JPS6066432A - 微細パタ−ン形成法 - Google Patents
微細パタ−ン形成法Info
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- JPS6066432A JPS6066432A JP17419783A JP17419783A JPS6066432A JP S6066432 A JPS6066432 A JP S6066432A JP 17419783 A JP17419783 A JP 17419783A JP 17419783 A JP17419783 A JP 17419783A JP S6066432 A JPS6066432 A JP S6066432A
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- resist
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- negative resist
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はネガ型レジストを用いてリフトオフ法によシ微
細パターンを形成する方法に関する。
細パターンを形成する方法に関する。
まず、従来のリフトオフ法による微細パターン形成法を
第１図に示す。すなわち、第１図は、従来のりフトオフ
法の工程図である。第１図において符号１は基板、２１
はレジスト、３は金属、半導体又は誘電体の薄膜、（ａ
）は基板上にレジストを塗布した試料、（ｂ）は露光、
現像後のオーバーハング構造をもつレジストパターン、
（Ｃ）ハ薄膜コーティング後のパターンそして（田はリ
フトオフ後のパターンを示す。
第１図に示す。すなわち、第１図は、従来のりフトオフ
法の工程図である。第１図において符号１は基板、２１
はレジスト、３は金属、半導体又は誘電体の薄膜、（ａ
）は基板上にレジストを塗布した試料、（ｂ）は露光、
現像後のオーバーハング構造をもつレジストパターン、
（Ｃ）ハ薄膜コーティング後のパターンそして（田はリ
フトオフ後のパターンを示す。
リフトオフ法では、金属、半導体又は誘電体薄膜をレジ
ストパターン上に堆積させて、溶剤でレジスト上の薄膜
をレジストと共に除去する ゛ため、使用するレジスト
は溶剤に可溶である必要がある。このためほとんどポジ
型のレジストが使用されている。しかし、パターンの形
状ではネガ形式の露光が望まれる場合があるが、通常の
ネガ型レジストは高エネルギー線によってレジストポリ
マーが架橋し、溶剤に不溶になるためリフトオフ加工に
Ｌ使えなかった。またポジ型のレジストを用いる場合も
、す７トオ７加工の収率を向上させるために第１図（１
）Ｊに示すようにレジスト断面を垂直あるいは逆テーパ
ー状（オーバーハング構造）にする必要があり、レジス
ト断面形状を露光、現像条件によって正確に制御しなけ
ればならず、また、必要露光量も多くせざるを得ない。
ストパターン上に堆積させて、溶剤でレジスト上の薄膜
をレジストと共に除去する ゛ため、使用するレジスト
は溶剤に可溶である必要がある。このためほとんどポジ
型のレジストが使用されている。しかし、パターンの形
状ではネガ形式の露光が望まれる場合があるが、通常の
ネガ型レジストは高エネルギー線によってレジストポリ
マーが架橋し、溶剤に不溶になるためリフトオフ加工に
Ｌ使えなかった。またポジ型のレジストを用いる場合も
、す７トオ７加工の収率を向上させるために第１図（１
）Ｊに示すようにレジスト断面を垂直あるいは逆テーパ
ー状（オーバーハング構造）にする必要があり、レジス
ト断面形状を露光、現像条件によって正確に制御しなけ
ればならず、また、必要露光量も多くせざるを得ない。
他方、リフトオフ加工はドライエツチングと組合せて近
年被加工基板の完全平坦化に利用されている。それを第
２図で説明する。すなわち、第２図は従来の平坦化の工
程図である。第２図における符号１〜５は第１図と同義
であシ、（ａＪは基板上にレジストを塗布した試料、（
１）Ｊは露光現像後のレジストパターン、（Ｃ）は基板
をエツチング後のパターン、（ｄ）は薄膜コーテイング
後のパターンそして（θ）はり７トオ７後のパターンを
示す。第２図に示したように従来の平坦化工程では基板
を一定の深さだけドライエツチングした後、その深さ分
だけ別種の材料をリフトオンし、基板を平坦化しようと
するもので、ＬＳＩの素子寸法の微細化に伴い、段差基
板上でのりソグラフィの困難性を一挙に解決することが
できる。
年被加工基板の完全平坦化に利用されている。それを第
２図で説明する。すなわち、第２図は従来の平坦化の工
程図である。第２図における符号１〜５は第１図と同義
であシ、（ａＪは基板上にレジストを塗布した試料、（
１）Ｊは露光現像後のレジストパターン、（Ｃ）は基板
をエツチング後のパターン、（ｄ）は薄膜コーテイング
後のパターンそして（θ）はり７トオ７後のパターンを
示す。第２図に示したように従来の平坦化工程では基板
を一定の深さだけドライエツチングした後、その深さ分
だけ別種の材料をリフトオンし、基板を平坦化しようと
するもので、ＬＳＩの素子寸法の微細化に伴い、段差基
板上でのりソグラフィの困難性を一挙に解決することが
できる。
しかしながら、ドライエツチングにも十分耐性を持ち、
しかも、その後リフトオフ加工のマスクとなる適当なレ
ジストは開発されていない。
しかも、その後リフトオフ加工のマスクとなる適当なレ
ジストは開発されていない。
この場合、レジスト断面形状の制御が単純なリフトオフ
加工に比較して一段と困難になっている。
加工に比較して一段と困難になっている。
本発明は、従来技術の問題点を解決するためになされた
ものであり、その目的は、ネガ型レジストによるり７ト
オ７加工、更にはり７トオ７加工を利用して、基板の平
坦化を行う微細パターン形成法を提供することにある。
ものであり、その目的は、ネガ型レジストによるり７ト
オ７加工、更にはり７トオ７加工を利用して、基板の平
坦化を行う微細パターン形成法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は微細パター
ン形成法の発明であって、被加工基板上に有機高分子材
料フィルム層を設ける工程、その上部に有機金属含有ネ
ガ型レジストを設ける工程、該ネガ型レジストを光、電
子線又はＸ線を用いてパターン状に露光した後、現像す
る工程、現像された該ネガ型レジストパターンをマスク
として酸素ガスプラズマエツチングにより前記有機高分
子材料フィルム層をパターン化する工程、゛この表面に
金属、半導体又は誘電体の薄膜を蒸着あるいはスパッタ
リングにより全面にコーティングする工程及び前記有機
高分子材料フィルムを溶解できる溶剤中でレジストパタ
ーン上の薄膜をリフトオフ法により除去する工程の各工
程を包含することを特徴とする。
ン形成法の発明であって、被加工基板上に有機高分子材
料フィルム層を設ける工程、その上部に有機金属含有ネ
ガ型レジストを設ける工程、該ネガ型レジストを光、電
子線又はＸ線を用いてパターン状に露光した後、現像す
る工程、現像された該ネガ型レジストパターンをマスク
として酸素ガスプラズマエツチングにより前記有機高分
子材料フィルム層をパターン化する工程、゛この表面に
金属、半導体又は誘電体の薄膜を蒸着あるいはスパッタ
リングにより全面にコーティングする工程及び前記有機
高分子材料フィルムを溶解できる溶剤中でレジストパタ
ーン上の薄膜をリフトオフ法により除去する工程の各工
程を包含することを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は、第１の発明の有機高分
子材料フィルム層をパターン化する工程と、この表面に
金属、半導体又は誘導体の薄膜を蒸着あるいはスパッタ
リングによシ全面にコーティングする工程との間にパタ
ーン化工程で得られたパターンをマスクとして被加工基
板をプラズマエツチングする工程を挿入することを特徴
とする。
子材料フィルム層をパターン化する工程と、この表面に
金属、半導体又は誘導体の薄膜を蒸着あるいはスパッタ
リングによシ全面にコーティングする工程との間にパタ
ーン化工程で得られたパターンをマスクとして被加工基
板をプラズマエツチングする工程を挿入することを特徴
とする。
本発明の基本的な加工プロセスを第５図に示す。すなわ
ち、第３図は本発明による微細ノ（ターン形成の工程図
である。第５図において、符号１は基板、２２は有機高
分子材料フィルム、２３は有機金属ネガ型レジスト、５
は金属、半導体又は誘電体の薄膜を示す。まず基板上に
下層として有機高分子材料フィルムを、上層に有機金属
ネガ型レジストを塗布する（第３図ａ）。
ち、第３図は本発明による微細ノ（ターン形成の工程図
である。第５図において、符号１は基板、２２は有機高
分子材料フィルム、２３は有機金属ネガ型レジスト、５
は金属、半導体又は誘電体の薄膜を示す。まず基板上に
下層として有機高分子材料フィルムを、上層に有機金属
ネガ型レジストを塗布する（第３図ａ）。
次に、光、電子線あるいはＸ線をパターン状に照射した
後現像し、レジストパターンを形成する（第６図ｂ）。
後現像し、レジストパターンを形成する（第６図ｂ）。
このレジストパターンをマスクとして、酸素ガスプラズ
マエツチングを用いて有様高分子材料フィルムをパター
ン化する（第５図Ｃ）。このパターン上に、蒸着あるい
はスパッタリングによって、金属、半導体あるいは誘電
体の薄膜をコーテイング後（第５図ｄ）、有機高分子材
料フィルムの溶剤を用いてり７トオ７法によって薄膜の
パターンを得る（第３図θ）。平坦化を行う場合は、有
機高分子材料フィルムをパターン化した（第３図ｃ’）
後、更に基板をプラズマエツチングすることによシバタ
ーン化しく第３図ｆ）、エツチングした深さ分を前記薄
膜でコーティングを行い（第３図ｇへリフトオフ法で薄
膜パターンを形成する（第６図ｈ）。
マエツチングを用いて有様高分子材料フィルムをパター
ン化する（第５図Ｃ）。このパターン上に、蒸着あるい
はスパッタリングによって、金属、半導体あるいは誘電
体の薄膜をコーテイング後（第５図ｄ）、有機高分子材
料フィルムの溶剤を用いてり７トオ７法によって薄膜の
パターンを得る（第３図θ）。平坦化を行う場合は、有
機高分子材料フィルムをパターン化した（第３図ｃ’）
後、更に基板をプラズマエツチングすることによシバタ
ーン化しく第３図ｆ）、エツチングした深さ分を前記薄
膜でコーティングを行い（第３図ｇへリフトオフ法で薄
膜パターンを形成する（第６図ｈ）。
前記のような有機金属含有のネガ型レジストとしては、
有機シリコン系、有機アルミニウム系、有機ゲルマニウ
ム系若しくは有機スズ系の高分子材料が使用できる。特
に有機シリコン系高分子材料の中でも汎用めシリコーン
樹脂はネガ型レジストとして作用することが知られてお
り、容易に本発明のプロセスに適用できる。また、下層
に溶剤に可溶な高分子材料を用いるため、上記有機金属
レジストを下層高分子材料上に塗布し、更に現像する際
塗布溶剤や現像溶媒を下層高分子材料が溶解しないよう
に選択して使用する必要があり、このような２層系の材
料を選択しなければならない。この点でもシリコーン樹
脂系ネガ型レジストは溶解性に非常に優れているので特
に本発明のプロセスに有効である。
有機シリコン系、有機アルミニウム系、有機ゲルマニウ
ム系若しくは有機スズ系の高分子材料が使用できる。特
に有機シリコン系高分子材料の中でも汎用めシリコーン
樹脂はネガ型レジストとして作用することが知られてお
り、容易に本発明のプロセスに適用できる。また、下層
に溶剤に可溶な高分子材料を用いるため、上記有機金属
レジストを下層高分子材料上に塗布し、更に現像する際
塗布溶剤や現像溶媒を下層高分子材料が溶解しないよう
に選択して使用する必要があり、このような２層系の材
料を選択しなければならない。この点でもシリコーン樹
脂系ネガ型レジストは溶解性に非常に優れているので特
に本発明のプロセスに有効である。
本発明におけるオーバーハング構造について、第４図及
び第５図により説明する。第４図はジャストエツチング
直後のパターンの断面概略図、第５図はオーバーエツチ
ングによって、オーバーハング構造が顕著になったパタ
ーンの断面概瞥図である。各図中の符号１．２２．２５
は第５図と同義である。リフトオフ法に有効なオーバー
ハング構造は、上層レジストの露光、現像条件によらず
、酸素ガスプラズマエツチングのエツチング条件を変え
ることで第４図及び第５図に示すように制御できる。
び第５図により説明する。第４図はジャストエツチング
直後のパターンの断面概略図、第５図はオーバーエツチ
ングによって、オーバーハング構造が顕著になったパタ
ーンの断面概瞥図である。各図中の符号１．２２．２５
は第５図と同義である。リフトオフ法に有効なオーバー
ハング構造は、上層レジストの露光、現像条件によらず
、酸素ガスプラズマエツチングのエツチング条件を変え
ることで第４図及び第５図に示すように制御できる。
以上説明したように、本発明は次のような利点を持って
いる。
いる。
（１） 有機金属ネガ型レジストは、酸素ガスプラズマ
エツチングに対して高耐性であ゛るので、レジスト膜厚
は薄くて良く解像性が高い。
エツチングに対して高耐性であ゛るので、レジスト膜厚
は薄くて良く解像性が高い。
（２） リフトオフ法に有効なオーバーハング構造を酸
素ガスプラズマエツチングのエツチング条件を変えるこ
とで制御できる。
素ガスプラズマエツチングのエツチング条件を変えるこ
とで制御できる。
（３）上層のネガ型レジストは、光、電子線あるいはＸ
線の照射によってレジストポリマーが架橋して溶剤に不
溶になるが、下層有機高分子材料フィルムは可溶なので
、ネガ型パターンのす７トオフ加工が可能である。
線の照射によってレジストポリマーが架橋して溶剤に不
溶になるが、下層有機高分子材料フィルムは可溶なので
、ネガ型パターンのす７トオフ加工が可能である。
以下実施例によシ本発明を更に具体的に説明するが、本
発明はこれらに限定されない。
発明はこれらに限定されない。
実施例１
シリコン基板（表面を熱酸化）土にフェニルメタクリレ
ートとメタクリル酸共重合体を０．６μｍ厚に塗布しプ
リベークした。更にこの上にシリコーン系ネガ型レジス
ト（感度約８０μＣ／ａｔ？）を０．１５μｍ厚に塗布
した。このレジストに２０ ＫＶ の電子線を０．４μ
ｍ ピッチで長さ０．５調にわたって照射した。照射稜
ジインブチルケトンーシクロヘキサン（＊：１）の混合
溶媒に２０秒浸して現像後シクロヘキサン中で２０秒リ
ンスすると線幅約ａ２μｍ１長い０．５．０レジストハ
ターンが得られた。レジストパターンをマスクに酸素の
反応性イオンエツチング（酸素流量５０ ａｃａｙ 、
圧力１０ミリトル、パワーα１Ｗ／ｃｍ” ）を８分３
０秒行うと線幅的０．２ μｍ のレジストパターンと
その下に線幅的０１μｍの下ｆｆｉフィルムのパターン
がでキ、オーパーツ１ング構造が得られた。このときレ
ジスト膜厚は約０．１４μｍ であった。このパターン
に金を約０．３μｍ蒸着後、メチルエチルケトン中で超
音波を５分照射し、リフトオンすると線幅的０．２μＦ
＋＋％高さ約０３μｍ１長さ０．５■の金の微細パター
ンが得られた。
ートとメタクリル酸共重合体を０．６μｍ厚に塗布しプ
リベークした。更にこの上にシリコーン系ネガ型レジス
ト（感度約８０μＣ／ａｔ？）を０．１５μｍ厚に塗布
した。このレジストに２０ ＫＶ の電子線を０．４μ
ｍ ピッチで長さ０．５調にわたって照射した。照射稜
ジインブチルケトンーシクロヘキサン（＊：１）の混合
溶媒に２０秒浸して現像後シクロヘキサン中で２０秒リ
ンスすると線幅約ａ２μｍ１長い０．５．０レジストハ
ターンが得られた。レジストパターンをマスクに酸素の
反応性イオンエツチング（酸素流量５０ ａｃａｙ 、
圧力１０ミリトル、パワーα１Ｗ／ｃｍ” ）を８分３
０秒行うと線幅的０．２ μｍ のレジストパターンと
その下に線幅的０１μｍの下ｆｆｉフィルムのパターン
がでキ、オーパーツ１ング構造が得られた。このときレ
ジスト膜厚は約０．１４μｍ であった。このパターン
に金を約０．３μｍ蒸着後、メチルエチルケトン中で超
音波を５分照射し、リフトオンすると線幅的０．２μＦ
＋＋％高さ約０３μｍ１長さ０．５■の金の微細パター
ンが得られた。
実施例２
実施例１と同様に有機高分子材料膜、レジストを塗布後
２０ ＫＶ の電子線を０．５μｍ角に照射し、実施例
１と同様に現像、リンスすると約１５μｍ角の孤立した
レジスト膜（ター゛ンが得られた。実施例１と同じ条件
で酸素でエツチングを８分３０秒行うとＯ，Ｓμｍ角の
レジスト膜くターンの下にα４μｍ角の下層フィルムの
）（ターンが得られた。次に酸化シリコン（８１０）を
０４μｍ蒸着後メチルエチルケトン中で超音波を５分照
射しリフトオフすると約０．５μｍ角、深さ０．４μｍ
のウィンドができた。
２０ ＫＶ の電子線を０．５μｍ角に照射し、実施例
１と同様に現像、リンスすると約１５μｍ角の孤立した
レジスト膜（ター゛ンが得られた。実施例１と同じ条件
で酸素でエツチングを８分３０秒行うとＯ，Ｓμｍ角の
レジスト膜くターンの下にα４μｍ角の下層フィルムの
）（ターンが得られた。次に酸化シリコン（８１０）を
０４μｍ蒸着後メチルエチルケトン中で超音波を５分照
射しリフトオフすると約０．５μｍ角、深さ０．４μｍ
のウィンドができた。
実施例３
熱酸化膜（厚さ０．２μｍ）がコートされたシリコン基
板にフェニルメタクリレートとメタクリル酸共重合体を
［Ｌ５μｍ厚に塗布し、プリベークした。この上にシリ
コーン系ネガ型レジスト（感度４０μＯ／ｌ：ｗ’）を
０．２μｍ厚に塗布した。
板にフェニルメタクリレートとメタクリル酸共重合体を
［Ｌ５μｍ厚に塗布し、プリベークした。この上にシリ
コーン系ネガ型レジスト（感度４０μＯ／ｌ：ｗ’）を
０．２μｍ厚に塗布した。
このレジストに２０ ＫＶ の電子線を０．５μｍ ピ
ッチで長さ０．５ ｍにわたって照射した。実施例１と
同様に現像、リンス、更に酸素プラズマエツチングを６
分３０秒行うと線幅的０．２５μｍのレジストパターン
と線幅的０．２μｍの下層のパターンが得られた。これ
をマスクにＯＦ４ ＋ Ｈ２（２０％）のガスで反応性
イオンエツチング（流量２０ ａａａｙ、圧力６０ミリ
トル、パワーａ ２ Ｗ ／ ｃｍ” ）を８分行い、
深さ０．２ ｔｌｍ−、線幅［１２５μｍのシリコン酸
化膜のパターンが得られた。この上に金を０．２μｍ蒸
着し、実施例１と同様にリフトオフすると線幅的［１Ｌ
２５μｍ、厚さ０．２μｍの平坦化された金のパターン
が得られた。
ッチで長さ０．５ ｍにわたって照射した。実施例１と
同様に現像、リンス、更に酸素プラズマエツチングを６
分３０秒行うと線幅的０．２５μｍのレジストパターン
と線幅的０．２μｍの下層のパターンが得られた。これ
をマスクにＯＦ４ ＋ Ｈ２（２０％）のガスで反応性
イオンエツチング（流量２０ ａａａｙ、圧力６０ミリ
トル、パワーａ ２ Ｗ ／ ｃｍ” ）を８分行い、
深さ０．２ ｔｌｍ−、線幅［１２５μｍのシリコン酸
化膜のパターンが得られた。この上に金を０．２μｍ蒸
着し、実施例１と同様にリフトオフすると線幅的［１Ｌ
２５μｍ、厚さ０．２μｍの平坦化された金のパターン
が得られた。
以上詳細に説明したように、本発明方法によれば、有機
金属ネガ型レジストと有機高分子材料フィルムで構成さ
れる系は、サブミクロンオーダの微細パターン形成、パ
ターンの平坦化、更に従来困難であった孤立パターンの
ようなネガ型パターンのリフトオフが可能であるから、
微細化が要求されているＶＬＳＩの素子加工に供するこ
とができるという利点がある。
金属ネガ型レジストと有機高分子材料フィルムで構成さ
れる系は、サブミクロンオーダの微細パターン形成、パ
ターンの平坦化、更に従来困難であった孤立パターンの
ようなネガ型パターンのリフトオフが可能であるから、
微細化が要求されているＶＬＳＩの素子加工に供するこ
とができるという利点がある。
第１図は従来のりフトオフ法の工程図、第２図は従来の
平坦化の工程図、第５図は本発明による微細パターン形
成の工程図、第４゛図はジャストエツチング直後のパタ
ーンの断面概略図、そして第５図はオーバーエツチング
によって、オーバーハング構造が顕著なパターンの断面
概略図である。 １：基板、２１ニレジスト、２２：有機高分子材料フィ
ルム、２３：有機金属ネガ型レジスト、５：金属、半導
体又は誘導体の薄膜特許出願人 日本電信′ｍ話公社 代理人 中 本 宏 同 井 上 昭 〜２／ Ｄ８ 第１図 第２図 〜２３ ２２ へ２２
平坦化の工程図、第５図は本発明による微細パターン形
成の工程図、第４゛図はジャストエツチング直後のパタ
ーンの断面概略図、そして第５図はオーバーエツチング
によって、オーバーハング構造が顕著なパターンの断面
概略図である。 １：基板、２１ニレジスト、２２：有機高分子材料フィ
ルム、２３：有機金属ネガ型レジスト、５：金属、半導
体又は誘導体の薄膜特許出願人 日本電信′ｍ話公社 代理人 中 本 宏 同 井 上 昭 〜２／ Ｄ８ 第１図 第２図 〜２３ ２２ へ２２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 被加工基板上に有機高分子材料フィルム層を設け
る工程、その上部に有機金属含有ネガ型レジストを設け
る工程、該ネガ型レジストを光、電子線又はＸ線を用い
てパターン状に露光した後、現像する工程、現像された
該ネガ型レジストバター／をマスクとして酸素ガスプラ
ズマエツチングにより前記有機高分子材料フーイルム層
をパターン化する工程、この表面に金属、半導体又は誘
電体の薄膜を蒸着あるいはスパッタリングによシ全面に
コーティングする工程、及び前記有機高分子材料フィル
ムを溶解できる溶剤中でレジストパターン上の薄膜をす
７トオフ法により除去する工程の各工程を包含すること
を韓徴とする微細パターン形成法。 ２、 該有機金属含有ネガ型レジストが、シリコーン系
ネガ型レジストである特許請求の範囲第１項記載の微細
パターン形成法。 五 被加工基板上に有機高分子材料フィルム層を設ける
工程、その上部に有機金属含有ネガ型レジストを設ける
工程、該ネガ型レジストを光、電子線又はＸ線を用いて
パターン状に露光した後、現像する工程、現像された該
ネガ型レジストパターンをマスクとして酸素ガスプラズ
マエツチングによシ前記有機高分子材料フィルム層をパ
ターン化する工程、こうして得られたパターンをマスク
として被加工基板をプラズマエツチングする工程、この
表面に金属、半導体又は誘電体の薄膜を蒸着あるいはス
パッタリングにより全面にコーティングする工程、及び
前記有機高分子材料フィルムを溶解できる溶剤中でレジ
ストパターン上の薄膜をす７トオ７法により除去する工
程の各工程を包含することを特徴とする微細パターン形
成法。 ４、 該有機金属含有ネガ型レジストが、シリコ−ン系
ネガ型レジストである特許請求の範囲第３項記載の微細
パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17419783A JPS6066432A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 微細パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17419783A JPS6066432A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066432A true JPS6066432A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15974418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17419783A Pending JPS6066432A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066432A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137224A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| US6605414B2 (en) * | 1995-06-30 | 2003-08-12 | Fujitsu Limtied | Method for manufacturing magnetoresistance head |
| EP1696472A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | Seiko Epson Corporation | A patterning method for fabricating high resolution structures |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17419783A patent/JPS6066432A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137224A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| US6605414B2 (en) * | 1995-06-30 | 2003-08-12 | Fujitsu Limtied | Method for manufacturing magnetoresistance head |
| EP1696472A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | Seiko Epson Corporation | A patterning method for fabricating high resolution structures |
| US7439193B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-10-21 | Seiko Epson Corporation | Patterning method for fabricating high resolution structures |
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