JPS61210675A - 化合物半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体装置に関する。更に詳しくは、
本発明は、チャラネ２１層をなす化合物半導体層を格子
定数の異なる化合物半導体層で挟むことにより、チャン
ネル層をなす化合物半導体層内の格子散乱を減少させて
、高電界印加状態における電子移動度を大きくした化合
物半導体装置に関する。
本発明は、チャラネ２１層をなす化合物半導体層を格子
定数の異なる化合物半導体層で挟むことにより、チャン
ネル層をなす化合物半導体層内の格子散乱を減少させて
、高電界印加状態における電子移動度を大きくした化合
物半導体装置に関する。
従来の技術
化合物半導体デバイス、特に電子デバイスの製法として
、薄い一様な層の成長、成分元素組成比の制御の容易さ
からエピタキシャル成長方法が一般的に利用されている
。なかでも、最近特に注目されている技術として、分子
線エピタキシャル成長方法（以下簡単のためにｒＭＢＥ
成長法」という）が知られている。例えばＷ、Ｔ、Ｔｓ
ａｎｇにより日経エレクトロニクスＮｏ、３０８．１６
３ （１９８３）において、詳細に説明されている。そ
して、このＭＢＥ成長法を用いて作製されたマイクロ波
素子については、たとえば、特開昭５９−４０８５号お
よび特開昭５８＝１４７１６９号公報に記されている。
、薄い一様な層の成長、成分元素組成比の制御の容易さ
からエピタキシャル成長方法が一般的に利用されている
。なかでも、最近特に注目されている技術として、分子
線エピタキシャル成長方法（以下簡単のためにｒＭＢＥ
成長法」という）が知られている。例えばＷ、Ｔ、Ｔｓ
ａｎｇにより日経エレクトロニクスＮｏ、３０８．１６
３ （１９８３）において、詳細に説明されている。そ
して、このＭＢＥ成長法を用いて作製されたマイクロ波
素子については、たとえば、特開昭５９−４０８５号お
よび特開昭５８＝１４７１６９号公報に記されている。
ここに、そのようなＭＢＥ成長法により作製したマイク
ロ波素子の例を第３図に示す。第３図に示す素子は、半
絶縁性ＧａＡｓの基板１を有し、その基板１の上には、
バッファ層として機能するＧａＡｓ層２が形成され、更
にその上に、チャンネル層をなすアンドープのＧａＡｓ
層３が形成されている。そのＧａＡｓ層３上には、ｎ
−ＧａＪｌ ＋−，ＩＡｓのような高い不純物濃度の電
子供給層４が形成され、その中央には、高濃度にｐ型不
純物を含有し、大きな電子親和力を有する半導体よりな
る層５が設けられ、そして、その層５の上にはゲート電
極６が形成されている。更に、層５を挟む電子供給層４
の表面領域７は合金化され、その上にソース及びドレイ
ンの電極８が形成されている。
ロ波素子の例を第３図に示す。第３図に示す素子は、半
絶縁性ＧａＡｓの基板１を有し、その基板１の上には、
バッファ層として機能するＧａＡｓ層２が形成され、更
にその上に、チャンネル層をなすアンドープのＧａＡｓ
層３が形成されている。そのＧａＡｓ層３上には、ｎ
−ＧａＪｌ ＋−，ＩＡｓのような高い不純物濃度の電
子供給層４が形成され、その中央には、高濃度にｐ型不
純物を含有し、大きな電子親和力を有する半導体よりな
る層５が設けられ、そして、その層５の上にはゲート電
極６が形成されている。更に、層５を挟む電子供給層４
の表面領域７は合金化され、その上にソース及びドレイ
ンの電極８が形成されている。
このような半導体装置において、ゲート電極６に適当な
バイアス電圧を印加すると、電子供給層４とチャンネル
層３との界面におけるチャンネル層３側に、二次元電子
ガス９が形成される。この結果、不純物イオンの少ない
チャンネル層３内の界面近傍数１ＯＡ厚のところを、多
量の電子が流れることになる。従って、電子移動度を制
限する１つの大きな要因である不純物イオン散乱が少な
く、高移動度を実現することができる。
バイアス電圧を印加すると、電子供給層４とチャンネル
層３との界面におけるチャンネル層３側に、二次元電子
ガス９が形成される。この結果、不純物イオンの少ない
チャンネル層３内の界面近傍数１ＯＡ厚のところを、多
量の電子が流れることになる。従って、電子移動度を制
限する１つの大きな要因である不純物イオン散乱が少な
く、高移動度を実現することができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような化合物半導体装置においては
、二次元電子ガスにおける電子移動度の印加電界強度依
存性が極めて大きく、低電界の場合には高移動度を実現
できるが、高電界の場合にはその移動度が著しく低下し
てしまう。このような現象は、例えば、Ｍ、 Ｉｎｏ
ｕｅ他Ｊ、 Ｊ、八、Ｐ、 ２２３５７（１９８３）に
記述されている。また、その１例を上記したマイクロ波
素子のようなＧａＡｓ層 ｎ −ＧａＸＡ１１−＞ｌＡ
８構造の場合について示すと、第２図の点線の如くなる
。
、二次元電子ガスにおける電子移動度の印加電界強度依
存性が極めて大きく、低電界の場合には高移動度を実現
できるが、高電界の場合にはその移動度が著しく低下し
てしまう。このような現象は、例えば、Ｍ、 Ｉｎｏ
ｕｅ他Ｊ、 Ｊ、八、Ｐ、 ２２３５７（１９８３）に
記述されている。また、その１例を上記したマイクロ波
素子のようなＧａＡｓ層 ｎ −ＧａＸＡ１１−＞ｌＡ
８構造の場合について示すと、第２図の点線の如くなる
。
このような高電界印加状態における半導体内での電子散
乱機構として、格子散乱が考えられる。
乱機構として、格子散乱が考えられる。
格子散乱とは、電子が高速で結晶中を移動する際に、結
晶を構成する原子の熱振動によって散乱を受ける現象で
ある。そして、電子のエネルギが大きくなると、格子散
乱が激しくなる。従って、電界を大きくして、移動電子
のエネルギが大きくな−ると、却って、電子移動度が低
下する。
晶を構成する原子の熱振動によって散乱を受ける現象で
ある。そして、電子のエネルギが大きくなると、格子散
乱が激しくなる。従って、電界を大きくして、移動電子
のエネルギが大きくな−ると、却って、電子移動度が低
下する。
そこで、本発明は、格子散乱の影響を抑えて、高電界印
加状態においても高い電子移動度を有する化合物半導体
装置を提供せんとするものである。
加状態においても高い電子移動度を有する化合物半導体
装置を提供せんとするものである。
問題点を解決するための手段
そこで、本発明者は、上記目的のために格子散乱の問題
を種々研究した。
を種々研究した。
格子散乱すなわち原子振動による散乱は、第４図に示す
ように、構成原子の種類が同じであれば、原子間隔の大
きい方向（第４図のＸ方向）の方が、原子間隔の小さい
方向（第４図のＹ方向）に比べて小さくなることは明白
である。ゆえに、第４図のような結晶構造においては、
電子はＹ方向よりもＸ方向に移動し易くなり、電子移動
度に異方性が生じる。
ように、構成原子の種類が同じであれば、原子間隔の大
きい方向（第４図のＸ方向）の方が、原子間隔の小さい
方向（第４図のＹ方向）に比べて小さくなることは明白
である。ゆえに、第４図のような結晶構造においては、
電子はＹ方向よりもＸ方向に移動し易くなり、電子移動
度に異方性が生じる。
更に、第５図に示すように、立方晶の結晶（第５図（ａ
））が弾性変形を受けることにより正方晶結晶（第５図
Ｑ）））になった場合、ポアソンの関係で従来より良く
知られているように、正方晶結晶の格子定数ａ１とａ２
１訳弾性変形前の立方晶結晶の格子定数ａに対してａ
ｌ＞ ａ ｚ ａ ２ ＜ ａの関係にある。
））が弾性変形を受けることにより正方晶結晶（第５図
Ｑ）））になった場合、ポアソンの関係で従来より良く
知られているように、正方晶結晶の格子定数ａ１とａ２
１訳弾性変形前の立方晶結晶の格子定数ａに対してａ
ｌ＞ ａ ｚ ａ ２ ＜ ａの関係にある。
ゆえに、第５図ら）の正方晶結晶において、Ｘ方向に移
動する電子は、弾性変形する前の立方晶結晶内の電子に
比べて、格子散乱を受けにくい。従って、正方晶結晶内
のＸ方向の電子移動度は、弾性変形前の立方晶結晶内の
電子移動度に比べて高くなることが明白である。
動する電子は、弾性変形する前の立方晶結晶内の電子に
比べて、格子散乱を受けにくい。従って、正方晶結晶内
のＸ方向の電子移動度は、弾性変形前の立方晶結晶内の
電子移動度に比べて高くなることが明白である。
しかし、従来の化合物半導体装置においては、各層を構
成する化合物半導体層を如何にして格子整合させるかに
多大な努力を重ねてきた。そのため、現在、格子定数が
ほとんど同じ化合物半導体薄膜を多層形成することがで
き、現在の化合物半導体装置は、そのように格子定数が
ほとんど同じ化合物半導体層で構成されている。そのた
め、チャンネル層をなす化合物半導体層では、その本来
の結晶格子の大きさにより格子散乱が自ずと決ってしま
い、格子散乱の問題を解消または抑えることはできなか
った。
成する化合物半導体層を如何にして格子整合させるかに
多大な努力を重ねてきた。そのため、現在、格子定数が
ほとんど同じ化合物半導体薄膜を多層形成することがで
き、現在の化合物半導体装置は、そのように格子定数が
ほとんど同じ化合物半導体層で構成されている。そのた
め、チャンネル層をなす化合物半導体層では、その本来
の結晶格子の大きさにより格子散乱が自ずと決ってしま
い、格子散乱の問題を解消または抑えることはできなか
った。
一方、ＭＢＥ成長法または有機金属気相成長法などを用
いると、格子定数の異なる化合物半導体薄膜を、その薄
膜内に転位などの欠陥を導入することなく、エピタキシ
ャル成長させることが可能である（Ｍ、 Ｊ、 Ｌｕｄ
ｏｗｉｓｅ他、Ａ、Ｐ、Ｌ、４２ （１９８３） ４
Ｂ？またはＧ、 Ｃｌ０ｓｂｏｕｒｎ他、＾、Ｐ、Ｌ、
４１ （１９８２） １７２ ”）。
いると、格子定数の異なる化合物半導体薄膜を、その薄
膜内に転位などの欠陥を導入することなく、エピタキシ
ャル成長させることが可能である（Ｍ、 Ｊ、 Ｌｕｄ
ｏｗｉｓｅ他、Ａ、Ｐ、Ｌ、４２ （１９８３） ４
Ｂ？またはＧ、 Ｃｌ０ｓｂｏｕｒｎ他、＾、Ｐ、Ｌ、
４１ （１９８２） １７２ ”）。
また、格子定数の異なる化合物半導体を、転位などの欠
陥が入らない程度に薄くエピタキシャル成長させた場合
、その界面近傍では弾性歪みにより結晶格子が正方晶変
形していることが、Ｊ、 八、 Ｐ。
陥が入らない程度に薄くエピタキシャル成長させた場合
、その界面近傍では弾性歪みにより結晶格子が正方晶変
形していることが、Ｊ、 八、 Ｐ。
４５、 Ｎｏ、 ９ 、 （１９７４） ３７８９
などに記述されている。
などに記述されている。
そこで、このような界面近傍のみの弾性歪みに基く結晶
格子の正方晶変形を化合物半導体装置のチャンネル層に
応用することによって、高電界印加状態での電子の移動
度を大きくするような半導体装置が実現可能である。
格子の正方晶変形を化合物半導体装置のチャンネル層に
応用することによって、高電界印加状態での電子の移動
度を大きくするような半導体装置が実現可能である。
本発明は、かかる知見に基づく研究の結果なされたもの
である。すなわち、本発明によるならば、基板と、該基
板上に形成された高抵抗ＧａＡｓの第１の層と、該第１
の層上に形成されたＩｎＳｂからなり且つチャンネル層
として機能する第２の層と、該第２の層上に一導電型の
Ｇａ、へＩＩ−ＸへＳで形成された第３の層とを具備し
、前記第２の層の化合物半導体は、前記第１及び第３の
層の化合物半導体の格子定数より大きい格子定数を有し
ていることを特徴とする化合物半導体装置が提供される
。
である。すなわち、本発明によるならば、基板と、該基
板上に形成された高抵抗ＧａＡｓの第１の層と、該第１
の層上に形成されたＩｎＳｂからなり且つチャンネル層
として機能する第２の層と、該第２の層上に一導電型の
Ｇａ、へＩＩ−ＸへＳで形成された第３の層とを具備し
、前記第２の層の化合物半導体は、前記第１及び第３の
層の化合物半導体の格子定数より大きい格子定数を有し
ていることを特徴とする化合物半導体装置が提供される
。
弁組
以上のような化合物半導体装置においては、Ｉｎ５ｂは
、ＧａＡｓやＧａ八へＡｓに比較して著しく格子定数が
大きい。そのため、第１と第３の層により第２の層内の
結晶格子に大きな弾性歪みが生じ、第２の層の化合物半
導体の立方晶格子が、その弾性歪みにより正方晶格子に
変形させられる。そのため、第５図（ｂ）に示す格子配
列図を参照して説明するならば、第２の層と第３の層と
の界面に垂直なＹ方向に沿った格子間隔が、平行なＸ方
向に沿った格子間隔より大きくなる。その結果、第２の
層内における電子移動度が、第２の層と第３の層との界
面に垂直なＹ方向に比べて、平行なＸ方向の方が高くな
り、第２の層と第３の層との界面に平行な方向に第２の
層内を電子が移動する場合の格子散乱の影響を減少する
ことができる。従って、高電界印加状態における電子移
動度を従来の化合物半導体装置に仕較して高く維持する
ことができる。
、ＧａＡｓやＧａ八へＡｓに比較して著しく格子定数が
大きい。そのため、第１と第３の層により第２の層内の
結晶格子に大きな弾性歪みが生じ、第２の層の化合物半
導体の立方晶格子が、その弾性歪みにより正方晶格子に
変形させられる。そのため、第５図（ｂ）に示す格子配
列図を参照して説明するならば、第２の層と第３の層と
の界面に垂直なＹ方向に沿った格子間隔が、平行なＸ方
向に沿った格子間隔より大きくなる。その結果、第２の
層内における電子移動度が、第２の層と第３の層との界
面に垂直なＹ方向に比べて、平行なＸ方向の方が高くな
り、第２の層と第３の層との界面に平行な方向に第２の
層内を電子が移動する場合の格子散乱の影響を減少する
ことができる。従って、高電界印加状態における電子移
動度を従来の化合物半導体装置に仕較して高く維持する
ことができる。
実施例
以下に図面を参照して本発明について詳細に説明する。
第１図は、本発明による化合物半導体装置の実施例を図
解した断面図である。なお、第１図は、本発明を電界効
果トランジスタ（以下ＦＥＴと略す）として実施した例
を示している。
解した断面図である。なお、第１図は、本発明を電界効
果トランジスタ（以下ＦＥＴと略す）として実施した例
を示している。
第１図に示すＦＥＴは、半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌＯ上に
、ＭＢＥ成長法を用いて形成された高抵抗のＧａ八へエ
ピタキシャル層１１ （キャリア密度Ｎは３ Ｘ１０口
ｃｍ−３）を有している。そして、その高抵抗ＧａＡｓ
層１１上には、ＭＢＥ成長法により、ＩｎＳｂエピタキ
シャル層１２ （Ｎ＝ ５ Ｘｌ［１１５ｃｍ−３）が
約２００人の厚さに形成されている。更に、そのＩｎＳ
ｂｎＳｂ主１２上ノンドープでｎ〜型のＧａｏ、 ７八
１゜、 ３ＡＳのスペーサ層１３が、同様にＭＢＥ成長
法により、約５０人の厚さに形成され、最後にＳ１ドー
プのＧａｏ７八１゜３ＡＳ層１４（Ｎ＝ １ ｘｌＱＩ
７〜ｌ ｘｌＱ”ｃｍ−３）が、ＭＢＥ成長法により形
成されている。
、ＭＢＥ成長法を用いて形成された高抵抗のＧａ八へエ
ピタキシャル層１１ （キャリア密度Ｎは３ Ｘ１０口
ｃｍ−３）を有している。そして、その高抵抗ＧａＡｓ
層１１上には、ＭＢＥ成長法により、ＩｎＳｂエピタキ
シャル層１２ （Ｎ＝ ５ Ｘｌ［１１５ｃｍ−３）が
約２００人の厚さに形成されている。更に、そのＩｎＳ
ｂｎＳｂ主１２上ノンドープでｎ〜型のＧａｏ、 ７八
１゜、 ３ＡＳのスペーサ層１３が、同様にＭＢＥ成長
法により、約５０人の厚さに形成され、最後にＳ１ドー
プのＧａｏ７八１゜３ＡＳ層１４（Ｎ＝ １ ｘｌＱＩ
７〜ｌ ｘｌＱ”ｃｍ−３）が、ＭＢＥ成長法により形
成されている。
ＭＢＥ成長した試料の最表面には、ＡｎＧｅＮ ｉ合金
を用いて、Ｇａｏ、 ’ＩＡＩ。、 ａＡＳＡ３層表４
間にオーミック接合を形成するようにソース電極１５な
らびにドレイン電極１６が設けられている。またへ１金
属を用いてＧａｏ−７八ｌ。、 ３ Ａ ｓ Ｎ １４
との間にショットキー接合を形成するようにゲート電極
１７が設けられている。
を用いて、Ｇａｏ、 ’ＩＡＩ。、 ａＡＳＡ３層表４
間にオーミック接合を形成するようにソース電極１５な
らびにドレイン電極１６が設けられている。またへ１金
属を用いてＧａｏ−７八ｌ。、 ３ Ａ ｓ Ｎ １４
との間にショットキー接合を形成するようにゲート電極
１７が設けられている。
以上のようなＦＥＴの構造において、格子定数（よ、Ｉ
ｎＳｂが６．４７９ Ａで、ＧａＡｓが５．６５４人で
、八ＩＡｓが５．６６２ Ａである。従って、ＩｎＳｂ
層１２は、格子定数がＧａＡｓやＧａ、、ＡＩ＋−Ｊｓ
（ＧａＡｓとＡＩ八へとが共存する）（こ比べて著しく
大きい。そのため、ＧａつＡＬ−Ｊｓ層とＩｎＳｂ層の
界面近傍において、ＩｎＳｂは、立方晶格子を、弾性歪
みにより正方晶に変形させられている。
ｎＳｂが６．４７９ Ａで、ＧａＡｓが５．６５４人で
、八ＩＡｓが５．６６２ Ａである。従って、ＩｎＳｂ
層１２は、格子定数がＧａＡｓやＧａ、、ＡＩ＋−Ｊｓ
（ＧａＡｓとＡＩ八へとが共存する）（こ比べて著しく
大きい。そのため、ＧａつＡＬ−Ｊｓ層とＩｎＳｂ層の
界面近傍において、ＩｎＳｂは、立方晶格子を、弾性歪
みにより正方晶に変形させられている。
そして、このようなＦＥＴ構造において、ゲート電極に
加える電圧を制御することにより、最上層のＧａｏ、
７＾Ｉ１１．３ＡＳ層１４を完全に空乏化することがで
き、また、ＧａＡｓ基板１０ならびにＧＦｉＡ’ｓエピ
タキシャル層１１は高抵抗であることから、ＩｎＳｂ層
１２のみをチャンネル層としたＦＥＴが得られた。
加える電圧を制御することにより、最上層のＧａｏ、
７＾Ｉ１１．３ＡＳ層１４を完全に空乏化することがで
き、また、ＧａＡｓ基板１０ならびにＧＦｉＡ’ｓエピ
タキシャル層１１は高抵抗であることから、ＩｎＳｂ層
１２のみをチャンネル層としたＦＥＴが得られた。
さらに、第１図に示したような断面構造を有するエビク
キシャル試料について、その電子移動度の印加電界強度
依存性を調べたところ、第２図の実線のようであった。
キシャル試料について、その電子移動度の印加電界強度
依存性を調べたところ、第２図の実線のようであった。
第２図において実線と点線とを比較することにより、本
発明による化合物半導体装置は、高電界領域での電子移
動度が従来のものに比べて約６倍増大していることが分
かるであろう。
発明による化合物半導体装置は、高電界領域での電子移
動度が従来のものに比べて約６倍増大していることが分
かるであろう。
なお、上記実施例と同様な構成で、ＩｎＳｂエピタキシ
ャル層の厚さを約２０人から約２０ＯＡの間で変えたと
ころ、同様な結果が得られた。
ャル層の厚さを約２０人から約２０ＯＡの間で変えたと
ころ、同様な結果が得られた。
発明の効果
本発明の化合物半導体装置によれば、チャンネル層をな
すＩｎＳｂの格子定数は、そのチャンネル層を挟んでい
るＧａＡｓ層及びＧａＡｌＡｓ層の格子定数より著しく
大きい。そのため、チャンネル層のＩｎＳｂに弾性変形
が生じ、結晶構造が立方晶から正方晶に変わり、ＩｎＳ
ｂ層においてその隣接層との界面に平行な方向に電子が
移動する際の格子散乱が減少し、界面に垂直な方向に比
べて平行な方向の電子移動度が高くなされている。従っ
て、従来の化合物半導体装置に比較して、高電界印加状
態での電子移動度が６倍と速く、高動作範囲において安
定した高速性を有する半導体装置が実現できる。
すＩｎＳｂの格子定数は、そのチャンネル層を挟んでい
るＧａＡｓ層及びＧａＡｌＡｓ層の格子定数より著しく
大きい。そのため、チャンネル層のＩｎＳｂに弾性変形
が生じ、結晶構造が立方晶から正方晶に変わり、ＩｎＳ
ｂ層においてその隣接層との界面に平行な方向に電子が
移動する際の格子散乱が減少し、界面に垂直な方向に比
べて平行な方向の電子移動度が高くなされている。従っ
て、従来の化合物半導体装置に比較して、高電界印加状
態での電子移動度が６倍と速く、高動作範囲において安
定した高速性を有する半導体装置が実現できる。
第１図は、本発明による化合物半導体装置を実施したＦ
ＥＴの概略断面図、 第２図は、本発明による化合物半導体装置と従来の化合
物半導体装置における電子移動度の印加電界強度依存性
の測定結果を示すグラフ、第３図は、従来の高電子移動
度Ｆ、 Ｅ Ｔの概略断面図、 第４図は、原子振動による散乱の度合いの異方性を説明
するための図、 第５図（ａ）は、立方晶結晶の概略図、第５図（ｂ）は
正方晶結晶の概略図である。 〔主な参照番号〕 １．１０・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２・・ＧａＡｓバッファ層、 ３・・Ｇａ八へチャンネル層、 ４・・電子供給層、 ６・・ゲート電極、 ７・・合金化領域、 ８・・ソース電極、ドレイン電極、 ９・・二次元電子ガス、 １１・・高抵抗エピタキシャルＧａＡｓ層、１２・・エ
ピタキシャルＩｎＳｂ層、 １３・・ノンドープｎ−型Ｇａｏ、 ７八］ｏ、＋Ａｓ
スペーサ層、１４・・ＳｉドープＧａｏ、 Ｊｌｏ、
３ＡＳ層、１５・・ソース電極、 １６・・ドレイン電極、 １７・・ゲート電極
ＥＴの概略断面図、 第２図は、本発明による化合物半導体装置と従来の化合
物半導体装置における電子移動度の印加電界強度依存性
の測定結果を示すグラフ、第３図は、従来の高電子移動
度Ｆ、 Ｅ Ｔの概略断面図、 第４図は、原子振動による散乱の度合いの異方性を説明
するための図、 第５図（ａ）は、立方晶結晶の概略図、第５図（ｂ）は
正方晶結晶の概略図である。 〔主な参照番号〕 １．１０・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２・・ＧａＡｓバッファ層、 ３・・Ｇａ八へチャンネル層、 ４・・電子供給層、 ６・・ゲート電極、 ７・・合金化領域、 ８・・ソース電極、ドレイン電極、 ９・・二次元電子ガス、 １１・・高抵抗エピタキシャルＧａＡｓ層、１２・・エ
ピタキシャルＩｎＳｂ層、 １３・・ノンドープｎ−型Ｇａｏ、 ７八］ｏ、＋Ａｓ
スペーサ層、１４・・ＳｉドープＧａｏ、 Ｊｌｏ、
３ＡＳ層、１５・・ソース電極、 １６・・ドレイン電極、 １７・・ゲート電極
Claims (2)
- （１）基板と、該基板上に形成された高抵抗ＧａＡｓの
第１の層と、該第１の層上に形成されたＩｎＳｂからな
り且つチャンネル層として機能する第２の層と、該第２
の層上に一導電型のＧａ＿ｘＡｌ＿１＿−＿ｘＡｓで形
成された第３の層とを具備し、前記第２の層の化合物半
導体は、前記第１及び第３の層の化合物半導体の格子定
数より大きい格子定数を有しており、前記第１と第３の
層により前記第２の層内の結晶格子に弾性歪みが生じ、
前記第２の層内における電子移動度が、該第２の層と前
記第３の層との界面に垂直な方向に比べて、平行な方向
が高くなるようしたことを特徴とする化合物半導体装置
。 - （２）前記基板は、半絶縁性ＧａＡｓで形成され、前記
第１の層は、前記基板上にエピタキシャル成長されて形
成されており、前記第２の層は、第１の層上に２０〜２
００Åの厚さにエピタキシャル成長されており、第３の
層は、ｎ型であることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の化合物半導体装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202185A JPS61210675A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 化合物半導体装置 |
| CA000504069A CA1256590A (en) | 1985-03-15 | 1986-03-13 | Compound semiconductor device with layers having different lattice constants |
| EP86103425A EP0196517B1 (en) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | Compound semiconductor device |
| DE8686103425T DE3672360D1 (de) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | Verbindungshalbleiterbauelement. |
| AU54742/86A AU577934B2 (en) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | Compound semiconductor device |
| KR1019860001897A KR860007745A (ko) | 1985-03-15 | 1986-03-15 | 화합물 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202185A JPS61210675A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210675A true JPS61210675A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12903156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5202185A Pending JPS61210675A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210675A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125918A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Sony Corp | 半導体基板 |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP5202185A patent/JPS61210675A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125918A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Sony Corp | 半導体基板 |
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