が利用されているが、最近はＬＳＩ
のベーキングエ竺〜？竺用が注目されている・この６−
キンゲエシは、酸化膜などが蒸着され、更にその、上に
感光剤が、塗、布された半導体ウェハーのポジレジスト
音感、光させて感光剤を部分的に除去する感光工程と、
この感光剤が除去された部分、の酸化膜などを除去して
パターンを形成するエツチング工程との中間で、酸化膜
などの接着強度を向上させること１．１ などを目的として、１２０〜２００℃程度の温度で□ ベータする工程を言うが、この温度は高い方が接着強臀
が向上バ好亨し鴎しかし・この″″′１′１シスト温度
は１４０℃程度であるため、加熱温度を１４０℃以上に
すれば、感光剤の表面や垂直リ、ＬＳＩの性能が低下す
る問題点がある。また、形成パターンの硬度が不十分な
ときは、エツチング工程においてこの形成パターンも研
磨されて減量し、性能が低下する。そこでベーキング工
程の前に半導体ウェハーに紫外線を照射すれば、形成パ
ターンが硬化され、ベーキング工程で加熱温度を１４０
℃以上としても形成パターンがいびつとならず、更にエ
ツチング工程で減量されにくいことが知られている。
体の製造工ａにおいて、光化学蒸着法などによシ基竺上
忙酸化膜、窒化膜、金属膜などを形成したり、その予備
洗浄として表面に付着した有機つ―物を分解洗浄するた
めなどに紫外線照射が利用されているが、最近はＬＳＩ
のベーキングエ竺〜？竺用が注目されている・この６−
キンゲエシは、酸化膜などが蒸着され、更にその、上に
感光剤が、塗、布された半導体ウェハーのポジレジスト
音感、光させて感光剤を部分的に除去する感光工程と、
この感光剤が除去された部分、の酸化膜などを除去して
パターンを形成するエツチング工程との中間で、酸化膜
などの接着強度を向上させること１．１ などを目的として、１２０〜２００℃程度の温度で□ ベータする工程を言うが、この温度は高い方が接着強臀
が向上バ好亨し鴎しかし・この″″′１′１シスト温度
は１４０℃程度であるため、加熱温度を１４０℃以上に
すれば、感光剤の表面や垂直リ、ＬＳＩの性能が低下す
る問題点がある。また、形成パターンの硬度が不十分な
ときは、エツチング工程においてこの形成パターンも研
磨されて減量し、性能が低下する。そこでベーキング工
程の前に半導体ウェハーに紫外線を照射すれば、形成パ
ターンが硬化され、ベーキング工程で加熱温度を１４０
℃以上としても形成パターンがいびつとならず、更にエ
ツチング工程で減量されにくいことが知られている。
ところで、紫外線を照射した後に加熱してベータすれば
、工程数が多くなって処理時間が長くなるため、紫外線
の照射とベーキングとを併行して実施することが試みら
れる。そして、前述の様にポジレジストの耐熱温度は約
１４０℃程度であるため、当初はこの温度以下で加熱し
、紫外線の照射により耐熱温度が向上するとヒーターを
切換えて加熱温度を高くする。しかし、１〜２分間の短
い工程内でヒーターの温度を迅速に変化させて耐熱温度
の向上に追従するのが困難であり、十分な効果を得るこ
とができないのが実情である。
、工程数が多くなって処理時間が長くなるため、紫外線
の照射とベーキングとを併行して実施することが試みら
れる。そして、前述の様にポジレジストの耐熱温度は約
１４０℃程度であるため、当初はこの温度以下で加熱し
、紫外線の照射により耐熱温度が向上するとヒーターを
切換えて加熱温度を高くする。しかし、１〜２分間の短
い工程内でヒーターの温度を迅速に変化させて耐熱温度
の向上に追従するのが困難であり、十分な効果を得るこ
とができないのが実情である。
そこで本発明は、半導体ウェハーのポジレジストに紫外
線を照射すると同時に加熱処理を行うにあたって、加熱
温度を迅速に変化させることが可能であり、短時間の工
程内でベーキング工程の効果を十分にあげることができ
る半導体ウェハーの処理方法を提供することを目的とし
、その構成は、まず、ポジレジストの耐熱温度である約
１４０℃より高温のヒーターによって、これと所定の間
隔をあけることによって半導体ウェハーをその耐熱温度
以下で加熱し、これと併行して行われる紫外線の照射に
よりポジレジストの耐熱温度をこのヒーターの温度以上
に向上させ、しかる後に、半導体ウェハーをヒーターに
密着させて加熱することを特徴とする。
線を照射すると同時に加熱処理を行うにあたって、加熱
温度を迅速に変化させることが可能であり、短時間の工
程内でベーキング工程の効果を十分にあげることができ
る半導体ウェハーの処理方法を提供することを目的とし
、その構成は、まず、ポジレジストの耐熱温度である約
１４０℃より高温のヒーターによって、これと所定の間
隔をあけることによって半導体ウェハーをその耐熱温度
以下で加熱し、これと併行して行われる紫外線の照射に
よりポジレジストの耐熱温度をこのヒーターの温度以上
に向上させ、しかる後に、半導体ウェハーをヒーターに
密着させて加熱することを特徴とする。
以下に図面に基いて本発明の実施例を具体的に説明する
。
。
装置箱１の中央上方には主ミラー２が水平に配設され、
この主ミラー２の両端部には垂直の副ミラー３が下方に
配設されて空間が形成されている。
この主ミラー２の両端部には垂直の副ミラー３が下方に
配設されて空間が形成されている。
このミラー２，３で囲まれる空間に、低圧水銀灯４が並
設され面光源が形成されているが、この低圧水銀灯４は
、アーク長が１１Ｄ ｔｔｎ 、定格電力が１１０Ｗで
あり、波長２５４ｎｍの紫外線が主として発生する。低
圧水銀灯４の下方には石英ガラスからなる前面ガラス５
が設けられ、低圧水銀灯４よりの紫外線がこの前面ガラ
ス５を透過して下方に照射される。被照射物６である半
導体ウエノ・−は厚さが０．５閤直径が６インチ（約１
５３ｍ）であり、低圧水銀灯４からの距離が２．５副の
位置、に図示しない搬送具によって搬送されて来る。そ
してこの被照射物乙の下方にはヒーター７が上下動可能
に配置されているが、このヒーター７の上面は半導体ウ
ェハー６と同形状であり、これに密着笛部りも−イ１＾
１ 止−ｋｉ レー々−７計しＴ動せずに、半導体ウ
ェハー６が下降してこれに密着するようにしてもよい。
設され面光源が形成されているが、この低圧水銀灯４は
、アーク長が１１Ｄ ｔｔｎ 、定格電力が１１０Ｗで
あり、波長２５４ｎｍの紫外線が主として発生する。低
圧水銀灯４の下方には石英ガラスからなる前面ガラス５
が設けられ、低圧水銀灯４よりの紫外線がこの前面ガラ
ス５を透過して下方に照射される。被照射物６である半
導体ウエノ・−は厚さが０．５閤直径が６インチ（約１
５３ｍ）であり、低圧水銀灯４からの距離が２．５副の
位置、に図示しない搬送具によって搬送されて来る。そ
してこの被照射物乙の下方にはヒーター７が上下動可能
に配置されているが、このヒーター７の上面は半導体ウ
ェハー６と同形状であり、これに密着笛部りも−イ１＾
１ 止−ｋｉ レー々−７計しＴ動せずに、半導体ウ
ェハー６が下降してこれに密着するようにしてもよい。
なお、装置箱１の側面には冷却ファン８が設けられ、低
圧水銀灯４とミラー２．３を冷却するが、ことに、低圧
水銀灯４の電極部を取り囲むバルブ部が強く冷却される
ようになっており、最冷点位置の温度が２０〜４０℃に
調節される。
圧水銀灯４とミラー２．３を冷却するが、ことに、低圧
水銀灯４の電極部を取り囲むバルブ部が強く冷却される
ようになっており、最冷点位置の温度が２０〜４０℃に
調節される。
しかして、低圧水銀灯４が点灯され、ヒーター７が１５
０℃の温度に上昇されると、半導体ウエノ・−６が所定
位置に搬送されて停止する。このとき、半導体ウェハー
６とヒーター７とは、第１図に示すように、約１０ｍの
間隔があけられている。従って、ヒーター７は１５０℃
に保持されているが、半導体ウェハー６は、第６図に示
すように、１２０℃まで昇温するがこれ以上は昇温せず
、この温度に保持されて加熱される。この温度はポジレ
ジストの耐熱温度より低いので、この加熱によってポジ
レジストのパターンが変形しない。そしてこの間に紫外
線が照射されて、３０秒以内に耐熱温度が１５０℃以上
に向上する。次に、３０秒が経過すると、第２図に示す
ように、ヒーター７が上昇して半導体ウェハー６に密着
する。従って、ヒーター７の熱は半導体ウェハー７に伝
導されるが、半導体ウェハー６は厚さが０．５ｍであっ
て熱伝導のよい金属板であるため、第６図に示すように
、数秒間で１５０℃まで昇温されて保持される。そして
、６０秒間で処理が完了し、半導体ウェハー６は搬送具
によって搬出される。
０℃の温度に上昇されると、半導体ウエノ・−６が所定
位置に搬送されて停止する。このとき、半導体ウェハー
６とヒーター７とは、第１図に示すように、約１０ｍの
間隔があけられている。従って、ヒーター７は１５０℃
に保持されているが、半導体ウェハー６は、第６図に示
すように、１２０℃まで昇温するがこれ以上は昇温せず
、この温度に保持されて加熱される。この温度はポジレ
ジストの耐熱温度より低いので、この加熱によってポジ
レジストのパターンが変形しない。そしてこの間に紫外
線が照射されて、３０秒以内に耐熱温度が１５０℃以上
に向上する。次に、３０秒が経過すると、第２図に示す
ように、ヒーター７が上昇して半導体ウェハー６に密着
する。従って、ヒーター７の熱は半導体ウェハー７に伝
導されるが、半導体ウェハー６は厚さが０．５ｍであっ
て熱伝導のよい金属板であるため、第６図に示すように
、数秒間で１５０℃まで昇温されて保持される。そして
、６０秒間で処理が完了し、半導体ウェハー６は搬送具
によって搬出される。
この様に、ヒーター７は常に一定の温度であるが、間隔
をあけての加熱と密着しての加熱を行うために、半導体
ウェハー６を２段階の温度で迅速に切換えて加熱できる
。従って、ポジレジストの耐熱温度の変化に素早く追従
でき、耐熱温度直下の温度で効率よくベーキングできる
ので、パターンが硬化され、酸化膜などの基板への接着
強度も向上できる。そして、半導体ウエノ・−が迅速に
温度変化するため、工程のサイクルを短縮でき、生産性
の向上が強く要請される半導体の製造に好適である。
をあけての加熱と密着しての加熱を行うために、半導体
ウェハー６を２段階の温度で迅速に切換えて加熱できる
。従って、ポジレジストの耐熱温度の変化に素早く追従
でき、耐熱温度直下の温度で効率よくベーキングできる
ので、パターンが硬化され、酸化膜などの基板への接着
強度も向上できる。そして、半導体ウエノ・−が迅速に
温度変化するため、工程のサイクルを短縮でき、生産性
の向上が強く要請される半導体の製造に好適である。
第１図と第２図は工程説明図、第６図は処理時間と温度
の関係図である。
の関係図である。
Claims (1)
- 半導体ウェハーのポジレジストに紫外線を照射すると
同時に加熱処理を行う処理方法であって、まず、ポジレ
ジストの耐熱温度である約１４０℃より高温のヒーター
によって、これと所定の間隔をあけることによって半導
体ウェハーをその耐熱温度以下で加熱し、これと併行し
て行われる紫外線の照射によりポジレジストの耐熱温度
を該ヒーターの温度以上に向上させ、しかる後に、半導
体ウェハーを該ヒーターに密着させて加熱することを特
徴とする半導体ウェハーの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59149359A JPS6129124A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体ウエハ−の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59149359A JPS6129124A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体ウエハ−の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129124A true JPS6129124A (ja) | 1986-02-10 |
Family
ID=15473404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59149359A Pending JPS6129124A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 半導体ウエハ−の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129124A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62187345A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS62229142A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63133627A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | 光照射装置 |
| JPS63234526A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63260028A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジストの熱安定化装置 |
| JP2003086495A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | フォトレジストパターンの形成方法 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP59149359A patent/JPS6129124A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62187345A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPH0574060B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1993-10-15 | Ushio Electric Inc | |
| JPS62229142A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63260028A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジストの熱安定化装置 |
| JPH0542133B2 (ja) * | 1986-11-19 | 1993-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | |
| JPS63133627A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | 光照射装置 |
| JPS63234526A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPH0740546B2 (ja) * | 1987-03-24 | 1995-05-01 | ウシオ電機株式会社 | レジスト処理方法 |
| JP2003086495A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | フォトレジストパターンの形成方法 |
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