JPS5912437A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5912437A JPS5912437A JP12246882A JP12246882A JPS5912437A JP S5912437 A JPS5912437 A JP S5912437A JP 12246882 A JP12246882 A JP 12246882A JP 12246882 A JP12246882 A JP 12246882A JP S5912437 A JPS5912437 A JP S5912437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- film
- conductive
- spacer film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、3層構造リングラフィ技術を用いたレジスト
パターン形成方法の改良に関する。
パターン形成方法の改良に関する。
近時、段差のある被加工物をパターニングする場合、単
層レジストの欠点を避けるため多層レジスI−i用いる
試みが行われている。こむ、は、3層構造リソグラフィ
技術に係わり、通常被加工物上に第1のレジスト、スペ
ーサ膜及び第2のレジストを順次積層し、まず電子ビー
ム露光装置を用いて第2のレジストを所望パターンに露
光する。その後、第2のレジストを現像して補助レジス
トパターンを得、この補助レジストパターンをマスクと
してスペーサ膜を選択エツチングし、さらにスペーサ膜
のパターンをマスクとして第1のレジストを選択エツチ
ングする。
層レジストの欠点を避けるため多層レジスI−i用いる
試みが行われている。こむ、は、3層構造リソグラフィ
技術に係わり、通常被加工物上に第1のレジスト、スペ
ーサ膜及び第2のレジストを順次積層し、まず電子ビー
ム露光装置を用いて第2のレジストを所望パターンに露
光する。その後、第2のレジストを現像して補助レジス
トパターンを得、この補助レジストパターンをマスクと
してスペーサ膜を選択エツチングし、さらにスペーサ膜
のパターンをマスクとして第1のレジストを選択エツチ
ングする。
しかるのち、この第1のレジストに形成されたレジスト
パターンをマスクとして被加工物を選択エツチングする
ことによって、被加工物に所望のパターンが形成される
。
パターンをマスクとして被加工物を選択エツチングする
ことによって、被加工物に所望のパターンが形成される
。
この種の方法では、被加工物の段差や凹凸等に拘りなく
精度良いレジストパターンを得ることができる。しかし
、レジスト層の厚みが単層レジストの場合より大幅に厚
くなるため、露光時にレジストが帯電すると云う問題が
ある。レジネトの帯電は、磁場変動等を招きレジストパ
ターン精度を低下させる要因となり、好才しくないもの
である。
精度良いレジストパターンを得ることができる。しかし
、レジスト層の厚みが単層レジストの場合より大幅に厚
くなるため、露光時にレジストが帯電すると云う問題が
ある。レジネトの帯電は、磁場変動等を招きレジストパ
ターン精度を低下させる要因となり、好才しくないもの
である。
そこで最近、レジストの帯電を防止する方法として前記
スペーサ膜を導電体で形成することが試みられているが
、この場合スペーサ膜がその両側を絶縁性のレジストで
挾まれているため、スペーサ膜自体の帯電を招いた。
スペーサ膜を導電体で形成することが試みられているが
、この場合スペーサ膜がその両側を絶縁性のレジストで
挾まれているため、スペーサ膜自体の帯電を招いた。
本発明の目的は、3層構造リソグラフィ技術におけるス
ペーサ膜及びレジストの帯電を未然に防止することがで
き、パターン精度の向上をはかり得るレジストパターン
形成方法を提供することにある。
ペーサ膜及びレジストの帯電を未然に防止することがで
き、パターン精度の向上をはかり得るレジストパターン
形成方法を提供することにある。
本発明の骨子は、第1のレジストを一部除去し、導電性
のスペーサ膜の一部を導電性の被加工物に接触させるこ
とにある。
のスペーサ膜の一部を導電性の被加工物に接触させるこ
とにある。
すなわち本発明は、レジストパターンを形成するに際し
、導電性の被加工物上に第1のレジストを塗布形成する
と共に、このレジストの一部を上記被加工物の一部表面
が露出するまで除去したのぢ′、上記露出した被加工物
上及び上記レジスト上に導電性のスペーサ膜を形成し、
次いでこのスペーサ膜上に第2のレジストを塗布形成し
、しかるのち荷電ビームを用い上記第2のレジストを所
望パターンjこ露光するようにした方法である。
、導電性の被加工物上に第1のレジストを塗布形成する
と共に、このレジストの一部を上記被加工物の一部表面
が露出するまで除去したのぢ′、上記露出した被加工物
上及び上記レジスト上に導電性のスペーサ膜を形成し、
次いでこのスペーサ膜上に第2のレジストを塗布形成し
、しかるのち荷電ビームを用い上記第2のレジストを所
望パターンjこ露光するようにした方法である。
本発明によれば、導電性のスペーサ膜を導電性の被加工
物に接触させているので、スペーサ膜の帯電を確実に防
止することができる。このため、パターン加工精度の向
上をはかり得る。
物に接触させているので、スペーサ膜の帯電を確実に防
止することができる。このため、パターン加工精度の向
上をはかり得る。
第1図乃至第3図は本発明の一実施例に係わるレジスト
パターン形成工程を示す断面図である。まず、第1図に
示す如く表面に段差を有する導電性の被加工物I上ζこ
第1のレジスト2をスピンコードし、その表面を平坦化
する。ここで、被加工物としては、Si基板或いは配線
用のhl、膜、その他各種の導電膜を用いることが可能
である。次に、第2図に示す如く閉1のレジスト2を局
部的に現像液に浸す等して被加工物1が露出するまでレ
ジスト2の一部をエツチング除去する。なお、このとき
現慮液に浸す位置を上下に動かすことによりテーパ状の
断面にすればより好ましい。次いで、上記露出した被加
工物1上及びレジスト2上に第3図に示す如く、例えば
)l膜(スペーサ膜)3を蒸着形成し、さらにこのAl
膜3上に第2のレジスト4をスピンコードする。しかる
のち、電子ビーム露光装置等を用い、第2のレジスト4
を所望パターンに露光する。このとき、hl膜3が導電
性の被加工物1と一部接触しているので、A/膜3が帯
電する等の不都合はない。
パターン形成工程を示す断面図である。まず、第1図に
示す如く表面に段差を有する導電性の被加工物I上ζこ
第1のレジスト2をスピンコードし、その表面を平坦化
する。ここで、被加工物としては、Si基板或いは配線
用のhl、膜、その他各種の導電膜を用いることが可能
である。次に、第2図に示す如く閉1のレジスト2を局
部的に現像液に浸す等して被加工物1が露出するまでレ
ジスト2の一部をエツチング除去する。なお、このとき
現慮液に浸す位置を上下に動かすことによりテーパ状の
断面にすればより好ましい。次いで、上記露出した被加
工物1上及びレジスト2上に第3図に示す如く、例えば
)l膜(スペーサ膜)3を蒸着形成し、さらにこのAl
膜3上に第2のレジスト4をスピンコードする。しかる
のち、電子ビーム露光装置等を用い、第2のレジスト4
を所望パターンに露光する。このとき、hl膜3が導電
性の被加工物1と一部接触しているので、A/膜3が帯
電する等の不都合はない。
これ以降は、通常の3層栴造りソグラフイ技術と同様に
してレジストパターンが形成される。
してレジストパターンが形成される。
すなわち、まず第1のレジスト4−を現像して補助レジ
ストパターンを形成し、この補助レジストパターンをマ
スクとしてhll膜3を選択エツチングし、その後A
lt$3をマスクとして第1のレジスト2を選択エツチ
ングすることによって第1のレジスト2からなるレジス
トパターンが形成されることになる。そして、このレジ
ストパターンをマスクとして被加工物1が選択エツチン
グされ、これ番こより被加工物1のパターニングが行わ
れる。
ストパターンを形成し、この補助レジストパターンをマ
スクとしてhll膜3を選択エツチングし、その後A
lt$3をマスクとして第1のレジスト2を選択エツチ
ングすることによって第1のレジスト2からなるレジス
トパターンが形成されることになる。そして、このレジ
ストパターンをマスクとして被加工物1が選択エツチン
グされ、これ番こより被加工物1のパターニングが行わ
れる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記第1のレジストは電子線レジストであ
る必要はなく、有機膜その他スペーザ膜とエツチング選
択性のあるものであればよい。さらに、スペーサ膜はh
l膜に限るものではなく、導電膜であればよいのは勿論
のことである。また、第2のレジストの露光をイオンビ
ームで行・うことも可能である。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
い。例えば、前記第1のレジストは電子線レジストであ
る必要はなく、有機膜その他スペーザ膜とエツチング選
択性のあるものであればよい。さらに、スペーサ膜はh
l膜に限るものではなく、導電膜であればよいのは勿論
のことである。また、第2のレジストの露光をイオンビ
ームで行・うことも可能である。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
第1図乃至第3図はそれぞれ本発明の一実施例工程を示
す@面図である。 1・・・被加工物、2・・・第1のレジスト、3・・・
hl膜(スペーサ膜)、4・・・第2のレジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 該第1図 第2図 2 =2
す@面図である。 1・・・被加工物、2・・・第1のレジスト、3・・・
hl膜(スペーサ膜)、4・・・第2のレジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 該第1図 第2図 2 =2
Claims (2)
- (1) 導電性の被加工物上に第1のレジストを塗布
形成したのち、このレジストの一部を上記被加工物の一
部表面が露出するまで除去し、次いで上記露出した被加
工物上及び上記レジスト上に導電性のスペーサ膜を形成
し、次いでこのスペーサ膜上に第2のレジストを塗布形
成し、しかるのち荷電ビームを用い上記第2のレジスト
を所望パターンに露光することを%fとするレジストパ
ターン形成方法。 - (2)前記被加工物は、その表面に段差を有するもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレジ
ストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12246882A JPS5912437A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12246882A JPS5912437A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5912437A true JPS5912437A (ja) | 1984-01-23 |
Family
ID=14836592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12246882A Pending JPS5912437A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5912437A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61146494A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | 富士写真フイルム株式会社 | ウエブ切断方法及び装置 |
KR100929724B1 (ko) | 2007-12-24 | 2009-12-03 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체소자의 감광막 형성방법 |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP12246882A patent/JPS5912437A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61146494A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | 富士写真フイルム株式会社 | ウエブ切断方法及び装置 |
JPH0472673B2 (ja) * | 1984-12-18 | 1992-11-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
KR100929724B1 (ko) | 2007-12-24 | 2009-12-03 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체소자의 감광막 형성방법 |
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