JPS63133627A - 光照射装置 - Google Patents
光照射装置Info
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- JPS63133627A JPS63133627A JP28107986A JP28107986A JPS63133627A JP S63133627 A JPS63133627 A JP S63133627A JP 28107986 A JP28107986 A JP 28107986A JP 28107986 A JP28107986 A JP 28107986A JP S63133627 A JPS63133627 A JP S63133627A
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- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 title abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造に際し、特に紫外線照射によ
るウェハの上面のレジストの硬化を行うために使用する
光照射装置に関する。
るウェハの上面のレジストの硬化を行うために使用する
光照射装置に関する。
（従来の技術）
上記光照射装置において、ウェハ等の被照射物上に照射
される紫外線の波長は、照射ランプと被照射物との間に
導入される物質、例えばガス等の紫外線透過特性により
決定されるが、従来、この照射装置は、通常一枚のガラ
ス板等で構成された一つのフィルタのみしか有していな
かった。
される紫外線の波長は、照射ランプと被照射物との間に
導入される物質、例えばガス等の紫外線透過特性により
決定されるが、従来、この照射装置は、通常一枚のガラ
ス板等で構成された一つのフィルタのみしか有していな
かった。
（発明か解決しようとする問題点）
このため、紫外線特性を自由に変化させ、レジスト硬化
等のプロセス条件を細かく調節することが極めて困難で
あるのが現状であった。
等のプロセス条件を細かく調節することが極めて困難で
あるのが現状であった。
本発明は上記に鑑み、レジストの種類や適応プロセスの
条件等に合せて、これらに最適な紫外線特性を容易に得
られるようにしたものを提供することを目的としてなさ
れたものである。
条件等に合せて、これらに最適な紫外線特性を容易に得
られるようにしたものを提供することを目的としてなさ
れたものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため、照射ランプと被照射
物との間に、平行に設置した二枚のガラス板を備えた密
閉室を形成し、この密閉室内に気体又は液体の導入及び
排出が行なえるよう構成したものである。
物との間に、平行に設置した二枚のガラス板を備えた密
閉室を形成し、この密閉室内に気体又は液体の導入及び
排出が行なえるよう構成したものである。
（作 用）
而して、レジストの種類やプロセス条件等に合せて、こ
れに最適な気体又は液体を選択し、これを平行に設置し
た二枚のガラス板を備えた密閉室内に導入し、これを変
更する時には、密閉室内部の排出を行った後、他の気体
又は液体の導入を行うことにより、レジスト硬化プロセ
ス等に最適な紫外線特性の選択及びこの変更を行うもの
である。
れに最適な気体又は液体を選択し、これを平行に設置し
た二枚のガラス板を備えた密閉室内に導入し、これを変
更する時には、密閉室内部の排出を行った後、他の気体
又は液体の導入を行うことにより、レジスト硬化プロセ
ス等に最適な紫外線特性の選択及びこの変更を行うもの
である。
（実施例）
第１図は本発明に係る光照射装置の一実施例の概略を示
すもので、本体１の上方にはランプハウス２８えられ、
このランプハウス２の内部には、紫外線を照射できる高
圧水銀灯等の三本の照射ランプ３と、この照射ランプ３
の上方及び側方に位置して紫外線強度を上げるための反
射板４が夫々収納されている。
すもので、本体１の上方にはランプハウス２８えられ、
このランプハウス２の内部には、紫外線を照射できる高
圧水銀灯等の三本の照射ランプ３と、この照射ランプ３
の上方及び側方に位置して紫外線強度を上げるための反
射板４が夫々収納されている。
上記ランプハウス２には、この内部に窒素ガスを導入す
るための流量コントローラ５、及びこの窒素ガスを外部
に排気させるための排気口６が備えられ、この流量コン
トローラ５によりランプハウス２内の窒素ガスの導入及
び排気か行われるよう構成されているとともに、周壁に
は、紫外線照射による温度の上昇を防止するために冷却
水を循環させるための、冷却水通路７か形成されている
。
るための流量コントローラ５、及びこの窒素ガスを外部
に排気させるための排気口６が備えられ、この流量コン
トローラ５によりランプハウス２内の窒素ガスの導入及
び排気か行われるよう構成されているとともに、周壁に
は、紫外線照射による温度の上昇を防止するために冷却
水を循環させるための、冷却水通路７か形成されている
。
上記本体１の下部には、ウェハ試料室８が設けられ、こ
の試料室８内にはウェハ被照射物であるウェハ９等を載
置するためのプレート１０が備えられ、このプレート９
の内部には、ウェハ（被照射物）９を加熱するためのヒ
ータ１１か内蔵されている。
の試料室８内にはウェハ被照射物であるウェハ９等を載
置するためのプレート１０が備えられ、このプレート９
の内部には、ウェハ（被照射物）９を加熱するためのヒ
ータ１１か内蔵されている。
この試料室８には、この内部に窒素ガスを導入するため
の流量コントローラ１２、及びこの窒素ガスを外部に排
気させるための排気口１３か備えられ、この流量コント
ローラ１２により試料室８内の窒素ガスの導入及び排気
が行われるよう構成されている。
の流量コントローラ１２、及びこの窒素ガスを外部に排
気させるための排気口１３か備えられ、この流量コント
ローラ１２により試料室８内の窒素ガスの導入及び排気
が行われるよう構成されている。
上記本体１の上部で、上記プレート９と照射ランプ３と
の中間位置には、平行に設置された溶解石英製の二枚の
ガラス板１４．１５で仕切られて上下に区画された密閉
室１６が形成され、上記照射ランプ３から発せられた紫
外線は、この密閉室１６の内部を通過して、プレート１
０上のウェハ（被照射物）９に照射されるよう構成され
ている。
の中間位置には、平行に設置された溶解石英製の二枚の
ガラス板１４．１５で仕切られて上下に区画された密閉
室１６が形成され、上記照射ランプ３から発せられた紫
外線は、この密閉室１６の内部を通過して、プレート１
０上のウェハ（被照射物）９に照射されるよう構成され
ている。
なお、上記両ガラス板１４．１５の間隔は０．５ｃｍと
しているが、任意に設定できることは勿論である。
しているが、任意に設定できることは勿論である。
また、この密閉室１６は、この内部に気体又は液体を導
入及び排気できる構成が備えられ、これによりこの内部
への任意の気体又は液体の導入及びこの交換が容易に行
なえるよう構成されている。
入及び排気できる構成が備えられ、これによりこの内部
への任意の気体又は液体の導入及びこの交換が容易に行
なえるよう構成されている。
即ち、この密閉室１６の側壁には、この内部に連通ずる
導入管１７及び排気管１８が夫々連結されているととも
に、上記導入管１７には流量コントローラ１９が介在さ
れ、排気管１８にはロークリポンプ等（図示せず）に接
続されて、真空排気又はダクト排気が行われるよう構成
されているのである。
導入管１７及び排気管１８が夫々連結されているととも
に、上記導入管１７には流量コントローラ１９が介在さ
れ、排気管１８にはロークリポンプ等（図示せず）に接
続されて、真空排気又はダクト排気が行われるよう構成
されているのである。
而して、高圧水銀灯等の照射ランプ３により発せられる
紫外線は、一般に１８５，２４３゜３１３．３６５ｎｍ
等、離散的な波長分布を示すが、照射ランプ３とウェハ
（被照射物）９との間にある媒体により紫外線が吸収さ
れることから、ウェハ９．にに直接照射される紫外線の
波長に対する強度分布を、この照射ランプ３とウェハ９
の間に存在する媒体で変化させることかできる。
紫外線は、一般に１８５，２４３゜３１３．３６５ｎｍ
等、離散的な波長分布を示すが、照射ランプ３とウェハ
（被照射物）９との間にある媒体により紫外線が吸収さ
れることから、ウェハ９．にに直接照射される紫外線の
波長に対する強度分布を、この照射ランプ３とウェハ９
の間に存在する媒体で変化させることかできる。
そこで、ランプハウス２及びウェハ試料室８内を、共に
ドライ窒素雰囲気にするとともに、二枚のガラス板１４
．１５を、第３図に示すように、波長が０．２〜１．８
μｍの間では高い透過率を何する溶解石英で構成し、更
にこの二枚のガラス板１４．１５を上下に配して形成し
た密閉室１６の内部の気体又は液体を変更することによ
り、２００ｎｍ以上、１，８μｍ以下の範囲の紫外線に
対し、比較的平坦な波長依存性が得られるようにしたも
のである。
ドライ窒素雰囲気にするとともに、二枚のガラス板１４
．１５を、第３図に示すように、波長が０．２〜１．８
μｍの間では高い透過率を何する溶解石英で構成し、更
にこの二枚のガラス板１４．１５を上下に配して形成し
た密閉室１６の内部の気体又は液体を変更することによ
り、２００ｎｍ以上、１，８μｍ以下の範囲の紫外線に
対し、比較的平坦な波長依存性が得られるようにしたも
のである。
以下、上記二枚の溶解石英製の二枚のガラス板１４．１
５間の密閉室１６内に導入されるガスによる紫外線透過
特性について、そのモデルについて説明する。
５間の密閉室１６内に導入されるガスによる紫外線透過
特性について、そのモデルについて説明する。
照射ランプ２側（入射側）のガラス板１４を透過した紫
外線の強度をＩ。（λ）、ガスで吸収されたウェハ９側
（透過側）のガラス板１５に入射する直前の紫外線の強
度を１ （λ）とすると、ガス雰囲気中での透過率Ｔは
、波長λに依存し、ここに、Ω （ｃｍ） ：石英ガ
ラス間の間隔ｋ（λ）：λ等により定まる定数 で与えられることが知られている。
外線の強度をＩ。（λ）、ガスで吸収されたウェハ９側
（透過側）のガラス板１５に入射する直前の紫外線の強
度を１ （λ）とすると、ガス雰囲気中での透過率Ｔは
、波長λに依存し、ここに、Ω （ｃｍ） ：石英ガ
ラス間の間隔ｋ（λ）：λ等により定まる定数 で与えられることが知られている。
この式を用いて、ＩＩ）＝０．５ｃｍの場合で、−例と
して導入されるガスをドライ窒素、酸素、オゾン、塩素
と変えた時の透過率を第２図に示す。
して導入されるガスをドライ窒素、酸素、オゾン、塩素
と変えた時の透過率を第２図に示す。
この図より明らかなように、ドライ窒素Ｎ２（Ｐ−７６
０Ｔｏｒｒ、 ｔ−０）の場合は、波長が２００ｎｍ
以上の紫外線透過率は１００９６である。これに対して
、オゾン０３（Ｐ−ＩＴｏｒｒ。
０Ｔｏｒｒ、 ｔ−０）の場合は、波長が２００ｎｍ
以上の紫外線透過率は１００９６である。これに対して
、オゾン０３（Ｐ−ＩＴｏｒｒ。
ｔ−０）の場合は、３５０ｎｍ以下では透過率が急減し
、３００ｎｍ以下の紫外線を遮断している。
、３００ｎｍ以下の紫外線を遮断している。
酸素０２ （Ｐ−７６０Ｔｏｒｒ、ｔ−０）の場合は、
１８５ｎｍ以上の紫外線により、オゾンを形成するので
透過特性はオゾンのそれに準する。一方、塩素ガスＣΩ
２（Ｐ−７６０Ｔｏｒｒ）の場合は、２５０ｎｍをピー
クとして、低波長及び３０００ｍ以上の波長の紫外線を
遮断する。
１８５ｎｍ以上の紫外線により、オゾンを形成するので
透過特性はオゾンのそれに準する。一方、塩素ガスＣΩ
２（Ｐ−７６０Ｔｏｒｒ）の場合は、２５０ｎｍをピー
クとして、低波長及び３０００ｍ以上の波長の紫外線を
遮断する。
このようにして、ウェハ９の上面に形成されるレジスト
に直接照射される紫外線において、密閉室１６内に導入
するガスの種類により、その透過特性を同州して紫外線
の波長を選択することができる。
に直接照射される紫外線において、密閉室１６内に導入
するガスの種類により、その透過特性を同州して紫外線
の波長を選択することができる。
なお、密閉室１６内への導入ガスは、」１記に限ること
はなく気体であれば何でも良く、更に１隻数ガスや混合
ガスでも良い。また、この密閉室１６に導入する媒体は
、気体に限ることなく、例えばＨＯやＣ８２の液体を使
用することもできる。
はなく気体であれば何でも良く、更に１隻数ガスや混合
ガスでも良い。また、この密閉室１６に導入する媒体は
、気体に限ることなく、例えばＨＯやＣ８２の液体を使
用することもできる。
本発明は」１記のような構成であるので、照射ランプと
被照射物との間に光を吸収する媒体を導入し、しかもこ
の媒体を容易に変更することにより、被照射物上に照射
される光の波長分布を変化させることができ、これによ
って、レジストの種類や適応プロセス条件等に合せて最
適な波長のみを容易に選択することができる効果がある
。
被照射物との間に光を吸収する媒体を導入し、しかもこ
の媒体を容易に変更することにより、被照射物上に照射
される光の波長分布を変化させることができ、これによ
って、レジストの種類や適応プロセス条件等に合せて最
適な波長のみを容易に選択することができる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の概略を示す縦断正面図、第
２図はドライ窒素、酸素、オゾン及び塩素の紫外線透過
特性を示すグラフ、第３図は溶融石英ガラスの光透過特
性を示すグラフである。 １・・・本体、２・・・ランプハウス、３・・・照射ラ
ンプ、５．１２．１９・・・流量コントローラ、８・・
・試料室、９・・・ウェハ（被照射物）、１４．１５・
・・ガラス板、１６・・・密閉室、１７・・・導入管、
１８・・・排気管。 出願人代理人 佐 藤 −雄 佑 １ 図 警弼４！−←２ 初！！Ｆ、Ｉ４−？
２図はドライ窒素、酸素、オゾン及び塩素の紫外線透過
特性を示すグラフ、第３図は溶融石英ガラスの光透過特
性を示すグラフである。 １・・・本体、２・・・ランプハウス、３・・・照射ラ
ンプ、５．１２．１９・・・流量コントローラ、８・・
・試料室、９・・・ウェハ（被照射物）、１４．１５・
・・ガラス板、１６・・・密閉室、１７・・・導入管、
１８・・・排気管。 出願人代理人 佐 藤 −雄 佑 １ 図 警弼４！−←２ 初！！Ｆ、Ｉ４−？
Claims (1)
- 照射ランプと被照射物との間に、平行に設置した二枚
のガラス板を備えた密閉室を形成し、この密閉室内に気
体又は液体の導入及び排出が行なえるよう構成したこと
を特徴とする光照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281079A JPH0763048B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置製造用レジスト硬化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281079A JPH0763048B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置製造用レジスト硬化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133627A true JPS63133627A (ja) | 1988-06-06 |
| JPH0763048B2 JPH0763048B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17634032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61281079A Expired - Fee Related JPH0763048B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置製造用レジスト硬化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0763048B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016724A1 (en) * | 1990-04-23 | 1991-10-31 | Tadahiro Ohmi | Resist processing device, resist processing method and resist pattern |
| JP2016058524A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5410287A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-25 | Riedel De Haen Ag | Inorganic fluorescent pigment* manufacture thereof and fluorescent additive made therefrom for artificial tooth |
| JPS5480739A (en) * | 1977-12-12 | 1979-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Illuminator for far ultraviolet exposure |
| JPS5591828A (en) * | 1978-12-30 | 1980-07-11 | Fujitsu Ltd | Pattern transferring device |
| JPS6041227A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-04 | Hitachi Ltd | ホトレジストパタ−ンの変形防止方法 |
| JPS6060725A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS618922A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61281079A patent/JPH0763048B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (3)
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| JP2016058524A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0763048B2 (ja) | 1995-07-05 |
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