JPS61210678A - 化合物半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体装置に関する。更に詳しくは、
本発明は、チャンネル層をなす化合物半導体層を格子定
数の異なる化合物半導体層で挟むことにより、jヤンネ
ル層をなす化合物半導体層内の格子散乱を減少させて、
高電界印加状態における電子移動度を大きくした化合物
半導体装置に関する。
本発明は、チャンネル層をなす化合物半導体層を格子定
数の異なる化合物半導体層で挟むことにより、jヤンネ
ル層をなす化合物半導体層内の格子散乱を減少させて、
高電界印加状態における電子移動度を大きくした化合物
半導体装置に関する。
従来の技術
化合物半導体デバイス、特に電子デバイスの製法として
、薄い一様な層の成長、成分元素組成比の制御の容易さ
からエピタキシャル成長方法が一般的に利用されている
。なかでも、最近特に注目されている技術として、分子
線エピタキシャル成長方法(以下簡単のためにrMBE
成長法」という)が知られている。例えばW、 T、
Tsangにより日経エレクトロニクスNo、308.
163 (19’83 )において、詳細に説明されて
いる。そして、このMBE成長法を用いて作製されたマ
イクロ波素子については、たとえば、特開昭59−40
85号および特開昭58−147169号公報に記され
ている。
、薄い一様な層の成長、成分元素組成比の制御の容易さ
からエピタキシャル成長方法が一般的に利用されている
。なかでも、最近特に注目されている技術として、分子
線エピタキシャル成長方法(以下簡単のためにrMBE
成長法」という)が知られている。例えばW、 T、
Tsangにより日経エレクトロニクスNo、308.
163 (19’83 )において、詳細に説明されて
いる。そして、このMBE成長法を用いて作製されたマ
イクロ波素子については、たとえば、特開昭59−40
85号および特開昭58−147169号公報に記され
ている。
ここに、そのようなMBE成長法により作製したマイク
ロ波素子の例を第3図に示す。第3図に示す素子は、半
絶縁性GaAsの基板1を有し、その基板1の上には、
バッファ層として機能するGaAs層2が形成され、更
にその上に、チャンネル層をなすアンドープのGaAs
層3が形成されている。そのGaAs層3上には、n
−GaxAI l−XへSのような高い不純物濃度の電
子供給層4が形成され、その中央には、高濃度にp型不
純物を含有し、大きな電子親和力を有する半導体よりな
る層5が設けられ、そして、その層5の上にはゲート電
極6が形成されている。更に、層5を挾む電子供給層4
の表面領域7は合金化され、その上にソース及びドレイ
ンの電極8が形成されている。
ロ波素子の例を第3図に示す。第3図に示す素子は、半
絶縁性GaAsの基板1を有し、その基板1の上には、
バッファ層として機能するGaAs層2が形成され、更
にその上に、チャンネル層をなすアンドープのGaAs
層3が形成されている。そのGaAs層3上には、n
−GaxAI l−XへSのような高い不純物濃度の電
子供給層4が形成され、その中央には、高濃度にp型不
純物を含有し、大きな電子親和力を有する半導体よりな
る層5が設けられ、そして、その層5の上にはゲート電
極6が形成されている。更に、層5を挾む電子供給層4
の表面領域7は合金化され、その上にソース及びドレイ
ンの電極8が形成されている。
このような半導体装置において、ゲート電極6に適当な
バイアス電圧を印加すると、電子供給層4とチャンネル
層3との界面におけるチャンネル層3側に、二次元電子
ガス9が形成される。この結果、不純物イオンの少ない
チャンネル層3内の界面近傍数1OA厚のところを、多
量の電子が流れることになる。従って、電子移動度を制
限する1つの大きな要因である不純物イオン散乱が少な
く、高移動度を実現することができる。
バイアス電圧を印加すると、電子供給層4とチャンネル
層3との界面におけるチャンネル層3側に、二次元電子
ガス9が形成される。この結果、不純物イオンの少ない
チャンネル層3内の界面近傍数1OA厚のところを、多
量の電子が流れることになる。従って、電子移動度を制
限する1つの大きな要因である不純物イオン散乱が少な
く、高移動度を実現することができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような化合物半導体装置においては
、二次元電子ガスにふける電子移動度の印加電界強度依
存性が極めて大きく、低電界の場合には高移動度を実現
できるが、高電界の場合にはその移動度が著しく低下し
てしまう。このような現象は、例えば、M、 Inou
e他J、J、A、P、 22357(1983)に記述
されている。また、その1例を上記したマイクロ波素子
のようなGaAs/ n−Ga晶] 、 −XAs構造
の場合について示すと、第2図の点線の如くなる。
、二次元電子ガスにふける電子移動度の印加電界強度依
存性が極めて大きく、低電界の場合には高移動度を実現
できるが、高電界の場合にはその移動度が著しく低下し
てしまう。このような現象は、例えば、M、 Inou
e他J、J、A、P、 22357(1983)に記述
されている。また、その1例を上記したマイクロ波素子
のようなGaAs/ n−Ga晶] 、 −XAs構造
の場合について示すと、第2図の点線の如くなる。
このような高電界印加状態における半導体内での電子散
乱機構として、格子散乱が考えられる。
乱機構として、格子散乱が考えられる。
格子散乱とは、電子が高速で結晶中を移動する際に、結
晶を構成する原子の熱振動によって散乱を受ける現象で
ある。そして、電子のエネルギが大きくなると、格子散
乱が激しくなる。従って、電界を大きくして、移動電子
のエネルギが大きくなると、却って、電子移動度が低下
する。
晶を構成する原子の熱振動によって散乱を受ける現象で
ある。そして、電子のエネルギが大きくなると、格子散
乱が激しくなる。従って、電界を大きくして、移動電子
のエネルギが大きくなると、却って、電子移動度が低下
する。
そこで、本発明は、格子散乱の影響を抑えて、高電界印
加状態においても高い電子移動度を有する化合物半導体
装置を提供せんとするものである。
加状態においても高い電子移動度を有する化合物半導体
装置を提供せんとするものである。
問題点を解決するための手段
そこで、本発明者は、上記目的のために格子散乱の問題
を種々研究した。
を種々研究した。
格子散乱すなわち原子振動による散乱は、第4図に示す
ように、構成原子の種類が同じであれば、原子間隔の大
きい方向(第4図のX方向)の方が、原子間隔の小さい
方向(第4図のY方向)に比べて小さくなることは明白
である。ゆえに、第4図のような結晶構造においては、
電子はY方向よりもX方向に移動し易くなり、電子移動
度に異方性が生じる。
ように、構成原子の種類が同じであれば、原子間隔の大
きい方向(第4図のX方向)の方が、原子間隔の小さい
方向(第4図のY方向)に比べて小さくなることは明白
である。ゆえに、第4図のような結晶構造においては、
電子はY方向よりもX方向に移動し易くなり、電子移動
度に異方性が生じる。
更に、第5図に示すように、立方晶の結晶(第5図(a
))が弾性変形を受けることにより正方晶結晶(第5図
う))になった場合、ポアソンの関係で従来より良く知
られているように、正方晶結晶の格子定数a1とa2は
、弾性変形前の立方晶結晶の格子定数aに対してa、>
a、a2<aの関係にある。
))が弾性変形を受けることにより正方晶結晶(第5図
う))になった場合、ポアソンの関係で従来より良く知
られているように、正方晶結晶の格子定数a1とa2は
、弾性変形前の立方晶結晶の格子定数aに対してa、>
a、a2<aの関係にある。
ゆえに、第5図ら)の正方晶結晶において、X方向に移
動する電子は、弾性変形する前の立方晶結晶内の電子に
比べて、格子散乱を受けにくい。従って、正方品結晶内
のX方向の電子移動度は、弾性変形前の立方晶結晶内の
電子移動度に比べて高くなることが明白である。
動する電子は、弾性変形する前の立方晶結晶内の電子に
比べて、格子散乱を受けにくい。従って、正方品結晶内
のX方向の電子移動度は、弾性変形前の立方晶結晶内の
電子移動度に比べて高くなることが明白である。
しかし、従来の化合物半導体装置においては、各層を構
成する化合物半導体層を如何にして格子整合させるかに
多大な努力を重ねてきた。そのため、現在、格子定数が
ほとんど同じ化合物半導体薄膜を多層形成することがで
き、現在の化合物半導体装置は、そのように格子定数が
ほとんど同じ化合物半導体層で構成されている。そのた
め、チャンネル層をなす化合物半導体層では、その本来
の結晶格子の大きさにより格子散乱が自ずと決ってしま
い、格子散乱の問題を解消または抑えることはできなか
った。
成する化合物半導体層を如何にして格子整合させるかに
多大な努力を重ねてきた。そのため、現在、格子定数が
ほとんど同じ化合物半導体薄膜を多層形成することがで
き、現在の化合物半導体装置は、そのように格子定数が
ほとんど同じ化合物半導体層で構成されている。そのた
め、チャンネル層をなす化合物半導体層では、その本来
の結晶格子の大きさにより格子散乱が自ずと決ってしま
い、格子散乱の問題を解消または抑えることはできなか
った。
一方、MBE成長法または有機金属気相成長法などを用
いると、格子定数の異なる化合物半導体薄膜を、その薄
膜内に転位などの欠陥を導入することなく、エピタキシ
ャル成長させることが可能である(M、 J、 Lud
owise他、A、 P、 l4.42 (1983)
487また(まG、C,0sbournイ也、八、
P、L、41 (19B2) 172 )。
いると、格子定数の異なる化合物半導体薄膜を、その薄
膜内に転位などの欠陥を導入することなく、エピタキシ
ャル成長させることが可能である(M、 J、 Lud
owise他、A、 P、 l4.42 (1983)
487また(まG、C,0sbournイ也、八、
P、L、41 (19B2) 172 )。
また、格子定数の異なる化合物半導体を、転位などの欠
陥が入らない程度に薄くエピタキシャル成長させた場合
、その界面近傍では弾性歪みにより結晶格子が正方晶変
形していることが、J、 八、 P:45、 No、
9 、 (1974) 3789などに記述されて
いる。
陥が入らない程度に薄くエピタキシャル成長させた場合
、その界面近傍では弾性歪みにより結晶格子が正方晶変
形していることが、J、 八、 P:45、 No、
9 、 (1974) 3789などに記述されて
いる。
そこで、このような界面近傍のみの弾性歪みに基く結晶
格子の正方晶変形を化合物半導体装置のチャンネル層に
応用することによって、高電界印加状態での電子の移動
度を大きくするような半導体装置が実現可能である。
格子の正方晶変形を化合物半導体装置のチャンネル層に
応用することによって、高電界印加状態での電子の移動
度を大きくするような半導体装置が実現可能である。
本発明は、かかる知見に基づく研究の結果なされたもの
である。すなわち、本発明によるならば、基板と、該基
板上に形成された高抵抗化合物半導体の第1の層と、該
第1の層上に形成された化合物半導体からなり且つチャ
ンネル層として機能する第2の層と、該第2の層上に一
導電型の化合物半導体で形成された第3の層とを具備し
、前記第2の層の化合物半導体は、前記第1及び第3の
層の化合物半導体の格子定数より大きい格子定数を有し
ていることを特徴とする化合物半導体装置が提供される
。
である。すなわち、本発明によるならば、基板と、該基
板上に形成された高抵抗化合物半導体の第1の層と、該
第1の層上に形成された化合物半導体からなり且つチャ
ンネル層として機能する第2の層と、該第2の層上に一
導電型の化合物半導体で形成された第3の層とを具備し
、前記第2の層の化合物半導体は、前記第1及び第3の
層の化合物半導体の格子定数より大きい格子定数を有し
ていることを特徴とする化合物半導体装置が提供される
。
咋月
以上のような化合物半導体装置においては、第1と第3
の層により第2の層内に結晶格子の弾性歪みが生じ、第
2の層の化合物半導体の立方晶格子が、その弾性歪みに
より正方晶格子に変形させられる。そのため、第5図ら
)に示す格子配列図を参照して説明するならば、第2の
層と第3の層との界面に垂直なY方向に沿った格子間隔
が、平行なX方向に沿った格子間隔より大きくなる。そ
の結果、第2の層内における電子移動度が、第2の層と
第3の層との界面に垂直なY方向に比べて、平行なX方
向の方が高くなり、第2の層と第3の層との界面に平行
な方向に第2の層内を電子が移動する場合の格子散乱の
影響を減少することができる。従って、高電界印加状態
における電子移動度を従来の化合物半導体装置に比較し
て高く維持することができる。
の層により第2の層内に結晶格子の弾性歪みが生じ、第
2の層の化合物半導体の立方晶格子が、その弾性歪みに
より正方晶格子に変形させられる。そのため、第5図ら
)に示す格子配列図を参照して説明するならば、第2の
層と第3の層との界面に垂直なY方向に沿った格子間隔
が、平行なX方向に沿った格子間隔より大きくなる。そ
の結果、第2の層内における電子移動度が、第2の層と
第3の層との界面に垂直なY方向に比べて、平行なX方
向の方が高くなり、第2の層と第3の層との界面に平行
な方向に第2の層内を電子が移動する場合の格子散乱の
影響を減少することができる。従って、高電界印加状態
における電子移動度を従来の化合物半導体装置に比較し
て高く維持することができる。
実施例
以下に図面を参照して本発明について詳細に説明する。
第1図は、本発明による化合物半導体装置の実施例を図
解した断面図である。なお、第1図は、本発明を電界効
果トランジスタ(以下FETと略す)として実施した例
を示している。
解した断面図である。なお、第1図は、本発明を電界効
果トランジスタ(以下FETと略す)として実施した例
を示している。
第1図に示すFETは、半絶縁性Ga八へ基板10上に
、114B、E成長法を用いて形成された高抵抗のGa
Asエピタキシャル層11(キャリア密度Nは3xlQ
14cm−3)を有している。そして、その高抵抗Ga
AS層11上には、MBE成長法により、In八へエピ
タキシャル層12(N−=5X、10110l5’)が
約200人の厚さに形成されている。更に、そのInA
snAs上には、ノンドープでn−型のGao、 を八
1゜、3八Sのスペーサ層13が、同様にMBE成長法
により、約50への厚さに形成され、最後にS1ドープ
のGao、 7^1o、 3八S層14(N= 1 x
lQI7〜l Xl018cm−3)が、MBE成長法
により形成されている。
、114B、E成長法を用いて形成された高抵抗のGa
Asエピタキシャル層11(キャリア密度Nは3xlQ
14cm−3)を有している。そして、その高抵抗Ga
AS層11上には、MBE成長法により、In八へエピ
タキシャル層12(N−=5X、10110l5’)が
約200人の厚さに形成されている。更に、そのInA
snAs上には、ノンドープでn−型のGao、 を八
1゜、3八Sのスペーサ層13が、同様にMBE成長法
により、約50への厚さに形成され、最後にS1ドープ
のGao、 7^1o、 3八S層14(N= 1 x
lQI7〜l Xl018cm−3)が、MBE成長法
により形成されている。
MBE成長した試料の最表面には、AnGeNi合金を
用いて、Gao、 7八1゜、3八S層14との間1ご
オーミ・ツク接合を形成するようにソース電極15なら
びにドレイン電極16が設けられている。またA1金属
を用いてGao、 7八I。3AS層14との間にショ
ットキー接合を形成するようにゲート電極17が設けら
れている。
用いて、Gao、 7八1゜、3八S層14との間1ご
オーミ・ツク接合を形成するようにソース電極15なら
びにドレイン電極16が設けられている。またA1金属
を用いてGao、 7八I。3AS層14との間にショ
ットキー接合を形成するようにゲート電極17が設けら
れている。
以上のようなFETの構造において、格子定数は、In
Asが6.058 Aで、GaAsが5.654人で、
AlAsが5、662人である。従って、InAs層1
2は、格子定数がGaAsやGaXAl+ −11^s
(GaAsとAlAsとが共存する)に比べて著しく
大きい。そのため、Ga、AI。、As層とInAs層
の界面近傍において、InAsは、立方晶格子を、弾性
歪みにより正方晶に変形させられている。
Asが6.058 Aで、GaAsが5.654人で、
AlAsが5、662人である。従って、InAs層1
2は、格子定数がGaAsやGaXAl+ −11^s
(GaAsとAlAsとが共存する)に比べて著しく
大きい。そのため、Ga、AI。、As層とInAs層
の界面近傍において、InAsは、立方晶格子を、弾性
歪みにより正方晶に変形させられている。
そして、このようなFET構造において、ゲート電極に
加える電圧を制御することにより、最上層のGao、
7^1o、 3As層14を完全に空乏化することがで
き、また、GaAs基板10ならびにGaAsエピタキ
シャル層11は高抵抗であることから、InAs層12
のみをチャンネル層としたFETが得られた。
加える電圧を制御することにより、最上層のGao、
7^1o、 3As層14を完全に空乏化することがで
き、また、GaAs基板10ならびにGaAsエピタキ
シャル層11は高抵抗であることから、InAs層12
のみをチャンネル層としたFETが得られた。
さらに、第1図に示したような断面構造を有するエピタ
キシャル試料について、その電子移動度の印加電界強度
依存性を調べたところ、第2図の実線のようであった。
キシャル試料について、その電子移動度の印加電界強度
依存性を調べたところ、第2図の実線のようであった。
第2図において実線と点線導体装置は、高電界領域での
電子移動度が従来のものに比べて約2倍増大しているこ
とが分かるであろう。
電子移動度が従来のものに比べて約2倍増大しているこ
とが分かるであろう。
また、上記実施例と同様な構成で、InAsエピタキシ
ャル層の厚さを約2OAから約200人の間で変えたと
ころ、同様な結果が得られた。
ャル層の厚さを約2OAから約200人の間で変えたと
ころ、同様な結果が得られた。
なお、上記実施例において、弾性変形を受ける層として
InAsを使用し、それを両側から挟む層として、Ga
As及びGaAl八sをへ用した。しかし、弾性変形を
受けるチャンネル層と、それを両側から挟む層とは、上
記した実施例の組合せに限られるものではなく、他の組
合せも可能である。例えば、格子定数の大きな化合物半
導体としては、InAsの他に、GaSb (6,09
5人)などがあり、また、格子定数の小さな化合物半導
体としては、GaAsのほかに、Ga P (5,45
1人) 、InP’(5,869人)などがある。それ
らを適当に組合せて2元系、3元系、4元系の化合物半
導体を形成して、格子定数の高い層を格子定数の低いチ
ャンネル層で挟んで、その格子窓数の高い層を弾性変形
することができる。
InAsを使用し、それを両側から挟む層として、Ga
As及びGaAl八sをへ用した。しかし、弾性変形を
受けるチャンネル層と、それを両側から挟む層とは、上
記した実施例の組合せに限られるものではなく、他の組
合せも可能である。例えば、格子定数の大きな化合物半
導体としては、InAsの他に、GaSb (6,09
5人)などがあり、また、格子定数の小さな化合物半導
体としては、GaAsのほかに、Ga P (5,45
1人) 、InP’(5,869人)などがある。それ
らを適当に組合せて2元系、3元系、4元系の化合物半
導体を形成して、格子定数の高い層を格子定数の低いチ
ャンネル層で挟んで、その格子窓数の高い層を弾性変形
することができる。
発明の効果
本発明の化合物半導体装置によれば、チャンネル層をな
す化合物半導体よりも格子定数の小さな化合物半導体の
層でチャンネル層が挟まれ、そのチャンネル層の化合物
半導体に弾性変形が生じ、結晶構造が立方晶から正方晶
に変わり、チャンネル層においてその隣接層との界面に
平行な方向に電子が移動する際の格子散乱が減少し、界
面に垂直な方向に比べて平行な方向の電子移動度が高く
なされている。従って、従来の化合物半導体装置に比較
して、高電界印加状態での電子移動度が速く、高動作範
囲において安定した高速性を有する半導体装置が実現で
きる。
す化合物半導体よりも格子定数の小さな化合物半導体の
層でチャンネル層が挟まれ、そのチャンネル層の化合物
半導体に弾性変形が生じ、結晶構造が立方晶から正方晶
に変わり、チャンネル層においてその隣接層との界面に
平行な方向に電子が移動する際の格子散乱が減少し、界
面に垂直な方向に比べて平行な方向の電子移動度が高く
なされている。従って、従来の化合物半導体装置に比較
して、高電界印加状態での電子移動度が速く、高動作範
囲において安定した高速性を有する半導体装置が実現で
きる。
第1図は、本発明による化合物半導体装置を実施したF
ETの概略断面図、 第2図は、本発明による化合物半導体装置と従来の化合
物半導体装置における電子移動度の印加電界強度依存性
の測定結果を示すグラフ、第3図は、従来の高電子移動
度FETの概略断面図、 第4図は、原子振動による散乱の度合いの異方性を説明
するための図、 第5図(a)は、立方晶結晶の概略図、第5図(b)は
正方晶結晶の概略図である。 〔主な参照番号〕 1.10・・半絶縁性Ga八へ基板、 2・・GaAsバッファ層、 3・・GaAsチャンネル層、 4・・電子供給層、 6・・ゲート電極、 7・・合金化領域、 8・・ソース電極、ドレイン電極、 9・・二次元電子ガス、 11・◆高抵抗エピタキシャルGaAs層、12・・エ
ピタキシャルInAs層、 13・・ノンドープn−型Gao、 7AI[1,3A
Sスペ一サ層、14・・S1ドープGao、 7A]o
、 GAS層、15・・ソース電極、 16・・ドレイン電極、 17・・ゲート電極
ETの概略断面図、 第2図は、本発明による化合物半導体装置と従来の化合
物半導体装置における電子移動度の印加電界強度依存性
の測定結果を示すグラフ、第3図は、従来の高電子移動
度FETの概略断面図、 第4図は、原子振動による散乱の度合いの異方性を説明
するための図、 第5図(a)は、立方晶結晶の概略図、第5図(b)は
正方晶結晶の概略図である。 〔主な参照番号〕 1.10・・半絶縁性Ga八へ基板、 2・・GaAsバッファ層、 3・・GaAsチャンネル層、 4・・電子供給層、 6・・ゲート電極、 7・・合金化領域、 8・・ソース電極、ドレイン電極、 9・・二次元電子ガス、 11・◆高抵抗エピタキシャルGaAs層、12・・エ
ピタキシャルInAs層、 13・・ノンドープn−型Gao、 7AI[1,3A
Sスペ一サ層、14・・S1ドープGao、 7A]o
、 GAS層、15・・ソース電極、 16・・ドレイン電極、 17・・ゲート電極
Claims (2)
- (1)基板と、該基板上に形成された高抵抗化合物半導
体の第1の層と、該第1の層上に形成された化合物半導
体からなり且つチャンネル層として機能する第2の層と
、該第2の層上に一導電型の化合物半導体で形成された
第3の層とを具備し、前記第2の層の化合物半導体は、
前記第1及び第3の層の化合物半導体の格子定数より大
きい格子定数を有しており、前記第1と第3の層により
前記第2の層内の結晶格子に弾性歪みが生じ、前記第2
の層内における電子移動度が、該第2の層と前記第3の
層との界面に垂直な方向に比べて、平行な方向が高くな
るようしたことを特徴とする化合物半導体装置。 - (2)前記基板は、半絶縁性GaAsで形成され、前記
第1の層は、前記基板上にエピタキシャル成長された高
抵抗GaAsであり、前記第2の層は、第1の層上にエ
ピタキシャル成長された20〜200Å厚のInAs層
であり、前記第3の層は、前記第2の層上に形成された
n型のGa_xAl_1_−_xAs層であることを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の化合物半導体
装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5202485A JPS61210678A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 化合物半導体装置 |
CA000504069A CA1256590A (en) | 1985-03-15 | 1986-03-13 | Compound semiconductor device with layers having different lattice constants |
EP86103425A EP0196517B1 (en) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | Compound semiconductor device |
DE8686103425T DE3672360D1 (de) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | Verbindungshalbleiterbauelement. |
AU54742/86A AU577934B2 (en) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | Compound semiconductor device |
KR1019860001897A KR860007745A (ko) | 1985-03-15 | 1986-03-15 | 화합물 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5202485A JPS61210678A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 化合物半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61210678A true JPS61210678A (ja) | 1986-09-18 |
JPH035059B2 JPH035059B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=12903242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5202485A Granted JPS61210678A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61210678A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61232669A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
US6291842B1 (en) | 1998-03-12 | 2001-09-18 | Nec Corporation | Field effect transistor |
US6400850B1 (en) | 1998-04-15 | 2002-06-04 | Nec Corporation | Apparatus and method for scientific visualization |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP5202485A patent/JPS61210678A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61232669A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
US6291842B1 (en) | 1998-03-12 | 2001-09-18 | Nec Corporation | Field effect transistor |
US6400850B1 (en) | 1998-04-15 | 2002-06-04 | Nec Corporation | Apparatus and method for scientific visualization |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH035059B2 (ja) | 1991-01-24 |
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