JPS61169240A - 耐透湿性の優れた透明導電フイルム - Google Patents
耐透湿性の優れた透明導電フイルムInfo
- Publication number
- JPS61169240A JPS61169240A JP1168585A JP1168585A JPS61169240A JP S61169240 A JPS61169240 A JP S61169240A JP 1168585 A JP1168585 A JP 1168585A JP 1168585 A JP1168585 A JP 1168585A JP S61169240 A JPS61169240 A JP S61169240A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- conductive film
- transparent conductive
- oxide layer
- insulating oxide
- Prior art date
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は合Ｖ樹脂フィルムを基材とした、柔軟性があり
耐透湿性の優れた透明導電性フィルムに関する。
耐透湿性の優れた透明導電性フィルムに関する。
（従来技術）
ガラスやプラスチック等の透明基板上に透明な導電性薄
膜を形成したものは液晶表示素子やＥ Ｌ素子、太陽電
池などの電気工学素子をけじめ防のガラスや静電防止材
としてその需要が増大している。
膜を形成したものは液晶表示素子やＥ Ｌ素子、太陽電
池などの電気工学素子をけじめ防のガラスや静電防止材
としてその需要が増大している。
従来、透明導電フィルムとしては、例えば。
特開昭５４−８６７０号公報に記載の如く、ポリエステ
ルフィルムの表面にインジウム金属の低酸化物を主成分
とする透明Ｓ電性被膜を形成したものが４２案されてい
るが、例えばＥＬ素子の電極として使用する吉きＥＬ素
子を水分から保護するｉａ能は不十分なものであった。
ルフィルムの表面にインジウム金属の低酸化物を主成分
とする透明Ｓ電性被膜を形成したものが４２案されてい
るが、例えばＥＬ素子の電極として使用する吉きＥＬ素
子を水分から保護するｉａ能は不十分なものであった。
（発明が解決しよう表する間范点）
本発明は、上記従来の欠点を解消し、透明性を損なわず
、しかも耐透湿性が極めて良好な透明導電フィルムを提
供するこ七を目的としてなさｈたものである。
、しかも耐透湿性が極めて良好な透明導電フィルムを提
供するこ七を目的としてなさｈたものである。
（間岡点を解決するだめの手段）
末完＃Ｉにおいて、基材の透明合成樹脂フィルムとして
は、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステル、ポ
リビニルブチラール、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリアミド、七ロファン等が好適に使用され、就中ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが、寸法安
定性、機械的強度、耐熱性の点から特に好適に使用され
る。
は、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステル、ポ
リビニルブチラール、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリアミド、七ロファン等が好適に使用され、就中ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが、寸法安
定性、機械的強度、耐熱性の点から特に好適に使用され
る。
また、透明合成樹脂フィルムは、厚さ１０ ｉ、０４〜
３００．ｌ１ｍの柔軟性を有するフィルムであることが
好ましく、さらに好ましい厚みは５０〜２００ｆｉｍで
ある。透明合成樹脂フィルムに、酸化組成物を蒸着する
Ｋは、通常冷却ロールを介した巻き取り工程が必要であ
るが、透明合成樹脂フィルムの厚みが１０μｍ未満であ
ると、しわや亀裂の発生が生じやすくなり、厚みが３０
０μｍを越える上梁軟性に乏しくなって連続巻き取りが
困難になってしオう。
３００．ｌ１ｍの柔軟性を有するフィルムであることが
好ましく、さらに好ましい厚みは５０〜２００ｆｉｍで
ある。透明合成樹脂フィルムに、酸化組成物を蒸着する
Ｋは、通常冷却ロールを介した巻き取り工程が必要であ
るが、透明合成樹脂フィルムの厚みが１０μｍ未満であ
ると、しわや亀裂の発生が生じやすくなり、厚みが３０
０μｍを越える上梁軟性に乏しくなって連続巻き取りが
困難になってしオう。
透明合成樹脂フィルムの少なくとも片面には耐透湿性の
優れた薄くて透明な絶縁酸化物層が形成されている。こ
の透明な絶縁酸化物−け、５ｉ０２．Ａｌρ３． ＭＯ
（ＭけＭｇ 、 Ｃａ 、 Ｓｒ 、 Ｂａなどの２価
金属類を示す）がモル比で、（ＳｉＯ，）：（ＡＩ、Ｏ
，Ｃ（ＭＯ）＝２〜９：１〜５：ｌ〜５となされた＃１
成物か、まｆｃＩ−ｉ、Ｓ ：０２ 、 Ｂ２０． 、
ＢａＯ、Ａｌ２（’＞３がモル比で（Ｓｉ０２）：
（Ｂ、０３） ： （ＢａＯ＋ＡＩ２０ｍ）＝＝
２ −４ ： １ −２ ： ０． ３〜１
と組成物からなる場合が好適である。透明な絶縁酸化物
層のモル化が、上記の範囲を外れると相分離を起こしや
すくなり、耐透湿性が低下する。上記組成物の中に不純
物としてＰｂＯ。
優れた薄くて透明な絶縁酸化物層が形成されている。こ
の透明な絶縁酸化物−け、５ｉ０２．Ａｌρ３． ＭＯ
（ＭけＭｇ 、 Ｃａ 、 Ｓｒ 、 Ｂａなどの２価
金属類を示す）がモル比で、（ＳｉＯ，）：（ＡＩ、Ｏ
，Ｃ（ＭＯ）＝２〜９：１〜５：ｌ〜５となされた＃１
成物か、まｆｃＩ−ｉ、Ｓ ：０２ 、 Ｂ２０． 、
ＢａＯ、Ａｌ２（’＞３がモル比で（Ｓｉ０２）：
（Ｂ、０３） ： （ＢａＯ＋ＡＩ２０ｍ）＝＝
２ −４ ： １ −２ ： ０． ３〜１
と組成物からなる場合が好適である。透明な絶縁酸化物
層のモル化が、上記の範囲を外れると相分離を起こしや
すくなり、耐透湿性が低下する。上記組成物の中に不純
物としてＰｂＯ。
ＺｒＯ２などの酸化物は５重量％以下であれば、耐透湿
性に極端な悪化はみられず、本発明耐透湿性の優れた透
明導電フィルムを製造する場合は不純物を上記の範囲に
することが望ましい。
性に極端な悪化はみられず、本発明耐透湿性の優れた透
明導電フィルムを製造する場合は不純物を上記の範囲に
することが望ましい。
上記組成物の酸化物からなる薄くて透明な絶縁酸化物層
を形成する方法は既知のスパッタリング法、真空蒸着法
、イオンブレーティング法などの方法で行えばよい。
を形成する方法は既知のスパッタリング法、真空蒸着法
、イオンブレーティング法などの方法で行えばよい。
透明な絶縁酸化物層を透明合成樹脂フィルム面上に形成
する方法として最も好ましいのけスパッタリング法であ
り、スパッタリングのターゲットを上記の組成物とする
ことで、はぼ同じ組成のアモルファス伏の薄くて透明な
絶縁酸化物層を形成することができる。
する方法として最も好ましいのけスパッタリング法であ
り、スパッタリングのターゲットを上記の組成物とする
ことで、はぼ同じ組成のアモルファス伏の薄くて透明な
絶縁酸化物層を形成することができる。
また、真空蒸着法によっても、上記組成の薄くて透明な
絶縁酸化物層を形成することができる。真空蒸着法の場
合は、蒸気圧の異なる混合物質をそのままの組成で薄膜
層を形成するのけ困難であるとされている。しかし、木
発明者等は上記組成物を予め電気炉で熔融し固化したも
のを蒸発材として使用し、電子銃加熱方式で蒸発させれ
ば、略同じ範囲の蒸着膜が得られることを確認した。
絶縁酸化物層を形成することができる。真空蒸着法の場
合は、蒸気圧の異なる混合物質をそのままの組成で薄膜
層を形成するのけ困難であるとされている。しかし、木
発明者等は上記組成物を予め電気炉で熔融し固化したも
のを蒸発材として使用し、電子銃加熱方式で蒸発させれ
ば、略同じ範囲の蒸着膜が得られることを確認した。
また、一般に混合物を真空蒸着する際に用いられるフラ
ッシュ蒸着法によっても、上記組成の蒸着膜を形成する
ことができる。
ッシュ蒸着法によっても、上記組成の蒸着膜を形成する
ことができる。
末完ｑｖｃおいては、スパッタリング法、真空Ｍ着法、
イオンブレーティング法のいずれによっても、透明な絶
縁酸化物層の透明合成樹脂フィルムに対する密着性は良
好であり、また透明性も良い。
イオンブレーティング法のいずれによっても、透明な絶
縁酸化物層の透明合成樹脂フィルムに対する密着性は良
好であり、また透明性も良い。
また、透明な絶縁酸化物層をスパッタリング法等で形成
したフィルム伏の透明合成樹脂体でカール性が大きな問
題とならないのも本発明の特徴である。これけ、末完１
’！Ｆ１組戎の系では透明が絶縁酸化物層の残１応力が
少ないためであろうと考えられる。
したフィルム伏の透明合成樹脂体でカール性が大きな問
題とならないのも本発明の特徴である。これけ、末完１
’！Ｆ１組戎の系では透明が絶縁酸化物層の残１応力が
少ないためであろうと考えられる。
透明な絶縁酸化物層は、柔軟性、密着性を良好なものに
するためにその膜厚を０．０１〜０．５ｆｉｍの範囲に
するのがよく、更に好１しくは０，０５〜α３７１ｍの
範囲にするのがよい。透明な絶縁酸化物層の厚みは、０
．０１／１ｍ以上なければ一様な連続嘆にならないため
、０．０１μｍ以上は必要である。また膜厚が０．５７
１ｇを越えると透明外を損うことＩ−ｉないが、フィル
ム状の透明合成樹脂体のカールが問題となったり、嘆の
亀裂や剥離が生じやすくなることがある。
するためにその膜厚を０．０１〜０．５ｆｉｍの範囲に
するのがよく、更に好１しくは０，０５〜α３７１ｍの
範囲にするのがよい。透明な絶縁酸化物層の厚みは、０
．０１／１ｍ以上なければ一様な連続嘆にならないため
、０．０１μｍ以上は必要である。また膜厚が０．５７
１ｇを越えると透明外を損うことＩ−ｉないが、フィル
ム状の透明合成樹脂体のカールが問題となったり、嘆の
亀裂や剥離が生じやすくなることがある。
真空蒸着法、イオンブレーティング法により透明な絶縁
酸化物層を形成するには、通常２×１０＝ｔｏｒｒ以下
の真空雰囲気下で行われるが、不純物の混入による性能
の低下をさけるためにけＩ Ｘ １０ ’ｔｏｒｒ以下
の真空雰囲気下で行なうのが好ましい。
酸化物層を形成するには、通常２×１０＝ｔｏｒｒ以下
の真空雰囲気下で行われるが、不純物の混入による性能
の低下をさけるためにけＩ Ｘ １０ ’ｔｏｒｒ以下
の真空雰囲気下で行なうのが好ましい。
透明な絶縁酸化物層上にインジウム酸化物を主成分とす
る透明な導電性被膜が形成されている。この透明な導電
性被膜は、真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパ
ッタリング法、反応性蒸着法、リアクティブスパッタリ
ング法等で暗・成で１形収される。
る透明な導電性被膜が形成されている。この透明な導電
性被膜は、真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパ
ッタリング法、反応性蒸着法、リアクティブスパッタリ
ング法等で暗・成で１形収される。
例えば、真空蒸着法について説明すると、例えば、１０
％程度のＳｎＯ，を含有するＩｎ２Ｏ，を蒸発源とし、
真空チャンバー内の真空度を１０−４〜１Ｏ−５ｔｏｒ
ｒ程度にし、抵抗加熱ないし電子銃を用いたＭ着法によ
りＳｎｕｇを含有するＩｎ２Ｏ，の低酸化状態の薄膜を
形成することができる。〃・かるＩｎ２Ｏ。
％程度のＳｎＯ，を含有するＩｎ２Ｏ，を蒸発源とし、
真空チャンバー内の真空度を１０−４〜１Ｏ−５ｔｏｒ
ｒ程度にし、抵抗加熱ないし電子銃を用いたＭ着法によ
りＳｎｕｇを含有するＩｎ２Ｏ，の低酸化状態の薄膜を
形成することができる。〃・かるＩｎ２Ｏ。
を主成分とする透明薄膜の膜厚け、用途によって種々の
膜厚を選ぶことができる。才た、膜厚と酸化度を制御す
ることにより、任意の透過率と抵抗値を有する透明導電
性薄膜を形成することができる。
膜厚を選ぶことができる。才た、膜厚と酸化度を制御す
ることにより、任意の透過率と抵抗値を有する透明導電
性薄膜を形成することができる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を示す。
〈実施例１〉
Ｓ ｉ０２ 、 Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯのモル比を５：２
：３ とした酸化物の混合物を電気炉で溶解し固化した
ものを５ Ｘ １０−５ｔｏｒｒの真空下で電子銃加熱
方式で加熱蒸発させ、厚さ１００μｍのポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に０，１／Ｉｍの透
８１１な絶縁酸化物層を形成した。
：３ とした酸化物の混合物を電気炉で溶解し固化した
ものを５ Ｘ １０−５ｔｏｒｒの真空下で電子銃加熱
方式で加熱蒸発させ、厚さ１００μｍのポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に０，１／Ｉｍの透
８１１な絶縁酸化物層を形成した。
透明薄膜台の厚みは水晶発振式のモニターにより計測し
た。
た。
透明な絶縁酸化物層の＃ｌｌｉけ、Ｘ線マイクロアナラ
イザーで分析したところ、当初の混合物の組咬七略同等
であった。
イザーで分析したところ、当初の混合物の組咬七略同等
であった。
この透明薄膜層の上にスパッタリング法によってＳｎＯ
，を７重量％を含むＩｎ、Ｏ，を主成分とした透明導電
層を形成した。これのスパッタリング条件は圧力５ Ｘ
１０−３ｔｏｒｒのＡｒ： ９０％、Ｏ，： １０％
の混合ガス、圧力３００Ｗである。このように形成され
た透明導電層は膜厚０、０５１１ｍ 、表面抵抗Ω／ｃ
ｄ、可視光線透過率８２％であった。形成された絶縁酸
化物層と透明導電層との密着性けＪＩＳ Ｄ ０２０２
に準じて確認したところ非常に良好であった。透湿９一 度は４０℃、相対湿度１ｄ：９０％において、ＪＩＳＺ
０２０８（カップによる重量法）に準じて測定した。
，を７重量％を含むＩｎ、Ｏ，を主成分とした透明導電
層を形成した。これのスパッタリング条件は圧力５ Ｘ
１０−３ｔｏｒｒのＡｒ： ９０％、Ｏ，： １０％
の混合ガス、圧力３００Ｗである。このように形成され
た透明導電層は膜厚０、０５１１ｍ 、表面抵抗Ω／ｃ
ｄ、可視光線透過率８２％であった。形成された絶縁酸
化物層と透明導電層との密着性けＪＩＳ Ｄ ０２０２
に準じて確認したところ非常に良好であった。透湿９一 度は４０℃、相対湿度１ｄ：９０％において、ＪＩＳＺ
０２０８（カップによる重量法）に準じて測定した。
可視光線透過率（５６７ｎｍ）はＪＩＳＫ−６７１４に
で測定した。これらの結果を第１表に示す。
で測定した。これらの結果を第１表に示す。
〈実施例２〜７〉
実施例１の酸化物の混合物＃ＩＦｆｔに代えて、第１表
に示した特定の混合範囲の組成のものを使用した以外は
実施例１と同じである。これらの結果を第１表に併せて
示す。
に示した特定の混合範囲の組成のものを使用した以外は
実施例１と同じである。これらの結果を第１表に併せて
示す。
〈実施例８〜１１〉
実施例１の酸化物の混合物組成に代えて、第１表に示し
た組成のものを使用した以外は実施例１と同じである。
た組成のものを使用した以外は実施例１と同じである。
こｈらの結果を第１表に併せて示す。
〈比較例１〉
実施例１の絶縁酸化物層を形成することなく、厚さ１０
０１１ｍのポリエチレンテレフタレ−）（ＰＥＴ）フィ
ルム上に、直接実施例１の透明導電層を形成した以外は
実施例１と同一】〇− じである。これらの結果を第１表に併せて示す。
０１１ｍのポリエチレンテレフタレ−）（ＰＥＴ）フィ
ルム上に、直接実施例１の透明導電層を形成した以外は
実施例１と同一】〇− じである。これらの結果を第１表に併せて示す。
（以下余白）
第１表からも明らかな如く、本願用の実施例の場合は、
比較例と比較して、いす店も、透明性、導電性を損うこ
となく透湿性が著しく優れており、特に、特定の酸化物
の混合物組成から絶縁酸化物層を形成した場合は、耐透
湿性、ガスの耐透過性が著しく優れているのみならず、
導電性も優れている。
比較例と比較して、いす店も、透明性、導電性を損うこ
となく透湿性が著しく優れており、特に、特定の酸化物
の混合物組成から絶縁酸化物層を形成した場合は、耐透
湿性、ガスの耐透過性が著しく優れているのみならず、
導電性も優れている。
（発明の効果）
本発明耐透湿性の優れた透明導電フィルムは、透明合成
樹Ｒｂフィルムの少なくとも片面に、透明な絶縁酸化物
層が形成され、該層上にインジウム酸化物を主成分とす
る透明な導電性被膜が形成されているので、フィルムの
透明性導電性が優れており、且つ耐透過性、酸素などの
ガラスの耐透過性が著しく優れている。
樹Ｒｂフィルムの少なくとも片面に、透明な絶縁酸化物
層が形成され、該層上にインジウム酸化物を主成分とす
る透明な導電性被膜が形成されているので、フィルムの
透明性導電性が優れており、且つ耐透過性、酸素などの
ガラスの耐透過性が著しく優れている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明合成樹脂フィルムの少なくとも片面に、透明な
絶縁酸化物層が形成され、該層上にインジウム酸化物を
主成分とする透明な導電性被膜が形成されてなる耐透湿
性の優れた透明導電フィルム。 ２、絶縁酸化物層が、ＳｉＯ＿２、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｍ
Ｏ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどの２価金属類を示
す）がモル比で、（ＳｉＯ＿２）：（Ａｌ＿２Ｏ＿３）
：（ＭＯ）＝２〜９：１〜５：１〜５となされた組成物
の透明薄膜層が形成されたものである特許請求の範囲第
１項記載の耐透湿性の優れた透明導電フィルム。 ３、絶縁酸化物層が、ＳｉＯ＿２、Ｂ＿２Ｏ＿３、Ｂａ
Ｏ、Ａｌ＿２Ｏ＿３がモル比で、（ＳｉＯ＿２）：（Ｂ
＿２Ｏ＿３）：（ＢａＯ＋Ａｌ＿２Ｏ＿３）＝２〜４：
１〜２：０．３〜となされた組成物の透明薄膜層が形成
されたものである特許請求の範囲第１項に記載の耐透湿
性の優れた透明導電フィルム。 ４、絶縁酸化物層がスパッタリング法によって形成され
たものである特許請求の範囲第１項、第２項または第３
項記載の耐透湿性の優れた透明導電フィルム。 ５、絶縁酸化物層が真空蒸着法によって形成されたもの
である特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第
４項記載の耐透湿性の優れた透明導電フィルム。 ６、絶縁酸化物層がイオンプレーティング法によって形
成されたものである特許請求の範囲第１項、第２項、第
３項、第４項または第５項記載の耐透湿性の優れた透明
導電フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168585A JPS61169240A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 耐透湿性の優れた透明導電フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168585A JPS61169240A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 耐透湿性の優れた透明導電フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61169240A true JPS61169240A (ja) | 1986-07-30 |
| JPH0562064B2 JPH0562064B2 (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=11784867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1168585A Granted JPS61169240A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 耐透湿性の優れた透明導電フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61169240A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01232034A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 可撓性複合フィルム |
| JPH0258023A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 液晶ディスプレイのバックライト用パッケージフィルム |
-
1985
- 1985-01-23 JP JP1168585A patent/JPS61169240A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01232034A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 可撓性複合フィルム |
| JPH0258023A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 液晶ディスプレイのバックライト用パッケージフィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0562064B2 (ja) | 1993-09-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |