JPS61288396A - 薄膜表示装置 - Google Patents
薄膜表示装置Info
- Publication number
- JPS61288396A JPS61288396A JP60129891A JP12989185A JPS61288396A JP S61288396 A JPS61288396 A JP S61288396A JP 60129891 A JP60129891 A JP 60129891A JP 12989185 A JP12989185 A JP 12989185A JP S61288396 A JPS61288396 A JP S61288396A
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- thin film
- wiring
- film display
- display device
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は所望パターンの電極に電圧を印加することによ
り文字や図形を表示するようにした電子時計の時刻表示
や自動車のスピード表示などに適した薄膜表示装置に関
する。
り文字や図形を表示するようにした電子時計の時刻表示
や自動車のスピード表示などに適した薄膜表示装置に関
する。
(従来技術)
最近薄膜EL素子や液晶などが表示装置に用いられる傾
向にあり、第4図に従来の薄膜EL素子の断面構造を示
している。第4図において基板ガラス1の上に錫添加酸
化インジウムなどから成る透明電極2、Y2O3などか
ら成る絶縁膜3、Z Sに0.5重量%程度のM、など
を添加して成る発光膜4、Y2O3などから成る絶縁膜
5、A!Jなどから成る背面電極6が電子ビーム蒸着法
やスパッタリング法により順次積層されている。
向にあり、第4図に従来の薄膜EL素子の断面構造を示
している。第4図において基板ガラス1の上に錫添加酸
化インジウムなどから成る透明電極2、Y2O3などか
ら成る絶縁膜3、Z Sに0.5重量%程度のM、など
を添加して成る発光膜4、Y2O3などから成る絶縁膜
5、A!Jなどから成る背面電極6が電子ビーム蒸着法
やスパッタリング法により順次積層されている。
透明電極2と背面電極6との間に交流電圧を印加するこ
とにより透明電極2と背面電極6とで挟まれた部分の発
光膜4が発光する。従って透明電極2または背面電極6
の形状を任意のパターンとすることで文字や図形を表示
できる。−例としていわゆる7セグメント数字表示装置
の透明電極2のパターンを第5図に示す。この第5図に
示すように、透明電極2は金属電極に比較してシート抵
抗が高いので、配線抵抗による電圧降下を極力抑える目
的で可能な限り配線パターンの幅を広くとることが行わ
れている。
とにより透明電極2と背面電極6とで挟まれた部分の発
光膜4が発光する。従って透明電極2または背面電極6
の形状を任意のパターンとすることで文字や図形を表示
できる。−例としていわゆる7セグメント数字表示装置
の透明電極2のパターンを第5図に示す。この第5図に
示すように、透明電極2は金属電極に比較してシート抵
抗が高いので、配線抵抗による電圧降下を極力抑える目
的で可能な限り配線パターンの幅を広くとることが行わ
れている。
また、同じく透明電極を有する液晶表示素子を用いた表
示装置として特開昭53−20794には第6図および
第7図に示すものが開示されている。これらは液晶の応
答速度やコンミルラストなどの特性を各素子の間で均一
にすることを考慮したもので、第6図に示す装置では、
各素子7への配線2の長さの相違に対して配線巾を変え
ることにより、また第7図に示す装置では配線2の長手
方向に膜厚を変えることにより配線抵抗の値を均一にす
ることが行われている。この第6図および第7図に示す
装置のいずれにおいても配線抵抗による電圧降下を極力
抑える目的については先の第5図に示す例と変わるとこ
ろがない。
示装置として特開昭53−20794には第6図および
第7図に示すものが開示されている。これらは液晶の応
答速度やコンミルラストなどの特性を各素子の間で均一
にすることを考慮したもので、第6図に示す装置では、
各素子7への配線2の長さの相違に対して配線巾を変え
ることにより、また第7図に示す装置では配線2の長手
方向に膜厚を変えることにより配線抵抗の値を均一にす
ることが行われている。この第6図および第7図に示す
装置のいずれにおいても配線抵抗による電圧降下を極力
抑える目的については先の第5図に示す例と変わるとこ
ろがない。
(発明が解決しようとする問題点)
薄膜表示素子を構成する薄膜は電子ビーム蒸着法や高周
波スパッタリング法などにより形成され、その膜厚は0
.2〜0.6μm程度と非常に薄く、しかも薄膜にはピ
ンホールや異物の混入などによる欠陥が含まれ、これら
を皆無にすることは不可能に近い。絶縁膜に欠陥がある
と絶縁膜には106v/m程度の強い電界がかかるので
欠陥に起因して微小な絶縁破壊が生ずる。上述した従来
の薄膜表示素子では電圧降下を抑える目的で配線抵抗が
小さくなるように工夫されているので電源からの電流供
給が持続して絶縁破壊の領域が次第に拡大し、ついには
セグメント全面の絶縁破壊に至り表示素子としての機能
を果せなくなるという問題がおる。
波スパッタリング法などにより形成され、その膜厚は0
.2〜0.6μm程度と非常に薄く、しかも薄膜にはピ
ンホールや異物の混入などによる欠陥が含まれ、これら
を皆無にすることは不可能に近い。絶縁膜に欠陥がある
と絶縁膜には106v/m程度の強い電界がかかるので
欠陥に起因して微小な絶縁破壊が生ずる。上述した従来
の薄膜表示素子では電圧降下を抑える目的で配線抵抗が
小さくなるように工夫されているので電源からの電流供
給が持続して絶縁破壊の領域が次第に拡大し、ついには
セグメント全面の絶縁破壊に至り表示素子としての機能
を果せなくなるという問題がおる。
(発明の目的および構成)
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、薄膜表
示素子の薄膜絶縁破壊の拡大防止を目的とし、この目的
を達成するために、薄膜表示素子の電極と同一面上に形
成さた給電端子部から該電極までの配線中に抵抗値が1
KΩから5KΩの範囲内の抵抗部を設けて絶縁破壊時に
流れる電流を制御するように構成した。
示素子の薄膜絶縁破壊の拡大防止を目的とし、この目的
を達成するために、薄膜表示素子の電極と同一面上に形
成さた給電端子部から該電極までの配線中に抵抗値が1
KΩから5KΩの範囲内の抵抗部を設けて絶縁破壊時に
流れる電流を制御するように構成した。
(実施例)
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明による薄膜表示装置の一実施例の平面図
であるが、第1図の説明に先立って本発明に至るまでの
実験の段階で判明した3つの事実について説明する。
であるが、第1図の説明に先立って本発明に至るまでの
実験の段階で判明した3つの事実について説明する。
第1は、薄膜の欠陥を核とする絶縁破壊はまず透明電極
と背面電極との間に蓄積された電荷と電源から供給され
る電流によるエネルギーによって始まり、破壊部の拡大
は電源から供給される電流のエネルギーによるという事
実である。従って、絶縁破壊時に電源から供給される電
流を制限すれば絶縁破壊部が拡大するのを防止できるこ
とがわかる。
と背面電極との間に蓄積された電荷と電源から供給され
る電流によるエネルギーによって始まり、破壊部の拡大
は電源から供給される電流のエネルギーによるという事
実である。従って、絶縁破壊時に電源から供給される電
流を制限すれば絶縁破壊部が拡大するのを防止できるこ
とがわかる。
第2に、50−程度の面積の薄膜の連鎖的な絶縁破壊は
1KΩ〜5KΩ程度の配線抵抗を入れることにより防止
できることである。
1KΩ〜5KΩ程度の配線抵抗を入れることにより防止
できることである。
第3に、絶縁破壊時に電流制限が行われた場合、薄膜の
欠陥に起因する絶縁破壊が宝じても0.1mφ程度以下
の破壊に止めることができ、表示には支障のない程度に
抑えることができることである。
欠陥に起因する絶縁破壊が宝じても0.1mφ程度以下
の破壊に止めることができ、表示には支障のない程度に
抑えることができることである。
第3図はこれらの事実の関係を示すものであり、配線抵
抗を変えたときの絶縁破壊部の直径および駆動電圧上昇
分を示している。配線抵抗を1KΩ以上にすると急激に
絶縁破壊部の径が小さくなることがわかる。配線抵抗の
抵抗値を大きくするほどこの効果は大きくなるが、駆動
電圧の上昇が大きくなること、また配線部の発熱が大き
くなることから約5KΩに制限される。配線抵抗が1K
Ω〜5KΩ程度でおれば駆動電圧の上昇は10数V程度
で必って許容し得る範囲であり、発熱の問題も生じない
。
抗を変えたときの絶縁破壊部の直径および駆動電圧上昇
分を示している。配線抵抗を1KΩ以上にすると急激に
絶縁破壊部の径が小さくなることがわかる。配線抵抗の
抵抗値を大きくするほどこの効果は大きくなるが、駆動
電圧の上昇が大きくなること、また配線部の発熱が大き
くなることから約5KΩに制限される。配線抵抗が1K
Ω〜5KΩ程度でおれば駆動電圧の上昇は10数V程度
で必って許容し得る範囲であり、発熱の問題も生じない
。
このような結果に基づいて本発明による薄膜表示装置は
第1図に示すように構成されている。第1図は7セグメ
ント数字表示装置に本発明を適用した実施例を示してお
り、基板ガラス1の上に透明電極2が積層され、この透
明電極2はa−Ωの7つのセグメントに分割されている
。各セグメン1〜a−gの中での輝度のバラツキ、すな
わち電圧供給点(たとえば15a〉に近い部分と離れた
部分どの輝度差を少なくするために、透明電極2のシー
1〜抵抗は極力低い方が望ましい(たとえば10Ω/口
程度)。各セグメントa〜qと給電端子部138〜13
CIとを結ぶ配線14. a〜14Clは14g、14
b、14c、14e、14f。
第1図に示すように構成されている。第1図は7セグメ
ント数字表示装置に本発明を適用した実施例を示してお
り、基板ガラス1の上に透明電極2が積層され、この透
明電極2はa−Ωの7つのセグメントに分割されている
。各セグメン1〜a−gの中での輝度のバラツキ、すな
わち電圧供給点(たとえば15a〉に近い部分と離れた
部分どの輝度差を少なくするために、透明電極2のシー
1〜抵抗は極力低い方が望ましい(たとえば10Ω/口
程度)。各セグメントa〜qと給電端子部138〜13
CIとを結ぶ配線14. a〜14Clは14g、14
b、14c、14e、14f。
14a、14.dの順に次第に短くなる。そこで配線1
4a〜14C]の抵抗値を1KΩ〜2にΩに揃えるため
に配線14a〜14CIの巾をその長さに比例して太く
しである。最も細い配線14aおよび14dで線巾は0
.1#程度となっている。
4a〜14C]の抵抗値を1KΩ〜2にΩに揃えるため
に配線14a〜14CIの巾をその長さに比例して太く
しである。最も細い配線14aおよび14dで線巾は0
.1#程度となっている。
第2図は本発明による薄膜表示装置の他の実施例を示し
ている。図中第1図と同じ構成部分には同じ参照番号を
付して示しである。この実施例においては配線148〜
14gの途中に抵抗値としてメアンダ型抵抗168〜1
6gが設けられ、それぞれの配線14a〜14gとメア
ンダ型抵抗16a〜16gの合成抵抗が1〜2にΩとな
るようにしである。第1図の実施例では給電端子部13
a〜13C]とセグメントa〜Ωとの距離が短いときは
配線148〜149の巾を細くする必要があり、エツチ
ング時に断線が生ずるおそれがあるので、この実施例で
は極端に配線148〜14Qか細くなるのを防止するた
めにメアンダ型抵抗16a〜16gを用い配線の線巾は
どこも同じとした。この実施例の作用効果は第1図の実
施例と同じであるので説明は省略する。
ている。図中第1図と同じ構成部分には同じ参照番号を
付して示しである。この実施例においては配線148〜
14gの途中に抵抗値としてメアンダ型抵抗168〜1
6gが設けられ、それぞれの配線14a〜14gとメア
ンダ型抵抗16a〜16gの合成抵抗が1〜2にΩとな
るようにしである。第1図の実施例では給電端子部13
a〜13C]とセグメントa〜Ωとの距離が短いときは
配線148〜149の巾を細くする必要があり、エツチ
ング時に断線が生ずるおそれがあるので、この実施例で
は極端に配線148〜14Qか細くなるのを防止するた
めにメアンダ型抵抗16a〜16gを用い配線の線巾は
どこも同じとした。この実施例の作用効果は第1図の実
施例と同じであるので説明は省略する。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明は薄膜表示素子の電極と該
電極への給電端子部との間に抵抗部を設けて絶縁破壊時
に流れる電流を制限するように構成したので、薄膜表示
素子の絶縁破壊が拡大するのを防止することができる。
電極への給電端子部との間に抵抗部を設けて絶縁破壊時
に流れる電流を制限するように構成したので、薄膜表示
素子の絶縁破壊が拡大するのを防止することができる。
第1図は本発明による薄膜表示装置の一実施例を示す平
面図、第2図は本発明による薄膜表示装置の他の実施例
を示す平面図、第3図は本発明に到る実験結果を示す特
性図、第4図は従来の薄膜表示素子の断面構造図、第5
図ないし第7図は従来の薄膜表示素子の平面図である。 1・・・基板ガラス、2・・−透明電極、13a〜13
Ω・・・給電端子部、148〜14g・・・配線、15
a・・・電圧供給点、16a〜16g・・・メアンダ型
抵抗第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
面図、第2図は本発明による薄膜表示装置の他の実施例
を示す平面図、第3図は本発明に到る実験結果を示す特
性図、第4図は従来の薄膜表示素子の断面構造図、第5
図ないし第7図は従来の薄膜表示素子の平面図である。 1・・・基板ガラス、2・・−透明電極、13a〜13
Ω・・・給電端子部、148〜14g・・・配線、15
a・・・電圧供給点、16a〜16g・・・メアンダ型
抵抗第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- 少なくとも一方が透明な一対の電極間に発光膜と絶縁
膜とを挟持して成り、前記一対の電極間に電圧を印加す
ることにより電極間の発光膜を発光させる薄膜表示装置
において、前記電極と同一面上に形成された給電端子部
から該電極までの配線中に抵抗値が1KΩから5KΩの
範囲内の抵抗部を設けたことを特徴とする薄膜表示装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60129891A JPS61288396A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 薄膜表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60129891A JPS61288396A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 薄膜表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61288396A true JPS61288396A (ja) | 1986-12-18 |
Family
ID=15020909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60129891A Pending JPS61288396A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 薄膜表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61288396A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01117683U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-09 | ||
EP0432835B1 (en) * | 1989-12-15 | 1994-03-02 | Unilever N.V. | Fluid composition |
WO2002023955A1 (fr) * | 2000-09-14 | 2002-03-21 | Nippon Seiki Co.,Ltd | Element electroluminescent organique |
JP2005099414A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Chi Mei Electronics Corp | 画像表示装置、集積回路 |
JP2009258330A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2011100593A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP60129891A patent/JPS61288396A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01117683U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-09 | ||
EP0432835B1 (en) * | 1989-12-15 | 1994-03-02 | Unilever N.V. | Fluid composition |
WO2002023955A1 (fr) * | 2000-09-14 | 2002-03-21 | Nippon Seiki Co.,Ltd | Element electroluminescent organique |
US6975066B2 (en) | 2000-09-14 | 2005-12-13 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Organic EL element |
JP2005099414A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Chi Mei Electronics Corp | 画像表示装置、集積回路 |
JP2009258330A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2011100593A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
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