JPS61246995A - 不揮発性ランダムアクセスメモリ装置 - Google Patents
不揮発性ランダムアクセスメモリ装置Info
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- JPS61246995A JPS61246995A JP60087718A JP8771885A JPS61246995A JP S61246995 A JPS61246995 A JP S61246995A JP 60087718 A JP60087718 A JP 60087718A JP 8771885 A JP8771885 A JP 8771885A JP S61246995 A JPS61246995 A JP S61246995A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
不揮発性ランダムアクセスメモリ(RAM)装置におい
て、揮発性メモリセル部のフリップフロップの片側の出
力のみを不揮発性メモリセル部に入れ、不揮発性メモリ
セル部内でクリップフロップの他側の状態をつくること
により、フリップフロップの両側の出力を不揮発性メモ
リセル部に入れた場合と等価な回路を作成する。これに
より配置配線を片側に寄せることができ、集積回路(I
C)のパターン設計の自由度を増加させる。
て、揮発性メモリセル部のフリップフロップの片側の出
力のみを不揮発性メモリセル部に入れ、不揮発性メモリ
セル部内でクリップフロップの他側の状態をつくること
により、フリップフロップの両側の出力を不揮発性メモ
リセル部に入れた場合と等価な回路を作成する。これに
より配置配線を片側に寄せることができ、集積回路(I
C)のパターン設計の自由度を増加させる。
本発明は不揮発性ランダムアクセスメモリ装置に関し、
特に揮発性スタティックメモリセルとゲートがフローテ
ィング状態にされたトランジスタとを組み合わせること
により構成された不揮発性ランダムアクセスメモリ装置
に関する。
特に揮発性スタティックメモリセルとゲートがフローテ
ィング状態にされたトランジスタとを組み合わせること
により構成された不揮発性ランダムアクセスメモリ装置
に関する。
最近、スタティック型ランダムアクセスメモリの揮発性
メモリセルにフローティングゲート回路素子を組み合わ
せることにより不揮発性メモリセルを作成し、これを用
いて不揮発性メモリ装置を構成することが行われている
。
メモリセルにフローティングゲート回路素子を組み合わ
せることにより不揮発性メモリセルを作成し、これを用
いて不揮発性メモリ装置を構成することが行われている
。
このような不揮発性メモリ装置においては、各メモリセ
ルの回路構成が複雑になり、各メモリセルの大きさが増
し製造歩留りが減少する傾向にある。この傾向はメモリ
装置の信頼性および集積度の低下を招くので、回路構成
の工夫によりその改善が望まれている。
ルの回路構成が複雑になり、各メモリセルの大きさが増
し製造歩留りが減少する傾向にある。この傾向はメモリ
装置の信頼性および集積度の低下を招くので、回路構成
の工夫によりその改善が望まれている。
第4図は従来例による不揮発性ランダムアクセスメモリ
装置に用いられるメモリセルの回路図である。
装置に用いられるメモリセルの回路図である。
図において、このメモリセルはMIS (金属−絶縁体
一半導体)構造のFET (電界効果トランジスタ)で
構成され、トランジスタQ3、Q!、Q2、Q#で構成
される揮発性スタティックメモリセル部1と、フローテ
ィングゲートを有するトランジスタロ8等を含む不揮発
性メモリセル部3とよりなり、1ビツトのデータを記憶
する。
一半導体)構造のFET (電界効果トランジスタ)で
構成され、トランジスタQ3、Q!、Q2、Q#で構成
される揮発性スタティックメモリセル部1と、フローテ
ィングゲートを有するトランジスタロ8等を含む不揮発
性メモリセル部3とよりなり、1ビツトのデータを記憶
する。
トランジスタQ、、Q4はデプレッション型トランジス
タで、表示記号はエンハンス型トランジスタを示す通常
のトランジスタ記号に点を付して区別している。
タで、表示記号はエンハンス型トランジスタを示す通常
のトランジスタ記号に点を付して区別している。
揮発性スタティックメモリセル部1は通常の揮発性スタ
ティックランダムアクセスメモリ装置に用いられている
ものと同じフリップフロップ構成である。この揮発性ス
タティックメモリセル部1はノードN、およびN2に接
続されたトランスファゲート用トランジスタを介してワ
ード線孔、ビット線BLに接続され、データの書込、続
出が行われる。
ティックランダムアクセスメモリ装置に用いられている
ものと同じフリップフロップ構成である。この揮発性ス
タティックメモリセル部1はノードN、およびN2に接
続されたトランスファゲート用トランジスタを介してワ
ード線孔、ビット線BLに接続され、データの書込、続
出が行われる。
不揮発性メモリセル部3はトランジスタQ1、Q8およ
びQ9、キャパシタモジュールCM!、キャパシタC,
、C,およびC2、トンネルキャパシタTC,を有する
。
びQ9、キャパシタモジュールCM!、キャパシタC,
、C,およびC2、トンネルキャパシタTC,を有する
。
キャパシタモジュールCM!、トンネルキャパシタTC
,、およびキャパシタC3はMISキャパシタで、図示
の記号で表示され、デプレッション型トランジスタのソ
ースとドレインを接続したものを用いる。
,、およびキャパシタC3はMISキャパシタで、図示
の記号で表示され、デプレッション型トランジスタのソ
ースとドレインを接続したものを用いる。
キャパシタモジュールCM2は電極D4と他の電極り、
およびり、間に静電容量をもつ。
およびり、間に静電容量をもつ。
トンネルキャパシタTC,は電極間に電圧を印加すると
トンネル効果を生ずる素子で、これの静電容量はキャパ
シタモジュールCLおよびキャパシタC5の静電容量に
比べて十分小さく選択される。
トンネル効果を生ずる素子で、これの静電容量はキャパ
シタモジュールCLおよびキャパシタC5の静電容量に
比べて十分小さく選択される。
またキャパシタC4の静電容量はキャパシタC3の静電
容量に比べて十分大きく選択される。
容量に比べて十分大きく選択される。
つぎに、このメモリセルの動作を説明する。
(1) 書込(L、H)
(揮発性スタティックメモリセル部1のデータを不揮発
性メモリセル部3に転送して退避させる際の書込、ノー
ドN、が低レベル“L”、ノードN2が高レベル″H”
の場合) 揮発性スタティックメモリセル部1のクリップフロップ
が上記の状態に設定された状態で、電源電圧VCCを落
とす前に、書込電圧VHHをOvより20〜30Vに引
き上げる。このときノードN、は“L”テするからトラ
ンジスタQ、はカットオフ状態ニナっており、ノードN
zは“H”であるからトランジスタQ7はオン状態とな
ってし)る。
性メモリセル部3に転送して退避させる際の書込、ノー
ドN、が低レベル“L”、ノードN2が高レベル″H”
の場合) 揮発性スタティックメモリセル部1のクリップフロップ
が上記の状態に設定された状態で、電源電圧VCCを落
とす前に、書込電圧VHHをOvより20〜30Vに引
き上げる。このときノードN、は“L”テするからトラ
ンジスタQ、はカットオフ状態ニナっており、ノードN
zは“H”であるからトランジスタQ7はオン状態とな
ってし)る。
従って、ノードN4の電位はL″となっており、書込電
圧V。はキャパシタモジュールCM、の電極D4とり3
間の容量、電極D4と06間の容量およびトンネルキャ
パシタTC3の容量の直列回路に印加される。
圧V。はキャパシタモジュールCM、の電極D4とり3
間の容量、電極D4と06間の容量およびトンネルキャ
パシタTC3の容量の直列回路に印加される。
前述のようにキャパシタモジュールCM、の静電容1は
トンネルキャパシタTC,のそれより十分大きいから、
書込電圧Vl(Hの大部分はトンネルキャパシタTCz
に印加される。このとき、トンネル効果によりノードF
Gへ電子が注入されトランジスタQ、のフローティング
ゲートに負の電荷が蓄積され、トランジスタQ8がオフ
状態となり、揮発性スタティックメモリセル部1から不
揮発性メモリセル部3へのデータの退避が完了する。
トンネルキャパシタTC,のそれより十分大きいから、
書込電圧Vl(Hの大部分はトンネルキャパシタTCz
に印加される。このとき、トンネル効果によりノードF
Gへ電子が注入されトランジスタQ、のフローティング
ゲートに負の電荷が蓄積され、トランジスタQ8がオフ
状態となり、揮発性スタティックメモリセル部1から不
揮発性メモリセル部3へのデータの退避が完了する。
従ってトランジスタロ8はメモリトランジスタと呼ばれ
る。
る。
(2) 書込(H,L)
(ノードN、が“H”、ノードN2が“L”の場合)こ
の場合はトランジスタQqがオン、トランジスタQ7が
オフ状態になる。
の場合はトランジスタQqがオン、トランジスタQ7が
オフ状態になる。
従って、キャパシタC2、トンネルキャパシタTC2お
よびキャパシタモジュールCM!の電極口、とり1間の
容量の直列回路に書込電圧VHHが印加され、各キャパ
シタの容量の大小関係から電圧の大部分はトンネルキャ
パシタTC,に印加される。
よびキャパシタモジュールCM!の電極口、とり1間の
容量の直列回路に書込電圧VHHが印加され、各キャパ
シタの容量の大小関係から電圧の大部分はトンネルキャ
パシタTC,に印加される。
この場合はノードN4がノードFGより高電位であるか
ら、トンネル効果によりトランジスタQBのフローティ
ングゲートの電子がノードN4側に抜き取られる。従っ
てフローティングゲート、すなわちノードFGに正電荷
が蓄積され、トランジスタQ8がオン状態になり、揮発
性スタティックメモリセル部lから不揮発性メモリセル
部3へのデータの退避が完了する。
ら、トンネル効果によりトランジスタQBのフローティ
ングゲートの電子がノードN4側に抜き取られる。従っ
てフローティングゲート、すなわちノードFGに正電荷
が蓄積され、トランジスタQ8がオン状態になり、揮発
性スタティックメモリセル部lから不揮発性メモリセル
部3へのデータの退避が完了する。
(3) RCL (L、 FI)
(不揮発性メモリセル部3のデータを揮発性スタティッ
クメモリセル部1に転送するリコール(RCL) 、ノ
ードN1が“L”、ノードN2が“H”になる場合) まず、電源電圧V、いおよび書込電圧VMMがともにO
vの状態から電源電圧vceのみを5vに上昇させる。
クメモリセル部1に転送するリコール(RCL) 、ノ
ードN1が“L”、ノードN2が“H”になる場合) まず、電源電圧V、いおよび書込電圧VMMがともにO
vの状態から電源電圧vceのみを5vに上昇させる。
もしノードFGに負電荷が蓄積されておればオフ状態の
トランジスタロ、がノードN2とキャパシタC4の間を
遮断する。
トランジスタロ、がノードN2とキャパシタC4の間を
遮断する。
一方、ノードNlはキャパシタC3が接続されているた
め、負荷容量の大きいノードN、が“L”に、ノードN
2が“H”になるようにフリップフロ・ノブ回路が設定
される。
め、負荷容量の大きいノードN、が“L”に、ノードN
2が“H”になるようにフリップフロ・ノブ回路が設定
される。
(41RCL (H,L)
(ノードN+が“H”、ノードN2が“L”になる場合
) まず、電源電圧vcいおよび書込電圧VHHがともにO
vの状態から電源電圧VCCのみを5vに上昇させる。
) まず、電源電圧vcいおよび書込電圧VHHがともにO
vの状態から電源電圧VCCのみを5vに上昇させる。
もしノードFGに正電荷が蓄積されておればオン状態の
トランジスタQ、がノードN2とキャパシタC4を接続
する。
トランジスタQ、がノードN2とキャパシタC4を接続
する。
前述のようにキャパシタC4の容量はキャパシタC1の
それより十分大きく選んであるから、ノードN+が“H
”に、負荷容量の大きいノードN2が“L”になるよう
にフリップフロップ回路が設定される。
それより十分大きく選んであるから、ノードN+が“H
”に、負荷容量の大きいノードN2が“L”になるよう
にフリップフロップ回路が設定される。
不揮発性メモリセル部3は、フリップフロップの両ノー
ドN、、 NZからの情報が必要なため、すなわちトラ
ンジスタQ、のゲート入力がノードN+から、トランジ
スタロアのゲート入力がノードNtから供給されねばな
らないことから、ICのパターン設計の自由度が減少し
、パターン面積が増大するという欠点があった。
ドN、、 NZからの情報が必要なため、すなわちトラ
ンジスタQ、のゲート入力がノードN+から、トランジ
スタロアのゲート入力がノードNtから供給されねばな
らないことから、ICのパターン設計の自由度が減少し
、パターン面積が増大するという欠点があった。
上記問題点の解決は、 揮発性メモリセル部(1)と、
該揮発性メモリセル部(11の記憶情報を退避させるた
めの不揮発性メモリセル部(2)とが対になって1つの
メモリセルが構成され、 前記揮発性メモリセル部(1)は交叉接続された第1、
第2のトランジスタ(口、Q2)を有し、前記不揮発性
メモリセル部(2)は、ゲートが第1のトランジスタ(
Ql)のゲートに接続され、該揮発性メモリセル部(1
)の記憶情報に応じてオン、オフする第3のトランジス
タ(Q1)と、該第3のトランジスタ(C7)のオン、
オフに応じてオン、オフする第4のトランジスタ(Ql
)と、一方の電極(D4)がそれぞれ該第4のトランジ
スタ (Q11)へ接続された第1、第2のキャパシタ
(CM2)と、該第2のキャパシタ(CM1)の他方の
電極(D6)に一方の電極が接続され、電極間でトンネ
ル効果を生ずる第3のキャパシタ(T(、I) と、該
第3のキャパシタ(TC:l)の他方の電極に一方の電
極が接続された第4のキャパシタ(C3)と、該第2、
第3のキャパシタ(CM 、 。
該揮発性メモリセル部(11の記憶情報を退避させるた
めの不揮発性メモリセル部(2)とが対になって1つの
メモリセルが構成され、 前記揮発性メモリセル部(1)は交叉接続された第1、
第2のトランジスタ(口、Q2)を有し、前記不揮発性
メモリセル部(2)は、ゲートが第1のトランジスタ(
Ql)のゲートに接続され、該揮発性メモリセル部(1
)の記憶情報に応じてオン、オフする第3のトランジス
タ(Q1)と、該第3のトランジスタ(C7)のオン、
オフに応じてオン、オフする第4のトランジスタ(Ql
)と、一方の電極(D4)がそれぞれ該第4のトランジ
スタ (Q11)へ接続された第1、第2のキャパシタ
(CM2)と、該第2のキャパシタ(CM1)の他方の
電極(D6)に一方の電極が接続され、電極間でトンネ
ル効果を生ずる第3のキャパシタ(T(、I) と、該
第3のキャパシタ(TC:l)の他方の電極に一方の電
極が接続された第4のキャパシタ(C3)と、該第2、
第3のキャパシタ(CM 、 。
TC3)の接続点(FG)にゲートが接続され、かつ該
ゲートがフローティング状態にある第5のトランジスタ
(Q1)とを有し、かつ前記第3、第4のキャパシタ(
TC3、C5)の共通接続点(N4)は前記第3のトラ
ンジスタ(Q?)と第4のトランジスタ ([111)
に接続されてなり、 前記第1のキャパシタ(CM2)の他方の電極(D1)
と第4のキャパシタ(C2)の他方の電極とに書込電圧
(VHII)を印加することで、前記揮発性メモリセル
部(1)の記憶情報が前記不揮発性メモリセル部(2)
へ書き込まれ、 前記第5のトランジスタ(0,)からの信号を受けるこ
とによって、該不揮発性メモリセル部(2)の記憶情報
が該揮発性メモリセル部fl)ヘリコールされる本発明
による不揮発性ランダムアクセスメモリ装置により達成
される。
ゲートがフローティング状態にある第5のトランジスタ
(Q1)とを有し、かつ前記第3、第4のキャパシタ(
TC3、C5)の共通接続点(N4)は前記第3のトラ
ンジスタ(Q?)と第4のトランジスタ ([111)
に接続されてなり、 前記第1のキャパシタ(CM2)の他方の電極(D1)
と第4のキャパシタ(C2)の他方の電極とに書込電圧
(VHII)を印加することで、前記揮発性メモリセル
部(1)の記憶情報が前記不揮発性メモリセル部(2)
へ書き込まれ、 前記第5のトランジスタ(0,)からの信号を受けるこ
とによって、該不揮発性メモリセル部(2)の記憶情報
が該揮発性メモリセル部fl)ヘリコールされる本発明
による不揮発性ランダムアクセスメモリ装置により達成
される。
本発明は、フリップフロップは一方のノードのレベルが
必ず他方の逆になっていることに着目し、不揮発性メモ
リセル部と揮発性メモリセル部との情報のやりとりはノ
ードN2のみを使い、不揮発性メモリセル部内において
フリップフロップより入力されたレベルと逆のレベルを
作成して、フリップフロップの両方のノードよりの情報
を使用する従来例と等価な回路を作成したものである。
必ず他方の逆になっていることに着目し、不揮発性メモ
リセル部と揮発性メモリセル部との情報のやりとりはノ
ードN2のみを使い、不揮発性メモリセル部内において
フリップフロップより入力されたレベルと逆のレベルを
作成して、フリップフロップの両方のノードよりの情報
を使用する従来例と等価な回路を作成したものである。
不揮発性メモリセル部内における逆のレベルの作成は原
理的には入力をインバートすればよいが、ここではゲー
トがトランジスタQ7に接続され、ドレインがキャパシ
タモジュールCM2の共通電極D4に接続されるトラン
ジスタ(第1図に示されるQ。
理的には入力をインバートすればよいが、ここではゲー
トがトランジスタQ7に接続され、ドレインがキャパシ
タモジュールCM2の共通電極D4に接続されるトラン
ジスタ(第1図に示されるQ。
皿)によって実現される。
このトランジスタし、は、トランジスタQ、のオン、オ
フに応じて、オフ、オンとなり、ちょうど第4図に示さ
れる従来例のトランジスタQ9に相当していることがわ
かる。
フに応じて、オフ、オンとなり、ちょうど第4図に示さ
れる従来例のトランジスタQ9に相当していることがわ
かる。
第1図は本発明による不揮発性ランダムアクセスメモリ
装置に用いられるメモリセルのIn図である。
装置に用いられるメモリセルのIn図である。
図において、このメモリセルはトランジスタ0いC2、
口1、口、で構成される揮発性スタティックメモリセル
部1と、フローティングゲートを有するメモリトランジ
スタロ8等を含む不揮発性メモリセル部2とよりる。
口1、口、で構成される揮発性スタティックメモリセル
部1と、フローティングゲートを有するメモリトランジ
スタロ8等を含む不揮発性メモリセル部2とよりる。
揮発性スタティックメモリセル部1は第4図と全く同様
である。
である。
不揮発性メモリセル部2は第4図と略同様であるが、ト
ランジスタQ、を削除した代わりにトランジスタQ11
を接続していることが異なる。
ランジスタQ、を削除した代わりにトランジスタQ11
を接続していることが異なる。
トランジスタQl+ は、ゲートがトランジスタQ。
(ノードN4)に、ドレインがキャパシタモジュールC
M2の共通電極D4に、ソースが接地電位VSSに接続
される。
M2の共通電極D4に、ソースが接地電位VSSに接続
される。
このトランジスタQ11 は、トランジスタ0.のオン
、オフに応じて、オフ、オンとなり、ちょうど第4図に
示される従来例のトランジスタQ9の動作に相当してい
ることがわかる。
、オフに応じて、オフ、オンとなり、ちょうど第4図に
示される従来例のトランジスタQ9の動作に相当してい
ることがわかる。
つぎに、このメモリセルの動作を説明する。
ノードN2がH″の場合は、トランジスタロ、はオン、
ノードN4は”L”、トランジスタQlはオフとなり、
第4図の従来例のトランジスタΩ、がオフの場合と等価
になる。
ノードN4は”L”、トランジスタQlはオフとなり、
第4図の従来例のトランジスタΩ、がオフの場合と等価
になる。
ノードN2が“L”の場合は、トランジスタQ、はオフ
、ノードN4は“フローティングとなるが書込電圧■イ
イを上げると、キャパシタC5のカップリングによりノ
ードN4の電圧が上昇して結局“H”・トランジスタQ
l+ はオンとなり、第4図の従来例のトランジスタQ
、がオンの場合と等価になる。
、ノードN4は“フローティングとなるが書込電圧■イ
イを上げると、キャパシタC5のカップリングによりノ
ードN4の電圧が上昇して結局“H”・トランジスタQ
l+ はオンとなり、第4図の従来例のトランジスタQ
、がオンの場合と等価になる。
従って、揮発性スタティックメモリセル部lのデータを
不揮発性メモリセル部2に退避させる際の書込、逆に不
揮発性メモリセル部2のデータを揮発性スタティックメ
モリセル部1に転送するリコールの動作は第4図の従来
例と全く同様となる。
不揮発性メモリセル部2に退避させる際の書込、逆に不
揮発性メモリセル部2のデータを揮発性スタティックメ
モリセル部1に転送するリコールの動作は第4図の従来
例と全く同様となる。
第2図、第3図は本実施例の変形例を示す回路図である
。
。
この回路は第1図の不揮発性メモリセル部2の近傍を部
分的に示したものである。
分的に示したものである。
第2図の回路は、第1図の回路において、ノードN2と
メモリトランジスタQ11の間にトランジスタQ、。を
設けて、このトランジスタQlf+がリコール信号(R
CL)によりオン、オフするようにしたものである。
メモリトランジスタQ11の間にトランジスタQ、。を
設けて、このトランジスタQlf+がリコール信号(R
CL)によりオン、オフするようにしたものである。
リコール信号は不揮発性メモリセル部2のデータを揮発
性スタティックメモリセル部lに転送する場合に短時間
だけ“H”にされる。このときもしメモリトランジスタ
ロ8のフローティングゲートに正電荷が蓄積され、メモ
リトランジスタQ8がオンとなっている場合は、トラン
ジスタQ1゜が短時間オンとなることによってノードN
2の電圧を引き下げる働きをする。
性スタティックメモリセル部lに転送する場合に短時間
だけ“H”にされる。このときもしメモリトランジスタ
ロ8のフローティングゲートに正電荷が蓄積され、メモ
リトランジスタQ8がオンとなっている場合は、トラン
ジスタQ1゜が短時間オンとなることによってノードN
2の電圧を引き下げる働きをする。
第3図の回路は、第2図の回路においてキャパシタC4
を取り除いたもので、トランジスタロ8、Ql。がオン
状態のときは、キャパシタC4として無限大に近い容量
のキャパシタを挿入したのと等価となる。
を取り除いたもので、トランジスタロ8、Ql。がオン
状態のときは、キャパシタC4として無限大に近い容量
のキャパシタを挿入したのと等価となる。
これにより基板上に占めるメモリセルの占有面積を小さ
くできる。さらにトランジスタし。がカットオフしてい
るときは、メモリトランジスタQ8のドレイン電圧は低
レベルとなり、ドレインからゲートにホットエレクトロ
ンがとび込むことがなくなりフローティングゲートに蓄
積された電荷の変動が防止され、長時間にわたって安定
にデータ保持を行うことができる。
くできる。さらにトランジスタし。がカットオフしてい
るときは、メモリトランジスタQ8のドレイン電圧は低
レベルとなり、ドレインからゲートにホットエレクトロ
ンがとび込むことがなくなりフローティングゲートに蓄
積された電荷の変動が防止され、長時間にわたって安定
にデータ保持を行うことができる。
実施例では、第1、第2のキャパシタとして第5図に示
されるように、D4を共通電極とし、D5、D6を2つ
の対向電極としたキャパシタモジュールCM2を用いた
が、これの代わりに第6図、第7図に示されるように、
電極D4、D、よりなる第1のキャパシタと電極D4’
、Dsよりなる第2のキャパシタとを用い、電極D4と
り、Iを接続して用いても発明の要旨は変わらない。
されるように、D4を共通電極とし、D5、D6を2つ
の対向電極としたキャパシタモジュールCM2を用いた
が、これの代わりに第6図、第7図に示されるように、
電極D4、D、よりなる第1のキャパシタと電極D4’
、Dsよりなる第2のキャパシタとを用い、電極D4と
り、Iを接続して用いても発明の要旨は変わらない。
以上詳細に説明したように本発明によれば、不揮発性メ
モリセル部は、フリップフロップの片側のノードに接続
するだけで動作できるため、ICのパターン設計の自由
度が増大し、パターン面積が低減する。
モリセル部は、フリップフロップの片側のノードに接続
するだけで動作できるため、ICのパターン設計の自由
度が増大し、パターン面積が低減する。
第1図は本発明による不揮発性ランダムアクセスメモリ
装置に用いられるメモリセルの回路図、第2図、第3図
は本実施例の変形例を示す回路図、 第4図は従来例による不揮発性ランダムアクセスメモリ
装置に用いられるメモリセルの回路図、第5図、第6図
、第7図は第1、第2のキャパシタの種々の例を説明す
る図である。 図において、 1は揮発性スタティックメモリセル部、2は不揮発性メ
モリセル部、 札はワード線、 BLはビット線、 口い Ω2、ql、Q4、Q1、Q7、Ql。、QII
はトランジスタ、 Q8はフローティングゲートを有するメモリトランジス
タ、 CM、はキャパシタモジュール、 D6、D3、D、はキャパシタモジュールの電極、C1
、C4、C2はキャパシタ、 TC,はトンネルキャパシタ、 N1、N2、N1、N4はノード、 PGはフローティングゲートのノード *−4 vSδ 11F、り)表側の、2−yす(υ 峯2酊 5s 4(芙徒例のメン@(2) 峯3酊 千イノで≧7モジ1−ルCN2 ′+5昭 ゲ21こ代3回路(1) 峯6I!2T オ 力み W2(;代3回路(2) 寥7酊
装置に用いられるメモリセルの回路図、第2図、第3図
は本実施例の変形例を示す回路図、 第4図は従来例による不揮発性ランダムアクセスメモリ
装置に用いられるメモリセルの回路図、第5図、第6図
、第7図は第1、第2のキャパシタの種々の例を説明す
る図である。 図において、 1は揮発性スタティックメモリセル部、2は不揮発性メ
モリセル部、 札はワード線、 BLはビット線、 口い Ω2、ql、Q4、Q1、Q7、Ql。、QII
はトランジスタ、 Q8はフローティングゲートを有するメモリトランジス
タ、 CM、はキャパシタモジュール、 D6、D3、D、はキャパシタモジュールの電極、C1
、C4、C2はキャパシタ、 TC,はトンネルキャパシタ、 N1、N2、N1、N4はノード、 PGはフローティングゲートのノード *−4 vSδ 11F、り)表側の、2−yす(υ 峯2酊 5s 4(芙徒例のメン@(2) 峯3酊 千イノで≧7モジ1−ルCN2 ′+5昭 ゲ21こ代3回路(1) 峯6I!2T オ 力み W2(;代3回路(2) 寥7酊
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 揮発性メモリセル部(1)と、該揮発性メモリセル部
(1)の記憶情報を退避させるための不揮発性メモリセ
ル部(2)とが対になって1つのメモリセルが構成され
、 前記揮発性メモリセル部(1)は交叉接続された第1、
第2のトランジスタ(Q_1、Q_2)を有し、前記不
揮発性メモリセル部(2)は、ゲートが第1のトランジ
スタ(Q_1)のゲートに接続され、該揮発性メモリセ
ル部(1)の記憶情報に応じてオン、オフする第3のト
ランジスタ(Q_7)と、該第3のトランジスタ(Q_
7)のオン、オフに応じてオン、オフする第4のトラン
ジスタ(Q_1_1)と、一方の電極(D_4)がそれ
ぞれ該第4のトランジスタ(Q_1_1)へ接続された
第1、第2のキャパシタ(CM_2)と、該第2のキャ
パシタ(CM_2)の他方の電極(D_6)に一方の電
極が接続され、電極間でトンネル効果を生ずる第3のキ
ャパシタ(TC_3)と、該第3のキャパシタ(TC_
3)の他方の電極に一方の電極が接続された第4のキャ
パシタ(C_5)と、該第2、第3のキャパシタ(CM
_2、TC_3)の接続点(FG)にゲートが接続され
、かつ該ゲートがフローティング状態にある第5のトラ
ンジスタ(Q_8)とを有し、かつ前記第3、第4のキ
ャパシタ(TC_3、C_5)の共通接続点(N_4)
は前記第3のトランジスタ(U_7)と第4のトランジ
スタ(Q_1_1)に接続されてなり、 前記第1のキャパシタ(CM_2)の他方の電極(D_
5)と第4のキャパシタ(C_5)の他方の電極とに書
込電圧(V_H_H)を印加することで、前記揮発性メ
モリセル部(1)の記憶情報が前記不揮発性メモリセル
部(2)へ書き込まれ、 前記第5のトランジスタ(Q_8)からの信号を受ける
ことによって、該不揮発性メモリセル部(2)の記憶情
報が該揮発性メモリセル部(1)へリコールされること
を特徴とする不揮発性ランダムアクセスメモリ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60087718A JPS61246995A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 不揮発性ランダムアクセスメモリ装置 |
US06/858,465 US4703456A (en) | 1985-04-24 | 1986-04-23 | Non-volatile random access memory cell |
EP86303102A EP0200480A3 (en) | 1985-04-24 | 1986-04-24 | Non-volatile memory cell and non-volatile random access memory cell utilising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60087718A JPS61246995A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 不揮発性ランダムアクセスメモリ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61246995A true JPS61246995A (ja) | 1986-11-04 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60087718A Pending JPS61246995A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 不揮発性ランダムアクセスメモリ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
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EP (1) | EP0200480A3 (ja) |
JP (1) | JPS61246995A (ja) |
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- 1986-04-24 EP EP86303102A patent/EP0200480A3/en not_active Withdrawn
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