JPS6116526A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS6116526A JPS6116526A JP13815584A JP13815584A JPS6116526A JP S6116526 A JPS6116526 A JP S6116526A JP 13815584 A JP13815584 A JP 13815584A JP 13815584 A JP13815584 A JP 13815584A JP S6116526 A JPS6116526 A JP S6116526A
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- film
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- thin film
- films
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/20—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping substances to be applied floating on a fluid
- B05D1/202—Langmuir Blodgett films (LB films)
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/165—Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は任意の基板上へ有機薄膜のパターンを形成する
方法に関するものである〇 さらに詳しくは、集積回路素子等(以下ICという)の
製造に用いられているエツチングレジスト等のパターン
形成方法に関するものである。
方法に関するものである〇 さらに詳しくは、集積回路素子等(以下ICという)の
製造に用いられているエツチングレジスト等のパターン
形成方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
、従来、I(’g造におけるレジストパターンの形成は
、ホトレジストをスピナーを用いた回転塗布により塗布
し、所定のパターンで露光して現像してレジストパター
ンを形成するのが一般的であった。一方、近年、VLS
I製造用として微細加工の必要から、パターン寸法精度
が良く、しかも。
、ホトレジストをスピナーを用いた回転塗布により塗布
し、所定のパターンで露光して現像してレジストパター
ンを形成するのが一般的であった。一方、近年、VLS
I製造用として微細加工の必要から、パターン寸法精度
が良く、しかも。
ピンホールのないレジストパターンの形成が要望されて
いる。ところが、一般に回転塗布法を用いてホトレジス
トを塗布する方法では下地基板に段差がある場合、ホト
レジストの膜厚にムラが生じ。
いる。ところが、一般に回転塗布法を用いてホトレジス
トを塗布する方法では下地基板に段差がある場合、ホト
レジストの膜厚にムラが生じ。
すなわち凸部上面では塗膜が薄くなり凹部底面では塗膜
が厚くなるため、同じ線幅のホトマスクで露光しても凸
部上面と凹部底面では、パターン線幅にバラツキが生じ
てしまう欠点があった。さらに、VLSI製造のように
0.5〜1μm程度のパターンを高精度に得ようとする
とホトレジスト塗膜の厚みをより薄くする必要があるが
、耐エツチング性および塗布時のピンホール防止を考慮
すると企る程度以上の膜厚が必要であり、この塗布膜厚
からも微細パターンの形成には限界があった。
が厚くなるため、同じ線幅のホトマスクで露光しても凸
部上面と凹部底面では、パターン線幅にバラツキが生じ
てしまう欠点があった。さらに、VLSI製造のように
0.5〜1μm程度のパターンを高精度に得ようとする
とホトレジスト塗膜の厚みをより薄くする必要があるが
、耐エツチング性および塗布時のピンホール防止を考慮
すると企る程度以上の膜厚が必要であり、この塗布膜厚
からも微細パターンの形成には限界があった。
一方、ピンホールのない薄膜形成方法としてラングミュ
ア・ブロジェット法C以下LB法というDを用いた非常
に薄いホトレジスト膜の形成方法も開発されつつあるが
、この方法ではパターンは高精度に得られるが1層のコ
ート厚さが20〜30八程度であるため、通常、IC製
造におけるプラズマエツチングに耐えるためには100
層程変形成する必要があり量産性に問題があった。
ア・ブロジェット法C以下LB法というDを用いた非常
に薄いホトレジスト膜の形成方法も開発されつつあるが
、この方法ではパターンは高精度に得られるが1層のコ
ート厚さが20〜30八程度であるため、通常、IC製
造におけるプラズマエツチングに耐えるためには100
層程変形成する必要があり量産性に問題があった。
発明の目的
本発明は、任意基板上へレジストパターンを形成する際
、下地基板の表面凹凸に関係なく超微細なVLSI製造
用レジストパターンを高精度に形成する方法を提供する
ことを目的とする。
、下地基板の表面凹凸に関係なく超微細なVLSI製造
用レジストパターンを高精度に形成する方法を提供する
ことを目的とする。
発明の構成
本発明は、下地基板の表面凹凸に関係なく、超微細なV
LSI製造用レジストのパターン形成方法を提供するも
のである。
LSI製造用レジストのパターン形成方法を提供するも
のである。
さらに詳しくは、あらかじめエツチング加工すべき基板
表面に、基板の急峻な段差を無くし、エツチングレジス
トとして使用可能な程度の膜厚で有機薄膜を形成し、さ
らにその上にLB法によりSiを含有した感光性LB膜
を数層形成する。その後、前記LB膜を選択的に、光、
電子ビーム、イオンビーム、X線等で露光し、現像して
まずLB膜のパターンを形成し、このLB膜パターンを
マスクにして下層の有機薄膜を選択的にエツチングして
、下地加工用のエツチングレジストパターンを形成する
ことを特徴とする。
表面に、基板の急峻な段差を無くし、エツチングレジス
トとして使用可能な程度の膜厚で有機薄膜を形成し、さ
らにその上にLB法によりSiを含有した感光性LB膜
を数層形成する。その後、前記LB膜を選択的に、光、
電子ビーム、イオンビーム、X線等で露光し、現像して
まずLB膜のパターンを形成し、このLB膜パターンを
マスクにして下層の有機薄膜を選択的にエツチングして
、下地加工用のエツチングレジストパターンを形成する
ことを特徴とする。
実施例の説明
例えば第1図に示すように、任意の凹凸のある半導体等
の基板1上に、有機薄膜2を塗布形成する。このとき塗
膜の厚さは、下地基板の急峻な段差を吸収し、且つ、下
地基板のエツチングに耐える膜厚であれば良く、必らず
しも基板表面が平坦になるまで塗布する必要はない。ま
た、有機薄膜2が感光性を持っている必要もない。
の基板1上に、有機薄膜2を塗布形成する。このとき塗
膜の厚さは、下地基板の急峻な段差を吸収し、且つ、下
地基板のエツチングに耐える膜厚であれば良く、必らず
しも基板表面が平坦になるまで塗布する必要はない。ま
た、有機薄膜2が感光性を持っている必要もない。
次に、LB法により、S・1を含有した感光性LB膜3
を数層形成し、光、電子ビーム、イオンビーム、X線等
のエネルギービーム4で選択的に重合または分解しく第
1図a)現像してSiを含むLB膜パターン3′を形成
する(第1図b)。
を数層形成し、光、電子ビーム、イオンビーム、X線等
のエネルギービーム4で選択的に重合または分解しく第
1図a)現像してSiを含むLB膜パターン3′を形成
する(第1図b)。
この時、Siを含むLB膜材料としてはW−trico
senoic acid 、 diacetylene
monocarboxylic acid 、 2−
hexa decenoicacid 、 a −oc
tadecyl acrylic acid 。
senoic acid 、 diacetylene
monocarboxylic acid 、 2−
hexa decenoicacid 、 a −oc
tadecyl acrylic acid 。
octadecyl metacrylate 、
等の直鎖状Cの一部をSiに置換したもので良い。
等の直鎖状Cの一部をSiに置換したもので良い。
次に、前記Siを含むLB膜パターン3′をマスクに0
2プラズマ等の酸素を含むプラズマ中で処理することに
より、有機薄膜2を選択的にエツチングして有機薄膜パ
ターン2′を形成する(第1図C)。なお、このとき、
LB膜パターンはSiを含有しているため、耐o2プラ
ズマエッチ性が高く、すなわち02プラズマによりLB
膜の表面が8102とな9酸素に対して不動体性を示す
ようになるので、わずかな数層のLB膜で下地の有機薄
膜2の02プラズマエツチングに十分耐える。
2プラズマ等の酸素を含むプラズマ中で処理することに
より、有機薄膜2を選択的にエツチングして有機薄膜パ
ターン2′を形成する(第1図C)。なお、このとき、
LB膜パターンはSiを含有しているため、耐o2プラ
ズマエッチ性が高く、すなわち02プラズマによりLB
膜の表面が8102とな9酸素に対して不動体性を示す
ようになるので、わずかな数層のLB膜で下地の有機薄
膜2の02プラズマエツチングに十分耐える。
捷だ、LB膜は、原理的に単分子膜の積層であるため、
下地に多少凹凸があっても厚みは全面にわたシ均一にな
り(第2図)、従ってパターンは全面均一高精度に形成
できる。なお第2図中、4はLB膜試薬の疎水部、6は
親水部を示す。
下地に多少凹凸があっても厚みは全面にわたシ均一にな
り(第2図)、従ってパターンは全面均一高精度に形成
できる。なお第2図中、4はLB膜試薬の疎水部、6は
親水部を示す。
以下、この有機膜パターン2′をエツチングレジストと
して用い下地基板をエツチング加工することができる。
して用い下地基板をエツチング加工することができる。
なお本実施例では、LB膜としてネガ型、すなわちエネ
ルギービームで重合する試薬を例に示したが、ポジ型で
も同じ効果が得られることは言うまでもない。
ルギービームで重合する試薬を例に示したが、ポジ型で
も同じ効果が得られることは言うまでもない。
発明の効果
本発明はSiを含む感光性LB膜にパターンを形成し、
このLB膜パターンを02プラズマ土用いて有機薄膜に
転写することを特徴としており、従来のLB膜のみのレ
ジストに比べ積層回数を大幅に削減でき、生産性を格段
に向上できる。しかも下地基板に多少の段差があっても
膜厚を常に均一にできるのでパターン寸法精度が良く、
しかもピンホールがきわめて少ないというLB膜の特徴
は、全て利用できるので有機薄膜に高精度のレジストパ
ターンを転写でき、超微細加工を必要とするVLS I
製造に効果大なるものである。
このLB膜パターンを02プラズマ土用いて有機薄膜に
転写することを特徴としており、従来のLB膜のみのレ
ジストに比べ積層回数を大幅に削減でき、生産性を格段
に向上できる。しかも下地基板に多少の段差があっても
膜厚を常に均一にできるのでパターン寸法精度が良く、
しかもピンホールがきわめて少ないというLB膜の特徴
は、全て利用できるので有機薄膜に高精度のレジストパ
ターンを転写でき、超微細加工を必要とするVLS I
製造に効果大なるものである。
第1図(a)〜(C)は本発明のパターン形成工程を説
明するだめの工程断面図、第2図は第1図甲丸のの部分
の拡大断面図を示し、かつLB膜の構造を説明するため
の図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・有機薄膜、2′・
・・・・・有機薄膜パターン、3・・・・・・LB膜、
3′・・・・・・LB膜ノくターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
明するだめの工程断面図、第2図は第1図甲丸のの部分
の拡大断面図を示し、かつLB膜の構造を説明するため
の図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・有機薄膜、2′・
・・・・・有機薄膜パターン、3・・・・・・LB膜、
3′・・・・・・LB膜ノくターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
Claims (1)
- 任意の基板上へ、有機薄膜を介してSiを含有する感光
性ラングミュア・ブロジェット膜を形成する工程と、エ
ネルギービームにより選択的に前記感光性ラングミュア
・ブロジェット膜を重合または分解し、現像してラング
ミュア・ブロジェット膜のパターンを形成する工程と、
前記ラングミュア、ブロジェット膜のパターンをマスク
にして前記有機薄膜を酸素を含むプラズマにて選択エッ
チングすることを特徴としたパターン形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13815584A JPS6116526A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | パタ−ン形成方法 |
US06/751,256 US4751171A (en) | 1984-07-03 | 1985-07-02 | Pattern forming method |
US07/030,612 US4824766A (en) | 1984-07-03 | 1987-03-27 | Pattern forming method |
US07/292,553 US4908299A (en) | 1984-07-03 | 1988-12-30 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13815584A JPS6116526A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6116526A true JPS6116526A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15215303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13815584A Pending JPS6116526A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6116526A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5555133A (en) * | 1993-12-21 | 1996-09-10 | Olympus Optical Co., Ltd. | Objective lens for microscope |
US9223107B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-12-29 | Mitutoyo Corporation | Adapter correcting for glass thickness and field lens |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13815584A patent/JPS6116526A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5555133A (en) * | 1993-12-21 | 1996-09-10 | Olympus Optical Co., Ltd. | Objective lens for microscope |
US9223107B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-12-29 | Mitutoyo Corporation | Adapter correcting for glass thickness and field lens |
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