JPH1112446A - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH1112446A JPH1112446A JP18184997A JP18184997A JPH1112446A JP H1112446 A JPH1112446 A JP H1112446A JP 18184997 A JP18184997 A JP 18184997A JP 18184997 A JP18184997 A JP 18184997A JP H1112446 A JPH1112446 A JP H1112446A
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- resin
- benzothiazolesulfenamide
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特にPd・Pd−Au等のプレプレーティン
グフレームと、樹脂組成物との接着力を向上させ、半導
体封止装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐
湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体封止装置を提供す
る。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック型
フェノール樹脂、(C)N−オキシジエチレン−2-ベン
ゾチアゾールスルフェンアミドおよび(D)無機質充填
剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)の
N−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェン
アミドを0.001 〜0.1 重量%、また前記(D)の無機質
充填剤を25〜95重量%の割合で含有してなる封止用樹脂
組成物であり、また、該組成物によって封止された、P
dやPd−Au等のプレプレーティングフレームを用い
た半導体封止装置である。
グフレームと、樹脂組成物との接着力を向上させ、半導
体封止装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐
湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体封止装置を提供す
る。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック型
フェノール樹脂、(C)N−オキシジエチレン−2-ベン
ゾチアゾールスルフェンアミドおよび(D)無機質充填
剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)の
N−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェン
アミドを0.001 〜0.1 重量%、また前記(D)の無機質
充填剤を25〜95重量%の割合で含有してなる封止用樹脂
組成物であり、また、該組成物によって封止された、P
dやPd−Au等のプレプレーティングフレームを用い
た半導体封止装置である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、PdやPd−Au
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体パッケージにおいて耐リフロークラック性等の信頼性
に優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関
する。
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体パッケージにおいて耐リフロークラック性等の信頼性
に優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】最近の半導体装置では、半田メッキに換
えて、PdやPd−Au等のプレプレーティングを施し
たフレームを採用した半導体パッケージが増加してい
る。
えて、PdやPd−Au等のプレプレーティングを施し
たフレームを採用した半導体パッケージが増加してい
る。
【0003】従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノ
ール樹脂及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によって
封止したPdやPd−Au等のプレプレーティングフレ
ームを採用した半導体装置は、該プレプレーティングフ
レームと封止樹脂との接着性が著しく悪いという欠点が
あった。特に吸湿した半導体装置を赤外線(IR)リフ
ロー方式で表面実装すると、封止樹脂とリードフレー
ム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥がれが
生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線
や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置
は、長期間の信頼性を保証することができないという欠
点があった。このため、耐湿性の影響が少なく、半導体
装置全体のIRリフローによる表面実装を行っても耐湿
劣化の少ない成形性のよい材料の開発が強く要望されて
いた。
ール樹脂及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によって
封止したPdやPd−Au等のプレプレーティングフレ
ームを採用した半導体装置は、該プレプレーティングフ
レームと封止樹脂との接着性が著しく悪いという欠点が
あった。特に吸湿した半導体装置を赤外線(IR)リフ
ロー方式で表面実装すると、封止樹脂とリードフレー
ム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥がれが
生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線
や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体装置
は、長期間の信頼性を保証することができないという欠
点があった。このため、耐湿性の影響が少なく、半導体
装置全体のIRリフローによる表面実装を行っても耐湿
劣化の少ない成形性のよい材料の開発が強く要望されて
いた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、P
dやPd−Au等のプレプレーティングフレームとの接
着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー後の信頼性に
優れた、成形性のよい、封止用樹脂組成物および半導体
封止装置を提供しようとするものである。
を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、P
dやPd−Au等のプレプレーティングフレームとの接
着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー後の信頼性に
優れた、成形性のよい、封止用樹脂組成物および半導体
封止装置を提供しようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物にN
−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェンア
ミドを配合することによって、PdやPd−Au等のプ
レプレーティングフレームとの接着性を大幅に向上し、
上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完成し
たものである。即ち、本発明は、(A)エポキシ樹脂、
(B)ノボラック型フェノール樹脂、(C)N−オキシ
ジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミドおよ
び(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対
して、前記(C)のN−オキシジエチレン−2-ベンゾチ
アゾールスルフェンアミドを0.001 〜0.1 重量%、また
前記(D)の無機質充填剤を25〜95重量%の割合で含有
してなることを特徴とする封止用樹脂組成物である。ま
たこの封止用樹脂組成物の硬化物によって、Pd若しく
はPd−Auのプレプレーティングを施したフレームに
搭載された半導体チップを封止してなることを特徴とす
る半導体封止装置である。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物にN
−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェンア
ミドを配合することによって、PdやPd−Au等のプ
レプレーティングフレームとの接着性を大幅に向上し、
上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完成し
たものである。即ち、本発明は、(A)エポキシ樹脂、
(B)ノボラック型フェノール樹脂、(C)N−オキシ
ジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミドおよ
び(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対
して、前記(C)のN−オキシジエチレン−2-ベンゾチ
アゾールスルフェンアミドを0.001 〜0.1 重量%、また
前記(D)の無機質充填剤を25〜95重量%の割合で含有
してなることを特徴とする封止用樹脂組成物である。ま
たこの封止用樹脂組成物の硬化物によって、Pd若しく
はPd−Auのプレプレーティングを施したフレームに
搭載された半導体チップを封止してなることを特徴とす
る半導体封止装置である。
【0006】以下、本発明を詳細に説明する。
【0007】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフ
ェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族
系、また、次の一般式で示されるエポキシノボラック系
のエポキシ樹脂等が挙げられる。
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフ
ェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族
系、また、次の一般式で示されるエポキシノボラック系
のエポキシ樹脂等が挙げられる。
【0008】
【化1】 (但し、式中、R1 は水素原子、ハロゲン原子又はアル
キル基を、R2 は水素原子又はアルキル基を、nは1 以
上の整数をそれぞれ表す)これらのエポキシ樹脂は、単
独もしくは2 種以上混合して用いる。
キル基を、R2 は水素原子又はアルキル基を、nは1 以
上の整数をそれぞれ表す)これらのエポキシ樹脂は、単
独もしくは2 種以上混合して用いる。
【0009】本発明に用いる(B)ノボラック型フェノ
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類とホルムアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド等のアルデヒド類とを反応させて得られるノボラッ
ク型フェノール樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエ
ポキシ化もしくはブチル化ノボラック型フェノール樹脂
等が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしくは2 種以上
混合して用いる。ノボラック型フェノール樹脂の配合割
合は、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基(a)とノボ
ラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基(b)と
の当量比[(a)/(b)]が0.1 〜10の範囲内である
ことが望ましい。当量比が0.1 未満もしくは10を超える
と、耐熱性、耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特
性が悪くなり、いずれの場合も好ましくない。従って上
記の範囲内に限定するのが良い。本発明に用いる(C)
N−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェン
アミドは、次の構造式に示されるものである。
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類とホルムアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド等のアルデヒド類とを反応させて得られるノボラッ
ク型フェノール樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエ
ポキシ化もしくはブチル化ノボラック型フェノール樹脂
等が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしくは2 種以上
混合して用いる。ノボラック型フェノール樹脂の配合割
合は、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基(a)とノボ
ラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基(b)と
の当量比[(a)/(b)]が0.1 〜10の範囲内である
ことが望ましい。当量比が0.1 未満もしくは10を超える
と、耐熱性、耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特
性が悪くなり、いずれの場合も好ましくない。従って上
記の範囲内に限定するのが良い。本発明に用いる(C)
N−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェン
アミドは、次の構造式に示されるものである。
【0010】
【化2】
【0011】N−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾー
ルスルフェンアミドの配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して0.001 〜0.1 重量%含有することが望ましい。こ
の割合が0.001 重量%未満では、PdやPd−Au等の
プレプレーティングフレームとの接着力の向上に効果な
く、また、0.1 重量%を超えると、封止樹脂の硬化等に
悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。
ルスルフェンアミドの配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して0.001 〜0.1 重量%含有することが望ましい。こ
の割合が0.001 重量%未満では、PdやPd−Au等の
プレプレーティングフレームとの接着力の向上に効果な
く、また、0.1 重量%を超えると、封止樹脂の硬化等に
悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。
【0012】本発明に用いる(D)無機質充填剤として
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タ
ルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイ
カ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独
又は2 種以上混合して使用することができる。これらの
中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好ましく、よく
使用される。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して25〜95重量%の割合で含有することが望ま
しい。その割合が25重量%未満では、耐熱性、耐湿性、
半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、ま
た、95重量%を超えるとカサバリが大きくなり、成形性
に劣り実用に適さない。
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タ
ルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイ
カ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独
又は2 種以上混合して使用することができる。これらの
中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好ましく、よく
使用される。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して25〜95重量%の割合で含有することが望ま
しい。その割合が25重量%未満では、耐熱性、耐湿性、
半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、ま
た、95重量%を超えるとカサバリが大きくなり、成形性
に劣り実用に適さない。
【0013】本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、N−オキシジエチレ
ン−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミドおよび無機質
充填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限
度において、また必要に応じて、例えば天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド
類、エステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラ
フィン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三
酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、種々の硬化促進剤等を適宜、添加配合す
ることができる。
脂、ノボラック型フェノール樹脂、N−オキシジエチレ
ン−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミドおよび無機質
充填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限
度において、また必要に応じて、例えば天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド
類、エステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラ
フィン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三
酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、種々の硬化促進剤等を適宜、添加配合す
ることができる。
【0014】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、N−オキシジエチレ
ン−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミド、無機質充填
剤およびその他の成分を配合し、ミキサー等によって十
分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処
理又はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化
させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることがで
きる。こうして得られた成形材料は、半導体装置をはじ
めとする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁
等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させること
ができる。
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、N−オキシジエチレ
ン−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミド、無機質充填
剤およびその他の成分を配合し、ミキサー等によって十
分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処
理又はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化
させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることがで
きる。こうして得られた成形材料は、半導体装置をはじ
めとする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁
等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させること
ができる。
【0015】本発明の半導体封止装置は、上記のように
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
【0016】
【作用】本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装
置は、樹脂成分としてN−オキシジエチレン−2-ベンゾ
チアゾールスルフェンアミドを用いたことによって、目
的とする特性が得られるものである。即ち、PdやPd
−Au等のプレプレーティングフレームとの接着力を向
上させ、表面実装後のインサートと封止樹脂との接着性
の劣化を防止することができ、長期の信頼性を保証する
ことができた。
置は、樹脂成分としてN−オキシジエチレン−2-ベンゾ
チアゾールスルフェンアミドを用いたことによって、目
的とする特性が得られるものである。即ち、PdやPd
−Au等のプレプレーティングフレームとの接着力を向
上させ、表面実装後のインサートと封止樹脂との接着性
の劣化を防止することができ、長期の信頼性を保証する
ことができた。
【0017】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によって説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「%」と
は「重量%」を意味する。
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「%」と
は「重量%」を意味する。
【0018】実施例1 クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量195
)12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 )6.7 %、次の化3に示したN−オキシジエ
チレン−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミド0.01%、
)12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 )6.7 %、次の化3に示したN−オキシジエ
チレン−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミド0.01%、
【0019】
【化3】 溶融シリカ粉末80%、エステル系ワックス類 0.2%、硬
化促進剤0.19%およびシランカップリング剤0.4 %を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕
して成形材料を製造した。この成形材料を170 ℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品
(封止品)をつくった。この成形品について耐湿性等の
特性を試験したので、その結果を表1に示した。特に耐
湿性において本発明の顕著な効果が認められた。
化促進剤0.19%およびシランカップリング剤0.4 %を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕
して成形材料を製造した。この成形材料を170 ℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品
(封止品)をつくった。この成形品について耐湿性等の
特性を試験したので、その結果を表1に示した。特に耐
湿性において本発明の顕著な効果が認められた。
【0020】実施例2 ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量213 ) 5.0%
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3のN−オキシジエチレン−2-ベン
ゾチアゾールスルフェンアミド0.01%、シリカ粉末90
%、エステル系ワックス類 0.2%、硬化触媒0.14%およ
びシランカップリング剤0.5 %を実施例1と同様に混
合、混練、粉砕して成形材料を製造した。また、実施例
1と同様にして成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を
行ったのでその結果を表1に示した。特に耐湿性におい
て本発明の顕著な効果が認められた。
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3のN−オキシジエチレン−2-ベン
ゾチアゾールスルフェンアミド0.01%、シリカ粉末90
%、エステル系ワックス類 0.2%、硬化触媒0.14%およ
びシランカップリング剤0.5 %を実施例1と同様に混
合、混練、粉砕して成形材料を製造した。また、実施例
1と同様にして成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を
行ったのでその結果を表1に示した。特に耐湿性におい
て本発明の顕著な効果が認められた。
【0021】実施例3 ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量213 ) 5.0%
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3のN−オキシジエチレン−2-ベン
ゾチアゾールスルフェンアミド0.05%、硬化触媒0.14
%、シランカップリング剤0.5 %、シリカ粉末90%およ
びエステル系ワックス0.2 %を実施例1と同様に混合、
混練、粉砕して成形材料を製造した。また、実施例1と
同様にして成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を行っ
たのでその結果を表1に示した。特に耐湿性において本
発明の顕著な効果が認められた。
に、フェノールアラルキル樹脂(フェノール当量175 )
4.15%、前記した化3のN−オキシジエチレン−2-ベン
ゾチアゾールスルフェンアミド0.05%、硬化触媒0.14
%、シランカップリング剤0.5 %、シリカ粉末90%およ
びエステル系ワックス0.2 %を実施例1と同様に混合、
混練、粉砕して成形材料を製造した。また、実施例1と
同様にして成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を行っ
たのでその結果を表1に示した。特に耐湿性において本
発明の顕著な効果が認められた。
【0022】比較例 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量19
5 )12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 ) 6.7%、シリカ粉末80%、硬化促進剤0.19
%、エステル系ワックス類 0.2%およびシラン系カップ
リング剤 0.4%を混合し、実施例1と同様にして成形材
料を製造した。この成形材料を用いて成形品とし、成形
品の諸特性について実施例1と同様にして試験を行い、
その結果を表1に示した。
5 )12.5%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量104 ) 6.7%、シリカ粉末80%、硬化促進剤0.19
%、エステル系ワックス類 0.2%およびシラン系カップ
リング剤 0.4%を混合し、実施例1と同様にして成形材
料を製造した。この成形材料を用いて成形品とし、成形
品の諸特性について実施例1と同様にして試験を行い、
その結果を表1に示した。
【0023】
【表1】 *1 :トランスファー成形によって接着面積4 mm2 の
成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後硬化を行
い、剪断接着力を求めた。 *2 :トランスファー成形によって成形品をつくり、こ
れを175 ℃,8 時間の後硬化を行い、適当な大きさのテ
ストピースとし、熱機器分析装置を用いて測定した。 *3 :成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップ(テスト用素子)をPdプレ
プレーティングフレームに接着し、175 ℃で2 分間トラ
ンスファー成形して、QFP−208P,2.8 mmt の
成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後硬化を行っ
た。こうして得た成形品を予め、85℃,40%RH,168
時間の吸湿処理した後、Max240 ℃のIRリフロー炉
を4 回通した。その後、127 ℃,2.5 気圧の飽和水蒸気
中でPCTを行い、アルミニウムの腐食による断線を不
良として評価した。
成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後硬化を行
い、剪断接着力を求めた。 *2 :トランスファー成形によって成形品をつくり、こ
れを175 ℃,8 時間の後硬化を行い、適当な大きさのテ
ストピースとし、熱機器分析装置を用いて測定した。 *3 :成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップ(テスト用素子)をPdプレ
プレーティングフレームに接着し、175 ℃で2 分間トラ
ンスファー成形して、QFP−208P,2.8 mmt の
成形品をつくり、これを175 ℃,8 時間の後硬化を行っ
た。こうして得た成形品を予め、85℃,40%RH,168
時間の吸湿処理した後、Max240 ℃のIRリフロー炉
を4 回通した。その後、127 ℃,2.5 気圧の飽和水蒸気
中でPCTを行い、アルミニウムの腐食による断線を不
良として評価した。
【0024】
【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、Pd、Pd−Auメッキのインサートとの接着性に
優れ、IRリフロー後においても剥離することなく、耐
湿性に優れ、その結果、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、Pd、Pd−Auメッキのインサートとの接着性に
優れ、IRリフロー後においても剥離することなく、耐
湿性に優れ、その結果、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/31
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
型フェノール樹脂、(C)N−オキシジエチレン−2-ベ
ンゾチアゾールスルフェンアミドおよび(D)無機質充
填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)
のN−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェ
ンアミドを0.001 〜0.1 重量%、また前記(D)の無機
質充填剤を25〜95重量%の割合で含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物。 - 【請求項2】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
型フェノール樹脂、(C)N−オキシジエチレン−2-ベ
ンゾチアゾールスルフェンアミドおよび(D)無機質充
填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)
のN−オキシジエチレン−2-ベンゾチアゾールスルフェ
ンアミドを0.001 〜0.1 重量%、また前記(D)の無機
質充填剤を25〜95重量%の割合で含有した封止用樹脂組
成物の硬化物によって、Pd若しくはPd−Auのプレ
プレーティングを施したフレームに搭載された半導体チ
ップを封止してなることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18184997A JPH1112446A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18184997A JPH1112446A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1112446A true JPH1112446A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=16107905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18184997A Pending JPH1112446A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1112446A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003055438A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005263878A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
CN105308594A (zh) * | 2013-10-31 | 2016-02-03 | 富士施乐株式会社 | 信息处理设备和信息处理程序 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP18184997A patent/JPH1112446A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003055438A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP4686935B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2011-05-25 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005263878A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
CN105308594A (zh) * | 2013-10-31 | 2016-02-03 | 富士施乐株式会社 | 信息处理设备和信息处理程序 |
CN105308594B (zh) * | 2013-10-31 | 2019-11-19 | 富士施乐株式会社 | 信息处理设备和信息处理程序 |
US10489027B2 (en) | 2013-10-31 | 2019-11-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Information processing apparatus and non-transitory computer readable medium |
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