JP2000130952A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
熱処理装置および熱処理方法Info
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- JP2000130952A JP2000130952A JP10304860A JP30486098A JP2000130952A JP 2000130952 A JP2000130952 A JP 2000130952A JP 10304860 A JP10304860 A JP 10304860A JP 30486098 A JP30486098 A JP 30486098A JP 2000130952 A JP2000130952 A JP 2000130952A
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Abstract
処理装置における加熱ばらつきの増大の抑制や、熱処理
時の被処理基板からのアウトガスによる影響を除去する
熱処理装置と熱処理方法を実現する。 【解決手段】 被処理基板11を搬送ベルト13の積載
位置13aに積載し、搬送ベルト13を搬送方向14a
へ搬送する。搬送ベルト13の移動によって積載位置1
3aの裏面に取り付けている自転ギア15はガイドギア
17により積載位置13aを回転し、加熱源12の下を
被処理基板11は回転しながら搬送される。均熱性の悪
い加熱源の下でも被処理基板が回転しながら通過するこ
とで、加熱処理での被処理基板面内の温度ばらつきを分
散させることになり、被処理基板における均一な加熱処
理を実現する。
Description
などに用いられる熱処理装置および熱処理方法に関する
ものである。
の過程で不純物の拡散、酸化処理や加熱による薄膜の緻
密化処理、スピンオンガラス(以下SOGと記す)の焼
成、レジストのベーキングに用いる加熱処理など各種の
熱処理が行われるが、これら熱処理には、通常、加熱源
としてのヒーターが周囲に配置された石英等の耐熱性チ
ューブ内に多数枚の被処理基板を挿入して加熱処理を行
う熱処理装置(以下、バッチ炉と記す)、抵抗加熱手段
などの加熱源の下をベルトコンベヤーなどに積載した被
処理基板を搬送して加熱処理を行う熱処理装置(以下、
焼成炉と記す)、あるいは赤外線ランプ等の加熱源に対
向させて1枚の被処理基板を設置して加熱処理を行う熱
処理装置(以下、枚葉炉と記す)などが用いられる。
上のために半導体基板を大型化(以下、大口径化と記
す)することによって、1枚の半導体基板からの半導体
素子の取れ数を増やすことが行われている。しかしなが
ら、従来の熱処理装置では被処理基板としての半導体基
板の大口径化に伴って、被処理基板面内の温度ばらつき
が重要な問題となる。
あるヒーターに対して垂直な位置関係で石英チューブの
内部に被処理基板を設置するために、被処理基板面内の
温度上昇は被処理基板の周辺部から中心部へ熱が伝わる
形をとる。このため、被処理基板の大口径化によって熱
伝導の距離が長くなるために被処理基板の周辺部と中心
部の温度差が大きくなり、被処理基板内に形成される半
導体素子の特性が被処理基板面内の位置によって異なる
という問題が発生する。また、焼成炉や枚葉炉において
は加熱源と被処理基板とを対向させた関係で加熱処理が
なされるために、加熱源の面内温度のばらつきや、加熱
源と被処理基板との対向距離のばらつきが直接、被処理
基板面内の温度ばらつきとなる。
化する対策を講じた場合、加熱源の均熱長を確保するた
めには被処理基板に比べて非常に大きい加熱源を必要と
する。このために熱処理装置が極めて大型化し、実用に
供し難いものとなる。また、焼成炉や枚葉炉では加熱源
の大型化によって加熱源の面内温度のばらつきが増大
し、被処理基板内に作り込まれる半導体素子の特性が被
処理基板面内の位置によって異なるという問題が顕著に
なる。
化処理、スピン・オン・ガラス(以下、SOGと記す)
膜の焼成、あるいはフォトレジスト(以下、レジストと
記す)膜のベーキングなどのための熱処理を施すと、薄
膜、SOG膜、あるいはレジスト膜から吸湿水分や膜の
構成物質がガス状(以下、アウトガスと記す)になって
放出される。このアウトガスの放出量は被処理基板の大
口径化につれて増大する。被処理基板が小口径の場合、
被処理基板表面と加熱源との間に形成される空間が小さ
いために、アウトガスはこの空間から対流によって速や
かに運び去られる。しかし、被処理基板が大口径になる
と、被処理基板表面と加熱源との間の空間が広がるため
に、この空間内、とりわけ被処理基板の中央付近の空間
にアウトガスが滞留して加熱処理中の被処理基板に影響
を与える。その影響は薄膜の膜質変化や被処理基板への
パーティクルの発生などであり、作製する半導体素子の
歩留まりを低下させるという問題となる。
理に際して、均熱性の良い熱処理を実現する熱処理装置
と熱処理方法を提供することを第1の目的とし、アウト
ガスによる被処理基板への影響を低減することができる
熱処理装置と熱処理方法を提供することを第2の目的と
する。
るために、本発明に係る第1の熱処理装置は、加熱源
と、同加熱源で形成される加熱処理領域中を被処理基板
を回転させながら通過させる搬送機構とを有する。第1
の熱処理装置によると、大型化によって均熱性の低下し
た加熱源によって形成される加熱処理領域中を被処理基
板が回転しながら通過することによって、加熱処理での
被処理基板面内の温度ばらつきを小さくすることができ
る。特に第1の熱処理装置で、搬送機構の被処理基板を
載置する面が加熱源と対向する関係に設定された熱処理
装置の場合、被処理基板面内の温度ばらつきをさらに小
さくできる。また、第1の熱処理装置で、加熱源が複数
の加熱体からなるようにすることや、加熱源が独立に温
度制御される複数の加熱体からなるようにすることで、
被処理基板の加熱温度の制御を精度良く行うことができ
る。
に係る熱処理方法は、加熱源と、同加熱源で形成される
加熱処理領域中を被処理基板を通過させるとともに、前
記加熱源と被処理基板とを非平行の関係に対向するよう
に保持して被処理基板に加熱処理を施すことでなされ
る。この熱処理方法によると、被処理基板の搬送面と加
熱源とを非平行の関係にすることで、加熱によって前記
被処理基板から発生するアウトガスが前記加熱源と前記
被処理基板の搬送面とで作る空間から速やかに排出さ
れ、アウトガスによる被処理基板への影響を無くすこと
ができる。
本発明に係る他の熱処理方法は、加熱源と、同加熱源で
形成される加熱処理領域中を被処理基板を回転させなが
ら通過させるとともに、前記加熱源と被処理基板とを非
平行の関係に対向するように保持して被処理基板の加熱
処理を施すことでなされる。この熱処理方法によると、
被処理基板から発生するアウトガスを熱処理装置から排
出させることができ、アウトガスによる被処理基板への
影響を無くすとともに、加熱処理での被処理基板面内の
温度ばらつきを小さくすることができる。
本発明に係る他の熱処理方法は、加熱源を構成する複数
の加熱体と被処理基板との複数の距離のうち、少なくと
も二つの距離が異なるようにして被処理基板を回転させ
ながら通過させる熱処理装置で被処理基板の熱処理を施
すことでなされる。この熱処理方法によると、被処理基
板から発生するアウトガスを熱処理装置から排出させる
ことができ、アウトガスによる被処理基板への影響を無
くすとともに、加熱処理での被処理基板面内の温度ばら
つきを小さくすることができる。
成するために、本発明に係る第2の熱処理装置は、加熱
源から回転機構により回転する被処理基板に放射される
熱放射面の中心と前記被処理基板の中心が偏心した位置
関係を有する。第2の熱処理装置によると、大型化によ
って均熱性の低下した加熱源からの熱放射面の中心から
偏心した位置関係で被処理基板が回転することによっ
て、加熱処理での被処理基板面内の温度ばらつきを小さ
くすることができる。
ために、本発明に係わる第3の熱処理装置は、加熱処理
する被処理基板と対向する関係で配設された面状加熱源
の一部に、前記熱処理時に被処理基板から放出されるガ
スが通り抜ける開口部を設けている。第3の熱処理装置
によると、加熱によって被処理基板から発生するアウト
ガスを加熱源の一部に設けた開口部から自動的に排出さ
せることができ、アウトガスによる被処理基板への影響
を無くすことができる。
成するために、本発明に係る第4の熱処理装置は、加熱
処理する被処理基板と対向する関係で配設された面状加
熱源の一部に、加熱処理時に被処理基板から放出される
ガスが通り抜ける開口部を有するとともに、被処理基板
を回転させる回転機構を有している。第4の熱処理装置
によると、開口部により被処理基板から発生するアウト
ガスを排出させることができ、アウトガスによる被処理
基板への影響を無くすことと、被処理基板を回転させる
ことによって加熱処理での被処理基板面内の温度ばらつ
きを小さくすることができる。
に係る第5の熱処理装置は、複数の加熱体からなる加熱
源と、前記加熱源の下を被処理基板が通過する領域とを
有する熱処理装置で、前記各加熱体と前記被処理基板が
通過する領域との距離が段階を追って増加する構成かま
たは減少する構成、あるいは前記各加熱体のうち両端の
加熱体以外の加熱体と前記被処理基板が通過する領域と
の距離が最小で、両端の加熱体に向かって各加熱体と前
記被処理基板が通過する領域との距離が増加していく構
成である。第5の熱処理装置によると、複数の加熱体を
外部に向かって開口するように並べることによって、加
熱によって前記被処理基板から発生するアウトガスを前
記加熱源と前記被処理基板の搬送面とで作る空間から速
やかに排出し、アウトガスによる被処理基板への影響を
無くすことができる。
の熱処理装置における第1の実施形態について、図面を
参照しながら説明する。
態における熱処理装置の斜視構造図、熱処理装置の搬送
ベルト側から見た裏面図と上面図を示す。図1におい
て、11は被処理基板、12は加熱源、13は搬送ベル
ト、14は被処理基板の回転方向、14aは搬送ベルト
の搬送方向を示す。図1(b)は搬送ベルト13の裏面
を示し、被処理基板11の積載部13aは中央に自転ギ
ア15を持っており、搬送ベルト13とはベアリング1
6を介して接続されている。自転ギア15はガイドギア
17と噛み合いの関係にある。
よる熱処理方法を説明する。被処理基板11を搬送ベル
ト13の積載部13aに積載し、搬送ベルト13を搬送
方向14aへ搬送する。搬送ベルト13の移動によって
積載部13aの裏面に取り付けている自転ギア15はガ
イドギア17により積載部13aを回転させる。この動
きによって、加熱源12の下を被処理基板11は回転し
ながら搬送される。
の下でも被処理基板が回転しながら通過することで、加
熱処理での被処理基板面内の温度ばらつきを分散させる
ことになり、被処理基板における均一な加熱処理を実現
することができる。
は、焼成炉に入った被処理基板の領域への加熱源からの
輻射熱による加熱と、輻射熱で加熱された被処理基板の
領域から被処理基板の未加熱領域への熱伝搬とによって
行われる。本実施の形態による被処理基板の加熱過程
を、図2に示す熱処理装置の上面図を用いて説明する。
領域11aは加熱源12の下で加熱されている被処理基
板の領域、既加熱領域11bは加熱源12の下で既に加
熱され、回転によって加熱源12の下から外れた領域、
未加熱領域11cは被処理基板の未加熱の領域を示す。
被処理基板11の回転が無い従来の熱処理装置に比べ、
本実施の形態の熱処理装置では既加熱領域11bが増加
することになり、被処理基板の加熱が速く行われること
を示す。さらに、従来の熱処理装置による加熱処理に比
べて、加熱された領域が広くなることにより、加熱され
た領域から未加熱領域11cへの熱伝導11dは速やか
に行われる。
は、図1(c)に示すように加熱源12が被処理基板1
1の直径より短い場合でも均一な加熱を被処理基板11
に施すことができ、熱処理装置を小型にすることができ
る。
理方法について説明する。フォトリソグラフィでは、レ
ジスト膜を塗布した被処理基板に120℃程度の加熱処
理を施してレジスト材料に含有する有機溶剤を除いてレ
ジスト膜を硬化させること(以下、プリベークと記す)
や、露光・現像後、膨潤したレジストパターンに120
℃程度の加熱処理を施してレジストパターンを硬化させ
ること(以下、ポストベークと記す)が行われる。
の硬化ばらつきや、レジストパターンの硬化ばらつきを
招き、被処理基板上のレジストパターン寸法ばらつきの
増大を引き起こし、被処理基板上に引き続き作製する半
導体装置の特性劣化を生じさせる。
スト膜やレジストパターンを有する被処理基板に均一な
加熱を施すことができることと、被処理基板の直径に比
べて短い加熱源の熱処理装置を用いることでアウトガス
を速やかに排出することができるために、硬化むらの無
いレジスト膜の形成や寸法精度の良好なレジストパター
ンの形成が可能となる。
実施形態について説明する。
る焼成炉の熱処理装置の側面図と上面図を、図4は加熱
源の温度設定図を示す。図3において、31は被処理基
板、32a、32b、32c、32d、32eはそれぞ
れ独立して温度制御可能な加熱体、33は基板ホルダ
ー、34は回転機構による被処理基板の回転方向、34
aは搬送ベルトの搬送方向を示す。
て説明する。トランジスタ領域が作られたシリコン半導
体基板に形成する絶縁膜として、SiH4ガスとO2ガス
を用いた常圧ケミカル・ベーパー・デポジション(以
下、常圧CVDと記す)法により450℃の堆積温度で
形成するSiO2膜が用いられる。しかし、常圧CVD
法で形成したSiO2膜は緻密性に欠けており、引き続
く半導体素子の作製のためのフッ酸水溶液によるエッチ
ングの耐性が弱いという加工上の問題を持っている。そ
のために、SiO2膜を形成した被処理基板を700℃
程度に加熱して緻密性を改善する処理(以下、緻密化処
理と記す)が、通常施されている。
化により加熱源の均熱性が低下するために、被処理基板
の面内における緻密化に差異が生じ、エッチング時にお
けるエッチングむらを引き起こして半導体素子の歩留ま
りを低下させていた。
従来の熱処理装置で700℃の高温加熱処理を施すと、
被処理基板面内で加熱された領域と未加熱の領域とに分
かれた状態が長く続くために、被処理基板面内で大きな
熱ストレスが生じ、被処理基板の割れを引き起こしてい
た。
32eを図4に示す温度に設定した本実施の形態の熱処
理装置を用いて、常圧CVD法で形成したSiO2膜の
緻密化処理を行った。まず、第1枚目の被処理基板31
は室温の状態から500℃に設定された加熱体32aの
下に搬送される。引き続き被処理基板31は加熱体32
bで700℃に昇温され、加熱体32cで750℃の加
熱処理を施された後、700℃設定の加熱体32dと5
00℃設定の加熱体32eを順次通過して外部に搬出さ
れる。このとき被処理基板は回転しながら搬送されるた
めに被処理基板面内の昇温は速やかに、かつ均一に行わ
れる。また、被処理基板の昇温と降温は段階を追って為
されるために、エッチングむらと被処理基板の割れのな
い加熱処理を施すことができる。
度設定を各々独立して行ったが、各加熱体を同一の温度
に設定し、各加熱体と被処理基板との距離を各々変える
ことで同様の効果を得ることもできる。
実施形態について説明する。
側面図を示す。図5において、51は被処理基板、52
は加熱源、53は搬送ベルト、55は被処理基板からの
アウトガス、55aは熱処理装置外へのアウトガスの流
れを示す。
53の搬送面は傾いた非平行の関係である。被処理基板
51から放出されるアウトガス55は傾きに沿って熱処
理装置外に対流によって排出されるために、前記加熱源
52と搬送ベルト53との間にアウトガス55が滞留す
ることはない。
せると被処理基板面内の温度ばらつきの低減も同時に行
うことができる。
実施形態について説明する。
る枚葉炉の熱処理装置の側面図と上面図を示す。図6に
おいて、61は被処理基板、62は加熱源、62aは加
熱源の中心点、63は基板ホルダー、63aは基板ホル
ダーの回転軸を示し、基板ホルダーの回転軸63aは加
熱源の中心点62aに対して偏心した位置関係に設定し
ている。
が高く、周辺に向かって低くなる傾向がある。これは加
熱源の中心部に熱伝搬が集中することと、加熱処理時に
加熱された気体が加熱源の外周部へ流れるために外周部
の温度低下をもたらすことなどによる。そのために均熱
性の悪い加熱源に対向して被処理基板を回転させずに行
う従来の加熱処理や、加熱源の中心と被処理基板の中心
とが一致した状態で被処理基板を回転させて行う従来の
加熱処理を被処理基板に施すと、加熱源の温度分布を投
影した形の温度ばらつきを被処理基板面内に生じさせ
る。
は、加熱源の中心と被処理基板の中心が偏心した関係で
被処理基板を回転させることにより、加熱源の高温部分
や低温部分と対向する被処理基板の位置が変わることに
なり、被処理基板面内の温度ばらつきが軽減される。
の熱処理装置を示す側面図である。図7において、基板
ホルダー63の回転軸63aは加熱源62の中心点62
aと対向してほぼ同じ位置関係にある。被処理基板61
の中心点61aは回転軸63aと偏心した関係で設置し
ているため、被処理基板61は加熱源62に対して偏心
して回転する。このことにより被処理基板面内の温度ば
らつきが低減される。
板を自転させる機構を設置して被処理基板を自公転させ
てもよい。
実施形態について説明する。
理装置の側面図を示す。図8において、81は被処理基
板、82は加熱源、82aは加熱用の赤外ランプ、83
は基板ホルダー、84は加熱源82に設けた開口部、8
5aと85bは被処理基板81からのアウトガスの流れ
を示す。
ら放出されたアウトガスは被処理基板81と加熱源82
の間に滞留していたが、開口部84を設けることによっ
て熱処理装置の外部に速やかに排出することが可能とな
った。
理方法について説明する。通常、ゲート電極が形成され
た半導体基板からなる被処理基板への平坦な絶縁膜の形
成はSiH4ガス、O2ガス、B2H6ガス、PH3ガスを
用いた常圧CVD法でB2O3とP2O5を含有したボロ・
フォスフォ・シリケートガラス膜(以下、BPSG膜と
記す)を形成し、続いて850℃程度の加熱処理を施し
てガラス軟化(以下、ガラスフローと記す)を施すこと
で行われる。
に、ガラスフローを行うと水分とともにリン酸水和物や
ホウ酸水和物がアウトガスとしてBPSG膜から放出さ
れる。従来の熱処理装置では、大量に放出されるアウト
ガスが被処理基板と加熱源とで作る空間に滞留し、BP
SG膜と反応してBPO4化合物の析出物を生じさせ
る。この析出物は極めてエッチングされにくく、突起形
状を有しているために、引き続くBPSG膜の微細パタ
ーン形成やエッチング加工で不良を起こし、被処理基板
上に形成する半導体素子の歩留まりを低下させる。
用いてBPSG膜のガラスフローを行うと、被処理基板
81からのアウトガスは加熱源82の端部からの流れ8
5aと加熱源82に設けた開口部84を通る流れ85b
になって、滞留せずに速やかに排出される。このために
析出物のまったく無いBPSG膜のガラスフローを行う
ことができ、被処理基板上に形成する半導体素子の歩留
まり低下を防ぐことができた。
実施形態について説明する。
側面図を示す。図9において、91は被処理基板、92
は加熱源、92a、92b、92cは加熱体、93は搬
送ベルト、94はガス導入口、94aは導入するガスの
流れ、95は被処理基板からのアウトガス、95aは熱
処理装置外へのアウトガスの流れを示す。
2の中央から加熱源92の外部に向かって搬送ベルト9
3との距離が大きくなるように設定する。この設定によ
って被処理基板からのアウトガス95は加熱体92a、
92b、92cの作る傾きによって熱処理装置外部に排
出される。さらに本実施の形態では熱処理装置の中央部
にあるガス導入口94から不活性ガスを熱処理装置に導
入することによって、熱処理装置外へのアウトガスの流
れ95aを加速する効果を持たせている。
理方法について説明する。通常、半導体装置の絶縁膜に
用いられるSOG膜は、有機溶媒中にシラノールなどの
シリコン化合物を含有したSOG材料を被処理基板に塗
布し、400℃程度で焼成させて形成される。しかし、
SOG材料中には有機溶媒を含んでいるために、加熱処
理時に多量のアウトガスを発生する。従来の熱処理装置
で大口径の被処理基板の加熱処理を施すと、熱処理基板
と加熱源との間の空間の中心付近に不均一なアウトガス
の滞留が生じる。有機溶媒を主成分とする多量のアウト
ガスが、SOG膜に接触するとSOG膜の焼成効果を低
下させ、SOG膜の硬度や緻密性の低下を招く。このた
めに上記従来の熱処理装置では不均一に滞留したアウト
ガスにより、被処理基板面上で硬度や緻密性の不均質な
SOG膜が形成され、引き続いて作製する半導体素子の
歩留まりを低下させていた。本実施形態の熱処理装置で
はアウトガスが速やかに排出されるために、この熱処理
装置を用いた熱処理方法では、均質なSOG膜の形成が
でき、引き続いて形成する半導体素子の歩留まりも良好
であった。
部にある加熱体92aと搬送ベルト93との距離を最小
となるように設定しているが、熱せられたアウトガスを
排出するためには、各加熱体と搬送ベルトとの距離が階
段状あるいは傾きを持って増加あるいは減少する構成で
あればよい。
同加熱源で被処理基板を加熱処理する領域中を前記被処
理基板を回転させながら通過させる搬送機構とを有する
構造としたので、加熱源の大型化による均熱性低下の影
響を低減し、被処理基板の均一な加熱処理が可能とな
る。さらに加熱源が被処理基板より小さくても、前記構
造によって被処理基板全面の加熱が可能となり、熱処理
装置の小型化を実現できる。
いることによって、加熱体と被処理基板との距離を任意
に設定することや、各加熱体を独立して温度制御するこ
とが可能となるために、被処理基板の昇温、降温の制御
が精度良く可能となり、被処理基板の加熱処理を良好に
行える。
領域中を被処理基板を通過させるとともに、前記加熱源
と被処理基板とを非平行の関係に対向するように保持し
て行う熱処理方法では、被処理基板からのアウトガスを
熱処理装置内から容易に排出できるために、被処理基板
周辺にアウトガスが滞留することによって生じる被処理
基板に形成する半導体素子の劣化を防ぐことができる。
また、このときに被処理基板を回転させながら加熱処理
する領域中を通過させる熱処理方法を用いることで、ア
ウトガスの影響の無い均一な加熱処理を被処理基板に施
すことができる。あるいは、加熱体と被処理基板との複
数の距離のうち、少なくとも二つの距離が異なるように
した第1の熱処理装置で被処理基板の加熱処理を施す熱
処理方法を用いることで上記と同様の効果を実現でき
る。
転機構により回転する被処理基板に加熱源から放射され
る熱放射面の中心と前記被処理基板の中心とが偏心した
位置関係の構造としたので、加熱源の均熱性低下の影響
を低減し、均一な加熱処理が可能となる。また、第2の
熱処理装置を用いることによって、大口径の被処理基板
に均一な加熱処理を施すことができる。
被処理基板と対向する関係で配設された加熱源の一部に
前記被処理基板から放出されるガスを排出させる開口部
を有する構造の熱処理装置としたので、被処理基板から
のアウトガスを熱処理装置内から開口部を通じて排出で
きるために、被処理基板周辺にアウトガスが滞留するこ
とによって生じる被処理基板に形成する半導体装置の劣
化を防ぐことができる。
一部に被処理基板から放出されるガスが通り抜ける開口
部を設けることにより、被処理基板からのアウトガスを
熱処理装置内から容易に排出できるために、被処理基板
周辺にアウトガスが滞留することによって生じる被処理
基板に形成する半導体装置の劣化を防ぐことができる。
さらに、被処理基板を回転機構により回転させるように
した第4の熱処理装置を用いることで、アウトガスの影
響の無い均一な加熱処理を被処理基板に施すことができ
る。
を外部に向かって開口する傾きで並べる構造の熱処理装
置とすることによって、被処理基板からのアウトガスを
熱処理装置内から速やかに排出できるために、被処理基
板周辺にアウトガスが滞留することによって生じる半導
体装置の劣化を防ぐことができる。
成図
分拡大上面図
成図
度設定を示す図
成図
成図
の構成図
成図
成図
Claims (12)
- 【請求項1】 加熱源と、同加熱源で形成される加熱処
理領域中を被処理基板を回転させながら通過させる搬送
機構とを有することを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項2】 搬送機構の被処理基板を載置する面が加
熱源と対向する関係に設定されることを特徴とする請求
項1に記載の熱処理装置。 - 【請求項3】 加熱源と、同加熱源で形成される加熱処
理領域中を被処理基板を通過させるとともに、前記加熱
源と被処理基板とを非平行の関係に対向するように保持
して熱処理を施すことを特徴とする熱処理方法。 - 【請求項4】 加熱源と、同加熱源で形成される加熱処
理領域中を被処理基板を回転させながら通過させるとと
もに、前記加熱源と被処理基板とを非平行の関係に対向
するように保持して熱処理を施すことを特徴とする熱処
理方法。 - 【請求項5】 加熱源が複数の加熱体からなることを特
徴とする請求項2に記載の熱処理装置。 - 【請求項6】 加熱源が独立に温度制御される複数の加
熱体からなることを特徴とする請求項5に記載の熱処理
装置。 - 【請求項7】 加熱体と被処理基板との複数の距離のう
ち、少なくとも二つの距離が異なるようにした請求項5
または請求項6記載の熱処理装置で被処理基板の熱処理
を施すことを特徴とする熱処理方法。 - 【請求項8】 加熱源の熱放射面と対向して回転機構に
より回転する被処理基板の回転中心と前記熱放射面の中
心が偏心した位置関係であることを特徴とする熱処理装
置。 - 【請求項9】 加熱処理する被処理基板と対向する関係
で配設された面状加熱源の一部に、前記加熱処理された
被処理基板から放出されるガスが通り抜ける開口部を設
けたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項10】 被処理基板を回転機構により回転させ
ることを特徴とする請求項9に記載の熱処理装置。 - 【請求項11】 複数の加熱体からなる加熱源と、同加
熱源の下を被処理基板が通過する領域とを有する熱処理
装置の前記各加熱体と前記被処理基板が通過する領域と
の距離が段階を追って増加するもしくは減少する構成で
あることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項12】 複数の加熱体からなる加熱源と、同加
熱源の下を被処理基板が通過する領域とを有する熱処理
装置の前記各加熱体と前記被処理基板が通過する領域と
の距離が、両端の加熱体以外の加熱体と前記被処理基板
が通過する領域との距離が最小で両端の加熱体に向かっ
て各加熱体と前記被処理基板が通過する領域との距離が
増加していく構成であることを特徴とする熱処理装置。
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---|---|---|---|
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