JPS61269341A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61269341A JPS61269341A JP11040985A JP11040985A JPS61269341A JP S61269341 A JPS61269341 A JP S61269341A JP 11040985 A JP11040985 A JP 11040985A JP 11040985 A JP11040985 A JP 11040985A JP S61269341 A JPS61269341 A JP S61269341A
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- Japan
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- resin composition
- resin
- weight
- parts
- semiconductor device
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高温高湿状態の元で長時間放置しても信頼性
の高い動作を提供可能な樹脂封止型半導体装置に関する
。
の高い動作を提供可能な樹脂封止型半導体装置に関する
。
レジンパッケージ型半導体装置においては、高温高湿状
態（例えば、６５Ｃ１９５チ相対湿度中。
態（例えば、６５Ｃ１９５チ相対湿度中。
あるいは１２１ｔｒ、２気圧過飽和水蒸気中などンに長
時間、製品を放置した場合、配線Ａｔ、特にパッド部の
電極Ａｔが腐食断線する問題が生ずる。
時間、製品を放置した場合、配線Ａｔ、特にパッド部の
電極Ａｔが腐食断線する問題が生ずる。
この原因は、パッケージ内への水分（外気の水分）の浸
入に伴ない、各種の腐食要因が絡んで派生するものであ
る。しかし、このメカニズムについては、必ずしも充分
に究明されてはいない。
入に伴ない、各種の腐食要因が絡んで派生するものであ
る。しかし、このメカニズムについては、必ずしも充分
に究明されてはいない。
上記問題の対策としては、封止材料の素子に対する応力
の低減、樹脂組成物と素子界面との密着性、接着性の改
善、樹脂中に含まれているイオン性不純物の低減、樹脂
硬化物バルクの疎水化など種々の方策が講じられてき念
。
の低減、樹脂組成物と素子界面との密着性、接着性の改
善、樹脂中に含まれているイオン性不純物の低減、樹脂
硬化物バルクの疎水化など種々の方策が講じられてき念
。
しかし、近年、実装方式の高密度化に伴ない、レジンパ
ッケージ型半導体装置が半田浴中にさらされる条件が苛
酷になるすう勢にラシ、パンケージ品に対する熱ストレ
スも増す傾向にある。
ッケージ型半導体装置が半田浴中にさらされる条件が苛
酷になるすう勢にラシ、パンケージ品に対する熱ストレ
スも増す傾向にある。
なお、関連する技術としては、 Ｊ、Ａｐｐｌ。
ｐｏｌｙｍ、 ３ｃｉ、、１１２０２９ （１９６７）
、 Ｊ、 ｋｐｐｌ、 ｐｏｌＹｍ。
、 Ｊ、 ｋｐｐｌ、 ｐｏｌＹｍ。
Ｓｃｉ、１＠ ６０７（１９６８）に記載されている。
本発明は、封止用の樹脂組成物にすぐれた耐熱性を付与
する目的でなされたものである。
する目的でなされたものである。
本発明の要旨は、
１、少なくとも、次式
〔式中、ＲはＨ，ＣＨｓのいずれかであり、ｍは１〜４
である。〕で表わされる２官能工ポキシ化合物を含む樹
脂組成物で封止してなることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
である。〕で表わされる２官能工ポキシ化合物を含む樹
脂組成物で封止してなることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
λ 少なくとも１次式
〔式中、ＲはＨ，ＣＨｓのいずれかであり、ｍは１〜４
である。〕で表わされる２官能工ポキシ化合物、多官能
エポキシ化合物とを含む樹脂組成物で封止してなること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
である。〕で表わされる２官能工ポキシ化合物、多官能
エポキシ化合物とを含む樹脂組成物で封止してなること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
３、 少なくとも、次式
〔式中、ＲはＨ，ＣＨｓのいずれかであシ、ｍは１〜４
である。〕で表わされる２官能工ポキシ化合物と、多官
能エポキシ化合物、ノボラック型フェノール樹脂とを含
む樹脂組成物で封止してなることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置である。
である。〕で表わされる２官能工ポキシ化合物と、多官
能エポキシ化合物、ノボラック型フェノール樹脂とを含
む樹脂組成物で封止してなることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置である。
本発明において、次式
で表わされる２官能工ポキシ化合物は、例えば以下の反
応によシ得られる。
応によシ得られる。
本発明において多官能エポキシ化合物としては、例えば
ビスフェノール人のジグリシジルエーテル、ブタジエン
ジエボキサイド、３，４−エポキシシクロへキシルメチ
ル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレ
ート、ビニルンクロヘキサンジオキシド、４，４′−ジ
（１，２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、４．
４’ −（１゜２−エポキシエチル）ビフェニル、２，
２−ビス（３，４−エポキシンクロヘキシルンプロパン
。
ビスフェノール人のジグリシジルエーテル、ブタジエン
ジエボキサイド、３，４−エポキシシクロへキシルメチ
ル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレ
ート、ビニルンクロヘキサンジオキシド、４，４′−ジ
（１，２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、４．
４’ −（１゜２−エポキシエチル）ビフェニル、２，
２−ビス（３，４−エポキシンクロヘキシルンプロパン
。
レソルクンのグリ７ジルエーテル、７０ログルシンのシ
クリシジルエーテル、メチルフロログルクンのジグリシ
ジルエーテル、ビス−（２，３−エホキシククロペンチ
ル）エーテルｔ ２− （３＠ ４−エポキシ）シク
ロヘキサン−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）−シ
クロヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポ
キシ−６−メチ／Ｌ／７クロヘキクル）アジペート、Ｎ
、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス（４，５−エポキシ−１，
２−７クロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能
のエポキシ化合物、バラアミノフエニノールのトリグリ
シジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテ／Ｉ／％
１． ３． ５−トリ（１，２−エポキシエチル）ベ
ンゼン、２．２’、４．４’−テトラグリシドキシベン
ゾフェノ／、テトラグリシドキシテトラフェニルエタン
、フェノールホルムアルテヒドノポラツクのポリグリシ
ジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、
トリメチロールプロパ／のトリグリ７ジルエーテルなど
３官能以上のエポキシ化合物が用いられる。
クリシジルエーテル、メチルフロログルクンのジグリシ
ジルエーテル、ビス−（２，３−エホキシククロペンチ
ル）エーテルｔ ２− （３＠ ４−エポキシ）シク
ロヘキサン−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）−シ
クロヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポ
キシ−６−メチ／Ｌ／７クロヘキクル）アジペート、Ｎ
、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス（４，５−エポキシ−１，
２−７クロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能
のエポキシ化合物、バラアミノフエニノールのトリグリ
シジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテ／Ｉ／％
１． ３． ５−トリ（１，２−エポキシエチル）ベ
ンゼン、２．２’、４．４’−テトラグリシドキシベン
ゾフェノ／、テトラグリシドキシテトラフェニルエタン
、フェノールホルムアルテヒドノポラツクのポリグリシ
ジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、
トリメチロールプロパ／のトリグリ７ジルエーテルなど
３官能以上のエポキシ化合物が用いられる。
また、本発明において、ノボラック型フエノール樹脂と
しては、フェノール類とアルデヒド系化合物とを、酸触
媒の存在下に縮合反応させて得られる縮合物である。こ
のようなものとしては例えば、フェノール類として、フ
ェノール、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレ
ゾール、２゜４−キシレノール、２，５−キシレノール
、２゜６−キシレノール、３．４−キシレノール、３゜
５−キシレノール、ｐ−ターシャリ−ブチルフェノール
などの少なくとも１種と、ホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒドなどのアルデヒド系化合物の少なくとも１種を
、塩酸、脩酸などの酸触媒の存在下に還流状態で３０〜
１８０分間縮合反応させて得られる。
しては、フェノール類とアルデヒド系化合物とを、酸触
媒の存在下に縮合反応させて得られる縮合物である。こ
のようなものとしては例えば、フェノール類として、フ
ェノール、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレ
ゾール、２゜４−キシレノール、２，５−キシレノール
、２゜６−キシレノール、３．４−キシレノール、３゜
５−キシレノール、ｐ−ターシャリ−ブチルフェノール
などの少なくとも１種と、ホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒドなどのアルデヒド系化合物の少なくとも１種を
、塩酸、脩酸などの酸触媒の存在下に還流状態で３０〜
１８０分間縮合反応させて得られる。
さらに、本発明においては、前記３成分を含む組成物の
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルベンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジ
メチルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス（ジメチル
アミノメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルベンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレ
ンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジ
メチルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス（ジメチル
アミノメチル）フェノール及びメチルモルホリン等のア
ミン類を適用することができる。
又、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチル
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルシメチルステアリルアンモニウムプロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びペンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニクムアセテート等の第
４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、２
−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾール、２−ヘプメデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−メチル
イミダゾール％ １−プロピ／ｌ／−２−メチルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール。
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルシメチルステアリルアンモニウムプロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びペンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニクムアセテート等の第
４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、２
−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾール、２−ヘプメデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−メチル
イミダゾール％ １−プロピ／ｌ／−２−メチルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール。
１−シアノエチＡ／−２−メチルイミダゾ−／’Ｓ １
−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シ
アンエチル−２−フェニルイミタソール、ｌ−アジ／−
２−メチルイミダゾール及び１−アジン−２−ウンデシ
ルイミダゾール等のイミダゾール化合物あるいは又、ト
リフェニルホスフィ／テトラフェニルボレート、トリエ
チルアミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルポ
リ／テトラフェニルボレート、ビ替ジンテトラフェニル
ホレート２−エチ）ｖ −４−メチルイミダゾールテト
ラフェニルボレート及び２−エチル−１，４−ジメチル
イミダゾールテトラフェニルボレート等のテトラフェニ
ルボロン塩等が有用でらる。
−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シ
アンエチル−２−フェニルイミタソール、ｌ−アジ／−
２−メチルイミダゾール及び１−アジン−２−ウンデシ
ルイミダゾール等のイミダゾール化合物あるいは又、ト
リフェニルホスフィ／テトラフェニルボレート、トリエ
チルアミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルポ
リ／テトラフェニルボレート、ビ替ジンテトラフェニル
ホレート２−エチ）ｖ −４−メチルイミダゾールテト
ラフェニルボレート及び２−エチル−１，４−ジメチル
イミダゾールテトラフェニルボレート等のテトラフェニ
ルボロン塩等が有用でらる。
上記の触媒はその２種以上を併用することもでき、その
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）１００に対して、重
量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）１００に対して、重
量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
また、本発明の樹脂組成物には、その用途、使用目的に
応じて１例えば炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ、チ
タニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸７／Ｉ’ミニウム
、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、メルク、マ
イカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短繊維
状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エポキシ
シラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアルキルチ
タネート系化合物等のカンプリング剤、そしてさらに、
アンチモンやリンの化合物及びノ・ロゲン含有化合物の
ような難燃剤を加えることができる。
応じて１例えば炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ、チ
タニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸７／Ｉ’ミニウム
、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、メルク、マ
イカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短繊維
状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エポキシ
シラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアルキルチ
タネート系化合物等のカンプリング剤、そしてさらに、
アンチモンやリンの化合物及びノ・ロゲン含有化合物の
ような難燃剤を加えることができる。
本発明の樹脂組成物は、上記し次成分をロール、ニーダ
−、コニーダー、またはヘンシェルミキサー等を用いて
加熱（約７０〜８０Ｃ）混練することによって調製され
る。また、成分化合物が固体でおる場合には、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られ九組成物は約１５０〜２００Ｃの温度で
短時間に硬化できる。
−、コニーダー、またはヘンシェルミキサー等を用いて
加熱（約７０〜８０Ｃ）混練することによって調製され
る。また、成分化合物が固体でおる場合には、微粉化し
た後混合するトライブレンド法によって配合することも
できる。得られ九組成物は約１５０〜２００Ｃの温度で
短時間に硬化できる。
実施例１〜３
２官能工ポキシ化合物として１次式で表わされる３種類
２官能工ポキシ化合物 融点（Ｃ）
Ａ ５１〜５３
Ｂ １０２〜１０４
Ｃ１１８〜１２０
を、それぞれ別個に１００重量部採取した。これらにそ
れぞれ、ノボランク型フェノール樹脂（日立化成社製、
軟化点７８〜８２Ｃ）を５５重量部触媒として、イミダ
ゾール系化合物２ＭＡ−ＯＫ（四国化成社製、トリアゾ
ール置換イミダゾール・インシアヌル酸付加物）２重量
部、カンプリング剤として コアルミネート系カンブ
リング剤ＡＰＧ（楠本化成社製）、２重量部、難燃材と
して赤リン３．０重量部、離型剤として、ヘキストワッ
クスＥ（ヘキストジャパン社梨）２型骨部フイラとして
溶融石英ガラス粉４８０重量部、着色剤としてカーボン
ブランクＣＭ−８００（キャボント社製）２．０重量部
を配合した。
れぞれ、ノボランク型フェノール樹脂（日立化成社製、
軟化点７８〜８２Ｃ）を５５重量部触媒として、イミダ
ゾール系化合物２ＭＡ−ＯＫ（四国化成社製、トリアゾ
ール置換イミダゾール・インシアヌル酸付加物）２重量
部、カンプリング剤として コアルミネート系カンブ
リング剤ＡＰＧ（楠本化成社製）、２重量部、難燃材と
して赤リン３．０重量部、離型剤として、ヘキストワッ
クスＥ（ヘキストジャパン社梨）２型骨部フイラとして
溶融石英ガラス粉４８０重量部、着色剤としてカーボン
ブランクＣＭ−８００（キャボント社製）２．０重量部
を配合した。
次いで、７５〜８０Ｃに加熱された２本ロール（８イン
チ径〕で８分間混線した後、冷却、粗粉砕して半導体封
止用樹脂組成物を得た。この樹脂練成物は、１７５±５
Ｇ、７０ｋｇ／♂、１．５分間の条件でトランスファ成
形して、レジンパッケージ型メモリ用ＬＳＩ（１６ｐｉ
ｎ、２５６ｋｂｉｔＤ−ＲＡＭメモリＬＳＩ）に成形さ
れた。
チ径〕で８分間混線した後、冷却、粗粉砕して半導体封
止用樹脂組成物を得た。この樹脂練成物は、１７５±５
Ｇ、７０ｋｇ／♂、１．５分間の条件でトランスファ成
形して、レジンパッケージ型メモリ用ＬＳＩ（１６ｐｉ
ｎ、２５６ｋｂｉｔＤ−ＲＡＭメモリＬＳＩ）に成形さ
れた。
上記のモールド品それぞれ１００個を、１２１Ｃ１２気
圧の過飽和水蒸気中（プレンシャ・クン力試験ＰＣＴ）
に所定時間放置した後、素子上のパッド部Ａｔ電極が腐
食して断線しているか否かをチェックした。
圧の過飽和水蒸気中（プレンシャ・クン力試験ＰＣＴ）
に所定時間放置した後、素子上のパッド部Ａｔ電極が腐
食して断線しているか否かをチェックした。
結果を第１衣に示した。
第 １ 表
実施例４
ノボランク凰のオルソ−クレゾール・ホルムアルデヒド
樹脂とエビクロルヒドリ／との反応にょシ得られるエポ
キシ樹脂（軟化点二８５〜９５Ｃ、エポキシ当量１９５
１日本化薬社製）５０重量部、２官能工ポキシ化合物と
して、実施例１中で用いたＡ〔融点５１〜５３Ｃ）を５
０重量部、硬化剤として、ノボランク型フェノール樹脂
（日立化成社製、軟化点７８〜８２ｃ）を５５重量部、
触媒として、トリエチルアミンテトラフェニルボレー）
（ＴＥＡ−Ｋ）１．５重畳部、トリフェニルホスフィ
ン１．０重量部、カンプリング剤としてエボキクシ２７
ＫＢＭ４０３ （信越化学社製）２０重量部、難燃剤と
して赤リンｚＯ重量部、三酸化アンチモン２．０重量部
、離型剤として、ヘキストワックスＥ（ヘキストジャパ
ン社製）１重量部、ステアリン酸カルシウム２重量部、
フィシとして溶融石英ガラス粉 重量部、着色剤として
カーボンブランクＣＭ−８００（キャポント社裂） ２
．０重量部、を配合した。
樹脂とエビクロルヒドリ／との反応にょシ得られるエポ
キシ樹脂（軟化点二８５〜９５Ｃ、エポキシ当量１９５
１日本化薬社製）５０重量部、２官能工ポキシ化合物と
して、実施例１中で用いたＡ〔融点５１〜５３Ｃ）を５
０重量部、硬化剤として、ノボランク型フェノール樹脂
（日立化成社製、軟化点７８〜８２ｃ）を５５重量部、
触媒として、トリエチルアミンテトラフェニルボレー）
（ＴＥＡ−Ｋ）１．５重畳部、トリフェニルホスフィ
ン１．０重量部、カンプリング剤としてエボキクシ２７
ＫＢＭ４０３ （信越化学社製）２０重量部、難燃剤と
して赤リンｚＯ重量部、三酸化アンチモン２．０重量部
、離型剤として、ヘキストワックスＥ（ヘキストジャパ
ン社製）１重量部、ステアリン酸カルシウム２重量部、
フィシとして溶融石英ガラス粉 重量部、着色剤として
カーボンブランクＣＭ−８００（キャポント社裂） ２
．０重量部、を配合した。
次いで、７５〜８０Ｃに加熱された２本ロール（８イン
チ径）で８分間混練した後、冷却、粗粉砕して半導体封
止用の樹脂組成物を得た。この樹脂組成物は、１８０
Ｃ，７０ｋ ｇ／ｃｍ” 、 １．５分間の条件でトラ
ンスファ成形して、レジンパッケージ型メモリ用ＬＳ
Ｉ （１６ｐｉｎ、２５６にピントメモリＬＳＩ）に成
形された。
チ径）で８分間混練した後、冷却、粗粉砕して半導体封
止用の樹脂組成物を得た。この樹脂組成物は、１８０
Ｃ，７０ｋ ｇ／ｃｍ” 、 １．５分間の条件でトラ
ンスファ成形して、レジンパッケージ型メモリ用ＬＳ
Ｉ （１６ｐｉｎ、２５６にピントメモリＬＳＩ）に成
形された。
上記のモールド品１００個を、１０００％２気圧の過飽
和水蒸気中（プレンシャ・クンカ試験ＰＣＴ）に所定時
間放置した後、素子上のバンド部Ａｔ電極が腐食して断
線しているが否かをチェックした。
和水蒸気中（プレンシャ・クンカ試験ＰＣＴ）に所定時
間放置した後、素子上のバンド部Ａｔ電極が腐食して断
線しているが否かをチェックした。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、ＲはＨ、ＣＨ＿３のいずれかであり、ｍは１〜
４である。〕で表わされる２官能エポキシ化合物を含む
樹脂組成物で封止してなることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11040985A JPS61269341A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11040985A JPS61269341A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61269341A true JPS61269341A (ja) | 1986-11-28 |
Family
ID=14535049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11040985A Pending JPS61269341A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61269341A (ja) |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP11040985A patent/JPS61269341A/ja active Pending
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