JPS60257291A - 光学情報記録部材 - Google Patents
光学情報記録部材Info
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- JPS60257291A JPS60257291A JP59113301A JP11330184A JPS60257291A JP S60257291 A JPS60257291 A JP S60257291A JP 59113301 A JP59113301 A JP 59113301A JP 11330184 A JP11330184 A JP 11330184A JP S60257291 A JPS60257291 A JP S60257291A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 29
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910002616 GeOx Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 241001676573 Minium Species 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 1
- 229910017629 Sb2Te3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ光線等を用いて光学的に高密度な情報
を高速に記録、再生する光学情報記録部材特に光ディス
クに関するものである。
を高速に記録、再生する光学情報記録部材特に光ディス
クに関するものである。
従来例の構成とその問題点
レーザ光線を用いて、回転しているディスク上に高密度
な情報を高速に記録、再生する技術は、光デイスク装置
として既に幾つもの研究成果例、商品開発例の報告が有
シ、情報システムを構成するうえで不可欠のものとなり
２つある。
な情報を高速に記録、再生する技術は、光デイスク装置
として既に幾つもの研究成果例、商品開発例の報告が有
シ、情報システムを構成するうえで不可欠のものとなり
２つある。
これら光ディスクに用いる記録材料としては、穴や泡等
の形状変化を生じさせることで光の反射率変化、透過率
変化を得るものと、光年的性質（屈折率ｎ、消衰係数ｋ
）を変えて反射率変化。
の形状変化を生じさせることで光の反射率変化、透過率
変化を得るものと、光年的性質（屈折率ｎ、消衰係数ｋ
）を変えて反射率変化。
透過率変化を得るものがあるが・後者のタイプのものが
、密着した保護層を設けられる点、原理的に変化が可逆
的で書き換え可能なものが得られるという点で有利であ
り、光ディスクの主流になると考えられる。
、密着した保護層を設けられる点、原理的に変化が可逆
的で書き換え可能なものが得られるという点で有利であ
り、光ディスクの主流になると考えられる。
このタイプの光ディスクとして代表的なものに、［Ｔｅ
０ｘ（０（Ｘ＜２）：］ を用いたものがある◇これは
ＰＭＭＡ等の樹脂基材上に、紫外線硬化樹脂を用いて光
ガイド用のトランク溝を形成し、その上に〔ＴｅＯｘ・
〕薄膜を蒸着等の方法で設置し、更に基材と同様の樹脂
基材をはり合わせた構造をしている。この光ディスクは
既に静止画ファイル。
０ｘ（０（Ｘ＜２）：］ を用いたものがある◇これは
ＰＭＭＡ等の樹脂基材上に、紫外線硬化樹脂を用いて光
ガイド用のトランク溝を形成し、その上に〔ＴｅＯｘ・
〕薄膜を蒸着等の方法で設置し、更に基材と同様の樹脂
基材をはり合わせた構造をしている。この光ディスクは
既に静止画ファイル。
文書・ファイル等のシステム機器へ応用されているが、
この〔Ｔｅ０Ｘ〕を主材料として用い今後例えば、大型
化、書き換え可能化等、更に発展させた形態にするため
には幾つかの問題が残されている。
この〔Ｔｅ０Ｘ〕を主材料として用い今後例えば、大型
化、書き換え可能化等、更に発展させた形態にするため
には幾つかの問題が残されている。
つまり現状のままの構造では、くシ返し使用することに
よって基材と記録層の界面付近で基材がダメージを受け
やすく記録信号の品質が低下してしまう点、更に容量を
上げるためにディスク形状を大きくする、あるいは転送
レートを上げるために回転速度を上げるというような試
みに対しては、現状の半導体レーザーの出力では記録感
度が不足する心配がある点、等の理由から何らかの対策
を必要とする。
よって基材と記録層の界面付近で基材がダメージを受け
やすく記録信号の品質が低下してしまう点、更に容量を
上げるためにディスク形状を大きくする、あるいは転送
レートを上げるために回転速度を上げるというような試
みに対しては、現状の半導体レーザーの出力では記録感
度が不足する心配がある点、等の理由から何らかの対策
を必要とする。
発明の目的
本発明は光ディスクの構造を改良して、記録感度、消去
感度等を向上するとともに繰り返し使用してもダメージ
を受けにくい光ディスクを提供することを目的とする。
感度等を向上するとともに繰り返し使用してもダメージ
を受けにくい光ディスクを提供することを目的とする。
発明の構成
本発明による光学情報記録部材は、基材上に酸化ゲルマ
ニウム層を設け、その上に光照射によって加熱昇温し、
その光学定数を変化する性質を有する性質を有する記録
層番積層したことを特徴とする。
ニウム層を設け、その上に光照射によって加熱昇温し、
その光学定数を変化する性質を有する性質を有する記録
層番積層したことを特徴とする。
酸化ゲルマニウム層は、レーザ光の入射効率を高めて見
かけ上の記録感度を高めるとともに、基材に対する防護
層として作用し、くり返し使用による基材の損傷を防止
する。
かけ上の記録感度を高めるとともに、基材に対する防護
層として作用し、くり返し使用による基材の損傷を防止
する。
実施例の説明′
以下図面を参照しつつ本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の光学情報記録部材の基本的構成の断
面図を示したものである。図中１は、基材であって、Ｐ
ＭＭＡ 、塩化ビニール、ポリカーボネイト等のプラス
チック、又はガラス等を使用目的に応じて用いることが
できる。２は本発明の根幹をなす酸化ゲルマニウムＧｅ
０ｘ（ｘ−２又はｘ ＝ ２ ）の層であって蒸着、ス
パッタリング等の方法を用いて形成する。膜形成に際し
ては蒸着用ソース材料あるいはスパッタリングのターゲ
ノ）Ｉｔ’ｌｌとして二酸化ゲルマニウムＧｅ○２を用
いる。蒸着あるいはスパッタリングの条件によってはや
や○がはずれてＧｅ０ｘ（ｘユ２）となる場合があるが
本発明においては、はぼ同様の効果を得ることが可能で
ある。
面図を示したものである。図中１は、基材であって、Ｐ
ＭＭＡ 、塩化ビニール、ポリカーボネイト等のプラス
チック、又はガラス等を使用目的に応じて用いることが
できる。２は本発明の根幹をなす酸化ゲルマニウムＧｅ
０ｘ（ｘ−２又はｘ ＝ ２ ）の層であって蒸着、ス
パッタリング等の方法を用いて形成する。膜形成に際し
ては蒸着用ソース材料あるいはスパッタリングのターゲ
ノ）Ｉｔ’ｌｌとして二酸化ゲルマニウムＧｅ○２を用
いる。蒸着あるいはスパッタリングの条件によってはや
や○がはずれてＧｅ０ｘ（ｘユ２）となる場合があるが
本発明においては、はぼ同様の効果を得ることが可能で
ある。
膜厚としては、基材１側から光を入射した時の反射光量
が干渉効果として極大値を示す時の膜厚に設定すること
ができる。設定方法としては、例えば特開昭５９−１７
１３９に提案されている反射率測定方法を用いて行なう
ことができる一ヶ第２図は、前述の方法を用いて酸化ゲ
ルマニウム薄膜を堆積していった時の膜厚と基材側から
の反射率との関係を示したものである。反射光強度は、
基材表面からの反射光と、基材と酸化ゲルマニウム層の
界面からの反射光との間の多重干渉の結果、図のように
膜厚の増加に従って増大し、極大値をとった後、減少す
ることがわかった。酸化ゲルマニウムのように透明で光
がほとんど吸収されない物質の場合には、極大値をとる
場合の膜厚ｄと屈折率ｎ、波長λの間には、ｎｄ−λ／
４のような近似式が成立し、酸化ゲルマニウム薄膜の屈
折率ｎ＝１．６．光源の波長λ＝８４０ｎｍとすると、
反射光強度が極大をとる膜厚ｄ。は、約１３０ｎｍとな
る。
が干渉効果として極大値を示す時の膜厚に設定すること
ができる。設定方法としては、例えば特開昭５９−１７
１３９に提案されている反射率測定方法を用いて行なう
ことができる一ヶ第２図は、前述の方法を用いて酸化ゲ
ルマニウム薄膜を堆積していった時の膜厚と基材側から
の反射率との関係を示したものである。反射光強度は、
基材表面からの反射光と、基材と酸化ゲルマニウム層の
界面からの反射光との間の多重干渉の結果、図のように
膜厚の増加に従って増大し、極大値をとった後、減少す
ることがわかった。酸化ゲルマニウムのように透明で光
がほとんど吸収されない物質の場合には、極大値をとる
場合の膜厚ｄと屈折率ｎ、波長λの間には、ｎｄ−λ／
４のような近似式が成立し、酸化ゲルマニウム薄膜の屈
折率ｎ＝１．６．光源の波長λ＝８４０ｎｍとすると、
反射光強度が極大をとる膜厚ｄ。は、約１３０ｎｍとな
る。
第１図において３は記録層を示す。上述のように設計し
た酸化ゲルマニウム層２の上に記録層゛３を堆積させる
場合、記録膜３の屈折率が酸化ゲルマニウム２の屈折率
よシも大であれば、記録層３を含めた全体の系として、
基材側１からの反射光強度を、酸化ゲルマニウム層２の
無い場合に比べてはるかに小さくすることが可能であり
光の入射効率を高めることができる。
た酸化ゲルマニウム層２の上に記録層゛３を堆積させる
場合、記録膜３の屈折率が酸化ゲルマニウム２の屈折率
よシも大であれば、記録層３を含めた全体の系として、
基材側１からの反射光強度を、酸化ゲルマニウム層２の
無い場合に比べてはるかに小さくすることが可能であり
光の入射効率を高めることができる。
第３図に、記録層材料としてＴｅ−Ｔｅａ２系薄膜全薄
膜た場合において、酸化ゲルマニウム層２が有る場合（
、）、と無い場合（ｂ）における反射光強度の相違を示
す。酸化ゲルマニウム層２が無い（ｂ）の場合において
は、反射光強度は膜厚の増加とともに増大し、極大値４
をとった後、減少し、その後、極小５．極大６と増減を
くシ返しながら一定の値に収束する。これに対して酸化
ゲルマニウム層２が有る場合においては反射光強度は小
さい極小値７をとった後、増大し極大８をとｂ、その後
減少し極４ｚ９．極大１ｏと増減をくシ返しながら一定
の値に収束する。このとき、酸化ゲルマニウム層２が有
る場合には、各極大値、極小値、又収束値とも無い場合
に比べて全体に低くすることができることがわかった。
膜た場合において、酸化ゲルマニウム層２が有る場合（
、）、と無い場合（ｂ）における反射光強度の相違を示
す。酸化ゲルマニウム層２が無い（ｂ）の場合において
は、反射光強度は膜厚の増加とともに増大し、極大値４
をとった後、減少し、その後、極小５．極大６と増減を
くシ返しながら一定の値に収束する。これに対して酸化
ゲルマニウム層２が有る場合においては反射光強度は小
さい極小値７をとった後、増大し極大８をとｂ、その後
減少し極４ｚ９．極大１ｏと増減をくシ返しながら一定
の値に収束する。このとき、酸化ゲルマニウム層２が有
る場合には、各極大値、極小値、又収束値とも無い場合
に比べて全体に低くすることができることがわかった。
従って基材１と記録膜３との間に酸化ゲルマニウム層２
を設けることで光の入射効率を高めることが可能となシ
、全体として記録感度の向上が計れるものである。
を設けることで光の入射効率を高めることが可能となシ
、全体として記録感度の向上が計れるものである。
酸化ゲルマニウム層２の膜厚としては、前述の近似式で
反射光強度が最大となるように選ぶ場合においそ上述の
反射率低減の効果を最大限得ることができるものである
が、反射光強度が最大でない場合においても類似の効果
を得ることは可能であり、この場合においては記録層３
を含めた光の反射率は、第３図ａとｂの中間の値をとる
ものである。
反射光強度が最大となるように選ぶ場合においそ上述の
反射率低減の効果を最大限得ることができるものである
が、反射光強度が最大でない場合においても類似の効果
を得ることは可能であり、この場合においては記録層３
を含めた光の反射率は、第３図ａとｂの中間の値をとる
ものである。
記録層３としては、上記以外にもＳｂ２Ｔｅ３ 。
、Ｓｂ ２ Ｓ ｅ ３等、やはり記録前後で光学的特
性を変化するもの、あるいは’ｆ ｅ−Ｃ系薄膜、Ｐｂ
−Ｔｏ−５ｅ系薄膜等の穴を形成するような材料もその
まま適用が可能である。
性を変化するもの、あるいは’ｆ ｅ−Ｃ系薄膜、Ｐｂ
−Ｔｏ−５ｅ系薄膜等の穴を形成するような材料もその
まま適用が可能である。
次に、記録層３としてＴｅ−Ｇｅ−５ｎ−０系薄膜（特
願昭５８−５８’１５８記載）を用いて、くり返し記録
、消去を行った場合の実施例について説明する。この系
の記録薄膜は、その使用方法として膜をあらかじめ反射
率の高い状態にしておき、光を照射して反射率の低い状
態に変化させることで記録しようというものであるから
、記録時の光の入射効率を高めるという意味で、酸化ゲ
ルマニウム層による反射率低減効果は非常に有用である
。
願昭５８−５８’１５８記載）を用いて、くり返し記録
、消去を行った場合の実施例について説明する。この系
の記録薄膜は、その使用方法として膜をあらかじめ反射
率の高い状態にしておき、光を照射して反射率の低い状
態に変化させることで記録しようというものであるから
、記録時の光の入射効率を高めるという意味で、酸化ゲ
ルマニウム層による反射率低減効果は非常に有用である
。
更にくシ返し使用する際には樹脂基材１が熱的に変形し
、ノイズレベルが増大することが考えられるが、酸化ゲ
ルマニウムという無機材質層を介することでその変形を
押さえることができるものである。特願昭５８−５８１
５８記載のＴ ｅ ｅ ｏ Ｓ ｎ １ｓＧ ｅ ｓ
Ｏ２゜薄膜を用いて、酸化ゲルマニウム／ｉ ｄｉ有る
場合と無い場合との両方の光ディスクを試作し、やはシ
特願昭５８−５８１５８記載の記録消去方法を用いてく
シ返し記録消去実験を行なった。
、ノイズレベルが増大することが考えられるが、酸化ゲ
ルマニウムという無機材質層を介することでその変形を
押さえることができるものである。特願昭５８−５８１
５８記載のＴ ｅ ｅ ｏ Ｓ ｎ １ｓＧ ｅ ｓ
Ｏ２゜薄膜を用いて、酸化ゲルマニウム／ｉ ｄｉ有る
場合と無い場合との両方の光ディスクを試作し、やはシ
特願昭５８−５８１５８記載の記録消去方法を用いてく
シ返し記録消去実験を行なった。
第４図は酸化ゲルマニウム層を設けて試作した光ディス
クの断面図、第５図は光デイスク作成時の各工程におけ
るディスクの反射率を連続的に示しだものである。
クの断面図、第５図は光デイスク作成時の各工程におけ
るディスクの反射率を連続的に示しだものである。
基材１１は１．２叫厚のＰＭＭＡを用い、そのうえに酸
化ゲルマニウム層１２を反射率が極太となるように蒸着
し、その上にＴｅ６ｏ Ｓ、ｎ １ｓ Ｇｅ ５０２０
薄膜層１３を、その反射率が極小となるようにこれも蒸
着して形成する。更に、この場合はくり返し使用時にお
けるゴミ、キズ等の影響を避けるため記録膜の上に更に
もう一層、酸化ゲルマニウム層１４を反射率が極小とな
るように蒸着し、紫外線硬化樹脂を爪いて、１．１ｔｒ
ｒＩｎ厚のＰＭＭＡ基材１６をはり合わせて光ディスク
とする。
化ゲルマニウム層１２を反射率が極太となるように蒸着
し、その上にＴｅ６ｏ Ｓ、ｎ １ｓ Ｇｅ ５０２０
薄膜層１３を、その反射率が極小となるようにこれも蒸
着して形成する。更に、この場合はくり返し使用時にお
けるゴミ、キズ等の影響を避けるため記録膜の上に更に
もう一層、酸化ゲルマニウム層１４を反射率が極小とな
るように蒸着し、紫外線硬化樹脂を爪いて、１．１ｔｒ
ｒＩｎ厚のＰＭＭＡ基材１６をはり合わせて光ディスク
とする。
第６図は、これらの光ディスクを用いて、記録パワー、
消去パワーをそれぞれ８ｍＷ、１２ｍＷ、消去レーザー
ビーム長を半値巾で１５μｍとして同一トラック上にく
り返し記録消去を行なった場合のＣ／Ｈの変化の様子を
示したものである。記録周波数は５ ＭＨｚ 、ディス
クの周速は１５ ｍｌ Ｂである。このとき、酸化ゲル
マニウム層を備えた光ディスクａｖｃおいては、光の吸
収効率が良いだめに初期Ｃ／Ｎが高く、同時にくシ返し
使用時においてもＣ／Ｎの劣化がごく微かでしかなかっ
た。それに比して、酸化ゲルマニウム層の無い光ディス
クｂにおいては、ａＪＣ／Ｎがやや低く、くり返し使用
するとノイズレベルの上昇に伴ない、Ｃ／Ｎが低下する
減少が観察された。
消去パワーをそれぞれ８ｍＷ、１２ｍＷ、消去レーザー
ビーム長を半値巾で１５μｍとして同一トラック上にく
り返し記録消去を行なった場合のＣ／Ｈの変化の様子を
示したものである。記録周波数は５ ＭＨｚ 、ディス
クの周速は１５ ｍｌ Ｂである。このとき、酸化ゲル
マニウム層を備えた光ディスクａｖｃおいては、光の吸
収効率が良いだめに初期Ｃ／Ｎが高く、同時にくシ返し
使用時においてもＣ／Ｎの劣化がごく微かでしかなかっ
た。それに比して、酸化ゲルマニウム層の無い光ディス
クｂにおいては、ａＪＣ／Ｎがやや低く、くり返し使用
するとノイズレベルの上昇に伴ない、Ｃ／Ｎが低下する
減少が観察された。
発明の効果
本発明によれば、酸化ゲルマニウム層を基材と記録層と
の間に備えることで、反射率が低減化され、全体の系と
して記録感度が高く、しかも基材を保護する効果を伴っ
て、くり返し使用時の耐久性に優れた光学情報記録部材
を提供することができる・
の間に備えることで、反射率が低減化され、全体の系と
して記録感度が高く、しかも基材を保護する効果を伴っ
て、くり返し使用時の耐久性に優れた光学情報記録部材
を提供することができる・
第１図は、本発明の光学情報記録部材の基本構成の断面
図、第２図は酸化ゲルマニウム層の膜厚と反射率の関係
を示すグラフ、第３図は、酸化ゲルマニウム層が有る場
合と無い場合の記録材料の反射率の差異を示すグラフ、
第４図は書き換え可能な材料を用いて、はり合わせた構
造の本発明の一実施例における光学情報記録部材の断面
図、第５図は、ディスク作成時の各工程におけるディス
クの反射率の連続的な変化を示すグラフ、第６図は、酸
化ゲルマニウム層の有無によるくり返し使用時のＣ／Ｎ
の変化の相違を示すグラフである。 １・・・・・・基材、２・・・・・・酸化ゲルマニウム
層、３・・・・・・記録層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 躾 厚 ｄ（ｔｙ島 第３図 （Ｃｌ） 月叉 ４ ｄ（ｎｐｎ） （ｂ） 躾４ ｄ（ｎ川 第４図 第５図 ｃｅら冴 記僧＃軒層 ６ｅρ２層 頑 ４ ｎ’ｔｎ
図、第２図は酸化ゲルマニウム層の膜厚と反射率の関係
を示すグラフ、第３図は、酸化ゲルマニウム層が有る場
合と無い場合の記録材料の反射率の差異を示すグラフ、
第４図は書き換え可能な材料を用いて、はり合わせた構
造の本発明の一実施例における光学情報記録部材の断面
図、第５図は、ディスク作成時の各工程におけるディス
クの反射率の連続的な変化を示すグラフ、第６図は、酸
化ゲルマニウム層の有無によるくり返し使用時のＣ／Ｎ
の変化の相違を示すグラフである。 １・・・・・・基材、２・・・・・・酸化ゲルマニウム
層、３・・・・・・記録層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 躾 厚 ｄ（ｔｙ島 第３図 （Ｃｌ） 月叉 ４ ｄ（ｎｐｎ） （ｂ） 躾４ ｄ（ｎ川 第４図 第５図 ｃｅら冴 記僧＃軒層 ６ｅρ２層 頑 ４ ｎ’ｔｎ
Claims (3)
- （１）基材上に酸化ゲルマニウムＧｅｍｘ（ｘ ＝ ２
又はｘ ＝ ２ ）層を設け、その上に光照射によって
昇温し、その光学定数が変化する性質を有する記録層を
積層した光学情報記録部材。 - （２）記録層として、光照射によって昇温させた後、急
冷することでその光学定数が減少し、徐冷することでそ
の光学定数が増大する性質を備えた薄膜を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録部
材。 - （３）基材側から光を入射させた時その光の波長に応じ
て、その反射率が極大になるように第１の酸化ゲルマニ
ウム層の膜厚を選び、反射率が極小となるように記録層
の膜厚を選んだことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学情報記録部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113301A JPS60257291A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 光学情報記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113301A JPS60257291A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 光学情報記録部材 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27697390A Division JPH03141054A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 光学情報記録部材の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257291A true JPS60257291A (ja) | 1985-12-19 |
| JPH0545434B2 JPH0545434B2 (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=14608744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113301A Granted JPS60257291A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257291A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287058A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-17 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 書き換え可能な光学データ記憶デバイス |
| JPS62226446A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| US4787077A (en) * | 1985-08-15 | 1988-11-22 | International Business Machines Corporation | Process for optically storing information using materials having a single phase in both the crystalline state and the amorphous state |
| JPS63300441A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0264936A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPH03141054A (ja) * | 1990-10-15 | 1991-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製法 |
| US5187052A (en) * | 1987-04-08 | 1993-02-16 | Hitachi, Ltd. | Optical recording medium |
| US5268254A (en) * | 1989-02-28 | 1993-12-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US5273861A (en) * | 1987-12-04 | 1993-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method of making an optical information recording medium and method of recording/reproducing optical information |
| CN100385541C (zh) * | 2004-04-28 | 2008-04-30 | 索尼株式会社 | 一次写入光记录介质 |
| WO2008091018A1 (ja) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Sony Corporation | 光記録媒体およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP59113301A patent/JPS60257291A/ja active Granted
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287058A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-17 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 書き換え可能な光学データ記憶デバイス |
| US4787077A (en) * | 1985-08-15 | 1988-11-22 | International Business Machines Corporation | Process for optically storing information using materials having a single phase in both the crystalline state and the amorphous state |
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| US5273861A (en) * | 1987-12-04 | 1993-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method of making an optical information recording medium and method of recording/reproducing optical information |
| US5449589A (en) * | 1987-12-04 | 1995-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making an optical information recording medium and method of recording/reproducing optical information |
| JPH0264936A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| US5268254A (en) * | 1989-02-28 | 1993-12-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording medium |
| JPH03141054A (ja) * | 1990-10-15 | 1991-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製法 |
| CN100385541C (zh) * | 2004-04-28 | 2008-04-30 | 索尼株式会社 | 一次写入光记录介质 |
| WO2008091018A1 (ja) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Sony Corporation | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US8119215B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545434B2 (ja) | 1993-07-09 |
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