JPH07111788B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH07111788B2 JPH07111788B2 JP62012357A JP1235787A JPH07111788B2 JP H07111788 B2 JPH07111788 B2 JP H07111788B2 JP 62012357 A JP62012357 A JP 62012357A JP 1235787 A JP1235787 A JP 1235787A JP H07111788 B2 JPH07111788 B2 JP H07111788B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、結晶−非晶質相変化を利用した。追記あるい
は書き換え可能な光情報記録媒体に係り特に記録、消去
操り返し特性に優れた光情報記録媒体に関する。
は書き換え可能な光情報記録媒体に係り特に記録、消去
操り返し特性に優れた光情報記録媒体に関する。
従来の相変化型光情報記録媒体は、トラック案内溝ある
いは、間欠的なトラッキング用くぼみあるいはトラック
番地用くぼみを加工するために、紫外線硬化樹脂によっ
てレプリカ形成されたディスク基板、あるいはプラスチ
ック射出成形基板等の有機材料を用いている。また、記
録膜が記録あるいは消去時に変形や蒸発することを防ぐ
ためにSIO2に代表される透明な無機物薄膜で保護されて
いる。相変化記録膜は上記SiO2などの透明無機物保護膜
にはさまれ、その外側を有機材料で覆われた構造となっ
ている。なお、この種の光情報記録媒体として関連する
ものには、例えば特開昭52−2783、特開昭60−38746等
が挙げられる。
いは、間欠的なトラッキング用くぼみあるいはトラック
番地用くぼみを加工するために、紫外線硬化樹脂によっ
てレプリカ形成されたディスク基板、あるいはプラスチ
ック射出成形基板等の有機材料を用いている。また、記
録膜が記録あるいは消去時に変形や蒸発することを防ぐ
ためにSIO2に代表される透明な無機物薄膜で保護されて
いる。相変化記録膜は上記SiO2などの透明無機物保護膜
にはさまれ、その外側を有機材料で覆われた構造となっ
ている。なお、この種の光情報記録媒体として関連する
ものには、例えば特開昭52−2783、特開昭60−38746等
が挙げられる。
上記従来の相変化型光情報記録媒体に記録・消去をする
ためにレーザ光を照射すると、相変化記録膜は融点以上
の温度に上昇するとともに、有機物薄膜の温度も記録膜
の融点温度近くまで上昇するため、有機物薄膜は変形あ
るいは変質を起こし易いという問題があった。したがっ
て、記録・消去を繰り返すにしたがって、有機物薄膜の
変形あるいは変質が蓄積拡大し、ついには光による記録
・消去および読み出しが不可能となる。
ためにレーザ光を照射すると、相変化記録膜は融点以上
の温度に上昇するとともに、有機物薄膜の温度も記録膜
の融点温度近くまで上昇するため、有機物薄膜は変形あ
るいは変質を起こし易いという問題があった。したがっ
て、記録・消去を繰り返すにしたがって、有機物薄膜の
変形あるいは変質が蓄積拡大し、ついには光による記録
・消去および読み出しが不可能となる。
本発明の目的は、上記の問題を解決し、操り返し記録・
消去特性に優れた相変化型の書き換え可能な光情報記録
媒体を提供することにある。
消去特性に優れた相変化型の書き換え可能な光情報記録
媒体を提供することにある。
上記目的は、相変化記録に対する透明保護膜と、有機物
薄膜あるいは有機物基板との間に、熱特性の異なる第2
の透明層をそう入することにより、達成される。
薄膜あるいは有機物基板との間に、熱特性の異なる第2
の透明層をそう入することにより、達成される。
なお、層変化型記録膜は、原子配列の規則性の変化によ
って記録を行うものであって、たとえば非晶質、または
それに近い状態とそれよりも規則性の高い結晶状態との
間、あるいは結晶型の異なる2つの結晶間で変化させる
ものなどが含まれる。
って記録を行うものであって、たとえば非晶質、または
それに近い状態とそれよりも規則性の高い結晶状態との
間、あるいは結晶型の異なる2つの結晶間で変化させる
ものなどが含まれる。
記録膜に接する第1の透明膜は記録膜で生じた熱が拡散
することを防ぐ。それによって、低パワーのレーザによ
って効率よく記録膜温度を上昇させることができる。さ
らに、外側に設けた第2の透明薄膜は、熱伝導率が第1
の透明保護膜より大きい。したがって、記録膜で発生し
た熱は第1の透明薄膜を介し熱伝導率の大きい第2の透
明薄膜を通じて、膜面内方向に拡散するので、有機物薄
膜の温度上昇が抑えられる。また、有機物薄膜の温度が
上がっている時間も短かくなり、有機物薄膜の変形およ
び変質を防ぐことができる。さらに、第2の透明保護膜
の比熱および密度を、第1の透明薄膜より大きくするこ
とにより、拡散した熱による第2の透明薄膜の温度上昇
を小さくし、有機物薄膜の温度上昇を抑える作用をより
効果的にする。第2の透明薄膜と第1の透明薄膜との順
序を逆にした場合は、記録・消去時の熱の損失が大きく
なるので記録感度が低下するが、一応使用可能である。
しかし、第2の透明薄膜だけでは、単独で強度を持たせ
るために厚くする結果、熱拡散が非常に大きくなり、現
在の半導体レーザパワー(30mw)ではパワー不足となり
記録不可能である。また、これら2層の透明薄膜の、記
録膜とは反対の側の面に、第3の透明薄膜を設けると、
さらに上記有機物薄膜の温度上昇を抑える効果が大きく
なる。第1の透明薄膜は有機物でも無機物でもよい。有
機物の方が熱の遮断効果は大きいが、変形しにくさの点
で無機物の方が好ましい。第2の透明薄膜は無機物より
成るのが好ましく、特に好ましい物質はBN.Si3N4、Al
N、Al2O3、CaO、MgO、TiO2のうち一つに近い組成を持っ
たものである。
することを防ぐ。それによって、低パワーのレーザによ
って効率よく記録膜温度を上昇させることができる。さ
らに、外側に設けた第2の透明薄膜は、熱伝導率が第1
の透明保護膜より大きい。したがって、記録膜で発生し
た熱は第1の透明薄膜を介し熱伝導率の大きい第2の透
明薄膜を通じて、膜面内方向に拡散するので、有機物薄
膜の温度上昇が抑えられる。また、有機物薄膜の温度が
上がっている時間も短かくなり、有機物薄膜の変形およ
び変質を防ぐことができる。さらに、第2の透明保護膜
の比熱および密度を、第1の透明薄膜より大きくするこ
とにより、拡散した熱による第2の透明薄膜の温度上昇
を小さくし、有機物薄膜の温度上昇を抑える作用をより
効果的にする。第2の透明薄膜と第1の透明薄膜との順
序を逆にした場合は、記録・消去時の熱の損失が大きく
なるので記録感度が低下するが、一応使用可能である。
しかし、第2の透明薄膜だけでは、単独で強度を持たせ
るために厚くする結果、熱拡散が非常に大きくなり、現
在の半導体レーザパワー(30mw)ではパワー不足となり
記録不可能である。また、これら2層の透明薄膜の、記
録膜とは反対の側の面に、第3の透明薄膜を設けると、
さらに上記有機物薄膜の温度上昇を抑える効果が大きく
なる。第1の透明薄膜は有機物でも無機物でもよい。有
機物の方が熱の遮断効果は大きいが、変形しにくさの点
で無機物の方が好ましい。第2の透明薄膜は無機物より
成るのが好ましく、特に好ましい物質はBN.Si3N4、Al
N、Al2O3、CaO、MgO、TiO2のうち一つに近い組成を持っ
たものである。
上記第1および第2の透明薄膜の熱伝導率の差は、0.01
J/sec・cm・deg以上であるのが好ましく、0.05J/sec
・cm・deg以上であるのがより好ましい。第2の透明薄
膜の熱伝導率は0.05J/sec・cm・deg以上であるのが好ま
しく、0.1J/sec・cm・deg以上であれば特に好ましい。
第1の透明薄膜の熱伝導率は0.03J/sec・cm・deg以下で
あるのが好ましく、0.02J/sec・cm・deg以下であるのが
特に好ましい。
J/sec・cm・deg以上であるのが好ましく、0.05J/sec
・cm・deg以上であるのがより好ましい。第2の透明薄
膜の熱伝導率は0.05J/sec・cm・deg以上であるのが好ま
しく、0.1J/sec・cm・deg以上であれば特に好ましい。
第1の透明薄膜の熱伝導率は0.03J/sec・cm・deg以下で
あるのが好ましく、0.02J/sec・cm・deg以下であるのが
特に好ましい。
本発明で用いる2層の透明層は、金属基板を用いる場合
は基板との間ではなく、基板とは反対の側に設けるのが
よい。透明基板を用いる場合、記録膜の基板とは反射の
側に、2層の保護層を設けるのも好ましい。そのうち、
記録膜から遠い側の一層は不透明でもよく、たとえばA
l、Pd、AuPt、Ti、V、Cr、Co、Ni、Cu、Nb、MoTa、W
などの金属層とすれば、やはり熱を逃がす効果があり、
上部の有機物薄膜、接着剤層などの温度上昇を防ぐ効果
が有る。
は基板との間ではなく、基板とは反対の側に設けるのが
よい。透明基板を用いる場合、記録膜の基板とは反射の
側に、2層の保護層を設けるのも好ましい。そのうち、
記録膜から遠い側の一層は不透明でもよく、たとえばA
l、Pd、AuPt、Ti、V、Cr、Co、Ni、Cu、Nb、MoTa、W
などの金属層とすれば、やはり熱を逃がす効果があり、
上部の有機物薄膜、接着剤層などの温度上昇を防ぐ効果
が有る。
本発明の低熱伝導率透明層を構成する物質としては、酸
化物、窒化物、弗化物、硫化物、セレン化物、炭化物、
ホウ化物、炭素、ホウ素、耐熱性有機物などが使用可能
である。これらの例は、ZrO2、SiO、SiO2、B2O3、Mg
F2、ZnSSb2S3、Sb2Se3テフロン、ポリアミド、ポリイミ
ドなどである。
化物、窒化物、弗化物、硫化物、セレン化物、炭化物、
ホウ化物、炭素、ホウ素、耐熱性有機物などが使用可能
である。これらの例は、ZrO2、SiO、SiO2、B2O3、Mg
F2、ZnSSb2S3、Sb2Se3テフロン、ポリアミド、ポリイミ
ドなどである。
第2の透明薄膜のみでなく、第1の透明薄膜との組合せ
による2層透明薄膜構造をとることによる作用は、上述
の熱的作用だけでなく、光学的な作用もある。相変化光
ディスクでは、記録膜の屈折率変化を記録膜表面・裏面
間の多重干渉の効果によって、反射率変化として読み出
している。従って記録膜の屈折率(3〜4)と第1の透
明層の屈折率(例えば1.5)との差は大きい程、記録膜
と第1の透明層との間で反射率が高く、多重干渉の効果
が大きく、よって、読み出し信号強度が大きい。第2の
透明層の屈折率が大きい(例えば2以上)場合には、第
2の透明層のみとしたとき、読み出し信号強度が下がる
という問題が生じてしまう。従って、2層にすること
で、読み出し信号強度を大きく保ちつつ、かつ、上記の
熱的効果をもたらす作用がある。
による2層透明薄膜構造をとることによる作用は、上述
の熱的作用だけでなく、光学的な作用もある。相変化光
ディスクでは、記録膜の屈折率変化を記録膜表面・裏面
間の多重干渉の効果によって、反射率変化として読み出
している。従って記録膜の屈折率(3〜4)と第1の透
明層の屈折率(例えば1.5)との差は大きい程、記録膜
と第1の透明層との間で反射率が高く、多重干渉の効果
が大きく、よって、読み出し信号強度が大きい。第2の
透明層の屈折率が大きい(例えば2以上)場合には、第
2の透明層のみとしたとき、読み出し信号強度が下がる
という問題が生じてしまう。従って、2層にすること
で、読み出し信号強度を大きく保ちつつ、かつ、上記の
熱的効果をもたらす作用がある。
以下、本発明の一実施例を挙げ、図面に基いてさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例1 第1図は本発明の光情報記録媒体の一例の断面構造を示
したもので、In−Se系相変化型記録膜1、記録膜の変形
や昇華を防ぎ、さらに熱上昇効率を上げるためのSiO2か
らなる透明保護膜2熱を逃すための透明なSi3N4薄膜
3、トラッキング案内溝あるいは間欠的トラッキング用
マーク(ピット)を形成した紫外線硬化樹脂からなる有
機物薄膜4、ガラス基板5で構成されている。
したもので、In−Se系相変化型記録膜1、記録膜の変形
や昇華を防ぎ、さらに熱上昇効率を上げるためのSiO2か
らなる透明保護膜2熱を逃すための透明なSi3N4薄膜
3、トラッキング案内溝あるいは間欠的トラッキング用
マーク(ピット)を形成した紫外線硬化樹脂からなる有
機物薄膜4、ガラス基板5で構成されている。
この光情報記録媒体の作成方法は次の通りである。ま
ず、ガラス基板5に紫外線硬化樹脂4を塗布し、スンタ
パに圧着させたうえで紫外線を照射する。ガラス基板5
をスタンパからはがすと、トラッキング案内溝あるいは
間欠的なトラッキングマークやヘッダー信号がレプリカ
として複製される。その上にSi3N4の薄膜3を約1000Aあ
るいははそれ以上の厚さに蒸着する。その上にSiO2の透
明保護膜2を約1000A蒸着し、さらにIn−Se系記録膜1
を形成する。その上に同様にしてSiO2薄膜2、Si3N4の
薄膜3を蒸着し、有機物薄膜である紫外線硬化樹脂4
で、ガラス基板5と貼り合わせる。
ず、ガラス基板5に紫外線硬化樹脂4を塗布し、スンタ
パに圧着させたうえで紫外線を照射する。ガラス基板5
をスタンパからはがすと、トラッキング案内溝あるいは
間欠的なトラッキングマークやヘッダー信号がレプリカ
として複製される。その上にSi3N4の薄膜3を約1000Aあ
るいははそれ以上の厚さに蒸着する。その上にSiO2の透
明保護膜2を約1000A蒸着し、さらにIn−Se系記録膜1
を形成する。その上に同様にしてSiO2薄膜2、Si3N4の
薄膜3を蒸着し、有機物薄膜である紫外線硬化樹脂4
で、ガラス基板5と貼り合わせる。
ここで、SiO2、Si3N4はそれぞれ第1の透明無機物保護
層、第2の透明無機物層であり、熱伝導率は、それぞれ
0.015、0.15(J/sec・cm・deg)、比熱は、それぞれ0.
8、0.74(J/g deg)、密度はそれぞれ2.2、3.2(g/c
m3)である。
層、第2の透明無機物層であり、熱伝導率は、それぞれ
0.015、0.15(J/sec・cm・deg)、比熱は、それぞれ0.
8、0.74(J/g deg)、密度はそれぞれ2.2、3.2(g/c
m3)である。
本実施例によれば、非晶質に近い状態と結晶状態の間の
記録消去の繰り返し書き換え回数は103回以上可能とな
つた。
記録消去の繰り返し書き換え回数は103回以上可能とな
つた。
実施例2 第1図のSi3N4薄膜3と紫外線硬化樹脂層4との間に熱
伝導率の小さい第3の透明薄膜であるSiO2薄膜(図示せ
ず)を形成し、記録膜1の熱が紫外線硬化樹脂層4の温
度上昇を防ぐ。この光情報記録媒体の構造により、多数
回(>103)の記録・消去の繰り返しが可能となった。
伝導率の小さい第3の透明薄膜であるSiO2薄膜(図示せ
ず)を形成し、記録膜1の熱が紫外線硬化樹脂層4の温
度上昇を防ぐ。この光情報記録媒体の構造により、多数
回(>103)の記録・消去の繰り返しが可能となった。
実施例1および実施例2の両方において、Si3N4薄膜3
の代わりにBN、AlN、Al2O3、CaOTiO2およびMgOのうちの
少なくとも一者の薄膜を用いると、さらに熱伝導率が高
く、変形を防止する効果が高い。SiO2薄膜2の代わりに
は、ZrO2、B2O3、MgF2、ZnS、Sb2S3、Sb2Se3、テフロ
ン、ポリアミド、ポリイミドなどの薄膜を用いることが
できる。これらの薄膜を種々組み合わせて検討した結
果、第1および第2の透明薄膜の熱伝導率の差が0.01J/
sec・cm・deg以上の場合に効果が有り、0.05J/sec・cm
・deg以上では効果が顕著であった。さらに、第2の透
明薄膜の熱伝導率が0.05J/sec・cm・deg以上であるのが
好ましく、0.1J/sec・cm・deg以上が特に好ましかっ
た。第1の透明薄膜の熱伝導率は0.03J/sec・cm・deg以
下の場合に断熱効果が良好であり、0.02J/sec・cm・deg
以下であると特に好ましかった。第3の透明薄膜の好ま
しい熱伝導率は第1の透明薄膜と同様であった。
の代わりにBN、AlN、Al2O3、CaOTiO2およびMgOのうちの
少なくとも一者の薄膜を用いると、さらに熱伝導率が高
く、変形を防止する効果が高い。SiO2薄膜2の代わりに
は、ZrO2、B2O3、MgF2、ZnS、Sb2S3、Sb2Se3、テフロ
ン、ポリアミド、ポリイミドなどの薄膜を用いることが
できる。これらの薄膜を種々組み合わせて検討した結
果、第1および第2の透明薄膜の熱伝導率の差が0.01J/
sec・cm・deg以上の場合に効果が有り、0.05J/sec・cm
・deg以上では効果が顕著であった。さらに、第2の透
明薄膜の熱伝導率が0.05J/sec・cm・deg以上であるのが
好ましく、0.1J/sec・cm・deg以上が特に好ましかっ
た。第1の透明薄膜の熱伝導率は0.03J/sec・cm・deg以
下の場合に断熱効果が良好であり、0.02J/sec・cm・deg
以下であると特に好ましかった。第3の透明薄膜の好ま
しい熱伝導率は第1の透明薄膜と同様であった。
実施例1および実施例2において第1の保護膜の屈折率
は、読みとり信号強度に関わる反射率を左右する。たと
えば屈折率3〜4の記録膜に屈折率1.5のSiO2保護膜を
組み合わせると多重干渉による反射率は30%以上得られ
るが屈折率2.0のZrO2保護膜と組み合わせると多重干渉
による反射率は約20%となる。このように、読み取り可
能な反射率20%以上を得るためには第1の透明薄膜とし
て、屈折率2.0以下の物質を使用する必要がある。
は、読みとり信号強度に関わる反射率を左右する。たと
えば屈折率3〜4の記録膜に屈折率1.5のSiO2保護膜を
組み合わせると多重干渉による反射率は30%以上得られ
るが屈折率2.0のZrO2保護膜と組み合わせると多重干渉
による反射率は約20%となる。このように、読み取り可
能な反射率20%以上を得るためには第1の透明薄膜とし
て、屈折率2.0以下の物質を使用する必要がある。
実施例1および実施例2において基板の一方を金属とし
た場合も変形防止効果が見られる。
た場合も変形防止効果が見られる。
実施例1および実施例2において光を入射させない側の
第2の透明層は不透明としてもよく、金属が使用可能で
ある。Al、Pd、Au、Pt、TiV、Cr、Cu、Co、Ni、Nb、M
o、Ta、およびWにおいて良好な結果が得られる。
第2の透明層は不透明としてもよく、金属が使用可能で
ある。Al、Pd、Au、Pt、TiV、Cr、Cu、Co、Ni、Nb、M
o、Ta、およびWにおいて良好な結果が得られる。
第1の透明薄膜2と第2の透明薄膜3の順序を逆にする
と記録感度が低下するが、一応使用可能であった。
と記録感度が低下するが、一応使用可能であった。
本発明によれば、有機物薄膜の温度上昇を抑えることが
できるので、多数回の繰り返し記録・消去書き換えが可
能となる。
できるので、多数回の繰り返し記録・消去書き換えが可
能となる。
第1図は本発明の一実施例を示す光情報記録媒体の断面
図である。 1……相変化型記録膜 2……SiO2保護膜 3……Si3N4薄膜 4……紫外線硬化樹脂膜 5……ガラス基板
図である。 1……相変化型記録膜 2……SiO2保護膜 3……Si3N4薄膜 4……紫外線硬化樹脂膜 5……ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 哲也 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 安藤 圭吉 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 尾島 正啓 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−144736(JP,A) 特開 昭63−20742(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】光記録膜および有機物膜あるいは有機物基
板を少なくとも有する光情報記録媒体において、該光記
録膜の両側に第1の薄膜および該第1の薄膜より熱伝導
率の大きな第2の薄膜をそれぞれ積層して少なくとも5
層の積層構造とし、上記第1の薄膜が上記第2の薄膜よ
り記録膜に近い側にあるように構成したことを特徴とす
る光情報記録媒体。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載の光情報記録媒
体において、上記第2の薄膜の比熱と密度の積は、上記
第1の薄膜の比熱と密度の積よりも大きいことを特徴と
する光情報記録媒体。 - 【請求項3】特許請求の範囲第1項又は第2項記載の光
情報記録媒体において、上記第2の薄膜を無機物とした
ことを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62012357A JPH07111788B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光情報記録媒体 |
US07/147,362 US4984231A (en) | 1987-01-23 | 1988-01-22 | Optical information phase change recording medium having double protective layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62012357A JPH07111788B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63181137A JPS63181137A (ja) | 1988-07-26 |
JPH07111788B2 true JPH07111788B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=11803024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62012357A Expired - Fee Related JPH07111788B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光情報記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
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JPH08249725A (ja) | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体及びその製造に用いられる耐熱性保護層用材料 |
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TW372314B (en) * | 1996-11-25 | 1999-10-21 | Hitachi Maxell | Data recording medium and data regeneration apparatus thereof |
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JPH11134720A (ja) | 1997-08-28 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体及びその記録再生方法 |
US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
TW448443B (en) | 1998-08-05 | 2001-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information storage media and production method as well as the storage reproducing method and device |
JP4239403B2 (ja) * | 2000-12-06 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | 光ディスク |
US20030099903A1 (en) * | 2001-11-28 | 2003-05-29 | Ju Ming Liang | Rewritable optical information recording medium |
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JPH0734271B2 (ja) * | 1986-07-11 | 1995-04-12 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体 |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62012357A patent/JPH07111788B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-01-22 US US07/147,362 patent/US4984231A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4984231A (en) | 1991-01-08 |
JPS63181137A (ja) | 1988-07-26 |
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