JPS63133627A - 光照射装置 - Google Patents
光照射装置Info
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- JPS63133627A JPS63133627A JP28107986A JP28107986A JPS63133627A JP S63133627 A JPS63133627 A JP S63133627A JP 28107986 A JP28107986 A JP 28107986A JP 28107986 A JP28107986 A JP 28107986A JP S63133627 A JPS63133627 A JP S63133627A
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は半導体装置の製造に際し、特に紫外線照射によ
るウェハの上面のレジストの硬化を行うために使用する
光照射装置に関する。
るウェハの上面のレジストの硬化を行うために使用する
光照射装置に関する。
(従来の技術)
上記光照射装置において、ウェハ等の被照射物上に照射
される紫外線の波長は、照射ランプと被照射物との間に
導入される物質、例えばガス等の紫外線透過特性により
決定されるが、従来、この照射装置は、通常一枚のガラ
ス板等で構成された一つのフィルタのみしか有していな
かった。
される紫外線の波長は、照射ランプと被照射物との間に
導入される物質、例えばガス等の紫外線透過特性により
決定されるが、従来、この照射装置は、通常一枚のガラ
ス板等で構成された一つのフィルタのみしか有していな
かった。
(発明か解決しようとする問題点)
このため、紫外線特性を自由に変化させ、レジスト硬化
等のプロセス条件を細かく調節することが極めて困難で
あるのが現状であった。
等のプロセス条件を細かく調節することが極めて困難で
あるのが現状であった。
本発明は上記に鑑み、レジストの種類や適応プロセスの
条件等に合せて、これらに最適な紫外線特性を容易に得
られるようにしたものを提供することを目的としてなさ
れたものである。
条件等に合せて、これらに最適な紫外線特性を容易に得
られるようにしたものを提供することを目的としてなさ
れたものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記目的を達成するため、照射ランプと被照射
物との間に、平行に設置した二枚のガラス板を備えた密
閉室を形成し、この密閉室内に気体又は液体の導入及び
排出が行なえるよう構成したものである。
物との間に、平行に設置した二枚のガラス板を備えた密
閉室を形成し、この密閉室内に気体又は液体の導入及び
排出が行なえるよう構成したものである。
(作 用)
而して、レジストの種類やプロセス条件等に合せて、こ
れに最適な気体又は液体を選択し、これを平行に設置し
た二枚のガラス板を備えた密閉室内に導入し、これを変
更する時には、密閉室内部の排出を行った後、他の気体
又は液体の導入を行うことにより、レジスト硬化プロセ
ス等に最適な紫外線特性の選択及びこの変更を行うもの
である。
れに最適な気体又は液体を選択し、これを平行に設置し
た二枚のガラス板を備えた密閉室内に導入し、これを変
更する時には、密閉室内部の排出を行った後、他の気体
又は液体の導入を行うことにより、レジスト硬化プロセ
ス等に最適な紫外線特性の選択及びこの変更を行うもの
である。
(実施例)
第1図は本発明に係る光照射装置の一実施例の概略を示
すもので、本体1の上方にはランプハウス28えられ、
このランプハウス2の内部には、紫外線を照射できる高
圧水銀灯等の三本の照射ランプ3と、この照射ランプ3
の上方及び側方に位置して紫外線強度を上げるための反
射板4が夫々収納されている。
すもので、本体1の上方にはランプハウス28えられ、
このランプハウス2の内部には、紫外線を照射できる高
圧水銀灯等の三本の照射ランプ3と、この照射ランプ3
の上方及び側方に位置して紫外線強度を上げるための反
射板4が夫々収納されている。
上記ランプハウス2には、この内部に窒素ガスを導入す
るための流量コントローラ5、及びこの窒素ガスを外部
に排気させるための排気口6が備えられ、この流量コン
トローラ5によりランプハウス2内の窒素ガスの導入及
び排気か行われるよう構成されているとともに、周壁に
は、紫外線照射による温度の上昇を防止するために冷却
水を循環させるための、冷却水通路7か形成されている
。
るための流量コントローラ5、及びこの窒素ガスを外部
に排気させるための排気口6が備えられ、この流量コン
トローラ5によりランプハウス2内の窒素ガスの導入及
び排気か行われるよう構成されているとともに、周壁に
は、紫外線照射による温度の上昇を防止するために冷却
水を循環させるための、冷却水通路7か形成されている
。
上記本体1の下部には、ウェハ試料室8が設けられ、こ
の試料室8内にはウェハ被照射物であるウェハ9等を載
置するためのプレート10が備えられ、このプレート9
の内部には、ウェハ(被照射物)9を加熱するためのヒ
ータ11か内蔵されている。
の試料室8内にはウェハ被照射物であるウェハ9等を載
置するためのプレート10が備えられ、このプレート9
の内部には、ウェハ(被照射物)9を加熱するためのヒ
ータ11か内蔵されている。
この試料室8には、この内部に窒素ガスを導入するため
の流量コントローラ12、及びこの窒素ガスを外部に排
気させるための排気口13か備えられ、この流量コント
ローラ12により試料室8内の窒素ガスの導入及び排気
が行われるよう構成されている。
の流量コントローラ12、及びこの窒素ガスを外部に排
気させるための排気口13か備えられ、この流量コント
ローラ12により試料室8内の窒素ガスの導入及び排気
が行われるよう構成されている。
上記本体1の上部で、上記プレート9と照射ランプ3と
の中間位置には、平行に設置された溶解石英製の二枚の
ガラス板14.15で仕切られて上下に区画された密閉
室16が形成され、上記照射ランプ3から発せられた紫
外線は、この密閉室16の内部を通過して、プレート1
0上のウェハ(被照射物)9に照射されるよう構成され
ている。
の中間位置には、平行に設置された溶解石英製の二枚の
ガラス板14.15で仕切られて上下に区画された密閉
室16が形成され、上記照射ランプ3から発せられた紫
外線は、この密閉室16の内部を通過して、プレート1
0上のウェハ(被照射物)9に照射されるよう構成され
ている。
なお、上記両ガラス板14.15の間隔は0.5cmと
しているが、任意に設定できることは勿論である。
しているが、任意に設定できることは勿論である。
また、この密閉室16は、この内部に気体又は液体を導
入及び排気できる構成が備えられ、これによりこの内部
への任意の気体又は液体の導入及びこの交換が容易に行
なえるよう構成されている。
入及び排気できる構成が備えられ、これによりこの内部
への任意の気体又は液体の導入及びこの交換が容易に行
なえるよう構成されている。
即ち、この密閉室16の側壁には、この内部に連通ずる
導入管17及び排気管18が夫々連結されているととも
に、上記導入管17には流量コントローラ19が介在さ
れ、排気管18にはロークリポンプ等(図示せず)に接
続されて、真空排気又はダクト排気が行われるよう構成
されているのである。
導入管17及び排気管18が夫々連結されているととも
に、上記導入管17には流量コントローラ19が介在さ
れ、排気管18にはロークリポンプ等(図示せず)に接
続されて、真空排気又はダクト排気が行われるよう構成
されているのである。
而して、高圧水銀灯等の照射ランプ3により発せられる
紫外線は、一般に185,243゜313.365nm
等、離散的な波長分布を示すが、照射ランプ3とウェハ
(被照射物)9との間にある媒体により紫外線が吸収さ
れることから、ウェハ9.にに直接照射される紫外線の
波長に対する強度分布を、この照射ランプ3とウェハ9
の間に存在する媒体で変化させることかできる。
紫外線は、一般に185,243゜313.365nm
等、離散的な波長分布を示すが、照射ランプ3とウェハ
(被照射物)9との間にある媒体により紫外線が吸収さ
れることから、ウェハ9.にに直接照射される紫外線の
波長に対する強度分布を、この照射ランプ3とウェハ9
の間に存在する媒体で変化させることかできる。
そこで、ランプハウス2及びウェハ試料室8内を、共に
ドライ窒素雰囲気にするとともに、二枚のガラス板14
.15を、第3図に示すように、波長が0.2〜1.8
μmの間では高い透過率を何する溶解石英で構成し、更
にこの二枚のガラス板14.15を上下に配して形成し
た密閉室16の内部の気体又は液体を変更することによ
り、200nm以上、1,8μm以下の範囲の紫外線に
対し、比較的平坦な波長依存性が得られるようにしたも
のである。
ドライ窒素雰囲気にするとともに、二枚のガラス板14
.15を、第3図に示すように、波長が0.2〜1.8
μmの間では高い透過率を何する溶解石英で構成し、更
にこの二枚のガラス板14.15を上下に配して形成し
た密閉室16の内部の気体又は液体を変更することによ
り、200nm以上、1,8μm以下の範囲の紫外線に
対し、比較的平坦な波長依存性が得られるようにしたも
のである。
以下、上記二枚の溶解石英製の二枚のガラス板14.1
5間の密閉室16内に導入されるガスによる紫外線透過
特性について、そのモデルについて説明する。
5間の密閉室16内に導入されるガスによる紫外線透過
特性について、そのモデルについて説明する。
照射ランプ2側(入射側)のガラス板14を透過した紫
外線の強度をI。(λ)、ガスで吸収されたウェハ9側
(透過側)のガラス板15に入射する直前の紫外線の強
度を1 (λ)とすると、ガス雰囲気中での透過率Tは
、波長λに依存し、ここに、Ω (cm) :石英ガ
ラス間の間隔k(λ):λ等により定まる定数 で与えられることが知られている。
外線の強度をI。(λ)、ガスで吸収されたウェハ9側
(透過側)のガラス板15に入射する直前の紫外線の強
度を1 (λ)とすると、ガス雰囲気中での透過率Tは
、波長λに依存し、ここに、Ω (cm) :石英ガ
ラス間の間隔k(λ):λ等により定まる定数 で与えられることが知られている。
この式を用いて、II)=0.5cmの場合で、−例と
して導入されるガスをドライ窒素、酸素、オゾン、塩素
と変えた時の透過率を第2図に示す。
して導入されるガスをドライ窒素、酸素、オゾン、塩素
と変えた時の透過率を第2図に示す。
この図より明らかなように、ドライ窒素N2(P−76
0Torr、 t−0)の場合は、波長が200nm
以上の紫外線透過率は10096である。これに対して
、オゾン03(P−ITorr。
0Torr、 t−0)の場合は、波長が200nm
以上の紫外線透過率は10096である。これに対して
、オゾン03(P−ITorr。
t−0)の場合は、350nm以下では透過率が急減し
、300nm以下の紫外線を遮断している。
、300nm以下の紫外線を遮断している。
酸素02 (P−760Torr、t−0)の場合は、
185nm以上の紫外線により、オゾンを形成するので
透過特性はオゾンのそれに準する。一方、塩素ガスCΩ
2(P−760Torr)の場合は、250nmをピー
クとして、低波長及び3000m以上の波長の紫外線を
遮断する。
185nm以上の紫外線により、オゾンを形成するので
透過特性はオゾンのそれに準する。一方、塩素ガスCΩ
2(P−760Torr)の場合は、250nmをピー
クとして、低波長及び3000m以上の波長の紫外線を
遮断する。
このようにして、ウェハ9の上面に形成されるレジスト
に直接照射される紫外線において、密閉室16内に導入
するガスの種類により、その透過特性を同州して紫外線
の波長を選択することができる。
に直接照射される紫外線において、密閉室16内に導入
するガスの種類により、その透過特性を同州して紫外線
の波長を選択することができる。
なお、密閉室16内への導入ガスは、」1記に限ること
はなく気体であれば何でも良く、更に1隻数ガスや混合
ガスでも良い。また、この密閉室16に導入する媒体は
、気体に限ることなく、例えばHOやC82の液体を使
用することもできる。
はなく気体であれば何でも良く、更に1隻数ガスや混合
ガスでも良い。また、この密閉室16に導入する媒体は
、気体に限ることなく、例えばHOやC82の液体を使
用することもできる。
本発明は」1記のような構成であるので、照射ランプと
被照射物との間に光を吸収する媒体を導入し、しかもこ
の媒体を容易に変更することにより、被照射物上に照射
される光の波長分布を変化させることができ、これによ
って、レジストの種類や適応プロセス条件等に合せて最
適な波長のみを容易に選択することができる効果がある
。
被照射物との間に光を吸収する媒体を導入し、しかもこ
の媒体を容易に変更することにより、被照射物上に照射
される光の波長分布を変化させることができ、これによ
って、レジストの種類や適応プロセス条件等に合せて最
適な波長のみを容易に選択することができる効果がある
。
第1図は本発明の一実施例の概略を示す縦断正面図、第
2図はドライ窒素、酸素、オゾン及び塩素の紫外線透過
特性を示すグラフ、第3図は溶融石英ガラスの光透過特
性を示すグラフである。 1・・・本体、2・・・ランプハウス、3・・・照射ラ
ンプ、5.12.19・・・流量コントローラ、8・・
・試料室、9・・・ウェハ(被照射物)、14.15・
・・ガラス板、16・・・密閉室、17・・・導入管、
18・・・排気管。 出願人代理人 佐 藤 −雄 佑 1 図 警弼4!−←2 初!!F、I4−?
2図はドライ窒素、酸素、オゾン及び塩素の紫外線透過
特性を示すグラフ、第3図は溶融石英ガラスの光透過特
性を示すグラフである。 1・・・本体、2・・・ランプハウス、3・・・照射ラ
ンプ、5.12.19・・・流量コントローラ、8・・
・試料室、9・・・ウェハ(被照射物)、14.15・
・・ガラス板、16・・・密閉室、17・・・導入管、
18・・・排気管。 出願人代理人 佐 藤 −雄 佑 1 図 警弼4!−←2 初!!F、I4−?
Claims (1)
- 照射ランプと被照射物との間に、平行に設置した二枚
のガラス板を備えた密閉室を形成し、この密閉室内に気
体又は液体の導入及び排出が行なえるよう構成したこと
を特徴とする光照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61281079A JPH0763048B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置製造用レジスト硬化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61281079A JPH0763048B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置製造用レジスト硬化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63133627A true JPS63133627A (ja) | 1988-06-06 |
JPH0763048B2 JPH0763048B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17634032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61281079A Expired - Fee Related JPH0763048B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置製造用レジスト硬化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0763048B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991016724A1 (en) * | 1990-04-23 | 1991-10-31 | Tadahiro Ohmi | Resist processing device, resist processing method and resist pattern |
JP2016058524A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5410287A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-25 | Riedel De Haen Ag | Inorganic fluorescent pigment* manufacture thereof and fluorescent additive made therefrom for artificial tooth |
JPS5480739A (en) * | 1977-12-12 | 1979-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Illuminator for far ultraviolet exposure |
JPS5591828A (en) * | 1978-12-30 | 1980-07-11 | Fujitsu Ltd | Pattern transferring device |
JPS6041227A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-04 | Hitachi Ltd | ホトレジストパタ−ンの変形防止方法 |
JPS6060725A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS618922A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61281079A patent/JPH0763048B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
WO1991016724A1 (en) * | 1990-04-23 | 1991-10-31 | Tadahiro Ohmi | Resist processing device, resist processing method and resist pattern |
US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
JP2016058524A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0763048B2 (ja) | 1995-07-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |