JPS607157A - Ic用リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS607157A JPS607157A JP58113659A JP11365983A JPS607157A JP S607157 A JPS607157 A JP S607157A JP 58113659 A JP58113659 A JP 58113659A JP 11365983 A JP11365983 A JP 11365983A JP S607157 A JPS607157 A JP S607157A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ニッケル42チを含むニッケル・鉄合金(俗称42アロ
イ)は、膨張系数が低い特性から、古くより真空管の部
材としてガラスとの組合せ(1) に使用されていた電子材料であり、現在ではIC用リー
ドフレーム材として銅合金と並ぶ主要な材料である。し
かし、激増する電子材料の需要は性能と作業性の向上に
加えて、コストの低減が最大の目標となっている。
イ)は、膨張系数が低い特性から、古くより真空管の部
材としてガラスとの組合せ(1) に使用されていた電子材料であり、現在ではIC用リー
ドフレーム材として銅合金と並ぶ主要な材料である。し
かし、激増する電子材料の需要は性能と作業性の向上に
加えて、コストの低減が最大の目標となっている。
集積回路の材料として使用された初期の42アロイのI
C用リードフレームは全面にAuiだはAgが1μm
= 5μm程度メッキされていたが、使用量の激増と貴
金属の高騰に伴い、これがAgの全面メッキとなり、次
にAgの縞状部分メッキに変わり、現在の大勢は、チッ
プの接着とワイヤーボンディングのための部分のみにA
gなどのスポットメッキを2μm−6μm施しコストの
低減を計る手段が講じられている。リードフレーム表面
の具備すべき必須要件は、チップの接着とワイヤーボン
ディングが可能であり、樹脂のモールディングが容易で
、かつ、ビン部分に半田性を付与していなければならな
い。
C用リードフレームは全面にAuiだはAgが1μm
= 5μm程度メッキされていたが、使用量の激増と貴
金属の高騰に伴い、これがAgの全面メッキとなり、次
にAgの縞状部分メッキに変わり、現在の大勢は、チッ
プの接着とワイヤーボンディングのための部分のみにA
gなどのスポットメッキを2μm−6μm施しコストの
低減を計る手段が講じられている。リードフレーム表面
の具備すべき必須要件は、チップの接着とワイヤーボン
ディングが可能であり、樹脂のモールディングが容易で
、かつ、ビン部分に半田性を付与していなければならな
い。
このため、従来、4270イのIC用リードフレーム材
では、3DcIn程度に切断した短冊形(1)’1 の材料にチップ接着部とワイヤーボンディング部のみに
、コスト低減のだめ、主としてAgのスポットメッキを
施している。
では、3DcIn程度に切断した短冊形(1)’1 の材料にチップ接着部とワイヤーボンディング部のみに
、コスト低減のだめ、主としてAgのスポットメッキを
施している。
また、打抜加工された4270イのフープ材も前記短冊
形のIC用リードフレームと同様、部分的にAgなどの
スポラ)・メッキが行なわれているが、IC用リードフ
レームに必要ガピン部分の半田性が劣っている。
形のIC用リードフレームと同様、部分的にAgなどの
スポラ)・メッキが行なわれているが、IC用リードフ
レームに必要ガピン部分の半田性が劣っている。
す々わち、ピン部分は金属素地のままであり、半田性に
貧しく、そのため、ICやLSIの組立後の最終工程に
おいて半田性を付与するため、製品の個々のビンに半田
メッキなどをする必要があり、複雑なメッキ作業による
コストアップは免れない。
貧しく、そのため、ICやLSIの組立後の最終工程に
おいて半田性を付与するため、製品の個々のビンに半田
メッキなどをする必要があり、複雑なメッキ作業による
コストアップは免れない。
このように短冊形に切断されたIC用リードフレームの
部分メッキは極めて非能率的であって、コストの低減は
困難であり、また、フープ状のものでも部分メッキする
ためには、メッキ装置においてフープ材の間欠送り方法
などの低速メッキ法が必要であり、コストの低減効果は
(3) 部分メッキによるメッキ金属の使用量を少なくする効果
以外には見当ら々い。
部分メッキは極めて非能率的であって、コストの低減は
困難であり、また、フープ状のものでも部分メッキする
ためには、メッキ装置においてフープ材の間欠送り方法
などの低速メッキ法が必要であり、コストの低減効果は
(3) 部分メッキによるメッキ金属の使用量を少なくする効果
以外には見当ら々い。
また、いずれの方法においても、ピン部分に半田性が々
く、再度半田メッキの必要があり、集積回路製品の生産
性の向上を阻害している。
く、再度半田メッキの必要があり、集積回路製品の生産
性の向上を阻害している。
この発明の発明者は、4270イのIC用リードフレー
ムの打抜加工されたフープ材に表面処理を施し、従来の
短冊形の素材およびフープ材の表面処理法と異なり[チ
ップの接着、ワイヤーボンディング、樹脂モールディン
グ、半田性」よりなるIC用リードフレームとしての不
可欠な4つの要素をすべて備えた安価な42アロイフー
プ材を開発すれば、集積回路製品の組立が能率的であり
、かつ、コストの低減に結びつくものであるとの知見に
基づいて、この発明を完成した。
ムの打抜加工されたフープ材に表面処理を施し、従来の
短冊形の素材およびフープ材の表面処理法と異なり[チ
ップの接着、ワイヤーボンディング、樹脂モールディン
グ、半田性」よりなるIC用リードフレームとしての不
可欠な4つの要素をすべて備えた安価な42アロイフー
プ材を開発すれば、集積回路製品の組立が能率的であり
、かつ、コストの低減に結びつくものであるとの知見に
基づいて、この発明を完成した。
打抜加工後のリードフレームフープ材に、この発明によ
る表面処理を施す理由は、ピン部分の断面もすべて半田
が可能であり、フープ材に処理したものでは打抜かれた
断面に半田性が欠(4) けるためである。
る表面処理を施す理由は、ピン部分の断面もすべて半田
が可能であり、フープ材に処理したものでは打抜かれた
断面に半田性が欠(4) けるためである。
以上の目的から、経時変化の少ない貴金属を極く微量使
用して、42アロイリードフレームの具備すべき諸条件
を満たすだめの研究を重ねた結果、Au、AgXPdの
単独メッキでは、この発明の目的に合わ々いことが判明
した。
用して、42アロイリードフレームの具備すべき諸条件
を満たすだめの研究を重ねた結果、Au、AgXPdの
単独メッキでは、この発明の目的に合わ々いことが判明
した。
すなわち、Auの極薄メッキでは、良好な半田ぬれ性を
示さない、これはAuが半田に拡散し、素地の4270
イと半田の合金層ができないためである。
示さない、これはAuが半田に拡散し、素地の4270
イと半田の合金層ができないためである。
また、Agは厚づけメッキでは優れた半田性を示すが、
極薄メッキでは半田性が劣り、特にメッキ後72時間経
過すると、表面酸化のため著しく半田性は低下した。
極薄メッキでは半田性が劣り、特にメッキ後72時間経
過すると、表面酸化のため著しく半田性は低下した。
Pdの単独極薄メッキも半田性が悪く、IJ−ドフレー
ムとして使用することは困難であることが、これも実験
により判明した。
ムとして使用することは困難であることが、これも実験
により判明した。
ところが、4270イリードフレームの表面を特殊な前
処理により活性化し、先ずNiの薄づけメッキを行ない
、この直後にAu、、Ag、 Pd(5) およびこれらの合金の極薄メッキを施すと、優れた半田
性のある表面状態となシ、100%に近い半田ぬれ性を
示す42アロイリードフレーム材を、長期間にわたる実
験研究の結果完成しだ0 このことは、特殊な前処理後にNi O薄づけメッキを
すると、活性化され素材表面に露出したNi原子に、メ
ッキのNiが選択的に結合し、その直後にAuの極薄メ
ッキを施すと、極めて活性化の強い表面状態のNiにA
uが結合し、あたかも、N1とAuが合金化された如き
構造となり、Niの表面酸化を防ぎ、この上に半田する
と、半田とNi−Auの合金層が容易に、かつ急速にで
き、半田ぬれ性の優れた表面状態となることを実験的に
発見した。
処理により活性化し、先ずNiの薄づけメッキを行ない
、この直後にAu、、Ag、 Pd(5) およびこれらの合金の極薄メッキを施すと、優れた半田
性のある表面状態となシ、100%に近い半田ぬれ性を
示す42アロイリードフレーム材を、長期間にわたる実
験研究の結果完成しだ0 このことは、特殊な前処理後にNi O薄づけメッキを
すると、活性化され素材表面に露出したNi原子に、メ
ッキのNiが選択的に結合し、その直後にAuの極薄メ
ッキを施すと、極めて活性化の強い表面状態のNiにA
uが結合し、あたかも、N1とAuが合金化された如き
構造となり、Niの表面酸化を防ぎ、この上に半田する
と、半田とNi−Auの合金層が容易に、かつ急速にで
き、半田ぬれ性の優れた表面状態となることを実験的に
発見した。
半田ぬれ性の良否は、半田と被半田金属の合金層の生成
の良否に関係するが、半田とAuは合金層が急速にでき
、半田とN1は合金層ができにくい。
の良否に関係するが、半田とAuは合金層が急速にでき
、半田とN1は合金層ができにくい。
しかし、この発明の処理工程により、42ア(6)
ロイの表面に強固に電着したN1と、その直後にメッキ
したA、uとが結合しているので、この上に半田付けす
ると、半田は速やかにA、uと合金化し、これに伴って
Niも合金化する優れた半田性を示すとともに、Fe上
への半田性も次の反応により良好な半田付けが可能とな
った。
したA、uとが結合しているので、この上に半田付けす
ると、半田は速やかにA、uと合金化し、これに伴って
Niも合金化する優れた半田性を示すとともに、Fe上
への半田性も次の反応により良好な半田付けが可能とな
った。
すなわち、N1とFeの合金である42アロイのFeの
表面は、この発明の処理ではNiおよびAuの析出量が
微量なので、全部のFeがN1およびA、uで覆われず
、Fe単独でその表面に露出している部分が多い。
表面は、この発明の処理ではNiおよびAuの析出量が
微量なので、全部のFeがN1およびA、uで覆われず
、Fe単独でその表面に露出している部分が多い。
しかし、ロジン系のフラックスを半田付は作業に使用す
ると、ステンレスの主成分はアビエチン酸の酸性であシ
、半田は230℃〜250℃の高温になるため、この高
温の雰囲気中で、Auは(−)電荷を帯び、Feはアノ
ード(+)となるので、Feの表面酸化物は瞬間的に溶
解され清浄化され、半田性の良好な表面状態となシ、半
田はFeとも容易に合金層を形成し、42アロイ表面の
Ni上へもFe上へも密着性に優れた半田付けが可能と
なった。
ると、ステンレスの主成分はアビエチン酸の酸性であシ
、半田は230℃〜250℃の高温になるため、この高
温の雰囲気中で、Auは(−)電荷を帯び、Feはアノ
ード(+)となるので、Feの表面酸化物は瞬間的に溶
解され清浄化され、半田性の良好な表面状態となシ、半
田はFeとも容易に合金層を形成し、42アロイ表面の
Ni上へもFe上へも密着性に優れた半田付けが可能と
なった。
従来、42アロイリードフ)/−ムに半田性とワイヤー
ボンディング性を付与するためには、Agなどを2〜6
μm程度厚づけメッキすることが常識となっていたのが
、この発明により、N1の薄づけメッキ後のAuなどの
極薄メッキが、42アロイに対する優れた表面処理法で
あり、従来の一般常識に反した、予期せざる有効な方法
であることを実験的に発見した。
ボンディング性を付与するためには、Agなどを2〜6
μm程度厚づけメッキすることが常識となっていたのが
、この発明により、N1の薄づけメッキ後のAuなどの
極薄メッキが、42アロイに対する優れた表面処理法で
あり、従来の一般常識に反した、予期せざる有効な方法
であることを実験的に発見した。
また、この発明の42アロイの極薄メッキ表面に対し、
リードフレームの具備すべき最大要件である極細金線の
ワイヤーボンディングも、容易にかつ強固にボンディン
グが可能であるが、その原理は4270イの熱伝導性が
低いので、金線先端の溶融部の微小の熱量が素地金属に
吸収拡散し冷却凝固しないので、溶融した金線の先端は
、N1およびAuの極薄メッキ表面に対し瞬間的なボン
ディングが可能となった。
リードフレームの具備すべき最大要件である極細金線の
ワイヤーボンディングも、容易にかつ強固にボンディン
グが可能であるが、その原理は4270イの熱伝導性が
低いので、金線先端の溶融部の微小の熱量が素地金属に
吸収拡散し冷却凝固しないので、溶融した金線の先端は
、N1およびAuの極薄メッキ表面に対し瞬間的なボン
ディングが可能となった。
これに反し、リードフレーム材として多用されている熱
伝導性の高い銅合金へのワイヤーボンデインクは溶融し
た金の熱が素地に急速に吸収拡散し、冷却して固壕るの
で、’Au、 Ag、 8n。
伝導性の高い銅合金へのワイヤーボンデインクは溶融し
た金の熱が素地に急速に吸収拡散し、冷却して固壕るの
で、’Au、 Ag、 8n。
Sn −Pbなどのボンディング性の良い金属の厚づけ
メッキを施す必要がある。
メッキを施す必要がある。
この発明によれば、貴金属を使用するといえども、その
使用量は極く微量であって、製品コストへの影響は少な
く、また、製造方法が打抜加工されたフープ材を高速で
メッキできることから、生産性に優れているため必要な
緒特性のすべてを備えた42アロイリードフレームを従
来のスポットメッキ製品よシ安価に供給することが可能
と々っだ。
使用量は極く微量であって、製品コストへの影響は少な
く、また、製造方法が打抜加工されたフープ材を高速で
メッキできることから、生産性に優れているため必要な
緒特性のすべてを備えた42アロイリードフレームを従
来のスポットメッキ製品よシ安価に供給することが可能
と々っだ。
実施例1
42%N1.57%Fe(俗称42アロイ)の厚さ02
5陥、rl]25.14 mm、長さ800mのリード
フレーム形に打抜加工されたフープ材を次の工程■乃至
■を経て、N1フラッシュメッキを行ない、その直後に
Auの極薄メッキを行なった。
5陥、rl]25.14 mm、長さ800mのリード
フレーム形に打抜加工されたフープ材を次の工程■乃至
■を経て、N1フラッシュメッキを行ない、その直後に
Auの極薄メッキを行なった。
■アルカリ脱脂工程
(9)
市販されているアルカリ脱脂液をステンレス槽中で70
〜80℃に加温し、上記リードフレーム材を逐次この槽
中を通過させて一次脱脂を行ない、次に40〜60℃の
アルカリ浴中でステンレス鋼板を陽極とし、このリード
フレーム材を陰極として6ボルトの電圧を印加して直流
電解脱脂を行なった。
〜80℃に加温し、上記リードフレーム材を逐次この槽
中を通過させて一次脱脂を行ない、次に40〜60℃の
アルカリ浴中でステンレス鋼板を陽極とし、このリード
フレーム材を陰極として6ボルトの電圧を印加して直流
電解脱脂を行なった。
■化学研摩工程
続いて、このリードフレーム材を、塩酸(′55%溶液
)20容量係、硫酸(85%溶液)10容量チ、クエン
酸(粉末)100重量%酢酸(90%溶液)1容量チお
よび硝酸(68%溶液)5容量係よりなる混酸に、ポリ
エチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレング
リコール脂肪酸エステルなどの非イオンまたはアミノ酸
類の両性界面活性剤0、2重量%およびアミン系腐食抑
制剤0.1重量%を加えた浴中を通過させ、このリード
フレーム材表面の酸化物および不純物を除去した。
)20容量係、硫酸(85%溶液)10容量チ、クエン
酸(粉末)100重量%酢酸(90%溶液)1容量チお
よび硝酸(68%溶液)5容量係よりなる混酸に、ポリ
エチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレング
リコール脂肪酸エステルなどの非イオンまたはアミノ酸
類の両性界面活性剤0、2重量%およびアミン系腐食抑
制剤0.1重量%を加えた浴中を通過させ、このリード
フレーム材表面の酸化物および不純物を除去した。
(10)
■電解活性化工程
燐酸(85%溶液)10容量係、硫酸
(85%溶液)10重量世襲クエン酸(粉末)5重量幅
、酢酸(90襲溶液)1重世襲に、上記と同様の非イオ
ンまだは両性界面活性剤02重量世襲よび腐食抑制剤0
1重量世襲加えた浴を60′Gに加温し・、リードフレ
ーム拐に(−)電流を、チタン白金メツキ板に(1−)
電流を通じ4ボルトにセットして浴中を通過させてリー
ドフレーム材の表面の活性化を行なったO ■N1メッキ工程 硫酸ニッケルs o o 9/l、 塩化ニッケルAC
Jgll、硼酸”、09/lのメッキ浴で、液温50°
Cにセットし、リードフレーム材に(−)電流を、ニッ
ケル板に(+)電流を通じ、6A/Dm2の電流密度で
15秒間フラッシュメッキを施しだ。
、酢酸(90襲溶液)1重世襲に、上記と同様の非イオ
ンまだは両性界面活性剤02重量世襲よび腐食抑制剤0
1重量世襲加えた浴を60′Gに加温し・、リードフレ
ーム拐に(−)電流を、チタン白金メツキ板に(1−)
電流を通じ4ボルトにセットして浴中を通過させてリー
ドフレーム材の表面の活性化を行なったO ■N1メッキ工程 硫酸ニッケルs o o 9/l、 塩化ニッケルAC
Jgll、硼酸”、09/lのメッキ浴で、液温50°
Cにセットし、リードフレーム材に(−)電流を、ニッ
ケル板に(+)電流を通じ、6A/Dm2の電流密度で
15秒間フラッシュメッキを施しだ。
■Auメノメッキ
クエン酸12CJg/l、クエン酸ソーダ(11)
120.9/’A、スルファミン酸ニッケル609/l
、 シアン化金カリ8 g/lのメッキ浴中で電流密度
10 A / Dm2〜3 A / Dm2の範囲でメ
ッキ液温′55℃で、リードフレーム材に(−)電流を
、チタン白金メツキ板に(+)電流を通じ2秒間Auメ
ッキを行なった。
、 シアン化金カリ8 g/lのメッキ浴中で電流密度
10 A / Dm2〜3 A / Dm2の範囲でメ
ッキ液温′55℃で、リードフレーム材に(−)電流を
、チタン白金メツキ板に(+)電流を通じ2秒間Auメ
ッキを行なった。
その結果、リードフレーム材の両側に
0007μの厚さのAuメッキ層が形成され、この発明
の42アロイリードフレーム材が得られた。
の42アロイリードフレーム材が得られた。
なお、Auメッキ層の厚さ0007μについては、実測
値ではなく、Auの付着量を面積で除した平均値であり
、目視したところ、42アロイ単体の色調とAu単体の
色調との中間の色調を呈している。
値ではなく、Auの付着量を面積で除した平均値であり
、目視したところ、42アロイ単体の色調とAu単体の
色調との中間の色調を呈している。
実施例2
4270イの厚さ0.25mm、巾25.14 mm、
長さ700mのリードフレーム形に打抜加工されたフー
プ材を次の工程を■乃至■を経て、該フープ材のICチ
ップを接着する側のみにAu(12) の極薄メッキを行なった。
長さ700mのリードフレーム形に打抜加工されたフー
プ材を次の工程を■乃至■を経て、該フープ材のICチ
ップを接着する側のみにAu(12) の極薄メッキを行なった。
■アルカリ脱脂工程
■化学研摩工程
■電解活性化工程
■Niメッキ工程
上記工程■乃至■はいずれも実施例1と同様に行々った
。
。
■Auメノメッキ
クエン酸1209/l、クエン酸ソーダ120g/11
スルファミン酸ニッケル30g/l、シアン化金カリ8
g/lのメッキ浴中で、該フープ材の片側にシリコンゴ
ム板をメッキ槽に固定し、フープ材をこのシリコンゴム
板の上を摺動させ、電流密度10A/Dm2〜5A/D
m2の範囲で、メッキ液温35℃にセットし、フープ材
に(−)電流を、シリコンゴム板と反対側にチタン白金
メツキ板の陽極を設け、これに(+)電流を通じ、3秒
間Auメッキを行々った。
スルファミン酸ニッケル30g/l、シアン化金カリ8
g/lのメッキ浴中で、該フープ材の片側にシリコンゴ
ム板をメッキ槽に固定し、フープ材をこのシリコンゴム
板の上を摺動させ、電流密度10A/Dm2〜5A/D
m2の範囲で、メッキ液温35℃にセットし、フープ材
に(−)電流を、シリコンゴム板と反対側にチタン白金
メツキ板の陽極を設け、これに(+)電流を通じ、3秒
間Auメッキを行々った。
その結果、該フープ材の片側に厚さ0007(13)
μmのAuメッキが形成され、この発明の42アロイリ
ードフレーム材が得られた。
ードフレーム材が得られた。
なお、Auメッキ層の厚さ0007μmについては、実
測値ではなく、Auの付着量を面積で除した平均値であ
り、目視したところ、42アロイ単体の色調とAu単体
の色調との中間の色調を呈している。
測値ではなく、Auの付着量を面積で除した平均値であ
り、目視したところ、42アロイ単体の色調とAu単体
の色調との中間の色調を呈している。
実施例3
42アロイの厚さ0.25 mm、巾66咽、長さ50
0mのリードフレーム形に打抜加工されたフープ材を次
の工程■乃至■を経て、Agの極薄メッキを施した。
0mのリードフレーム形に打抜加工されたフープ材を次
の工程■乃至■を経て、Agの極薄メッキを施した。
■アルカリ脱脂工程
■化学研摩工程
■電解活性化工程
■Niメソメッキ
上記工程■乃至■はいずれも実施例1と同様に行なった
。
。
■Agメソメッキ
シアン化銀6重世襲、シアン化銅15重量(14)
係、7アン化カリウム60重量係のメッキ浴中で液温5
0 ’Cにセリトン、42アロイリードフレーム拐に(
−)電流を、Ag板に(+)電流を通じ、10 A、/
Dm’の電流密度で3秒間フラッシュメッキを施しだ。
0 ’Cにセリトン、42アロイリードフレーム拐に(
−)電流を、Ag板に(+)電流を通じ、10 A、/
Dm’の電流密度で3秒間フラッシュメッキを施しだ。
実施例4
42アロイの厚さ0.25 mm、巾26mm、長さ7
00mの打抜加工されたIJ−1−フレーム材を、次の
工程■乃至■を経て、Nlフラッシュメッキを行ない、
その直後にPdの柾薄メッキを行なったO ■アルカリ脱脂工程 ■化学研摩工程 ■電解活性化工程 ■N1メノキ工程 上記工程はいずれも実施例1と同様に行なっだO ■PdPdメッキ 層dのメタル分として15E//lの中性メッキ液で、
液温を45°Cにセノトシ、チタン白(15) 金板に(」−)電流を、4270イリードフレームに(
−)%流を通じ、5A、/I)m2の電流密度で5秒間
メッキを施した。
00mの打抜加工されたIJ−1−フレーム材を、次の
工程■乃至■を経て、Nlフラッシュメッキを行ない、
その直後にPdの柾薄メッキを行なったO ■アルカリ脱脂工程 ■化学研摩工程 ■電解活性化工程 ■N1メノキ工程 上記工程はいずれも実施例1と同様に行なっだO ■PdPdメッキ 層dのメタル分として15E//lの中性メッキ液で、
液温を45°Cにセノトシ、チタン白(15) 金板に(」−)電流を、4270イリードフレームに(
−)%流を通じ、5A、/I)m2の電流密度で5秒間
メッキを施した。
その結果、42アロイリードフレーム材の表面に0.0
07μmの厚さのPdメッキ層が形成され、この発明の
リードフレームが得られた。
07μmの厚さのPdメッキ層が形成され、この発明の
リードフレームが得られた。
なお、P(1メッキ層の厚さ0.0ロアμmについては
、実測値で々く、Pdの付着量を面積で除した平均値で
あり、目視したところ、ステンレス鋼単体の色調とPd
単体の色調との中間の色調を呈している。
、実測値で々く、Pdの付着量を面積で除した平均値で
あり、目視したところ、ステンレス鋼単体の色調とPd
単体の色調との中間の色調を呈している。
実施例5
Ni38%、Fe 61%のNi −Fe合金の厚さ0
25−1巾21陥、長さ800mの打抜加工されたり一
トフレーム材を、次の工程■乃至■を経て、Nlフラッ
シュメッキを行ない、その直後にPd −Ni合金の極
薄メッキを行なった。
25−1巾21陥、長さ800mの打抜加工されたり一
トフレーム材を、次の工程■乃至■を経て、Nlフラッ
シュメッキを行ない、その直後にPd −Ni合金の極
薄メッキを行なった。
■アルカリ脱脂工程
■化学研摩工程
(16)
■電解活性化工程
■N1メノキ工程
上記工程はいずれも実施例1と同様に行なっだO
■Pd −Niメ・ノキ工程
スルファミノ酸8%、Pdメタル分20g/l、N1メ
タル分109/lの中性溶液で、電流密度8A/Dm2
〜6A/Dm2の範囲で、メッキ液温40°Cで、該リ
ードフレーム材に(−)電流を、チタン白金メツキ板に
(+)電流を通じ、2秒間、Pd−Ni合金メッキを行
なった。
タル分109/lの中性溶液で、電流密度8A/Dm2
〜6A/Dm2の範囲で、メッキ液温40°Cで、該リ
ードフレーム材に(−)電流を、チタン白金メツキ板に
(+)電流を通じ、2秒間、Pd−Ni合金メッキを行
なった。
その結果、N1・Fe合金の表面に、約001μのPd
−Ni合金メッキが施され、この発明のリードフレーム
材が得られた。
−Ni合金メッキが施され、この発明のリードフレーム
材が得られた。
なお、メッキ層の厚さ0.01μについては、実測値で
は々く、Pd−Ni合金の付着量を面積で除した平均値
であり、目視したところ、Ni−Pe合金単体の色調と
Pd−Ni合金の色調との中間の色調を呈しているO この発明によるIC用ステンレス鋼リードフ(17) レームの物理的および化学的性能テストを次の通り行な
った。
は々く、Pd−Ni合金の付着量を面積で除した平均値
であり、目視したところ、Ni−Pe合金単体の色調と
Pd−Ni合金の色調との中間の色調を呈しているO この発明によるIC用ステンレス鋼リードフ(17) レームの物理的および化学的性能テストを次の通り行な
った。
■物理的性能
◎基盤目剥離テスト
この発明によるN1とAuメッキを施しだ42アロイの
リードフレーム材に、経緯中1 mmの基盤目をカッタ
ーで傷つけ、粘着テープで剥離テストを行なったがAu
およびNiの剥離は認められなかった。
リードフレーム材に、経緯中1 mmの基盤目をカッタ
ーで傷つけ、粘着テープで剥離テストを行なったがAu
およびNiの剥離は認められなかった。
◎折曲げテスト
上記の試料を180度折曲げ、粘着テープで剥離テスト
を行なったが、AuおよびNiの剥離がなく、更に折曲
げを繰り返えし破断させてテストしたが、破断面のAu
およびNiの剥離も力いことが認められた。
を行なったが、AuおよびNiの剥離がなく、更に折曲
げを繰り返えし破断させてテストしたが、破断面のAu
およびNiの剥離も力いことが認められた。
■化学的性能
◎高温多湿テスト
この発明による極薄NiとAuメッキを施した4270
イのリードフレーム材をMIL−8TD−202D−1
06Cの規格であ(18) る98多湿度、65℃の雰囲気で、7日間テスト後、半
田性およびワイヤーボンディング性のテストを行なった
が、半田性およびワイヤーボンディング性は同等低下ぜ
す、良好な結果が得られた。
イのリードフレーム材をMIL−8TD−202D−1
06Cの規格であ(18) る98多湿度、65℃の雰囲気で、7日間テスト後、半
田性およびワイヤーボンディング性のテストを行なった
が、半田性およびワイヤーボンディング性は同等低下ぜ
す、良好な結果が得られた。
◎熱衝撃テスト
この発明による極薄NiとAt、+メッキを施した42
アロイのリードフレーム材ヲ+85°GK30分間、−
15°Cに30分間のサイクルを5回繰り返えした後、
半田づけおよびワイヤーボンディングテストを行なった
がテスト前の試料と同様、良好な半田性およびワイヤー
ボンディング性が得られた○ 以上の方法によって得られた42アロイIJ −ドフレ
ームの半田性を次の方法によりテストしたO ■ンルダーテストによる方法 NiとAu、NiとAg、NiとPd、NiとPd−N
iの極薄メッキを施した42アロイのり一(19) ドフレームをテスト機にセットし、半田の「ぬれ」現象
を電気的に検知したが、半田の表面張力による浸漬初期
の反発現象が少なく、極めて良好な「ぬれ」性を計測し
、同一条件でテストしたリン青銅への半田性よりも優れ
ていることが判明した。
アロイのリードフレーム材ヲ+85°GK30分間、−
15°Cに30分間のサイクルを5回繰り返えした後、
半田づけおよびワイヤーボンディングテストを行なった
がテスト前の試料と同様、良好な半田性およびワイヤー
ボンディング性が得られた○ 以上の方法によって得られた42アロイIJ −ドフレ
ームの半田性を次の方法によりテストしたO ■ンルダーテストによる方法 NiとAu、NiとAg、NiとPd、NiとPd−N
iの極薄メッキを施した42アロイのり一(19) ドフレームをテスト機にセットし、半田の「ぬれ」現象
を電気的に検知したが、半田の表面張力による浸漬初期
の反発現象が少なく、極めて良好な「ぬれ」性を計測し
、同一条件でテストしたリン青銅への半田性よりも優れ
ていることが判明した。
■半田槽によるテスト
錫6:鉛4の半田を半田槽に溶かし、温度230℃にセ
ットし、この発明によるNiとAu、NiとAg、Ni
とPdの極薄メッキした4270イおよび58%の低N
1合金の各リードフレーム材を、6秒および5秒の浸漬
時間で半田づけしたが、いずれも良好な半田性を示し、
すべて95ヴ以上の「半田のり」を認めだ。
ットし、この発明によるNiとAu、NiとAg、Ni
とPdの極薄メッキした4270イおよび58%の低N
1合金の各リードフレーム材を、6秒および5秒の浸漬
時間で半田づけしたが、いずれも良好な半田性を示し、
すべて95ヴ以上の「半田のり」を認めだ。
■電気半田ゴテによるテスト
市販の電気半田ゴテで、線状ヤニ入り半田(錫6:鉛4
)を用い、この発明によって得られた3種類の極薄メッ
キをした42アロイのリードフレーム材と、同じ(Ni
とA、uの極(20) 薄メッキした38%N1.61%FeのΩ0.2陥の線
材とを半田づけしたが、半田性の優れた接合を認め、組
成の異なるNi−Fe合金の半田も同等支障のないこと
を発見した。
)を用い、この発明によって得られた3種類の極薄メッ
キをした42アロイのリードフレーム材と、同じ(Ni
とA、uの極(20) 薄メッキした38%N1.61%FeのΩ0.2陥の線
材とを半田づけしたが、半田性の優れた接合を認め、組
成の異なるNi−Fe合金の半田も同等支障のないこと
を発見した。
また、この発明によって得られた4270イリードフレ
ームの表面に、高速ボンディング機により径′50μm
の金線をボンディングしたが、この接合強度は平均7g
あり、ワイヤーボンディング性にも優れていることが判
明した。
ームの表面に、高速ボンディング機により径′50μm
の金線をボンディングしたが、この接合強度は平均7g
あり、ワイヤーボンディング性にも優れていることが判
明した。
以上説明したように、4270イを中心とするニッケル
・鉄合金で作られたリードフレーム材の表面に、この発
明による表面処理を施すことにより、ICの主要材料で
あるリードフレームが、従来法によるリードフレーム材
と異なり、その表面処理費用の低減と、IC製造工程の
短縮とあいまって、著しるしくコストを引き下げること
が可能となり、工業上有意義な発明であ手続補正書 昭和59年3 月菫2日 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 特願昭58−115659号 2発明の名称 IC用リードフレーム 6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 自発補正 5補正の対象 明細書中の発明の詳細な説明の欄 ゝ−2 6、’fm f (7)l’F * (。9 )、<、
7.、・り 侘さ〆 (1)明細書第11ページ第18行目と第19行目の間
に[その結果、ニッケル・鉄合金フープ材の両側に約0
.05μの厚さのニッケルメッキ層が形成された。なお
、このニッケルメッキ層の厚さり、 05μについては
実測値ではなく、ニッケルの付着量を面積で除した平均
値であり、目視したところ、二ノクール・鉄合金単体の
色調とニッケル単体の色調との中間の色調を呈している
。」を挿入し捷す。
・鉄合金で作られたリードフレーム材の表面に、この発
明による表面処理を施すことにより、ICの主要材料で
あるリードフレームが、従来法によるリードフレーム材
と異なり、その表面処理費用の低減と、IC製造工程の
短縮とあいまって、著しるしくコストを引き下げること
が可能となり、工業上有意義な発明であ手続補正書 昭和59年3 月菫2日 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 特願昭58−115659号 2発明の名称 IC用リードフレーム 6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 自発補正 5補正の対象 明細書中の発明の詳細な説明の欄 ゝ−2 6、’fm f (7)l’F * (。9 )、<、
7.、・り 侘さ〆 (1)明細書第11ページ第18行目と第19行目の間
に[その結果、ニッケル・鉄合金フープ材の両側に約0
.05μの厚さのニッケルメッキ層が形成された。なお
、このニッケルメッキ層の厚さり、 05μについては
実測値ではなく、ニッケルの付着量を面積で除した平均
値であり、目視したところ、二ノクール・鉄合金単体の
色調とニッケル単体の色調との中間の色調を呈している
。」を挿入し捷す。
(2)明細書第17ページ第20行目の[IC用ステン
レス鋼]を「ニッケル・鉄合金のIC用」と補正します
。
レス鋼]を「ニッケル・鉄合金のIC用」と補正します
。
Claims (1)
- IC用リードフレーム形に打抜加工されたニッケル・鉄
合金のフープ材に、NiO薄づけメッキを行ない、その
直後にA、u 、 Ag 、 Pdのうちの一種寸たは
、Au 、 Ag 、 Pdのうちの一種の合金の極薄
メッキを施し、メッキすべき上記金属の付着量は、ニッ
ケル・鉄合金の色調と、Au、Ag、Pdiたは、その
合金の色調との中間の色調を呈する程度の極微量メッキ
であることを特徴とする、チップの接着、ワイヤーボン
ディング樹脂モールディングおよび、半田性を付与して
なるニッケル・鉄合金のIC用リードフレーム
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58113659A JPS607157A (ja) | 1983-06-25 | 1983-06-25 | Ic用リ−ドフレ−ム |
EP19840107210 EP0132596A3 (en) | 1983-06-25 | 1984-06-22 | Solderable nickel-iron alloy article and method for making same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58113659A JPS607157A (ja) | 1983-06-25 | 1983-06-25 | Ic用リ−ドフレ−ム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59045397A Division JPS607161A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | ニツケル・鉄合金のic用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607157A true JPS607157A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=14617883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58113659A Pending JPS607157A (ja) | 1983-06-25 | 1983-06-25 | Ic用リ−ドフレ−ム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0132596A3 (ja) |
JP (1) | JPS607157A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3856562T2 (de) * | 1987-07-03 | 2004-08-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verbindungsstruktur zwischen Bauelementen für Halbleiterapparat |
DE3740295A1 (de) * | 1987-11-27 | 1989-06-08 | Asea Brown Boveri | Axiales magnetlager |
DE68923024T2 (de) * | 1988-03-28 | 1995-11-02 | Texas Instruments Inc | Leiterrahmen mit verminderter Korrosion. |
NL8900172A (nl) * | 1989-01-25 | 1990-08-16 | Meco Equip Eng | Werkwijze voor het soldeerbaar maken van metalen roosters voor halfgeleiders. |
JPH05109958A (ja) * | 1991-10-17 | 1993-04-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
DE4216224C2 (de) * | 1992-05-19 | 1994-03-17 | Heraeus Gmbh W C | Vormaterial und Halbzeug für elektrische Kontakte sowie Verfahren zur Herstellung |
DE4311872C2 (de) * | 1993-04-10 | 1998-07-02 | Heraeus Gmbh W C | Leiterrahmen für integrierte Schaltungen |
DE19504144C2 (de) * | 1995-02-09 | 1998-09-24 | Heraeus Gmbh W C | Vormaterial und Verfahren zur Herstellung von Vormaterial und Halbzeug für elektrische Kontakte |
JP5334416B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2013-11-06 | 株式会社エンプラス | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
DE102006060899A1 (de) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Micro-Systems-Engineering Gmbh & Co. Kg | Anschlussdraht, Verfahren zur Herstellung eines solchen und Baugruppe |
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JPS5493639A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-24 | Seiko Epson Corp | Plating method |
JPS55102260A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-05 | Nippon Gakki Seizo Kk | Leadframe |
JPS57122554A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Toshiba Corp | Lead frame for semiconductor device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1285068B (de) * | 1957-01-11 | 1968-12-12 | Siemens Ag | Legierungskontakt auf mit einer Goldschicht versehenen Halbleiterkristallen |
DE1590530B1 (de) * | 1963-10-26 | 1971-10-07 | Kuhn Hans Dipl Phys | Verfahren zur herstellung von mikrowellenbauteilen |
CA1162505A (en) * | 1980-10-31 | 1984-02-21 | Donald R. Rosegren | Process for high speed nickel and gold electroplate system |
US4422906A (en) * | 1981-09-17 | 1983-12-27 | Masami Kobayashi | Process for direct gold plating of stainless steel |
DE3465115D1 (en) * | 1983-05-28 | 1987-09-03 | Masami Kobayashi | Solderable stainless steel article and method for making same |
-
1983
- 1983-06-25 JP JP58113659A patent/JPS607157A/ja active Pending
-
1984
- 1984-06-22 EP EP19840107210 patent/EP0132596A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5211865A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-29 | Allegheny Ludlum Ind Inc | Metal strips for lead frame and method of the same |
JPS5493639A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-24 | Seiko Epson Corp | Plating method |
JPS55102260A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-05 | Nippon Gakki Seizo Kk | Leadframe |
JPS57122554A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Toshiba Corp | Lead frame for semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0132596A2 (en) | 1985-02-13 |
EP0132596A3 (en) | 1985-11-21 |
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