JPH0356045Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0356045Y2 JPH0356045Y2 JP15137483U JP15137483U JPH0356045Y2 JP H0356045 Y2 JPH0356045 Y2 JP H0356045Y2 JP 15137483 U JP15137483 U JP 15137483U JP 15137483 U JP15137483 U JP 15137483U JP H0356045 Y2 JPH0356045 Y2 JP H0356045Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- mirror
- light emitting
- ultraviolet
- lamp
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は紫外線照射装置に関し、更に詳しくは
ランプの温度を適温に保持することが可能な紫外
線照射装置に関するものである。
ランプの温度を適温に保持することが可能な紫外
線照射装置に関するものである。
半導体の製造工程において、光化学蒸着法によ
り基板上に酸化膜などを蒸着したり、その予備洗
浄として表面に付着した有機汚洗物を分解洗浄す
るためなどに紫外線照射が利用されているが、最
近はベーキング工程における利用が注目されてい
る。このベーキング工程とは、例えば酸化膜など
が蒸着され、更にその上に感光剤が塗布された半
導体ウエハーを感光させて感光剤を部分的に除去
する感光工程と、この感光剤が除去された部分の
酸化膜などを除去してパターンを形成するエツチ
ング工程との中間に挿入される加熱工程で、酸化
膜などの接着強度を向上させることなどを目的と
して、120〜200℃程度の温度でベークする工程を
言うが、この温度は高い方が接着強度が向上して
好ましい。しかし、この温度を140℃以上にすれ
ば、感光剤の表面や垂直面がいびつとなつて、形
成されるパターンが悪くなり、性能が低下する問
題点がある。そこでベーキング工程の前に半導体
ウエハーに紫外線を照射すればベーキング温度を
140℃以上としてもパターンが悪化することなく
接着強度を向上できることが知られている。しか
し紫外線でも有効な波長域は200〜300nmである
ことが分りかけて来た。
り基板上に酸化膜などを蒸着したり、その予備洗
浄として表面に付着した有機汚洗物を分解洗浄す
るためなどに紫外線照射が利用されているが、最
近はベーキング工程における利用が注目されてい
る。このベーキング工程とは、例えば酸化膜など
が蒸着され、更にその上に感光剤が塗布された半
導体ウエハーを感光させて感光剤を部分的に除去
する感光工程と、この感光剤が除去された部分の
酸化膜などを除去してパターンを形成するエツチ
ング工程との中間に挿入される加熱工程で、酸化
膜などの接着強度を向上させることなどを目的と
して、120〜200℃程度の温度でベークする工程を
言うが、この温度は高い方が接着強度が向上して
好ましい。しかし、この温度を140℃以上にすれ
ば、感光剤の表面や垂直面がいびつとなつて、形
成されるパターンが悪くなり、性能が低下する問
題点がある。そこでベーキング工程の前に半導体
ウエハーに紫外線を照射すればベーキング温度を
140℃以上としてもパターンが悪化することなく
接着強度を向上できることが知られている。しか
し紫外線でも有効な波長域は200〜300nmである
ことが分りかけて来た。
ところで最近は、半導体ウエハーは大型化し、
直径４インチ（約102mm）以上のものが製造され
るようになつたが、これにともなつて使用される
紫外線ランプも大容量のものとなる傾向がある。
そして、入力される電力に対し、発生される紫外
線量を向上させる要請は紫外線ランプが大型化す
る程大きくなる。この紫外線照射効率を向上させ
るには、ランプの最冷点位置を適温に制御するこ
とが必要であるが、これとともに、最冷点位置の
冷却手段によつて発光部を過冷却しないことが重
要である。
直径４インチ（約102mm）以上のものが製造され
るようになつたが、これにともなつて使用される
紫外線ランプも大容量のものとなる傾向がある。
そして、入力される電力に対し、発生される紫外
線量を向上させる要請は紫外線ランプが大型化す
る程大きくなる。この紫外線照射効率を向上させ
るには、ランプの最冷点位置を適温に制御するこ
とが必要であるが、これとともに、最冷点位置の
冷却手段によつて発光部を過冷却しないことが重
要である。
そこで本考案は、簡単な構造で紫外線ランプの
最冷点位置と発光部とを適温に制御することが可
能であつて紫外線照射効率の大きな紫外線照射装
置を提供することを目的とし、その構成は、紫外
線ランプの発光部をミラーの前面に突出させ、こ
のミラーの背部に位置するランプの電極部を取り
囲むバルブ部とミラーの背面を空冷可能な冷却手
段を設け、電極部を取り囲むバルブ部を最冷点位
置の温度と発光部の温度差が10℃以上になるよう
にするとともに、最冷点位置の温度を20〜30℃に
保持することを特徴とする。
最冷点位置と発光部とを適温に制御することが可
能であつて紫外線照射効率の大きな紫外線照射装
置を提供することを目的とし、その構成は、紫外
線ランプの発光部をミラーの前面に突出させ、こ
のミラーの背部に位置するランプの電極部を取り
囲むバルブ部とミラーの背面を空冷可能な冷却手
段を設け、電極部を取り囲むバルブ部を最冷点位
置の温度と発光部の温度差が10℃以上になるよう
にするとともに、最冷点位置の温度を20〜30℃に
保持することを特徴とする。
以下に図面に示す実施例に基いて本考案を具体
的に説明する。
的に説明する。
装置箱１のほゞ中央にはミラー２が水平に配置
され、その周辺の下方には垂直の副ミラー３が配
置されて箱形を形成している。紫外線ランプ４は
その発光部４ａがミラー２、副ミラー３で囲まれ
る空所に、その電極部を取り囲むバルブ部４ｂが
ミラー２の背部である上方に位置するように配設
されている。この紫外線ランプ４はアーク長が
100cm余であり、波長254nmの紫外線が主として
発生する低圧水銀灯であるが、電極部を取り囲む
バルブ部４ｂは垂直姿勢で配設され、発光部４ａ
は略Ｗ字形の蛇行状に屈曲されて水平の面光源を
構成している。この発光部４ａの下方には石英ガ
ラスからなる前面ガラス５が設けられ、紫外線ラ
ンプ４よりの紫外線がこの前面ガラス５を透過し
て下方に照射される。そして、被照射物６である
半導体ウエハーは直径が６インチ（約153mm）の
大型のものであり、発光部４ａより約2.5cm下方
に支持具９により支持されている。
され、その周辺の下方には垂直の副ミラー３が配
置されて箱形を形成している。紫外線ランプ４は
その発光部４ａがミラー２、副ミラー３で囲まれ
る空所に、その電極部を取り囲むバルブ部４ｂが
ミラー２の背部である上方に位置するように配設
されている。この紫外線ランプ４はアーク長が
100cm余であり、波長254nmの紫外線が主として
発生する低圧水銀灯であるが、電極部を取り囲む
バルブ部４ｂは垂直姿勢で配設され、発光部４ａ
は略Ｗ字形の蛇行状に屈曲されて水平の面光源を
構成している。この発光部４ａの下方には石英ガ
ラスからなる前面ガラス５が設けられ、紫外線ラ
ンプ４よりの紫外線がこの前面ガラス５を透過し
て下方に照射される。そして、被照射物６である
半導体ウエハーは直径が６インチ（約153mm）の
大型のものであり、発光部４ａより約2.5cm下方
に支持具９により支持されている。
次に、装置箱１の上面には冷却フアン７が設け
られ、冷却風はダクト８によつてミラー２の背面
を通つて電極部を取り囲むバルブ部４ｂに導びか
れて最冷点位置の温度を制御するようになつてい
る。そして発光部４ａはミラー２の表面より下方
に突出しているので冷却風は直接には発光部４ａ
にあたらない。
られ、冷却風はダクト８によつてミラー２の背面
を通つて電極部を取り囲むバルブ部４ｂに導びか
れて最冷点位置の温度を制御するようになつてい
る。そして発光部４ａはミラー２の表面より下方
に突出しているので冷却風は直接には発光部４ａ
にあたらない。
しかして、感光工程の終つた半導体ウエハーを
前記の位置に支持し、冷却フアン７を作動させて
紫外線ランプ４を点灯すると主として波長254nm
の紫外線が半導体ウエハー上に照射される。そし
て、このとき冷却風が電極部を取り囲むバルブ部
４ｂに導かれるのでこの近傍の最冷点位置の温度
は20〜30℃に制御される。そして発光部４ａは冷
却風が直接あたらないので40℃〜60℃余に昇温さ
れる。従つて、紫外線ランプ４は波長254nmの紫
外線を最も効率良く発生させる。次に、この照射
工程の完了した半導体ウエハーを温度180℃でベ
ーキングし、ベーキング温度が180℃の高温であ
つたにもかかわらず、広い面積の全面にわたつて
表面および垂直面ともいびつとならずに良好なパ
ターンを得ることができた。
前記の位置に支持し、冷却フアン７を作動させて
紫外線ランプ４を点灯すると主として波長254nm
の紫外線が半導体ウエハー上に照射される。そし
て、このとき冷却風が電極部を取り囲むバルブ部
４ｂに導かれるのでこの近傍の最冷点位置の温度
は20〜30℃に制御される。そして発光部４ａは冷
却風が直接あたらないので40℃〜60℃余に昇温さ
れる。従つて、紫外線ランプ４は波長254nmの紫
外線を最も効率良く発生させる。次に、この照射
工程の完了した半導体ウエハーを温度180℃でベ
ーキングし、ベーキング温度が180℃の高温であ
つたにもかかわらず、広い面積の全面にわたつて
表面および垂直面ともいびつとならずに良好なパ
ターンを得ることができた。
以上説明したように、本考案は紫外線ランプの
最冷点位置の温度と発光部の温度とを最適温度に
制御することができるので波長254nmの紫外線を
効率よく発生させることができる紫外線照射装置
を提供することができる。
最冷点位置の温度と発光部の温度とを最適温度に
制御することができるので波長254nmの紫外線を
効率よく発生させることができる紫外線照射装置
を提供することができる。
第１図は本考案実施例の正面断面図、第２図は
同じく側面断面図を示す。 １……装置箱、２……ミラー、３……副ミラ
ー、４……紫外線ランプ、４ａ……発光部、４ｂ
……電極部を取り囲むバルブ部、５……前面ガラ
ス、６……被照射物（半導体ウエハー）、７……
冷却フアン、８……ダクト。
同じく側面断面図を示す。 １……装置箱、２……ミラー、３……副ミラ
ー、４……紫外線ランプ、４ａ……発光部、４ｂ
……電極部を取り囲むバルブ部、５……前面ガラ
ス、６……被照射物（半導体ウエハー）、７……
冷却フアン、８……ダクト。
Claims (1)
- 紫外線ランプの発光部をミラーの前面に突出さ
せ、このミラーの背部に位置する当該ランプの電
極部を取り囲むバルブ部とミラーの背面を空冷可
能な冷却手段を設け、電極部を取り囲むバルブ部
の最冷点位置の温度と発光部の温度差が10℃以上
になるようにするとともに、最冷点位置の温度を
20〜30℃に保持することを特徴とする紫外線照射
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15137483U JPS6061721U (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 紫外線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15137483U JPS6061721U (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 紫外線照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6061721U JPS6061721U (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0356045Y2 true JPH0356045Y2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=30335462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15137483U Granted JPS6061721U (ja) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | 紫外線照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6061721U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2564538B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1996-12-18 | 株式会社 半導体エネルギ−研究所 | 半導体処理装置 |
-
1983
- 1983-10-01 JP JP15137483U patent/JPS6061721U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6061721U (ja) | 1985-04-30 |
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