JPH0748468B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPH0748468B2 JPH0748468B2 JP11418087A JP11418087A JPH0748468B2 JP H0748468 B2 JPH0748468 B2 JP H0748468B2 JP 11418087 A JP11418087 A JP 11418087A JP 11418087 A JP11418087 A JP 11418087A JP H0748468 B2 JPH0748468 B2 JP H0748468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- pattern
- resist
- oxide film
- pattern formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子ビーム露光によるパターン形成方法、詳し
くは、そのマスク工程に関するものである。
くは、そのマスク工程に関するものである。
従来の技術 半導体素子の微細化にともない、電子ビーム露光による
パターン形成が行われている。電子ビーム露光におい
て、半絶縁性基板を用いる場合や、多層レジストの下層
膜厚が大きな場合には、入射電子の帯電により、電子ビ
ームが曲げられるという問題がある。この問題を解決す
るために、レジスト表面に金属薄膜を蒸着する方法や多
層レジストの中間層に金属蒸着膜を用いるという方法が
行われている。
パターン形成が行われている。電子ビーム露光におい
て、半絶縁性基板を用いる場合や、多層レジストの下層
膜厚が大きな場合には、入射電子の帯電により、電子ビ
ームが曲げられるという問題がある。この問題を解決す
るために、レジスト表面に金属薄膜を蒸着する方法や多
層レジストの中間層に金属蒸着膜を用いるという方法が
行われている。
発明が解決しようとする問題点 前述のように、電子ビーム露光においては、入射電子の
帯電により電子ビームが曲げられると、描画パターンの
歪みが発生する。帯電防止のために金属薄膜を蒸着する
という方法は、製膜時の汚染やプロセスの複雑化という
問題点がある。
帯電により電子ビームが曲げられると、描画パターンの
歪みが発生する。帯電防止のために金属薄膜を蒸着する
という方法は、製膜時の汚染やプロセスの複雑化という
問題点がある。
問題点を解決するための手段 本発明は、以上の問題点を解決するためのものであり、
基板上に形成した多層レジスト中の少くとも一層に水素
プラズマ処理を施した塗布酸化膜を用いる工程をそなえ
たパターン形成方法である。
基板上に形成した多層レジスト中の少くとも一層に水素
プラズマ処理を施した塗布酸化膜を用いる工程をそなえ
たパターン形成方法である。
作用 本発明により電子ビーム露光における電子の帯電を防止
することができ、パターンを高精度で形成することが可
能である。
することができ、パターンを高精度で形成することが可
能である。
実施例 以下に本発明を、第１図〜第５図の実施例工程により、
詳細に説明する。第１図のように、シリコン基板１上に
ノボラック系樹脂による有機薄膜２を、２μｍ厚に塗布
し、275℃,30分間のベークを行う。次にシラノール系塗
布酸化膜３を0.2μｍ厚に塗布し250℃,30分間のベーク
を行った後、平行平板型RIE装置により、水素プラズマ
４による処理を行う。水素プラズマ処理の条件は、水素
流量20sccn,圧力100mTorr,電力密度0.6W/cm2であり、プ
ラズマ処理時間は５分間であった。つづいて、第２図の
ように、電子ビームレジスト５を、ポリメチルメタアク
リレート（PMMA）により0.5μｍ厚に塗布し、170℃,30
分間のベーク後に、電子ビーム６による露光（加速電圧
25KV,露光量100μC/cm2）及び現像（現像液：メチルイ
ソブチルケトン（MIBK））を行い、第３図のレジストパ
ターンを得る。次に、第４図のように、中間層の塗布酸
化膜３をCHF3／O2混合ガスを用いるRIEにより、エッチ
ング（流量CHF345sccn,O25sccn;圧力150mTorr;電力密度
0.5W/cm2）を行う。つづいて下層の有機薄膜２を、酸素
を用いるRIE（流量10sccn,酸素圧力15mTorr,電力密度0.
2W/cm2,30分間）により、エッチングすることにより第
５図のように、レジストパターンを形成する。
詳細に説明する。第１図のように、シリコン基板１上に
ノボラック系樹脂による有機薄膜２を、２μｍ厚に塗布
し、275℃,30分間のベークを行う。次にシラノール系塗
布酸化膜３を0.2μｍ厚に塗布し250℃,30分間のベーク
を行った後、平行平板型RIE装置により、水素プラズマ
４による処理を行う。水素プラズマ処理の条件は、水素
流量20sccn,圧力100mTorr,電力密度0.6W/cm2であり、プ
ラズマ処理時間は５分間であった。つづいて、第２図の
ように、電子ビームレジスト５を、ポリメチルメタアク
リレート（PMMA）により0.5μｍ厚に塗布し、170℃,30
分間のベーク後に、電子ビーム６による露光（加速電圧
25KV,露光量100μC/cm2）及び現像（現像液：メチルイ
ソブチルケトン（MIBK））を行い、第３図のレジストパ
ターンを得る。次に、第４図のように、中間層の塗布酸
化膜３をCHF3／O2混合ガスを用いるRIEにより、エッチ
ング（流量CHF345sccn,O25sccn;圧力150mTorr;電力密度
0.5W/cm2）を行う。つづいて下層の有機薄膜２を、酸素
を用いるRIE（流量10sccn,酸素圧力15mTorr,電力密度0.
2W/cm2,30分間）により、エッチングすることにより第
５図のように、レジストパターンを形成する。
形成されたパターンについては、チャージアップによる
パターンのずれは見られなかった。因に、塗布酸化膜の
水素プラズマ処理を行わない従来の３層レジストでは、
露光フィールドの周辺部でのパターンの位置ずれは、0.
3μｍであった。塗布酸化膜の水素プラズマ処理によ
る、チャージアップ防止法は、金属薄膜蒸着と比較し
て、成膜時のダストの発生が無く、プロセスも比較的容
易である。さらにこの方法では従来の３層レジスト法
と、層構成が同じであるため従来の３層レジスト工程が
そのまま適用できるという利点がある。
パターンのずれは見られなかった。因に、塗布酸化膜の
水素プラズマ処理を行わない従来の３層レジストでは、
露光フィールドの周辺部でのパターンの位置ずれは、0.
3μｍであった。塗布酸化膜の水素プラズマ処理によ
る、チャージアップ防止法は、金属薄膜蒸着と比較し
て、成膜時のダストの発生が無く、プロセスも比較的容
易である。さらにこの方法では従来の３層レジスト法
と、層構成が同じであるため従来の３層レジスト工程が
そのまま適用できるという利点がある。
発明の効果 本発明を用いることにより、従来の３層レジスト法に塗
布酸化膜の水素プラズマ処理という工程を加えることで
電子ビームの帯電を防止し、高精度な電子ビームによる
パターン形成が可能となる。
布酸化膜の水素プラズマ処理という工程を加えることで
電子ビームの帯電を防止し、高精度な電子ビームによる
パターン形成が可能となる。
第１図〜第５図は本発明の実施例を説明する工程順断面
図である。 １……基板、２……有機薄膜、３……塗布酸化膜、４…
…水素プラズマ、５……電子ビームレジスト、６……電
子ビーム露光、７……RIE（CHF3／O2）、８……RIE
（O2）。
図である。 １……基板、２……有機薄膜、３……塗布酸化膜、４…
…水素プラズマ、５……電子ビームレジスト、６……電
子ビーム露光、７……RIE（CHF3／O2）、８……RIE
（O2）。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成した多層レジスト中の少くと
も一層に、水素プラズマ処理を施した、塗布酸化膜を用
いる工程をそなえたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11418087A JPH0748468B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11418087A JPH0748468B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278333A JPS63278333A (ja) | 1988-11-16 |
| JPH0748468B2 true JPH0748468B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=14631193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11418087A Expired - Lifetime JPH0748468B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748468B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5362176B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2013-12-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP11418087A patent/JPH0748468B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63278333A (ja) | 1988-11-16 |
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