JPH0387299A - Ｉｃカード - Google Patents
ＩｃカードInfo
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- JPH0387299A JPH0387299A JP1226460A JP22646089A JPH0387299A JP H0387299 A JPH0387299 A JP H0387299A JP 1226460 A JP1226460 A JP 1226460A JP 22646089 A JP22646089 A JP 22646089A JP H0387299 A JPH0387299 A JP H0387299A
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- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、超薄型ＬＳＩを内蔵したＩＣカードに関する
。
。
（従来の技術）
一般に、ＩＣカードとは、カード内部にマイクロプロセ
ッサとメモリを備えたクレジットカードサイズ（８５，
５Ｘ５４Ｘ０．７６ｍｍ）のプラスチックカードをいい
、現在主流となっている磁気カードに比べると、メモリ
容量やセキュリティ等の点で優れているため、次世代に
は主流になると予測されている。
ッサとメモリを備えたクレジットカードサイズ（８５，
５Ｘ５４Ｘ０．７６ｍｍ）のプラスチックカードをいい
、現在主流となっている磁気カードに比べると、メモリ
容量やセキュリティ等の点で優れているため、次世代に
は主流になると予測されている。
このＩＣカードでは、第４図に示すように、カード本体
１０１の凹部にＩＣモジュール１０２が嵌め込まれてい
る。ＩＣモジュール１０２は、股に第５図に示すような
構造をしている。即ち、ＩＣモジュール１０２は、ＬＳ
Ｉチ・Ｉプ１０３をＰＣ基板１０４の裏面側の凹部に搭
載すると共に、ＬＳＩチップ１０３の電極とｐｃ基板１
０４！！面の端子１０５をワイヤーボンディングして表
面の外部接続端子１０６と導通させ、更に樹脂１０７で
ＬＳＩチップ１０３をモールドした構造となっている。
１０１の凹部にＩＣモジュール１０２が嵌め込まれてい
る。ＩＣモジュール１０２は、股に第５図に示すような
構造をしている。即ち、ＩＣモジュール１０２は、ＬＳ
Ｉチ・Ｉプ１０３をＰＣ基板１０４の裏面側の凹部に搭
載すると共に、ＬＳＩチップ１０３の電極とｐｃ基板１
０４！！面の端子１０５をワイヤーボンディングして表
面の外部接続端子１０６と導通させ、更に樹脂１０７で
ＬＳＩチップ１０３をモールドした構造となっている。
かかる構造のＩＣカードでは、上記のようにカード本体
１０１の厚さを０．７６ｍｍ（誤差許容値±０．０８ｍ
ｍ）の規格寸法に納めなければならない。そのため、Ｌ
ＳＩチップ１０３としては、−設電子機器に用いる厚さ
０．５ｍｍのＬＳＩチップを研磨して０．３ｍｍ程度ま
で薄型化したＬＳＩチップを使用する必要がある。
１０１の厚さを０．７６ｍｍ（誤差許容値±０．０８ｍ
ｍ）の規格寸法に納めなければならない。そのため、Ｌ
ＳＩチップ１０３としては、−設電子機器に用いる厚さ
０．５ｍｍのＬＳＩチップを研磨して０．３ｍｍ程度ま
で薄型化したＬＳＩチップを使用する必要がある。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、厚さ０．３ｍｍ程度のＬＳＩチップ１０３は、
そのシリコンサブストレートが脆弱であるため、モール
ド樹脂１０７で強度向上を図っていても、実使用環境下
での外部応力によって破壊しやすく、信頼性に劣るとい
う問題がある。
そのシリコンサブストレートが脆弱であるため、モール
ド樹脂１０７で強度向上を図っていても、実使用環境下
での外部応力によって破壊しやすく、信頼性に劣るとい
う問題がある。
このような問題は、ＩＣカードが将来普及した場合、貨
幣と同様の価値を持つようになるので到底無視すること
はできず、早期に解決する必要がある。
幣と同様の価値を持つようになるので到底無視すること
はできず、早期に解決する必要がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、実使用環境下での外部応力によってＬＳ
Ｉが破壊することのない信頼性の高いＩＣカードを提供
することにある。
するところは、実使用環境下での外部応力によってＬＳ
Ｉが破壊することのない信頼性の高いＩＣカードを提供
することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明のＩＣカードは、カード本体の凹部にＩＣモジュ
ールを嵌着したＩＣカードであって、該ＩＣモジュール
が、バンプ電極を有する能動素子部が残るように極めて
薄く研磨された超薄型ＬＳ■と、該バンプ電極が裏面に
接続された外部接続端子と、該外部接続端子の裏面側に
該超薄型ＬＳＩを固着する樹脂とを備えており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
ールを嵌着したＩＣカードであって、該ＩＣモジュール
が、バンプ電極を有する能動素子部が残るように極めて
薄く研磨された超薄型ＬＳ■と、該バンプ電極が裏面に
接続された外部接続端子と、該外部接続端子の裏面側に
該超薄型ＬＳＩを固着する樹脂とを備えており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
（実施例）
以下、本発明を実施例について説明する。
第１図は本発明の一実施例であるＩＣカードの平面図、
第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿った拡大部分断面図であ
る。プラスチック製のカード本体１は、通常のＩＣカー
ドと同様にクレジットカードサイズ（８５，５Ｘ５４ｘ
０．７６ｍｍ）であり、その表面側の凹部２にはＩＣモ
ジュール３が嵌め込まれている。
第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿った拡大部分断面図であ
る。プラスチック製のカード本体１は、通常のＩＣカー
ドと同様にクレジットカードサイズ（８５，５Ｘ５４ｘ
０．７６ｍｍ）であり、その表面側の凹部２にはＩＣモ
ジュール３が嵌め込まれている。
ＩＣモジ−−ル３は、超薄型ＬＳＩ４と、複数の外部接
続端子５と、該端子５の裏面側に超薄型ＬＳＩ４を固着
する樹脂６とで構成されており、超薄型ＬＳＩ４は能動
素子部が残るように極めて薄く研磨されている。超薄型
ＬＳＩ４の厚みは約１μｍ程度であることが好ましく、
ここまで薄く研磨すると、強度的には低下するけれども
、曲げ変形性及び復元性を持つようになるので、応力に
よって破損することがなくなる。この超薄型ＬＳＩ４の
能動素子部には複数のバンプ電極７が形成されており、
該バンプ電極７は外部接続端子５の裏面にそれぞれ接続
されている。
続端子５と、該端子５の裏面側に超薄型ＬＳＩ４を固着
する樹脂６とで構成されており、超薄型ＬＳＩ４は能動
素子部が残るように極めて薄く研磨されている。超薄型
ＬＳＩ４の厚みは約１μｍ程度であることが好ましく、
ここまで薄く研磨すると、強度的には低下するけれども
、曲げ変形性及び復元性を持つようになるので、応力に
よって破損することがなくなる。この超薄型ＬＳＩ４の
能動素子部には複数のバンプ電極７が形成されており、
該バンプ電極７は外部接続端子５の裏面にそれぞれ接続
されている。
上記構造のＩＣモジュール３は、例えば第３図に示す方
法で容易に作製することができる。即ち、第３図（ａ）
に示すように、能動素子部４ａをシリコンサブストレー
ト４ｂの上に形成した厚さ５ｍｍ程度のＬＳＩペースチ
ップ４０を用いて、その能動素子部４ａの表面にバンプ
電極７をメツキ法で形成し、同図（ｂ）に示すように、
外部接続端子５の裏面にバンプ電極７をそれぞれ接続す
る。
法で容易に作製することができる。即ち、第３図（ａ）
に示すように、能動素子部４ａをシリコンサブストレー
ト４ｂの上に形成した厚さ５ｍｍ程度のＬＳＩペースチ
ップ４０を用いて、その能動素子部４ａの表面にバンプ
電極７をメツキ法で形成し、同図（ｂ）に示すように、
外部接続端子５の裏面にバンプ電極７をそれぞれ接続す
る。
その後、第３図（Ｃ）に示すように、エポキシ系又はア
クリル系の樹脂６をＬＳＩペースチップ４０の周囲に塗
布して、ＬＳＩペースチップ４０を外部接続端子５の裏
面側に固着し、外部接続端子５側を支持して研磨パッド
でシリコンサブストレート４ｂを樹脂６と共に研磨する
。この研磨は、ＬＳＩペースチップ４０の厚みが５０μ
ｍ程度となるまで砥粒で機械的に行い、その後はアミン
系やヒドラジン等のエツチング液を用いて厚みが１μｍ
程度になるまで化学的に研磨する。このように極めて薄
く研磨すると、シリコンサブストレート４ｂがほぼ完全
に除去されて、同図（ｄ）に示すように能動素子部４ａ
のみが残った超薄型ＬＳＩ４を有するＩＣモジュール３
が得られる。そして、このＩＣモジュール３は最終的に
カード本体１の凹部に嵌着され、本発明のＩＣカードが
製造される。
クリル系の樹脂６をＬＳＩペースチップ４０の周囲に塗
布して、ＬＳＩペースチップ４０を外部接続端子５の裏
面側に固着し、外部接続端子５側を支持して研磨パッド
でシリコンサブストレート４ｂを樹脂６と共に研磨する
。この研磨は、ＬＳＩペースチップ４０の厚みが５０μ
ｍ程度となるまで砥粒で機械的に行い、その後はアミン
系やヒドラジン等のエツチング液を用いて厚みが１μｍ
程度になるまで化学的に研磨する。このように極めて薄
く研磨すると、シリコンサブストレート４ｂがほぼ完全
に除去されて、同図（ｄ）に示すように能動素子部４ａ
のみが残った超薄型ＬＳＩ４を有するＩＣモジュール３
が得られる。そして、このＩＣモジュール３は最終的に
カード本体１の凹部に嵌着され、本発明のＩＣカードが
製造される。
このようなＩＣカードは、ＩＣモジュール３に搭載した
ＬＳＩ４の厚みが１μｍ程度と超薄型であるため、曲げ
変形性が良好で且つ復元性を有しており、従って、実使
用環境下での応力を作用しても、超薄型ＬＳＩ４が応力
に追従して容易に曲げ変形し、応力がなくなるともとに
復元する。そのため、ＩＣカードは、実使用環境下の応
力によって超薄型ＬＳＩ４の破損を生じる恐れが殆どな
く。信頼性の極めて高いものとなる。
ＬＳＩ４の厚みが１μｍ程度と超薄型であるため、曲げ
変形性が良好で且つ復元性を有しており、従って、実使
用環境下での応力を作用しても、超薄型ＬＳＩ４が応力
に追従して容易に曲げ変形し、応力がなくなるともとに
復元する。そのため、ＩＣカードは、実使用環境下の応
力によって超薄型ＬＳＩ４の破損を生じる恐れが殆どな
く。信頼性の極めて高いものとなる。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明のＩＣカードは
、実使用環境下での応力によって超薄型ＬＳＩの破損を
生じることがなく、信頼性が大幅に向上するといった顕
著な効果を奏する。
、実使用環境下での応力によって超薄型ＬＳＩの破損を
生じることがなく、信頼性が大幅に向上するといった顕
著な効果を奏する。
４、 の、 な言８
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ線に沿った拡大部分断面図、第３図（ａ）・〜（
ｄ）はその実施例で用いられるＩＣモジュールの作製工
程の説明図、第４図は従来のＩＣカードの部分平面図、
第５図は第４図のＢ−Ｂ線に沿った拡大部分断面図であ
る。
Ａ−Ａ線に沿った拡大部分断面図、第３図（ａ）・〜（
ｄ）はその実施例で用いられるＩＣモジュールの作製工
程の説明図、第４図は従来のＩＣカードの部分平面図、
第５図は第４図のＢ−Ｂ線に沿った拡大部分断面図であ
る。
１・・・カード本体、２・・・凹部、３・・・ＩＣモジ
ュール、４・・・超薄型ＬＳＩ、４ａ・・・能動素子部
、５・・・外部接続端子、６・・・樹脂、７・・・バン
プ電極。
ュール、４・・・超薄型ＬＳＩ、４ａ・・・能動素子部
、５・・・外部接続端子、６・・・樹脂、７・・・バン
プ電極。
以上
Claims (1)
- １． カード本体の凹部にＩＣモジュールを嵌着したＩ
Ｃカードであって、該ＩＣモジュールが、バンプ電極を
有する能動素子部が残るように極めて薄く研磨された超
薄型ＬＳＩと、該バンプ電極が裏面に接続された外部接
続端子と、該外部接続端子の裏面側に該超薄型ＬＳＩを
固着する樹脂とを備えているＩＣカード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226460A JPH0387299A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Ｉｃカード |
| US07/818,469 US5155068A (en) | 1989-08-31 | 1992-01-06 | Method for manufacturing an IC module for an IC card whereby an IC device and surrounding encapsulant are thinned by material removal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1226460A JPH0387299A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Ｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0387299A true JPH0387299A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16845446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1226460A Pending JPH0387299A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | Ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0387299A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637841A3 (en) * | 1993-08-04 | 1995-11-29 | Hitachi Ltd | Thin film semiconductor device and method for its production. |
| WO1996036496A1 (en) * | 1995-05-18 | 1996-11-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| WO1998029261A1 (fr) * | 1996-12-26 | 1998-07-09 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semiconducteur et son procede de production |
| EP0997842A2 (en) | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Hitachi, Ltd. | IC card having an antenna |
| JP2000514937A (ja) * | 1996-07-11 | 2000-11-07 | コピン・コーポレーシヨン | 転送された可撓性集積回路 |
| US6166911A (en) * | 1995-05-23 | 2000-12-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit card assembly |
| JP2007013106A (ja) * | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2007514321A (ja) * | 2003-12-10 | 2007-05-31 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | ミックスド・シグナル集積回路のための低クロストーク回路基板 |
| US7456104B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7820495B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1226460A patent/JPH0387299A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5689136A (en) * | 1993-08-04 | 1997-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| EP0637841A3 (en) * | 1993-08-04 | 1995-11-29 | Hitachi Ltd | Thin film semiconductor device and method for its production. |
| US6051877A (en) * | 1993-08-04 | 2000-04-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| US6486541B2 (en) | 1993-08-04 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| US6291877B1 (en) | 1993-08-04 | 2001-09-18 | Hitachi, Ltd. | Flexible IC chip between flexible substrates |
| CN1068546C (zh) * | 1995-05-18 | 2001-07-18 | 株式会社日立制作所 | 半导体器件 |
| WO1996036496A1 (en) * | 1995-05-18 | 1996-11-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| AU710390B2 (en) * | 1995-05-18 | 1999-09-16 | Hitachi Limited | Semiconductor device |
| US6140697A (en) * | 1995-05-18 | 2000-10-31 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6166911A (en) * | 1995-05-23 | 2000-12-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit card assembly |
| JP2000514937A (ja) * | 1996-07-11 | 2000-11-07 | コピン・コーポレーシヨン | 転送された可撓性集積回路 |
| US6841871B2 (en) | 1996-12-26 | 2005-01-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device utilizing pads of different sizes connected to an antenna |
| US6259158B1 (en) | 1996-12-26 | 2001-07-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device utilizing an external electrode with a small pitch connected to a substrate |
| WO1998029261A1 (fr) * | 1996-12-26 | 1998-07-09 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a semiconducteur et son procede de production |
| US6173900B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-01-16 | Hitachi, Ltd. | IC card |
| EP0997842A2 (en) | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Hitachi, Ltd. | IC card having an antenna |
| JP2007514321A (ja) * | 2003-12-10 | 2007-05-31 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | ミックスド・シグナル集積回路のための低クロストーク回路基板 |
| JP2007013106A (ja) * | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| US7456104B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7728383B2 (en) | 2005-05-31 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a first base, a thin film transistor, and a second base |
| US7820495B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8361845B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
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