JPS5892224A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5892224A JPS5892224A JP19146481A JP19146481A JPS5892224A JP S5892224 A JPS5892224 A JP S5892224A JP 19146481 A JP19146481 A JP 19146481A JP 19146481 A JP19146481 A JP 19146481A JP S5892224 A JPS5892224 A JP S5892224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- predetermined
- pattern
- plasma etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所定基板上に樹脂膜とポジ型レジストを用い
て、リフトオフに適したパターンを形成する方法および
微細なパターンを形成する方法に関するものである。
て、リフトオフに適したパターンを形成する方法および
微細なパターンを形成する方法に関するものである。
半導体装置の集積化が進むにつれて、微細なパターンを
形成する必要性が高捷っている。餓細なパターンを形成
するためには、基板上に塗付するレジスト層を薄くする
必要がある。しかし、１／シスト層を薄くするとピンホ
ールが発生しやすくなること、あるいは凹凸のある基板
の被覆が不充分となることなどの不都合が生じる。この
ためレジスト層を薄くすることには限界があり、このこ
とによってパターンの微細化が制限されていた。まだ、
電子ビーム露光を用いてパターンを形成する場合は、基
板から後方散乱されてレジスト中にまい戻る電子が露光
に寄与するため、基板に近いレジスト層はど露光量が強
くなり、このレジスト内の露光量の変化がレジストの微
細化を妨げていた。
形成する必要性が高捷っている。餓細なパターンを形成
するためには、基板上に塗付するレジスト層を薄くする
必要がある。しかし、１／シスト層を薄くするとピンホ
ールが発生しやすくなること、あるいは凹凸のある基板
の被覆が不充分となることなどの不都合が生じる。この
ためレジスト層を薄くすることには限界があり、このこ
とによってパターンの微細化が制限されていた。まだ、
電子ビーム露光を用いてパターンを形成する場合は、基
板から後方散乱されてレジスト中にまい戻る電子が露光
に寄与するため、基板に近いレジスト層はど露光量が強
くなり、このレジスト内の露光量の変化がレジストの微
細化を妨げていた。
一方、基板上に所定金属図形を形成するためにリフ１−
オフとよばれる方法がしばしば用い゛られる。
オフとよばれる方法がしばしば用い゛られる。
このリフトオフ法では第１図で示す過程を経てパターン
形成がなされる。すなわち第１図（ｄ）に示すように、
所定基板１上にレジスト膜２を塗付した後、露光、現像
を行い所定窓図形３を形成し〔第１図（ｂ）〕、さらに
この上に金属膜４を蒸着して第１図（Ｃ）で示す基板構
造を得、こののちレジスト膜２を除去することにより、
この上の金属膜を同時に取り去り、所定の金属膜図形５
を形成する〔第１図（ｄ）〕。
形成がなされる。すなわち第１図（ｄ）に示すように、
所定基板１上にレジスト膜２を塗付した後、露光、現像
を行い所定窓図形３を形成し〔第１図（ｂ）〕、さらに
この上に金属膜４を蒸着して第１図（Ｃ）で示す基板構
造を得、こののちレジスト膜２を除去することにより、
この上の金属膜を同時に取り去り、所定の金属膜図形５
を形成する〔第１図（ｄ）〕。
ところで、実際に形成されるレンストパターンの断面形
状は第１図で示すようにはならず、通常は、第２図（ａ
）で示すように逆台形状となる。このため、レジスト膜
のパターンが形成された基板上に金属膜４を蒸着すると
、第２図（ｂ）で示すように、所定窓図形３上の金属膜
部分とレジスト膜２上の金属膜部分とがつながり、リフ
トオフにより所定の金属図形６を形成するのが困難にな
る不都合があった。
状は第１図で示すようにはならず、通常は、第２図（ａ
）で示すように逆台形状となる。このため、レジスト膜
のパターンが形成された基板上に金属膜４を蒸着すると
、第２図（ｂ）で示すように、所定窓図形３上の金属膜
部分とレジスト膜２上の金属膜部分とがつながり、リフ
トオフにより所定の金属図形６を形成するのが困難にな
る不都合があった。
本発明は、所定基板上に一層以上の樹脂膜を塗付後、ポ
ジ型レジストを塗付し、ポジ型レジストに所定図形を露
光、現像した後、プラズマエツチングを用いて樹脂薄膜
を除去することを特徴とするパターン形成方法であって
、本発明によれば」二連の問題点を解決することができ
、基板に垂直な方向ヲ強くエツチングするプラズマエツ
チングニより、微細パターンの形成が可能となり、等方
的なプラズマエツチングをすることにより、リフトオフ
に適したパターンを形成することができる。
ジ型レジストを塗付し、ポジ型レジストに所定図形を露
光、現像した後、プラズマエツチングを用いて樹脂薄膜
を除去することを特徴とするパターン形成方法であって
、本発明によれば」二連の問題点を解決することができ
、基板に垂直な方向ヲ強くエツチングするプラズマエツ
チングニより、微細パターンの形成が可能となり、等方
的なプラズマエツチングをすることにより、リフトオフ
に適したパターンを形成することができる。
以下に本発明第３図を参照して詳細に説明する。
先ず、第３図（ａ）に示すように所定基板１上に樹脂薄
膜６を塗付し、プリベークを行った後、レジスト膜２を
塗付し再度プリベークを行う。なお上記の樹脂薄膜６は
レジストであってもよいし、非感光性樹脂であってもよ
い。
膜６を塗付し、プリベークを行った後、レジスト膜２を
塗付し再度プリベークを行う。なお上記の樹脂薄膜６は
レジストであってもよいし、非感光性樹脂であってもよ
い。
次に、所定図形を露光、現像して、第３図（ｂ）に示す
ようにレジスト膜２に窓３を形成する。この現像液に対
して不溶性の樹脂薄膜６を用いることにより、樹脂薄膜
６はそのまま残存する。ここで露光は、光露光、電子ビ
ーム電光が考えられるが、Ｘ線露光、イオンビーム露光
を用いることもできる。
ようにレジスト膜２に窓３を形成する。この現像液に対
して不溶性の樹脂薄膜６を用いることにより、樹脂薄膜
６はそのまま残存する。ここで露光は、光露光、電子ビ
ーム電光が考えられるが、Ｘ線露光、イオンビーム露光
を用いることもできる。
コノのち、対向電極型のプラズマエツチング装置を用い
て窓３内に露呈する樹脂薄膜６をエツチングすることに
より、第３図（ｃ）で示すようにパターン形成がなされ
る。以上の過程を経て形成したパターンは極めて微細な
ものとなる。ここでは、一層の樹脂薄膜について説明し
たが、多層の樹脂薄膜を形成することも可能である。
て窓３内に露呈する樹脂薄膜６をエツチングすることに
より、第３図（ｃ）で示すようにパターン形成がなされ
る。以上の過程を経て形成したパターンは極めて微細な
ものとなる。ここでは、一層の樹脂薄膜について説明し
たが、多層の樹脂薄膜を形成することも可能である。
次いで、円筒形プラズマエツチング装置を用いて樹脂薄
膜６に対して等方的なエツチング処理を施すと、樹脂薄
膜６は第３図（ｄ）で示すようエツチングされる。この
形状は、レジスト膜２が廂状に突出したリフトオフに好
適な形状である。
膜６に対して等方的なエツチング処理を施すと、樹脂薄
膜６は第３図（ｄ）で示すようエツチングされる。この
形状は、レジスト膜２が廂状に突出したリフトオフに好
適な形状である。
第３図（６）は、以」−の処理を経た基体に金属膜を形
成したのちの状態を示す図であり、図示するように、レ
ジヌト膜上の金属膜４と基体１上の金属膜図形６とが完
全に分断される。したかって、レジスト膜２を除去する
ことにより、同時にこの上の金属膜４を取り去ることが
でき、金属膜図形６をうろことができる。
成したのちの状態を示す図であり、図示するように、レ
ジヌト膜上の金属膜４と基体１上の金属膜図形６とが完
全に分断される。したかって、レジスト膜２を除去する
ことにより、同時にこの上の金属膜４を取り去ることが
でき、金属膜図形６をうろことができる。
次に第３図に基いて具体例について説明する。
基本１としてシリコン（Ｓｌ）基板を用い、樹脂薄膜６
としてポジ型電子ビームレシヌトとして知られるＰＢＳ
（ポリプランスルフォン）を用い、レジスト嘆２として
Ａ Ｚ ２４００を用いる。８１基板上に１μｍの厚さ
にＰＢＳを塗付後、１６０Ｇ１０分間のプリベークを行
う。ＡＺ２４００を０．５７１ ｍの厚さに塗付しテ９
０’Ｃ、１０分間のプリベークを再度行う。所定マスク
を用いて光露光を行う。
としてポジ型電子ビームレシヌトとして知られるＰＢＳ
（ポリプランスルフォン）を用い、レジスト嘆２として
Ａ Ｚ ２４００を用いる。８１基板上に１μｍの厚さ
にＰＢＳを塗付後、１６０Ｇ１０分間のプリベークを行
う。ＡＺ２４００を０．５７１ ｍの厚さに塗付しテ９
０’Ｃ、１０分間のプリベークを再度行う。所定マスク
を用いて光露光を行う。
次ＫＡＺ２４０１現像液を用いて、ＡＺ２４００を現像
する。こののち対向電極型プラズマエツチング装置を用
いて、ＲＦ出力２００Ｗ 、圧力０．３Ｔｏｖｒ 、
エンチングガスｏ２の条件で３０秒間エツチングする
。この処理ではＡ Ｚ ２４００の膜ペリはほとんどな
く、最小パターンとして０．５μｍスペースの微細パタ
ーンを形成することができる。
する。こののち対向電極型プラズマエツチング装置を用
いて、ＲＦ出力２００Ｗ 、圧力０．３Ｔｏｖｒ 、
エンチングガスｏ２の条件で３０秒間エツチングする
。この処理ではＡ Ｚ ２４００の膜ペリはほとんどな
く、最小パターンとして０．５μｍスペースの微細パタ
ーンを形成することができる。
リフトオフに適したパターンを形成するためには、円筒
形のプラズマエツチング装置を用いる。
形のプラズマエツチング装置を用いる。
ＲＦ出力２００Ｗ 、圧力２ Ｔ□ｖｒ 、 工ｙチ
ングガス０２の条件で６分間エツチングすることにより
、窓部直下のＰＢＳはエツチングされ、サイドエツチン
グにより、リフトオフに適したパターン形状を形成する
ことができた。
ングガス０２の条件で６分間エツチングすることにより
、窓部直下のＰＢＳはエツチングされ、サイドエツチン
グにより、リフトオフに適したパターン形状を形成する
ことができた。
以上詳述したように、本発明によれば、基板が凹凸のあ
るものであっても樹脂薄膜を塗付することによりこの凹
凸を緩和して平らにするとともにピンホールの発生をな
くすことができるので、ポジ型レジスト層を薄く塗布で
き、しかも最終的にプラズマエツチングによりレジスト
を除去するのでレジスト残渣の発生がなくなり、切れの
よい微細なパターンを形成することができる。まだ、等
方向なプラズマエツチングを用いることにより、樹脂薄
膜がサイドエツチングされることにより、リフトオフに
適した形状のパターンを形成することができる。
るものであっても樹脂薄膜を塗付することによりこの凹
凸を緩和して平らにするとともにピンホールの発生をな
くすことができるので、ポジ型レジスト層を薄く塗布で
き、しかも最終的にプラズマエツチングによりレジスト
を除去するのでレジスト残渣の発生がなくなり、切れの
よい微細なパターンを形成することができる。まだ、等
方向なプラズマエツチングを用いることにより、樹脂薄
膜がサイドエツチングされることにより、リフトオフに
適した形状のパターンを形成することができる。
第１図（ＩＬ）〜（ｄ）はリフトオフを説明する工程断
面図、第２図（２Ｌ） 、 （ｂ）は従来のリフトオフ
工程の断面図、 第３図（ＩＬ）〜（ｅｌ）は本発明の一実施例による微
細パターンを形成する方法およびリフトオフに適したパ
ターンを形成する方法を説明する断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ボン型しシヌト、
３・・・・・・窓、４・・・・・・金属膜、６・・・・
・・金属膜図形、６・・・・・樹脂薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 （Ｃ） ［ｄ）〔ε）
５
面図、第２図（２Ｌ） 、 （ｂ）は従来のリフトオフ
工程の断面図、 第３図（ＩＬ）〜（ｅｌ）は本発明の一実施例による微
細パターンを形成する方法およびリフトオフに適したパ
ターンを形成する方法を説明する断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ボン型しシヌト、
３・・・・・・窓、４・・・・・・金属膜、６・・・・
・・金属膜図形、６・・・・・樹脂薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 （Ｃ） ［ｄ）〔ε）
５
Claims (1)
- 所定基板上に一層以上の樹脂膜を塗付後、ポジ型レジス
トを塗付し、前記ポジ型レジストに所定図形を露光、現
像した後、プラズマエツチングを用いてｉＪ記樹脂薄膜
を除去することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19146481A JPS5892224A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19146481A JPS5892224A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892224A true JPS5892224A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16275077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19146481A Pending JPS5892224A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH055191U (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-26 | 株式会社馬頭製作所 | 子供用自動車 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643729A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of fine pattern |
| JPS5687343A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-15 | Sony Corp | Forming method of wiring |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19146481A patent/JPS5892224A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643729A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of fine pattern |
| JPS5687343A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-15 | Sony Corp | Forming method of wiring |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH055191U (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-26 | 株式会社馬頭製作所 | 子供用自動車 |
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